JPS6363108A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6363108A JPS6363108A JP20600686A JP20600686A JPS6363108A JP S6363108 A JPS6363108 A JP S6363108A JP 20600686 A JP20600686 A JP 20600686A JP 20600686 A JP20600686 A JP 20600686A JP S6363108 A JPS6363108 A JP S6363108A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ビデオテープレコーダ、ディジタルオーデ
ィオテープレコーダなどの各種の磁気記録機器で信号の
高密度記録またはその再生に適する磁気ヘッドの製造方
法に係り、特に、高密度記録用磁気テープなどの高保磁
力の磁気記録媒体に適合する磁気ヘッドの製造方法に関
する。
ィオテープレコーダなどの各種の磁気記録機器で信号の
高密度記録またはその再生に適する磁気ヘッドの製造方
法に係り、特に、高密度記録用磁気テープなどの高保磁
力の磁気記録媒体に適合する磁気ヘッドの製造方法に関
する。
磁気テープなどの磁気記録媒体に高密度記録を行うには
、磁気記録媒体の保磁力Hcを高(することが有効であ
るが、保磁力Hcを高くした場合、それに伴って磁気ヘ
ッド側の記録磁界を増す必要がある。その場合、磁気ヘ
ッドのコアに飽和磁束密度Bsの大きい磁性材料を用い
ることが必要である。
、磁気記録媒体の保磁力Hcを高(することが有効であ
るが、保磁力Hcを高くした場合、それに伴って磁気ヘ
ッド側の記録磁界を増す必要がある。その場合、磁気ヘ
ッドのコアに飽和磁束密度Bsの大きい磁性材料を用い
ることが必要である。
従来、磁気ヘッドのコアには、耐摩耗性に優れ精密加工
の容易な磁性フェライト材料が用いられることが多いが
、磁性フェライトは、高い透磁率を広帯域に亘って有す
るものの、飽和磁束密度Bsが高々0.6テスラ(60
00ガウス)程度であるため、保磁力Hcが79.57
キロアンペア/メータ(1000エルステツド)を越え
るような高密度記録が行える磁気記録媒体に対して、高
密度記録に必要な記録磁界を作り出すことは困難である
。
の容易な磁性フェライト材料が用いられることが多いが
、磁性フェライトは、高い透磁率を広帯域に亘って有す
るものの、飽和磁束密度Bsが高々0.6テスラ(60
00ガウス)程度であるため、保磁力Hcが79.57
キロアンペア/メータ(1000エルステツド)を越え
るような高密度記録が行える磁気記録媒体に対して、高
密度記録に必要な記録磁界を作り出すことは困難である
。
また、コアには、金属磁性材料として、Fe−Ni系合
金(パーマロイ)、Fe−Al系合金、Fe−Al−3
t系合金(センダスト)および非晶質磁性合金を用いる
ことが知られている。これらは0.6テスラ(6000
ガウス)以上の飽和磁束密度BSが容易に得られるが、
金属磁性材料の性質として、電気電導度が高いため、コ
ア全体をこの種の金属材料のみで構成すると、高周波に
おける渦電流損失が大きくなって、電磁変換効率が著し
く低下する欠点がある。
金(パーマロイ)、Fe−Al系合金、Fe−Al−3
t系合金(センダスト)および非晶質磁性合金を用いる
ことが知られている。これらは0.6テスラ(6000
ガウス)以上の飽和磁束密度BSが容易に得られるが、
金属磁性材料の性質として、電気電導度が高いため、コ
ア全体をこの種の金属材料のみで構成すると、高周波に
おける渦電流損失が大きくなって、電磁変換効率が著し
く低下する欠点がある。
そこで、大きな記録磁界を発生させるために、コアの磁
気記録媒体との対向面における作動ギャップ近傍の一部
分を金属磁性材料で形成し、他の部分を高い透磁率を広
帯域に亘って有する磁性フェライトによって形成し、磁
性フェライトと金属磁性材料の利点を活かす複合型磁気
へ・7ドの製造方法が知られている。この製造方法は、
金属磁性材料を蒸着、スパッタリングなどの薄膜作成技
術を用いて形成することによって、磁気へ・ノド製造上
の複雑な異種材料の接着工程を省き、使用される金属磁
性材料を最小限の体積とし、渦電流損失を軽減すること
が可能である。
気記録媒体との対向面における作動ギャップ近傍の一部
分を金属磁性材料で形成し、他の部分を高い透磁率を広
帯域に亘って有する磁性フェライトによって形成し、磁
性フェライトと金属磁性材料の利点を活かす複合型磁気
へ・7ドの製造方法が知られている。この製造方法は、
金属磁性材料を蒸着、スパッタリングなどの薄膜作成技
術を用いて形成することによって、磁気へ・ノド製造上
の複雑な異種材料の接着工程を省き、使用される金属磁
性材料を最小限の体積とし、渦電流損失を軽減すること
が可能である。
第6図は、この製造方法によって製造された複合型磁気
ヘッドの磁気コア、第7図は磁気記録媒体に対するコア
の対向面の構成を示す。
ヘッドの磁気コア、第7図は磁気記録媒体に対するコア
の対向面の構成を示す。
このコアは、薄膜作成法で磁性フェライトで形成された
コア片2に金属磁性薄膜8、磁性フェライトで形成され
たコア片4に金属磁性薄膜10を形成してこれらを接合
し、各コア片2.4の磁性フェライトの磁気記録媒体と
の対向面側に作動ギャップ6を設け、各金属磁性薄膜8
.10の側部側に狭トラツク化のための補強手段として
ガラスなどの非磁性体12.14を埋め込んだものであ
る。そして、コアの磁気回路は、作動ギャップ6を中心
にして金属磁性薄膜8.10、コア片2.4によって形
成され、窓16を貫いて各コア片2.4にはコイルが巻
回され、記録信号を加え、または、再生信号を取り出す
ことができる。
コア片2に金属磁性薄膜8、磁性フェライトで形成され
たコア片4に金属磁性薄膜10を形成してこれらを接合
し、各コア片2.4の磁性フェライトの磁気記録媒体と
の対向面側に作動ギャップ6を設け、各金属磁性薄膜8
.10の側部側に狭トラツク化のための補強手段として
ガラスなどの非磁性体12.14を埋め込んだものであ
る。そして、コアの磁気回路は、作動ギャップ6を中心
にして金属磁性薄膜8.10、コア片2.4によって形
成され、窓16を貫いて各コア片2.4にはコイルが巻
回され、記録信号を加え、または、再生信号を取り出す
ことができる。
ところで、このような複合型磁気ヘッドでは、第7図に
示すように、薄膜作成技術による金属磁性材料の基板と
なるべき面18.20は、コアの大部分を成すコア片2
.4の磁性フェライトとの接合面で与えられている。
示すように、薄膜作成技術による金属磁性材料の基板と
なるべき面18.20は、コアの大部分を成すコア片2
.4の磁性フェライトとの接合面で与えられている。
このため、磁気記録媒体に対する記録時の磁束あるいは
磁気記録媒体の再生時の磁束は、コア片2.4の平面と
ほぼ直交し、磁束と交わる金属磁性薄膜8.10内に渦
電流を誘起する。また、作動ギャップ6とコア片2.4
を構成する磁性フェライトとの接合面が平行になるため
、再生時に低周波域で形状効果を発生する。したがって
、低周波域から高周波域までの広い周波数範囲に亘って
良好な電磁変換特性を得ることができない。
磁気記録媒体の再生時の磁束は、コア片2.4の平面と
ほぼ直交し、磁束と交わる金属磁性薄膜8.10内に渦
電流を誘起する。また、作動ギャップ6とコア片2.4
を構成する磁性フェライトとの接合面が平行になるため
、再生時に低周波域で形状効果を発生する。したがって
、低周波域から高周波域までの広い周波数範囲に亘って
良好な電磁変換特性を得ることができない。
また、第8図に示すように、作動ギャップ6に対して9
0″以下の特定の角度で傾斜させて金属磁性薄膜8.1
0を形成したものでは、基板となるべき面18.20は
コアの大部分を成すコア片2.4の磁性フェライトとの
接合面で与えられるが、この場合、作動ギャップ6とコ
ア片2.4を構成する磁性フェライトとの接合面が非平
行になるので、低周波域での形状効果は軽減されるもの
の第7図に示される磁気ヘッドと同様に、金属磁性薄膜
8.10での渦電流損失が大きくなり、良好な電磁変換
特性を得ることができない。
0″以下の特定の角度で傾斜させて金属磁性薄膜8.1
0を形成したものでは、基板となるべき面18.20は
コアの大部分を成すコア片2.4の磁性フェライトとの
接合面で与えられるが、この場合、作動ギャップ6とコ
ア片2.4を構成する磁性フェライトとの接合面が非平
行になるので、低周波域での形状効果は軽減されるもの
の第7図に示される磁気ヘッドと同様に、金属磁性薄膜
8.10での渦電流損失が大きくなり、良好な電磁変換
特性を得ることができない。
そこで、この発明は、低周波域の形状効果を改善し、渦
電流損失を低減することにより、低周波から高周波まで
広帯域で良好な電磁変換特性が得られる磁気ヘッドの製
造方法を提供しようとするものである。
電流損失を低減することにより、低周波から高周波まで
広帯域で良好な電磁変換特性が得られる磁気ヘッドの製
造方法を提供しようとするものである。
この発明の磁気ヘッドの製造方法は、第1図に示すよう
に、磁性フェライトで形成した矩形のブロック22(2
3)の角部28に溝部32を形成する工程と、溝部32
の一方の内壁面36に金属磁性薄膜40a、40b、4
0Cと非磁性絶縁物層42a、42bとを交互に堆積さ
せ、非磁性絶縁物層42a、42bを介在させた複数層
の金属磁性薄膜40a、40b、40cを形成する工程
と、金属磁性薄膜40a、40b、40Cの位置を一致
させてかつ金属磁性薄膜40a、40b、40c間に作
動ギャップ54を設けて一対のブロック22.23を接
合する工程と、接合したブロック(コアブロック52)
を切り出してコアチップ60を形成する工程とからなる
ものである。
に、磁性フェライトで形成した矩形のブロック22(2
3)の角部28に溝部32を形成する工程と、溝部32
の一方の内壁面36に金属磁性薄膜40a、40b、4
0Cと非磁性絶縁物層42a、42bとを交互に堆積さ
せ、非磁性絶縁物層42a、42bを介在させた複数層
の金属磁性薄膜40a、40b、40cを形成する工程
と、金属磁性薄膜40a、40b、40Cの位置を一致
させてかつ金属磁性薄膜40a、40b、40c間に作
動ギャップ54を設けて一対のブロック22.23を接
合する工程と、接合したブロック(コアブロック52)
を切り出してコアチップ60を形成する工程とからなる
ものである。
この発明の磁気ヘッドの製造方法では、蒸着、スバ・ツ
タリングなどの薄膜作成技術によって金属磁性薄膜40
と5i02などに代表される酸化物ガラス、Al2O3
などに代表されるセラミックスなどによる非磁性絶縁物
層42とを交互に重ねて堆積させることにより、記録再
生に必要な磁束の流れる方向に沿った磁気回路を構成す
ることが可能であり、誘起される渦電流を低減でき、理
想的な高密度磁気記録を実現できる。すなわち、この発
明の磁気ヘッドの製造方法では、金属磁性薄膜40が作
動ギャップ54に対してほぼ直交方向に非磁性絶縁物層
42を介して複数層に構成されるとともに、各層の各金
属磁性mJI!40と磁性フェライトとの接合面を作動
ギャップ54と非平行に形成できる。したがって、この
製造方法によって製造された磁気ヘッドでは、渦電流が
抑制されるとともに、磁気記録媒体からの記録信号の再
生時に、低周波域で生じる形状効果の発生が抑えられ、
低周波域から高周波域まで広範囲に亘って良好な電磁変
換特性が得られる。
タリングなどの薄膜作成技術によって金属磁性薄膜40
と5i02などに代表される酸化物ガラス、Al2O3
などに代表されるセラミックスなどによる非磁性絶縁物
層42とを交互に重ねて堆積させることにより、記録再
生に必要な磁束の流れる方向に沿った磁気回路を構成す
ることが可能であり、誘起される渦電流を低減でき、理
想的な高密度磁気記録を実現できる。すなわち、この発
明の磁気ヘッドの製造方法では、金属磁性薄膜40が作
動ギャップ54に対してほぼ直交方向に非磁性絶縁物層
42を介して複数層に構成されるとともに、各層の各金
属磁性mJI!40と磁性フェライトとの接合面を作動
ギャップ54と非平行に形成できる。したがって、この
製造方法によって製造された磁気ヘッドでは、渦電流が
抑制されるとともに、磁気記録媒体からの記録信号の再
生時に、低周波域で生じる形状効果の発生が抑えられ、
低周波域から高周波域まで広範囲に亘って良好な電磁変
換特性が得られる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、この発明の磁気ヘッドの製造方法の実施例を
工程順に示す。
工程順に示す。
第1図の(A)に示すように、高周波特性の優れた磁性
フェライトによって矩形のブロック22を形成する。ブ
ロック22を形成する磁性フェライトとしては、たとえ
ば、低周波から10MHz程度までの周波数域用ではM
n Znフェライト、10M)Izを越える周波数域
ではNi−Znフェライトを用いる。そして、ブロック
22は、最終的に磁気ヘッドのコアとして形成され、そ
の一部の面が磁気記録媒体との対向面を成して磁気記録
媒体と接触する場合もあるので、磁性フェライトの空孔
、密度、硬度などについて十分配慮して製造することが
必要である。
フェライトによって矩形のブロック22を形成する。ブ
ロック22を形成する磁性フェライトとしては、たとえ
ば、低周波から10MHz程度までの周波数域用ではM
n Znフェライト、10M)Izを越える周波数域
ではNi−Znフェライトを用いる。そして、ブロック
22は、最終的に磁気ヘッドのコアとして形成され、そ
の一部の面が磁気記録媒体との対向面を成して磁気記録
媒体と接触する場合もあるので、磁性フェライトの空孔
、密度、硬度などについて十分配慮して製造することが
必要である。
次に、第1図の(B)に示すように、ブロック22の而
24.26によって成す角部分28に対して、先端断面
をたとえば三角形、放物面などの傾斜面を持つ砥石30
を回転させて、角部28が成す稜線に特定の間隔で直交
する面を持つ断面三角形または放物面からなる、たとえ
ば、4本の溝部32を形成する。この実施例の場合、第
1図の(C)に示すように、角部28が成す稜線に対し
て一定の角度だけ中心線Oを変位させたほぼ放物面状の
4個の溝部32を形成している。そして、各溝部32の
内壁面の表面状態は、薄膜作成技術によって金属磁性薄
膜を付着させるに必要な磁気的、機械的に適当な状態に
加工することが必要である。
24.26によって成す角部分28に対して、先端断面
をたとえば三角形、放物面などの傾斜面を持つ砥石30
を回転させて、角部28が成す稜線に特定の間隔で直交
する面を持つ断面三角形または放物面からなる、たとえ
ば、4本の溝部32を形成する。この実施例の場合、第
1図の(C)に示すように、角部28が成す稜線に対し
て一定の角度だけ中心線Oを変位させたほぼ放物面状の
4個の溝部32を形成している。そして、各溝部32の
内壁面の表面状態は、薄膜作成技術によって金属磁性薄
膜を付着させるに必要な磁気的、機械的に適当な状態に
加工することが必要である。
次に、各溝部32を加工したブロック22は、十分な洗
浄を行い、第1図の(D)に示すように、溝部32の内
壁面の中の広い内壁面34をほぼ垂直に立てて、他方の
内壁面36をほぼ水平になるように、基準面38に対し
て特定の角度θだけ傾けて固定して薄膜作成装置内に設
置する。薄膜作成装置には、第1図の(D)に示したブ
ロックの固定状況と上下の関係が逆のものも存在するの
で、その場合には、基準面38から特定の角度θだけ傾
けて吊り下げて薄膜作成装置内に設置する。
浄を行い、第1図の(D)に示すように、溝部32の内
壁面の中の広い内壁面34をほぼ垂直に立てて、他方の
内壁面36をほぼ水平になるように、基準面38に対し
て特定の角度θだけ傾けて固定して薄膜作成装置内に設
置する。薄膜作成装置には、第1図の(D)に示したブ
ロックの固定状況と上下の関係が逆のものも存在するの
で、その場合には、基準面38から特定の角度θだけ傾
けて吊り下げて薄膜作成装置内に設置する。
次に、薄膜作成装置内に設置したブロック22の各溝部
32の内壁面36に対して、第2図に示すように、第1
回の薄膜形成処理によって厚さtaを持つ一層目の金属
磁性薄膜40aを堆積させた後、その表面に第1回目の
非磁性絶縁物層42aを所定の厚さta’で形成させる
。非磁性絶縁物層42aの上に第2回目の金属磁性薄膜
40bを所定の厚さtbで堆積させ、その金属磁性薄膜
40bの表面に第2回目の非磁性絶縁物層42bを所定
の厚さtb’で形成し、その上に第3回目の金属磁性薄
膜40cを所定の厚さtcで堆積させる。この場合1、
t a ’q t b # t c、ta’#tb’に
設定し、全積層厚を調整し、最終的に磁気ヘッドとして
のトラック幅Tに対応した厚さに調整する。この実施例
の場合、40a、40b、40Cで示したように、金属
磁性薄膜40は3層に設定しているが、所望の電磁変換
特性を得るため、任意の複数層に形成することが可能で
ある。なお、第1図の(D)に示すように、薄膜作成装
置内で薄膜の堆積方向と平行に近い形にブロック22を
立てた場合、蒸発源あるいはスパッタリングターゲット
から薄膜が付着する溝部32の内壁面36までの距離が
各溝によって異なるために、単位時間当りの薄膜の堆積
率が変化することが考えられるが、溝部32の並び方向
の長さlは10wm程度以下であるから、堆積率の違い
で実用上に支障が生じることはない。
32の内壁面36に対して、第2図に示すように、第1
回の薄膜形成処理によって厚さtaを持つ一層目の金属
磁性薄膜40aを堆積させた後、その表面に第1回目の
非磁性絶縁物層42aを所定の厚さta’で形成させる
。非磁性絶縁物層42aの上に第2回目の金属磁性薄膜
40bを所定の厚さtbで堆積させ、その金属磁性薄膜
40bの表面に第2回目の非磁性絶縁物層42bを所定
の厚さtb’で形成し、その上に第3回目の金属磁性薄
膜40cを所定の厚さtcで堆積させる。この場合1、
t a ’q t b # t c、ta’#tb’に
設定し、全積層厚を調整し、最終的に磁気ヘッドとして
のトラック幅Tに対応した厚さに調整する。この実施例
の場合、40a、40b、40Cで示したように、金属
磁性薄膜40は3層に設定しているが、所望の電磁変換
特性を得るため、任意の複数層に形成することが可能で
ある。なお、第1図の(D)に示すように、薄膜作成装
置内で薄膜の堆積方向と平行に近い形にブロック22を
立てた場合、蒸発源あるいはスパッタリングターゲット
から薄膜が付着する溝部32の内壁面36までの距離が
各溝によって異なるために、単位時間当りの薄膜の堆積
率が変化することが考えられるが、溝部32の並び方向
の長さlは10wm程度以下であるから、堆積率の違い
で実用上に支障が生じることはない。
金属磁性薄膜40a、40b、40cの形成材料として
は、飽和磁束密度Bsを大きくする場合は、Fe−Ni
系合金、磁気記録媒体の摩耗を抑制する場合は、飽和磁
束密度Bsも大きく、耐摩耗性に優れたFe−Al系合
金、Fe−Al−3層系合金などのFe系合金および非
晶質合金を用いる。これらの金属磁性材料は、何れも飽
和磁束密度Bsが0.6テスラ(6000エルステツド
)以上であるから、磁気回路を構成する磁性フェライト
の飽和磁束密度Bsと同等以上であり、高密度記録に有
利である。
は、飽和磁束密度Bsを大きくする場合は、Fe−Ni
系合金、磁気記録媒体の摩耗を抑制する場合は、飽和磁
束密度Bsも大きく、耐摩耗性に優れたFe−Al系合
金、Fe−Al−3層系合金などのFe系合金および非
晶質合金を用いる。これらの金属磁性材料は、何れも飽
和磁束密度Bsが0.6テスラ(6000エルステツド
)以上であるから、磁気回路を構成する磁性フェライト
の飽和磁束密度Bsと同等以上であり、高密度記録に有
利である。
また、非磁性絶縁物層42a、42bには、SiO2に
代表される酸化物あるいはAl2O3に代表されるセラ
ミックスなどが用いられる。これらの物質は、薄膜作成
装置が蒸着装置ならば蒸発源、スパッタリング装置なら
ばスパッタリングターゲットとして装置内に導入され、
必要に応じて切り換えることによって、第2図に示すよ
うに、金属磁性薄膜40の多層化を図ることができる。
代表される酸化物あるいはAl2O3に代表されるセラ
ミックスなどが用いられる。これらの物質は、薄膜作成
装置が蒸着装置ならば蒸発源、スパッタリング装置なら
ばスパッタリングターゲットとして装置内に導入され、
必要に応じて切り換えることによって、第2図に示すよ
うに、金属磁性薄膜40の多層化を図ることができる。
次に、第1図の(E)に示すように、薄膜形成処理によ
って金属磁性薄膜40を形成したブロック22の溝部3
2の金属磁性薄膜40が形成されていない部分に、第1
図の(F)に示すように、補強のためにガラスなどの非
磁性体44を埋め込む。この非磁性体44を埋め込む作
業温度Tsは、3層の金属磁性薄膜40a、40b、4
0c、非磁性絶縁物層42a、42bおよびブロック2
2の磁性フェライトに悪影響を及ぼさない温度に設定し
、非磁性体44の気泡、硬度、耐摩耗性についても配慮
する。
って金属磁性薄膜40を形成したブロック22の溝部3
2の金属磁性薄膜40が形成されていない部分に、第1
図の(F)に示すように、補強のためにガラスなどの非
磁性体44を埋め込む。この非磁性体44を埋め込む作
業温度Tsは、3層の金属磁性薄膜40a、40b、4
0c、非磁性絶縁物層42a、42bおよびブロック2
2の磁性フェライトに悪影響を及ぼさない温度に設定し
、非磁性体44の気泡、硬度、耐摩耗性についても配慮
する。
次に、第1図の(F)に示すブロック22について、第
1図の(G)に示すように、溝部32に対してほぼ直交
方向に、磁気ヘッドのコイルを巻回するための窓形状に
合わせた断面台形状の溝部46を砥石などの加工手段に
よって加工する。
1図の(G)に示すように、溝部32に対してほぼ直交
方向に、磁気ヘッドのコイルを巻回するための窓形状に
合わせた断面台形状の溝部46を砥石などの加工手段に
よって加工する。
次に、溝部46が形成されたブロック22は、作動ギャ
ップを形成して突き合わす面26側を、第1図の(H)
に示すように、平坦形状に切削加工する。面26′は、
作動ギャップの基礎となるものであるから、少なくとも
作動ギャップ長の1/10以内の平坦度、面粗度に加工
する。
ップを形成して突き合わす面26側を、第1図の(H)
に示すように、平坦形状に切削加工する。面26′は、
作動ギャップの基礎となるものであるから、少なくとも
作動ギャップ長の1/10以内の平坦度、面粗度に加工
する。
次に、このブロック22は、十分に洗浄した後、金属磁
性薄膜40の面に、第1図の(I)に示すように、作動
ギヤツブとなるべき非磁性体48を付着させる。この非
磁性体48としては、5iQ2に代表される酸化物ガラ
スまたはAl2O3に代表されるセラミックスなどを用
いる。非磁性体48は、面26′に対して行い、他の面
は第1図の(I)に示すように、マスク50を掛けて蒸
着、スパッタリングなどで付着させる。この場合、非磁
性体48の厚さhは、磁気ヘッドとしての作動ギャップ
長1gと同一かまたはほぼ等しくなるように制御する。
性薄膜40の面に、第1図の(I)に示すように、作動
ギヤツブとなるべき非磁性体48を付着させる。この非
磁性体48としては、5iQ2に代表される酸化物ガラ
スまたはAl2O3に代表されるセラミックスなどを用
いる。非磁性体48は、面26′に対して行い、他の面
は第1図の(I)に示すように、マスク50を掛けて蒸
着、スパッタリングなどで付着させる。この場合、非磁
性体48の厚さhは、磁気ヘッドとしての作動ギャップ
長1gと同一かまたはほぼ等しくなるように制御する。
次に、このブロック22は、第1図の(J)に示すよう
に、他のブロック23と突き合わせてコアブロック52
を接合形成する。この場合、ブロック23は、第1図の
(F)に示す工程までブロック22と同様に作られた後
、第1図の(G)に示した溝部46を加工することなく
、第1図の(H)に示した平面加工処理の後、洗浄され
たものである。そして、各ブロック22.23は、各金
属磁性薄膜40の幅を一致させて付き合わせ、両者間の
固着は、第3図に示すように、作動ギャップ54の裏側
頂部(エイペックス部)56を含めてガラス接着剤など
によって行う。58は、その固着部を示す。
に、他のブロック23と突き合わせてコアブロック52
を接合形成する。この場合、ブロック23は、第1図の
(F)に示す工程までブロック22と同様に作られた後
、第1図の(G)に示した溝部46を加工することなく
、第1図の(H)に示した平面加工処理の後、洗浄され
たものである。そして、各ブロック22.23は、各金
属磁性薄膜40の幅を一致させて付き合わせ、両者間の
固着は、第3図に示すように、作動ギャップ54の裏側
頂部(エイペックス部)56を含めてガラス接着剤など
によって行う。58は、その固着部を示す。
この固着処理の作業温度T 3 Jは、第1図の(F)
に示した補強のための非磁性体44の形成処理温度Ts
と比較してTs’≦Tsであることが特性上望ましい。
に示した補強のための非磁性体44の形成処理温度Ts
と比較してTs’≦Tsであることが特性上望ましい。
次に、ブロック22.23を接合して得られたコアブロ
ック52は、金属磁性薄膜40を中央に含むように薄く
一定の幅で切り出して、この実施例では単一のコアブロ
ック52から第1図の(K)に示すような4組のコアチ
ップ60を得ることができる。この場合、特定の作動ギ
ャップディプスGDが得られるように、磁気記録媒体と
の対向面62を必要な形状および表面の粗さに加工する
。
ック52は、金属磁性薄膜40を中央に含むように薄く
一定の幅で切り出して、この実施例では単一のコアブロ
ック52から第1図の(K)に示すような4組のコアチ
ップ60を得ることができる。この場合、特定の作動ギ
ャップディプスGDが得られるように、磁気記録媒体と
の対向面62を必要な形状および表面の粗さに加工する
。
第1図の(L)は、コアチップ60の磁気記録媒体との
対向面62を表わす。
対向面62を表わす。
そして、このコアチップ60に対して溝部46によって
形成された巻線窓部64を貫通してコイルを巻回するこ
とによって、磁気ヘッドが得られる。
形成された巻線窓部64を貫通してコイルを巻回するこ
とによって、磁気ヘッドが得られる。
このようにして得られた磁気ヘッドでは、金属磁性薄膜
40a、40b、40cのように、金属磁性薄膜が作動
ギャップ54とほぼ直交方向に2以上の複数層に分割さ
れ、かつ、非磁性絶縁物層42a、42bを介在させて
多層構成になるので、金属磁性薄膜40a、40b、4
0cの平面内が非磁性絶縁物層42a、42bによって
渦電流の経路が分断されているので、渦電流が抑えられ
、渦電流損失が低減される。また、作動ギャップ54に
対して金属磁性薄膜40a、40b、40cと磁性フェ
ライトとの接合面が非平行となるために、磁気記録信号
の再生時に、低周波域で起こる形状効果が抑制される。
40a、40b、40cのように、金属磁性薄膜が作動
ギャップ54とほぼ直交方向に2以上の複数層に分割さ
れ、かつ、非磁性絶縁物層42a、42bを介在させて
多層構成になるので、金属磁性薄膜40a、40b、4
0cの平面内が非磁性絶縁物層42a、42bによって
渦電流の経路が分断されているので、渦電流が抑えられ
、渦電流損失が低減される。また、作動ギャップ54に
対して金属磁性薄膜40a、40b、40cと磁性フェ
ライトとの接合面が非平行となるために、磁気記録信号
の再生時に、低周波域で起こる形状効果が抑制される。
この結果、低周波から高周波までの優れた電磁変換特性
を得ることが可能となる。
を得ることが可能となる。
第4図に示すように、多層構成の金属磁性薄膜4Qa、
40b、40Cの作動ギャップ54となす角度θgは、
第1図の(D)に示す溝部32の形状によって任意の大
きさに調整でき、その大きさは0″から90″まで変化
させることが原理的に可能である。0°というのは、第
1図の(A)に示す磁気ヘッドのコアにおいて、平面に
平行に多層化した状態とほぼ同じになるが、θgが0°
を離れて僅かでも角度を有するようになると、磁束の流
れる方向に沿った多層化が可能となり、渦電流損失の低
減の効果が得られる。
40b、40Cの作動ギャップ54となす角度θgは、
第1図の(D)に示す溝部32の形状によって任意の大
きさに調整でき、その大きさは0″から90″まで変化
させることが原理的に可能である。0°というのは、第
1図の(A)に示す磁気ヘッドのコアにおいて、平面に
平行に多層化した状態とほぼ同じになるが、θgが0°
を離れて僅かでも角度を有するようになると、磁束の流
れる方向に沿った多層化が可能となり、渦電流損失の低
減の効果が得られる。
そして、金属磁性薄膜40にFe−Ni系合金を用いた
場合は、飽和磁束密度Bsを大きくすることができる。
場合は、飽和磁束密度Bsを大きくすることができる。
また、F e −A l系合金、Fe−Al−5i系合
金、非晶質合金は飽和磁束密度Bsが大きく、耐摩耗性
に優れているので、これらの金属を用いて金属磁性薄膜
40を構成した場合、飽和磁束密度Bsを大きくし、か
つ磁気記録媒体の摺動によって引き起こされる摩耗を抑
えることができる。
金、非晶質合金は飽和磁束密度Bsが大きく、耐摩耗性
に優れているので、これらの金属を用いて金属磁性薄膜
40を構成した場合、飽和磁束密度Bsを大きくし、か
つ磁気記録媒体の摺動によって引き起こされる摩耗を抑
えることができる。
なお、実施例ではブロック22について溝部46を形成
し、他のブロック23については溝部46の形成を省略
したが、他のブロック23についても同様の溝部46を
形成して巻線窓部64を大きくしてもよい。また、作動
ギヤツブ54を形成する非磁性体48は、ブロック22
側だけでなく、ブロック23側にも付着し、双方のブロ
ック22.23に付着した非磁性体48の厚さの合計を
以て適当な作動ギャップ長βgを設定してもよい。
し、他のブロック23については溝部46の形成を省略
したが、他のブロック23についても同様の溝部46を
形成して巻線窓部64を大きくしてもよい。また、作動
ギヤツブ54を形成する非磁性体48は、ブロック22
側だけでなく、ブロック23側にも付着し、双方のブロ
ック22.23に付着した非磁性体48の厚さの合計を
以て適当な作動ギャップ長βgを設定してもよい。
実験によれば、試作品として金属磁性薄膜40にFe−
Al−3i系合金、ブロック22.23にM n −Z
nフェライトを用い、第1図の(L)に示すトラック
幅T=26m、作動ギャップ長1g= 0.3m、巻線
回数20ターンのものを作成し、金属磁性薄膜40の形
成角度θgを変化させた場合、第5図の特性a (θg
=10’) 、b(θg=45°)、C(θg=90”
)に示すように、θgは10@から90’において、第
6図に示した従来の磁気ヘッドとの相対比較データを示
す。この結果から明らかなように、適正な電磁変換特性
が得られることが確認された。
Al−3i系合金、ブロック22.23にM n −Z
nフェライトを用い、第1図の(L)に示すトラック
幅T=26m、作動ギャップ長1g= 0.3m、巻線
回数20ターンのものを作成し、金属磁性薄膜40の形
成角度θgを変化させた場合、第5図の特性a (θg
=10’) 、b(θg=45°)、C(θg=90”
)に示すように、θgは10@から90’において、第
6図に示した従来の磁気ヘッドとの相対比較データを示
す。この結果から明らかなように、適正な電磁変換特性
が得られることが確認された。
以上説明したように、この発明によれば、金属磁性薄膜
を非磁性絶縁物層の介在によって多層構成とし渦電流損
失を低減でき、金属磁性薄膜と磁性フェライトとの接合
面を非平行とすることによって、低周波域での再生時の
形状効果をおさえることができ、低周波域から高周波域
の広範囲に亘って良好な電磁変換効率を持つ磁気ヘッド
を製造することができる。
を非磁性絶縁物層の介在によって多層構成とし渦電流損
失を低減でき、金属磁性薄膜と磁性フェライトとの接合
面を非平行とすることによって、低周波域での再生時の
形状効果をおさえることができ、低周波域から高周波域
の広範囲に亘って良好な電磁変換効率を持つ磁気ヘッド
を製造することができる。
第1図はこの発明の磁気ヘッドの製造方法の実施例を示
す図、第2図はブロックに形成された金属磁性薄膜およ
び非磁性′4fA縁物層を示す図、第3図はコアチップ
の端面を示す図、第4図は第1図に示したコアの作動ギ
ャップ近傍を示す図、第5図は第6図に示した従来の磁
気ヘッドに対するこの発明に係る磁気ヘッドの周波数に
対する相対出力を示す図、第6図は従来の磁気ヘッドに
おけるコアを示す斜視図、第7図は第6図に示したコア
の磁気記録媒体との対向面における平面図、第8図は従
来の他の磁気ヘッドにおける磁気記録媒体との対向面の
構成を示す平面図である。 22.23・・・ブロック、28・・・角部、32・・
・溝部、36・・・内壁面、40a、40b、40c・
−−金属磁性薄膜、42a、42b・・・非磁性絶縁物
層、52・・・コアブロック、54・・・作動ギャップ
、60・・・コアチップ。 第2図 第3図 第4図 周波数 第5図 第6図 第7図 第8図
す図、第2図はブロックに形成された金属磁性薄膜およ
び非磁性′4fA縁物層を示す図、第3図はコアチップ
の端面を示す図、第4図は第1図に示したコアの作動ギ
ャップ近傍を示す図、第5図は第6図に示した従来の磁
気ヘッドに対するこの発明に係る磁気ヘッドの周波数に
対する相対出力を示す図、第6図は従来の磁気ヘッドに
おけるコアを示す斜視図、第7図は第6図に示したコア
の磁気記録媒体との対向面における平面図、第8図は従
来の他の磁気ヘッドにおける磁気記録媒体との対向面の
構成を示す平面図である。 22.23・・・ブロック、28・・・角部、32・・
・溝部、36・・・内壁面、40a、40b、40c・
−−金属磁性薄膜、42a、42b・・・非磁性絶縁物
層、52・・・コアブロック、54・・・作動ギャップ
、60・・・コアチップ。 第2図 第3図 第4図 周波数 第5図 第6図 第7図 第8図
Claims (5)
- (1)磁性フェライトで形成した矩形のブロックの角部
に溝部を形成する工程と、 前記溝部の一方の内壁面に平行に金属磁性薄膜と非磁性
絶縁物層とを交互に堆積させ、非磁性絶縁物層を介在さ
せた複数層の金属磁性薄膜を形成する工程と、 前記金属磁性薄膜の位置を一致させてかつ金属磁性薄膜
間に作動ギャップを設けて一対のブロックを接合する工
程と、 接合したブロックを切り出してコアチップを形成する工
程とからなることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - (2)前記金属磁性薄膜と前記作動ギャップとの成す角
度は、作動ギャップの端面に対して10〜90度の範囲
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
磁気ヘッドの製造方法。 - (3)前記金属磁性薄膜は、磁性フェライト材料と同等
以上の飽和磁束密度を有することを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の磁気ヘッドの製造方法。 - (4)前記金属磁性薄膜は、Fe系合金または非晶質合
金であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の磁気ヘッドの製造方法。 - (5)前記磁性フェライトは、Mn−Zn系フェライト
あるいはNi−Zn系フェライトからなることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載の磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20600686A JPS6363108A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20600686A JPS6363108A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6363108A true JPS6363108A (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=16516344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20600686A Pending JPS6363108A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6363108A (ja) |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP20600686A patent/JPS6363108A/ja active Pending
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