JPS6361880A - セメント焼成装置 - Google Patents
セメント焼成装置Info
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- JPS6361880A JPS6361880A JP20455586A JP20455586A JPS6361880A JP S6361880 A JPS6361880 A JP S6361880A JP 20455586 A JP20455586 A JP 20455586A JP 20455586 A JP20455586 A JP 20455586A JP S6361880 A JPS6361880 A JP S6361880A
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Landscapes
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
- Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明はセメント焼成装置、詳しくは、セメント原料
を、流動層型の炉または噴流層型の炉を用いて造粒し焼
成するセメント焼成装置δに関するものである。
を、流動層型の炉または噴流層型の炉を用いて造粒し焼
成するセメント焼成装置δに関するものである。
[従来の技術]
従来から知られているこの種の装置として、第3図に示
すようなセメント焼成装置がある(特公昭0il)−1
3732号四肢参照)。
すようなセメント焼成装置がある(特公昭0il)−1
3732号四肢参照)。
第3図において、燃焼排ガスGによって、サイクロンC
1,C2,C3,C4からなるサスペンションブレヒー
タ3で予熱されたセメント原料Cの全J、iを、炉1の
流動層または噴流層からなる原料層2因に投入して、造
粒または造粒と焼成とを行なうように構成されていた。
1,C2,C3,C4からなるサスペンションブレヒー
タ3で予熱されたセメント原料Cの全J、iを、炉1の
流動層または噴流層からなる原料層2因に投入して、造
粒または造粒と焼成とを行なうように構成されていた。
し発明が解決しようとする問題点]
上記した従来のセメント焼成装置においては、サスペン
ションブレヒータ3でセメント原料Cが仮焼される。
ションブレヒータ3でセメント原料Cが仮焼される。
つまり、
CaCO3+ CaO+ COzなる化学反応式
で表わされるところの仮焼(脱炭酸反応)が行なわれる
。ここで、CaOへの反応率が仮焼率である。
で表わされるところの仮焼(脱炭酸反応)が行なわれる
。ここで、CaOへの反応率が仮焼率である。
そして、セメント原料の全量が上記原料層2内に投入さ
れる従来の装置では、サスペンションプレヒータ3での
セメント原料の仮焼率が低いため、炉1の原料層2内で
仮焼が大きく進むので、原料供給量の変動に伴なって、
造粒温度が激しく変動し、炉lの安定運転がむずかしい
。
れる従来の装置では、サスペンションプレヒータ3での
セメント原料の仮焼率が低いため、炉1の原料層2内で
仮焼が大きく進むので、原料供給量の変動に伴なって、
造粒温度が激しく変動し、炉lの安定運転がむずかしい
。
また、吸熱反応である仮焼が炉lの原料層2内で行なわ
れることにより、原料層2内での造粒または焼成速度が
小さく、原料の層内滞留時間を長くとる必要があり、所
期の造粒率あるいは焼成率が悪い。
れることにより、原料層2内での造粒または焼成速度が
小さく、原料の層内滞留時間を長くとる必要があり、所
期の造粒率あるいは焼成率が悪い。
さらに、原料の脱炭酸反応(吸熱反応)のために、多量
の熱が消費されるため、原料層2内に形成される高温域
が形成されにくく、造粒粒径が大きくなりにくいという
問題があった。
の熱が消費されるため、原料層2内に形成される高温域
が形成されにくく、造粒粒径が大きくなりにくいという
問題があった。
この発明は上記したような従来の問題点に鑑みてなされ
たもので、炉の高温フリーボード部を有効に利用して原
料の仮焼率を高めることによって、安定運転および造粒
率あるいは焼成率の向上を図り得るセメント焼成装置を
提供することを目的としている。
たもので、炉の高温フリーボード部を有効に利用して原
料の仮焼率を高めることによって、安定運転および造粒
率あるいは焼成率の向上を図り得るセメント焼成装置を
提供することを目的としている。
[問題点を解決するための手段]
上記の目的を達成するために、この発明に係るセメント
焼成装置は、予熱されたセメント原料を、炉のフリーボ
ード部に投入する第1の投入口と、上記フリーボード部
から排ガスとともに排出された仮焼済のセメント原料を
捕集し、その捕集されたセメント原料を炉の流動層また
は噴流層からなる原料層に投入する第2の投入【コとを
備えている。
焼成装置は、予熱されたセメント原料を、炉のフリーボ
ード部に投入する第1の投入口と、上記フリーボード部
から排ガスとともに排出された仮焼済のセメント原料を
捕集し、その捕集されたセメント原料を炉の流動層また
は噴流層からなる原料層に投入する第2の投入【コとを
備えている。
[作用]
この発明によれば、炉の高温のフリーボード部に、予熱
されたセメント原料が投入されることにより、排ガスの
保有熱を利用して原料の仮焼率が向上する。
されたセメント原料が投入されることにより、排ガスの
保有熱を利用して原料の仮焼率が向上する。
このようにして仮焼率が高められたセメント原料は、仮
焼率向上のために作用した排ガスとともに排出され、そ
の排出されたセメント原料が捕集されて炉の原料層に再
度瓜え2hズ、造粒または造粒と焼成されるので、セメ
ント原料の供給量の変動によっても造粒温度の変動は非
常に少ない。
焼率向上のために作用した排ガスとともに排出され、そ
の排出されたセメント原料が捕集されて炉の原料層に再
度瓜え2hズ、造粒または造粒と焼成されるので、セメ
ント原料の供給量の変動によっても造粒温度の変動は非
常に少ない。
したがって、炉の安定運転が可能となる。
[実施例]
以下、この発明の実施例を図面にしたがって説明する。
第1図は、この発明の第1の実施例を示す。
第1図において、セメント原料Cは、噴流層型造粒炉1
の燃焼排ガスGによって、サイクロンCI、C2,C3
,C4からなるサスペンションプレヒータ3で予熱され
ながら、サイクロンC4→C3→C2→C1と順次移送
される。この予熱されたセメント原料Cは、上記炉1の
天井部に形成の第1の投入口2からフリーボード部IA
に投入され、炉1内の高温燃焼排ガスの保有熱を利用し
て予熱・仮焼される。このフリーボード部IAで仮焼さ
れたセメント原料Cは、上記フリーボード部LAの天井
近くの炉壁に形成された第1の排出口5から、上記排ガ
スとともに炉外に排出されて、サイクロン式捕集機6に
接線方向から供給される。この捕集機6内に供給された
仮焼済みセメント原料は、遠心力を利用した比重分離に
よって、上記排ガスから分離されて、第2の投入ロアか
ら炉1の噴流層14に投入されて造粒される。
の燃焼排ガスGによって、サイクロンCI、C2,C3
,C4からなるサスペンションプレヒータ3で予熱され
ながら、サイクロンC4→C3→C2→C1と順次移送
される。この予熱されたセメント原料Cは、上記炉1の
天井部に形成の第1の投入口2からフリーボード部IA
に投入され、炉1内の高温燃焼排ガスの保有熱を利用し
て予熱・仮焼される。このフリーボード部IAで仮焼さ
れたセメント原料Cは、上記フリーボード部LAの天井
近くの炉壁に形成された第1の排出口5から、上記排ガ
スとともに炉外に排出されて、サイクロン式捕集機6に
接線方向から供給される。この捕集機6内に供給された
仮焼済みセメント原料は、遠心力を利用した比重分離に
よって、上記排ガスから分離されて、第2の投入ロアか
ら炉1の噴流層14に投入されて造粒される。
上記炉1内で造粒された造粒物Hは、炉lのコーン部I
Bに形成された第2の排出口10を経て、マテリアルシ
ールを用いたL型の気密排出装置8により流動層焼成炉
9に導入されて、この焼成炉9で焼成される。この焼成
物、すなわち、セメントクリンカIは、L型の気密排出
装置18により、流動層クーラ11に排出されて冷却さ
れ、シールバルブ12を介して製品として取り出される
。
Bに形成された第2の排出口10を経て、マテリアルシ
ールを用いたL型の気密排出装置8により流動層焼成炉
9に導入されて、この焼成炉9で焼成される。この焼成
物、すなわち、セメントクリンカIは、L型の気密排出
装置18により、流動層クーラ11に排出されて冷却さ
れ、シールバルブ12を介して製品として取り出される
。
上記の流動層型造粒炉1は、上記コー、ン部IBとスロ
ート部ICとの接続部の近傍にバーナ13を有し、供給
される燃料B1と上記スロート部1Cを上昇する予熱燃
焼用空気A1との混合燃焼によって、上記の仮焼済みセ
メント原料を溶融し、噴流層14内に浮遊状態で滞留し
ている間に造粒される。また、上記の焼成炉9は、流動
床9Aの上部にバーナ15を有し、供給される燃料B2
と上記流動床9Aの多数の孔を経て噴出される予熱燃焼
用空気A2との混合燃焼によって、上記造粒物Hを焼成
する。
ート部ICとの接続部の近傍にバーナ13を有し、供給
される燃料B1と上記スロート部1Cを上昇する予熱燃
焼用空気A1との混合燃焼によって、上記の仮焼済みセ
メント原料を溶融し、噴流層14内に浮遊状態で滞留し
ている間に造粒される。また、上記の焼成炉9は、流動
床9Aの上部にバーナ15を有し、供給される燃料B2
と上記流動床9Aの多数の孔を経て噴出される予熱燃焼
用空気A2との混合燃焼によって、上記造粒物Hを焼成
する。
一方、押込みファン16によって、上記流動層クーラ1
1に供給される低温空気は、この流動層クーラ11内で
セメントクリンカIと熱交換され、セメントクリンカ■
を冷却するとともに、予熱される。この予熱された空気
が、上記焼成炉9へ噴出される燃焼用空気A2として使
用され、また、焼成炉9から排出される未燃成分を含ん
だ高温空気が上記スロート部ICを介して上記造粒炉1
に供給される燃焼用空気A1として使用される。図中1
7はフラッパダンパ、19は吸引ファンである。
1に供給される低温空気は、この流動層クーラ11内で
セメントクリンカIと熱交換され、セメントクリンカ■
を冷却するとともに、予熱される。この予熱された空気
が、上記焼成炉9へ噴出される燃焼用空気A2として使
用され、また、焼成炉9から排出される未燃成分を含ん
だ高温空気が上記スロート部ICを介して上記造粒炉1
に供給される燃焼用空気A1として使用される。図中1
7はフラッパダンパ、19は吸引ファンである。
なお、上記実施例では、サスペンションプレーヒータ3
で予熱されたセメント原料f料Cを、炉1の天井部に形
成した1つの投入口2からフリーボード部IAに投入す
るようにしたが、その投入口2は第1図の点線で示すよ
うに、天井部近くのフリーボード部LAの炉壁に形成し
てもよく、また、天井部と炉壁との両方に形成しても良
い。
で予熱されたセメント原料f料Cを、炉1の天井部に形
成した1つの投入口2からフリーボード部IAに投入す
るようにしたが、その投入口2は第1図の点線で示すよ
うに、天井部近くのフリーボード部LAの炉壁に形成し
てもよく、また、天井部と炉壁との両方に形成しても良
い。
第2図は、この発明の第2の実施例を示す。
第2図において、20は上記噴流型造粒炉lのフリーボ
ード部IAの炉壁に取り付けられた仮焼率上昇用バーナ
であり、燃料B3と燃焼用空気A3との混合燃焼により
、フリーボード部IAの内部温度を一層高め、セメント
原料の仮焼率を第1の実施例の場合よりも、さらに上昇
させることが可能である。
ード部IAの炉壁に取り付けられた仮焼率上昇用バーナ
であり、燃料B3と燃焼用空気A3との混合燃焼により
、フリーボード部IAの内部温度を一層高め、セメント
原料の仮焼率を第1の実施例の場合よりも、さらに上昇
させることが可能である。
この第2の実施例において、上記仮焼率上昇用バーナ2
0に供給される燃焼用空気A3は、上記の流動層クーラ
11内で1次冷却されたセメントクリンカIを2次冷却
するために別途に設厩された流動層クーラ21に押込み
ファン22を介して供給され、ここでセメントクリンカ
Iとの熱交換により予熱された空気を使用する。その他
の構成は第1の実施例と同様であり、同一部分もしくは
相当部分に同一符号を付して、その詳しい説明を省略す
る。
0に供給される燃焼用空気A3は、上記の流動層クーラ
11内で1次冷却されたセメントクリンカIを2次冷却
するために別途に設厩された流動層クーラ21に押込み
ファン22を介して供給され、ここでセメントクリンカ
Iとの熱交換により予熱された空気を使用する。その他
の構成は第1の実施例と同様であり、同一部分もしくは
相当部分に同一符号を付して、その詳しい説明を省略す
る。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明によるときは、炉の高温
部であるフリーボード部にセメント原料を投入すること
により、このフリーボード部でセメント原料を予熱・仮
焼して仮焼率を高めることができる。これによって、原
料供給量の変動による造粒温度の変動が非常に小さく、
炉の運転を安定化できる。
部であるフリーボード部にセメント原料を投入すること
により、このフリーボード部でセメント原料を予熱・仮
焼して仮焼率を高めることができる。これによって、原
料供給量の変動による造粒温度の変動が非常に小さく、
炉の運転を安定化できる。
また、仮焼率の高い原料が炉内の原料層に投入されるの
で、原料層内での脱炭酸反応のための熱消費が減少し、
炉内に形成されるホットスポットの温度が高くなる。し
たがって、造粒粒径を大きくすることができ、しかも、
上述のように造粒温度の変動が小さいため、アグロメー
ション(粒子の集塊化)の発生が回避でき、かつ、炉の
コーン部の内壁面への粒子の付若も防止できる。
で、原料層内での脱炭酸反応のための熱消費が減少し、
炉内に形成されるホットスポットの温度が高くなる。し
たがって、造粒粒径を大きくすることができ、しかも、
上述のように造粒温度の変動が小さいため、アグロメー
ション(粒子の集塊化)の発生が回避でき、かつ、炉の
コーン部の内壁面への粒子の付若も防止できる。
以−Lによって、炉の長期安定運転が可能である。
第1図はこの発明の第1の実施例を示す概略構成図、第
2図は第2の実施例を示す概略構成図、第3図は従来例
の概略構成図である。 1・・・噴流層型造粒炉、IA・・・フリーボード部、
2・・・原料の第1の投入口、3・・・サスペンション
ブレヒータ、5・・・原料の第1の排出口、6・・・捕
集機、7・・・第2の投入口、9・・・流動層焼成炉、
10・・・第2の排出口、11・・・流動層ターラ、2
0・・・仮焼率上昇用バーナ。
2図は第2の実施例を示す概略構成図、第3図は従来例
の概略構成図である。 1・・・噴流層型造粒炉、IA・・・フリーボード部、
2・・・原料の第1の投入口、3・・・サスペンション
ブレヒータ、5・・・原料の第1の排出口、6・・・捕
集機、7・・・第2の投入口、9・・・流動層焼成炉、
10・・・第2の排出口、11・・・流動層ターラ、2
0・・・仮焼率上昇用バーナ。
Claims (2)
- (1)流動層型または噴流層型の炉を用いてセメント原
料を造粒し焼成するセメント焼成装置において、予熱さ
れたセメント原料を、上記炉のフリーボード部に投入す
る第1の投入口と、投入されてフリーボード部で仮焼さ
れたセメント原料を上記フリーボード部から排ガスとと
もに排出する第1の排出口と、排出されたセメント原料
を捕集する捕集機と、捕集されたセメント原料を炉の流
動層または噴流層からなる原料層に投入する第2の投入
口と、上記原料層から処理済みのセメント原料を排出す
る第2の排出口とを備えたことを特徴とするセメント焼
成装置。 - (2)上記炉は、そのフリーボード部に仮焼率上昇用の
バーナを備えている特許請求の範囲第1項に記載のセメ
ント焼成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20455586A JPH0742146B2 (ja) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | セメント焼成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20455586A JPH0742146B2 (ja) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | セメント焼成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6361880A true JPS6361880A (ja) | 1988-03-18 |
JPH0742146B2 JPH0742146B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=16492422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20455586A Expired - Lifetime JPH0742146B2 (ja) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | セメント焼成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0742146B2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-30 JP JP20455586A patent/JPH0742146B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0742146B2 (ja) | 1995-05-10 |
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