JPH0152338B2

JPH0152338B2 -

Info

Publication number: JPH0152338B2
Application number: JP56018494A
Authority: JP
Inventors: Kazumi Hamabe; Takeshi Suzuki; Fuminobu Ono; Mikio Murao; Chikanori Kumagai; Tsutomu Hirano
Original assignee: Kawasaki Heavy Industries Ltd
Current assignee: Kawasaki Heavy Industries Ltd
Priority date: 1981-02-09
Filing date: 1981-02-09
Publication date: 1989-11-08
Also published as: JPS57132539A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、石灰石、粘土、および珪石などから
なるセメントの粉末原料、あるいは石灰石やアル
ミナ単体などのような粉末原料（以下、セメント
などの粉末原料という）の焼成装置に関する。

典型的な先行技術として、独立した熱源を有す
る仮焼炉を備えるいわゆるサスペンシヨン式原料
予熱装置で、ほぼ100％まで仮焼されたセメント
などの粉末原料を、ロータリキルンで焼成し、そ
の焼成したクリンカを冷却して製品として取り出
す技術がある。この先行技術では、ロータリキル
ンにおける伝熱が堆積原料層の表面部分とロータ
リキルン壁面との接触部分で行なわれるため、伝
熱面積が比較的小さい。したがつて伝熱効率が劣
り、ロータリキルンが大形化する。その結果、ロ
ータリキルンからの放熱損失が大きく、しかも設
置面積が大きくなる。

本発明は上述の技術的課題を解決したセメント
クリンカなどの焼成装置を提供することを目的と
する。

本発明は、複数の捕集器Ｃ１〜Ｃ４を上下に配
置して成る浮遊式熱交換器１３、およびバーナ９
を備える仮焼炉１から成る予熱装置２、ガス化炉内４でガス化反応させて粗製ガスを得
る石炭ガス化装置３、直立円筒状の上部焼成炉１７の下方に、同心
に、上部焼成炉１７よりも小径の下部焼成炉１８
が接続されて構成される焼成炉５であつて、上部
焼成炉１７の下部には、下部焼成炉１８の外周に
流動層６７を形成する環状の第１分散板２０が設
けられ、この第１分散板２０の下方に第１空気室
１９が形成され、下部焼成炉１８の上部は第１分
散板２０よりも上方に突出しており、下部焼成炉
１８の下部には環状の第２分散板２１が設けら
れ、この第２分散板２１の下方に第２空気室２２
が形成される焼成炉５、焼成炉５からの排ガスを予熱装置２に導くダク
ト１５，１６，４５の途中に備えられ排ガス中か
ら粗粒クリンカを分離する第１分離器１１、前記ダクト１５，１６，４５における第１分離
器１１よりも下流側に設けられた排ガス中から細
粒クリンカおよび未焼成原料を分離する第２分離
器１２、高温度のクリンカを空気との熱交換によつて冷
却する冷却装置７、冷却装置７で昇温された空気を、上部焼成炉１
７に第１分散板２０よりも上方に導くとともに、
下部焼成炉１８に第２分散板２１よりも上方に導
く第１ダクト手段８，２４，２５、冷却装置７で昇温された空気を、仮焼炉１に導
く第２ダクト手段１０、第１および第２空気室１９，２２に空気を導く
第３ダクト手段８，２６，２７、石炭ガス化装置３からの粗製ガスを下部焼成炉
１８の下部で第２分散板２１の中央位置に導いて
下部焼成炉１８内に噴流層６を形成する立ち上り
管４７、第１分離器１１へ分離された粗粒クリンカおよ
び前記上部焼成炉１７の流動層６７からオーバフ
ローした粗粒クリンカを冷却装置に導くシユート
２３，２８、第２分離器１２で分離された細粒クリンカおよ
び未焼成原料と、前記ガス化炉４から排出される
灰分とを、混合して前記下部焼成炉１８に投入す
るシユート２９，４９、前記予熱装置２の最下段捕集器Ｃ１で捕集され
た原料を第１および第２分離器１１，１２間のダ
クト１６に投入するシユートを含むことを特徴と
するセメントクリンカなどの焼成装置である。

好ましい実施態様では、前記焼成炉５の上部焼
成炉および下部焼成炉は、空気の流通を許容する
内壁およびその内壁を外囲する外壁から成る二重
壁構造を有し、冷却装置から導出された空気を導
く前記第１ダクト手段は、前記内壁および外壁間
の空間に接続されることを特徴とする。

また好ましい実施態様では、前記焼成炉の上部
焼成炉および下部焼成炉の側壁には、複数の吹き
込み管が接続されており、それらの吹き込み管に
は冷却装置からの空気を導く前記第１ダクト手段
が接続されることを特徴とする。

以下、図面によつて本発明の実施例を説明す
る。第１図は本発明の一実施例の系統図である。
この第１図において、セメント原料などの固体の
流れを実線矢符で示し、燃焼排ガスなどの気体の
流れを破線矢符で示す。セメントなどの粉末原料
は、仮焼炉１を備えた予熱装置２内で、焼成炉５
および仮焼炉１からの燃焼排ガス中に浮遊して予
熱された後、仮焼炉１で仮焼される。ほぼ完全に
仮焼されたた粉末原料（以下、仮焼原料と言う）
は、焼成炉５に投入される。この焼成炉５におい
て仮焼原料は、石炭ガス化装置３のガス化炉４
（本実施例では、加圧流動層式ガス化炉であるが、
これに限定するものではない。）からの粗製ガス
および冷却装置７からの空気によつて噴流層６を
形成しながら焼成され、生成した一定粒径以上の
クリンカが冷却装置７で冷却された後、製品とし
て取り出される。

一方、冷却装置７に導入された冷却用空気の
内、クリンカとの熱交換によつて比較的高温に加
熱された空気は、ダクト８を介して焼成炉５に導
入されるとともに、ダクト１０を介して仮焼炉１
におけるバーナ９の燃焼用空気として導かれる。
また、冷却装置７において比較的低温度に加熱さ
れた空気は、石炭ガス化装置３において原料石炭
の気流乾燥用空気として用いられる。焼成炉５か
らの燃焼排ガスは、第１および第２分離器１１，
１２を経て予熱装置２に導かれ、ここで粉末原料
との熱交換を行なつた後、排出される。

予熱装置２は、浮遊式熱交換器１３と仮焼炉１
とから成る。浮遊式熱交換器１３は、たとえばサ
イクロンなどの捕集器Ｃ１〜Ｃ４を上下４段に配
置して成り、各捕集器Ｃ１〜Ｃ４はダクトＤ２〜
Ｄ４でそれぞれ連結される。また、最下段の捕集
器Ｃ１と仮焼炉１とはダクトＤ１を介して連結さ
れる。

このような予熱装置２において、仮焼炉１にお
けるバーナ９の燃焼排ガスおよび焼成炉５からの
排ガスはダクトＤ１→捕集器Ｃ１→ダクトＤ２→
捕実器Ｃ２→ダクトＤ３→捕集器Ｃ３→ダクトＤ
４→捕集器Ｃ４の順に流通して排出される。一
方、ダクトＤ４の途中に接続された投入ホツパ１
４からダクトＤ４に投入された粉末原料は、捕集
器Ｃ４→ダクトＤ３→捕集器Ｃ３→ダクトＤ２→
捕集器Ｃ２と順に降下しながら前記排ガスと熱交
換して予熱された後、仮焼炉１に投入される。こ
の仮焼炉１において粉末原料はほぼ完全に仮焼さ
れた後、捕集器Ｃ１を経てダクト１６に投入され
る。ダクト１６に投入された仮焼原料は第２分離
器１２で捕集されて焼成炉５に投入される。

焼成炉５は、直立円筒状の上部焼成炉１７の下
部に上部焼成炉１７よりも小径の下部焼成炉１８
を同心に接続して成る。上部焼成炉１７内の下部
には下方に空気室１９を形成して分散板２０が設
けられ、前記下部焼成炉１８は分散板２０を同心
に貫通して上方に突出する。下部焼成炉１８内の
下部には下方に向うにつれて小径となる分散板２
１が設けられており、その分散板２１の下方には
空気室２２が形成される。上部焼成炉１７におけ
る分散板２０の直上位置には、シユート２３の上
端部が接続されており、このシユート２３の下端
部は冷却装置７に接続される。また、分散板２０
よりも上方において上部焼成炉１７の側壁には、
空気導入管２４が例えば旋回接線方向で接続され
る。下部焼成炉１８の下部における分散板２１よ
りも上方位置には空気導入管２５がたとえば旋回
接線方向で接続される。さらに、各空気室１９，
２２には空気導入管２６，２７がそれぞれ接続さ
れる。これらの空気導入管２４〜２７は、ダンパ
をそれぞれ備えており、ダンパによつて流量を制
御して、各空気導入管２４〜２７の流量配分割合
を調整することができ、これらの空気導入管２４
〜２７は、冷却装置７からの比較的高温度の空気
を導くダクト８に共通に接続される。空気室１
９，２２には、冷却装置７からの比較的低温度の
空気あるいは常温の空気を導入してもよい。焼成
炉５において、下部焼成炉１８の上部は、分散板
２０よりも第１図に明らかに示されるように（ま
た第２図および第３図にも示されるように）、上
方に突出している。立ち上り管４７は、石炭ガス
化装置３からの粗製ガスを、下部焼成炉１８の下
部で分散板２１の中央位置に導いて、下部焼成炉
１８内に粉粒層６の前述のように形成する。分散
板２０，２１は、図面から明らかなように環状に
形成されている。

焼成炉５の頂部に接続されたダクト１５は第１
分離器１１に接続される。この第１分離器１１
は、たとえば重力沈降式のものであつて、ダクト
１５から導入されるガス中に浮遊した比較的大径
のクリンカのみを分離するように設定される。こ
の第１分離器１１で分離されたクリンカを導くシ
ユート２８はシユート２３の途中に連結される。
第１分離器１１はダクト１６を介して第２分離器
１２に連結されており、第２分離器１２はたとえ
ばサイクロンである。この第２分離器１２はダク
ト１６から導入されるガス中の細粒クリンカおよ
び未焼成原料を分離する。分離された細粒クリン
カおよび未焼成原料はシユート２９を介して下部
焼成炉１８に投入される。第２分離器１２の頂部
から上方に延びる立ち上りダクト４５は仮焼炉１
の底部に接続されており、したがつて第２分離器
１２で清浄化された焼成炉５の燃焼排ガスは仮焼
炉１に導入される。なお、捕集器Ｃ１からダクト
１６に投入されて、予熱された仮燃原料の温度
は、液相生成開始温度（約1250℃）以下であるの
で、ダクト１６および第２分離器１２の内壁に溶
融成分が付着してコーチングトラブルが生じるこ
とはない。

石炭ガス化装置３において、たとえば粒度1.5
〜３mm程度の原料石炭は、ホツパ３０から気流式
乾燥装置３１に投入される。この気流式乾燥装置
３１はその下方に送風機３２を備える。送風機３
２は、冷却装置７で比較的低温度（約240〜300
℃）に昇温された空気を、集塵器３３を備えるダ
クト３４を介して誘引するとともに気流式乾燥装
置３１内に上方に向けて送風する。そのため、気
流式乾燥装置３１に投入された原料石炭は、約
240〜300℃の空気流中に浮遊して乾燥されるとと
もにサイクロン３５に導入され、清浄化された空
気は誘引送風機６４によつて誘引排出される。サ
イクロン３５で捕集された乾炭はシユート３６を
介してホツパ３７に投入される。なお、シユート
３６の途中から乾炭の一部を抜き出して、矢符３
８で示すように仮焼炉１におけるバーナ９の燃料
としてもよい。

ホツパ３７に貯留された乾炭は、スクリユウフ
イーダ３９などの供給手段によつてガス化炉４に
気密的に供給される。ガス化炉４は、圧力容器で
あつて、その下部には分散板４０が設けられてい
る。酸素富化された空気あるいは酸素は矢符４１
で示すように加熱器４２で加熱された後、蒸気発
生器４３からの蒸気４４とともに、ガス化剤とし
てガス化炉４の下部に導入される。このガス化剤
は分散板４０を上方に流過する。それにより、分
散板４０の上方には石炭の流動層が形成され、石
炭はたとえば７〜10気圧、800〜900℃の条件下で
ガス化反応を生じる。それにより、チヤー、ター
ル分、イオウ分、アンモニア分等の不純物を含む
約2500〜3000Kcal／Ｎm³の粗製ガスが得られる。

ガス化炉４は、焼成炉５の下方に設けられてお
り、下部焼成炉１８の下端部とガス化炉４の頂部
とは、途中の減圧手段４６を備える立ち上り管４
７によつて相互に連結される。したがつて、ガス
化炉４で発生したた粗製ガスは、チヤーを同伴し
て減圧手段４６によつて減圧された後、下部焼成
炉１８に噴入される。ガス化炉４で粗製ガスを発
生した後の灰分は、分散板４０の中央部からホツ
パ４８に排出される。さらにセメント原料の一部
として利用するために矢符４９で示すようにシユ
ート２９の途中に灰分を導入しても良い。

焼成炉５において、細粒クリンカ、未焼成原料
およびチヤーは、下部焼成炉１８を上方に向けて
流過する粗製ガスおよび空気によつて、噴流層６
を形成し、さらに上部焼成炉１７内に噴入され
る。したがつて焼成炉５の上部焼成炉１７内に
も、細粒クリンカ、未焼成原料およびチヤーの噴
流層６が形成される。しかも粗製ガスおよびチヤ
ーは、各空気室１９，２２から分散板２０，２１
を上方に流過してくる空気、ならびに空気導入管
２４，２４から導入される空気によつて燃焼し、
前記噴流層６はセメントクリンカ焼成温度に保た
れる。

このようにセメントクリンカ焼成温度に保持さ
れた噴流層６において、仮焼原料は実線矢符で示
すごとく循環滞留しながら高温度に加熱されて溶
融し、相互に集合して核となるか、あるいはクリ
ンカ粒子に付着して造粒、焼成される。この噴流
層６において充分に大径となつた粗粒クリンカ
は、上部焼成炉１７の内面に沿つて分散板２０上
に落下し、その分散板２０上で下方から吹き上げ
てくる空気によつて流動下される。この分散板２
０上では、粒径の小さい細粒クリンカや未焼成原
料は上方に吹き飛ばされ、したがつて粗粒クリン
カのみによつて流動層６７が形成されるが、この
粗粒クリンカはシユート２３から順次排出され
る。

一方、下部焼成炉１８からの噴入ガスの排ガス
に浮遊して焼成炉５の頂部から抜き出されるクリ
ンカは、滞留時間不足によつて焼成反応の完了し
ていない原料とともにダクト１５を経て第１分離
器１１に導入される。この第１分離器１１におい
ては、一定の粒径以上に達した粗粒クリンカのみ
が分離され、シユート２８によつてシユート２３
の途中に投入され、流動層６７から導かれる粗粒
クリンカとともに冷却装置７に導かれる。一方、
第１分離器１１で分離されなかつた細粒クリンカ
および未焼成原料は、ダクト１６に投入される仮
焼原料とともに第２分離器１２で分離された後、
シユート２９を経て焼成炉５に戻される。このよ
うにして、未焼成原料は焼成炉５→第１分離器１
１→第２分離器１２→焼成炉５の閉回路内を循環
して焼成されながら大径となつていき、一定粒径
以上に達したクリンカのみが冷却装置７に導かれ
る。

冷却装置７のケーシング５１は横方向に延びる
密閉函状であり、前記シユート２３の下端部はケ
ーシング５１の一端部に接続される。ケーシング
５１内の下部には、分散板５２が設けられてお
り、この分散板５２の下方は、２つに分割され
て、冷却空気室５３，５４がそれぞれ設けられ
る。各冷却空気室５３，５４には押込み送風機５
５，５６がそれぞれ接続される。

分散板５２の上方に形成される流動層５７は、
高温度のクリンカを効率良く冷却できるように複
数に分割される。たとえば第１図においては、流
動層５７の冷却空気室５３，５４に対応する部分
がそれぞれ２つに分割される。また、ケーシング
５１内において流動層５７の上部空間は、比較的
高温空気の回収領域に対応してオーバパーテイシ
ヨン５８によつて分割されており、一方の空間５
９にはシユート２３、ダクト８，１０がそれぞれ
接続される。また他方の空間６０には空気排出管
６１が接続される。このようにケーシング５１内
を分割することによつて、空間５９に送入された
空気はダクト８，１０に導かれ、空間６０に送入
された空気は空気排出管６１に導かれる。

ケーシング５１の他端部において、流動層５７
の上部付近にはオーバフロー管６２が接続されて
いる。そのためシユート２３から投入されたクリ
ンカは流動層５７内を一端部から他端部（第１図
の左端部から右端部）に向けて移動しながら冷却
された後、オーバフロー管６２から製品として取
り出される。しかもシユート２３から投入される
クリンカは一定粒径以上であるので、流動層５７
において空気の吹き抜け等が発生しにくく、良好
な流動層５７においてクリンカは効率良く冷却さ
れる。

空気排出管６１はダクト３４に連結される。こ
のダクト３４には放出管６３が接続されており、
気流式乾燥装置３１に供給されて余つた空気は放
出管６３から放出される。

上述のように冷却装置７においてクリンカとの
熱交換により比較的高温に昇温した空気は焼成炉
５における燃焼用空気として利用され、比較的低
温度に昇温した空気は石炭の乾燥に利用されるの
で、クリンカの顕熱が充分に熱回収されて熱効率
が向上する。

なお、ガス化炉４で発生した粗製ガス中にはイ
オウ分やアンモニア分等が含まれているが、一般
的にセメント焼成設備には脱硫機能および脱硝機
能を有するので、予熱装置２から導出されるガス
には、有害ガス成分は、ほとんど含まれない。

クリンカの溶融成分が比較的多い場合には、ダ
クト１５、第１分離器１１の内壁にクリンカが付
着してコーチングトラブルが生じるおそれがある
が、このような場合には、捕集器Ｃ１で捕集され
た仮焼原料の少なくとも一部をシユート６５を介
してダクト１５に投入すればよい。そうすれば、
焼成炉５から導出される排ガスの温度が低下して
コーチングトラブルが防止される。

さらに、シユート２３を落下してくるクリンカ
をシユート６６を介して冷却装置７の空間５９か
ら上方に立ち上るダクト８の途中に投入するよう
にしてもよい。そうすれば前記クリンカ中に含ま
れている細粒クリンカおよび未焼成原料が空気中
に浮遊して分離されてさらに分離効率が向上す
る。

第２図は本発明の他の実施例における焼成炉７
０を簡略化して示す断面図であり、第１図の実施
例に対応する部分には同一の参照符を付す。この
実施例において焼成炉７０の上部焼成炉７１およ
び下部焼成炉７２はそれぞれ二重壁構造を有す
る。上部焼成炉７１の内壁７３および下部焼成炉
７２の内壁７４は空気の流通を許容するたとえば
多孔板から成る。上部焼成炉７１の内壁７３およ
び外壁７５、ならびに下部焼成炉７２の内壁７４
および外壁７６の間には空間７７，７８が形成さ
れており、各空間７７，７８は空気導入管２４，
２５から空気（冷却装置７からの抽気空気）が導
入される。このようにすると、内壁７３，７４か
ら空気が吹き込まれるので、焼成炉７０内で半溶
融状態にあるクリンカが内壁に付着することが防
止される。

第３図は本発明の他の実施例の焼成炉８０を簡
略化して示す断面図であり、第４図は第３図の切
断面線−から見た断面図であり、前述の各実
施例に対応する部分には同一の参照符を付す。こ
の実施例では、焼成炉８０の上部焼成炉８１およ
び下部焼成炉８２を外囲する複数のヘツダ８３，
８４が上下方向に間隔をあけて設けられる。各ヘ
ツダ８３，８４ならびに上部焼成炉８１および下
部焼成炉８２の側壁は、円周方向に等間隔をあけ
て配置された吹き込み管８５，８６で連結され
る。また各ヘツダ８３，８４には空気導入管２
４，２５が接続される。なお、各吹き込み管８
５，８６は上部焼成炉８１および下部焼成炉８２
の半径方向に沿つて接続されてもよく、旋回接線
方向に接続されていてもよい。

この実施例によれば、冷却装置７から抽気され
た空気が、ヘツダ８３，８４を経て各吹き込み管
８５，８６から上部焼成炉８１および下部焼成炉
８２内に吹き込まれるので、第２図の実施例と同
様に半溶融状態にあるクリンカが上部焼成炉８１
および下部焼成炉８２の内壁に付着することが防
止される。

本発明の他の実施例として、石炭ガス化装置３
における気流式乾燥装置３１の乾燥用ガスとし
て、予熱装置２の排ガスを用いてもよい。予熱装
置２における最下段捕集器Ｃ１で捕集した仮焼原
料を焼成炉５，７０，８０にそれぞれ直接投入す
るようにしてもよい。

上述のごとく本発明によれば次のような効果を
奏することができる。(1)予熱装置は独立した熱源
を有する乾焼炉を含むので、焼成炉に投入される
粉末原料は既にほぼ100％まで仮焼されており、
したがつて焼成炉の熱負荷を小さくすることがで
き、その結果、焼成炉が小形化されるとともに設
置面積および放熱損失が小さくなる。(2)焼成炉が
噴流式であるので、原料の滞留時間が比較的長く
なり、したがつてクリンカ焼成反応が促進され
る。(3)ガス化炉からの組製ガスは高温であり、そ
の顕熱をそのまま有効に利用できるので、熱損失
が最小限で済む。(4)焼成炉からの排ガスから分離
された細粒クリンカは、クリンカ粒子成長用の核
として焼成炉に戻されるので、熱損失が低減され
る。(5)冷却装置で昇温された空気を有効に利用し
ているので熱消費が低減される。(6)噴流層で造粒
焼成されるクリンカは比較的小径であり、したが
つて製品として取り出されたクリンカを粉砕する
ための動力が低減される。(7)また本発明では、下
部焼成炉では噴流層を形成し、上部焼成炉では流
動層を形成し、下部焼成炉では造粒主体に、また
上部焼成炉では粗粒の焼成のみを行うことができ
るように、それぞれの温度および滞留時間などを
自由に操作することができるので、製品の品質を
向上することができ、またアグロメレーシヨンを
回避することができ、連続して安定運転を行うこ
とができるようになる。アグロメレーシヨンと言
うのは、原料およびクリンカ粒子表面の溶融成分
がバインダとなり、粒子が付着凝塊し、流動層が
停止する現象である。最適造粒温度1300〜1320
℃、最適焼成温度1400〜1430℃に対して、それぞ
れ20〜30℃高くなると、アグロメレーシヨンが発
生してしまう。本発明では、このようなアグロメ
レーシヨンを上述のように回避することができる
のである。(8)さらにまた本発明では、石炭ガス化
炉で分離した灰分を原料と混合して焼成炉に投入
しているので、灰分の偏析がなく、製品品質のば
らつきがない。(9)さらにまた本発明では、第２分
離器で細粒クリンカを捕集し、高温度のままで焼
成炉に戻しているので、造粒核となる細粒クリン
カを新たに投入する必要がなく、熱損失を減少す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の系統図、第２図は
本発明の他の実施例における焼成炉７０を簡略化
して示す断面図、第３図は本発明の他の実施例の
焼成炉８０を簡略化して示す断面図、第４図は第
３図の切断面線−から見た断面図である。１……仮焼炉、２……予熱装置、３……石炭ガ
ス化装置、４……ガス化炉、５，７０，８０……
焼成炉、６……噴流層、７……冷却装置、８，１
０，１５，１６，３４……ダクト、９……バー
ナ、１１……第１分離器、１２……第２分離器、
１３……浮遊式熱交換器、１７，７１，８１……
上部焼成炉、１８，７２，８２……下部焼成炉、
２３，２８，２９，６５，６６……シユート、３
１……気流式乾燥装置、６７……流動層、７３，
７４……内壁、７５，７６……外壁、７７，７８
……空間、８５，８６……吹き込み管、Ｃ１〜Ｃ
４……捕集器。

Claims

【特許請求の範囲】１複数の捕集器Ｃ１〜Ｃ４を上下に配置して成
る浮遊式熱交換器１３、およびバーナ９を備える
仮焼炉１から成る予熱装置２、ガス化炉内４でガス化反応させて粗製ガスを得
る石炭ガス化装置３、直立円筒状の上部焼成炉１７の下方に、同心
に、上部焼成炉１７よりも小径の下部焼成炉１８
が接続されて構成される焼成炉５であつて、上部
焼成炉１７の下部には、下部焼成炉１８の外周に
流動層６７を形成する環状の第１分散板２０が設
けられ、この第１分散板２０の下方に第１空気室
１９が形成され、下部焼成炉１８の上部は第１分
散板２０よりも上方に突出しており、下部焼成炉
１８の下部には環状の第２分散板２１が設けら
れ、この第２分散板２１の下方に第２空気室２２
が形成される焼成炉５、焼成炉５からの排ガスを予熱装置２に導くダク
ト１５，１６，４５の途中に備えられ排ガス中か
ら粗粒クリンカを分離する第１分離器１１、前記ダクト１５，１６，４５における第１分離
器１１よりも下流側に設けられた排ガス中から細
粒クリンカおよび未焼成原料を分離する第２分離
器１２、高温度のクリンカを空気との熱交換によつて冷
却する冷却装置７、冷却装置７で昇温された空気を、上部焼成炉１
７に第１分散板２０よりも上方に導くとともに、
下部焼成炉１８に第２分散板２１よりも上方に導
く第１ダクト手段８，２４，２５、冷却装置７で昇温された空気を、仮焼炉１に導
く第２ダクト手段１０、第１および第２空気室１９，２２に空気を導く
第３ダクト手段８，２６，２７、石炭ガス化装置３からの粗製ガスを下部焼成炉
１８の下部で第２分散板２１の中央位置に導いて
下部焼成炉１８内に噴流層６を形成する立ち上り
管４７、第１分離器１１で分離された粗粒クリンカおよ
び前記上部焼成炉１７の流動層６７からオーバフ
ローした粗粒クリンカを冷却装置に導くシユート
２３，２８、第２分離器１２で分離された細粒クリンカおよ
び未焼成原料と、前記ガス化炉４から排出される
灰分とを、混合して前記下部焼成炉１８に投入す
るシユート２９，４９、前記予熱装置２の最下段捕集器Ｃ１で捕集され
た原料を第１および第２分離器１１，１２間のダ
クト１６に投入するシユートを含むことを特徴と
するセメントクリンカなどの焼成装置。２前記焼成炉５の上部焼成炉および下部焼成炉
は、空気の流通を許容する内壁およびその内壁を
外囲する外壁から成る二重壁構造を有し、冷却装
置から導出された空気を導く前記第１ダクト手段
は、前記内壁および外壁間の空間に接続されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のセメ
ントクリンカなどの焼成装置。３前記焼成炉の上部焼成炉および下部焼成炉の
側壁には、複数の吹き込み管が接続されており、
それらの吹き込み管には冷却装置からの空気を導
く前記第１ダクト手段が接続されることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のセメントクリン
カなどの焼成装置。