JPS6360274A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
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- JPS6360274A JPS6360274A JP20366486A JP20366486A JPS6360274A JP S6360274 A JPS6360274 A JP S6360274A JP 20366486 A JP20366486 A JP 20366486A JP 20366486 A JP20366486 A JP 20366486A JP S6360274 A JPS6360274 A JP S6360274A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜堆積用、スパッタ装置、特にそのターゲ
ット装着に関するものである。
ット装着に関するものである。
ターゲットをターゲット保持電極に取り付けるには、主
に２つの方法が従来用いられて来た。その一つは、ター
ゲットの囲りを、専用の固定金具で押え、この金具をネ
ジで、ターゲット保持電極に固定する方法である。他の
１つは、ターゲット裏面と、ターゲット電極の間に、有
機又は無機（金属）の接着剤を用いて、はり合せる方法
が用いられてきた。
に２つの方法が従来用いられて来た。その一つは、ター
ゲットの囲りを、専用の固定金具で押え、この金具をネ
ジで、ターゲット保持電極に固定する方法である。他の
１つは、ターゲット裏面と、ターゲット電極の間に、有
機又は無機（金属）の接着剤を用いて、はり合せる方法
が用いられてきた。
前者の場合には、スパッタ時に押え金具から、放出され
るガスが不純物として膜内に取り入れられる潜在的要因
を有するとともに、ターゲット電極とアース間の容量が
必然的に増大するため、スパッタ法で今日主流でめる。
るガスが不純物として膜内に取り入れられる潜在的要因
を有するとともに、ターゲット電極とアース間の容量が
必然的に増大するため、スパッタ法で今日主流でめる。
几Ｆスパッタ法に対して、高周波成源から投入される高
周波紙力の損失増大をまねていた。
周波紙力の損失増大をまねていた。
次に従来法の第２の方法は、ターゲット固定は確実に行
なえるが、ターゲットの摩耗、破損等によるターゲット
交換時にはターゲットを永久ボンド化しているために、
ｆ地の１！極ごと交換を要し、従って、いずれかの真空
封止箇所をはずして１作業を進めるため、交換後の真空
度の再現に時間を要し、大へん非能率的である。また、
ターゲットに二つてば、永久ボンドできないものも多く
、改善の余地が多かった。
なえるが、ターゲットの摩耗、破損等によるターゲット
交換時にはターゲットを永久ボンド化しているために、
ｆ地の１！極ごと交換を要し、従って、いずれかの真空
封止箇所をはずして１作業を進めるため、交換後の真空
度の再現に時間を要し、大へん非能率的である。また、
ターゲットに二つてば、永久ボンドできないものも多く
、改善の余地が多かった。
本発明の目的は、かかる従来法の欠点をなくシ。
容量が小さく、交換時、真空封止金破らず、しかも、あ
らゆるターゲット材を装着可能とする機能を有するスパ
ッタ装置を提供するものである。
らゆるターゲット材を装着可能とする機能を有するスパ
ッタ装置を提供するものである。
上記の目的全達成するために、発明者等は、種種の装着
法を検討した結果、蒸気圧の低い、液体金属材料で、室
温ないし５０ｒ近傍で、接着剤として用いた場合、良い
結果が得られた。
法を検討した結果、蒸気圧の低い、液体金属材料で、室
温ないし５０ｒ近傍で、接着剤として用いた場合、良い
結果が得られた。
スパッタ装置内に実装して、種々検討した結果液体金属
としては、Ｑａを中心とした、Ｑａ−Ｉｎ、Ｑａ−８口
＋ Ｑａ−Ｐｄｔ 又はＧａ−Ｚｎ系のものが、大へ
ん良好であり、中でもＱａ−Ｉｎ系が接着性及び蒸気圧
の点で最も優れていることを見出した。
としては、Ｑａを中心とした、Ｑａ−Ｉｎ、Ｑａ−８口
＋ Ｑａ−Ｐｄｔ 又はＧａ−Ｚｎ系のものが、大へ
ん良好であり、中でもＱａ−Ｉｎ系が接着性及び蒸気圧
の点で最も優れていることを見出した。
長時間使用した後でも、Ｇａ−Ｉｎの変質はなかった。
又接着方法としては、液体金属の使用量ができるだけ少
量なることが望ましく、さらにターゲット保持電極が銅
製の場合には、液体金属と反応するためｔ ＣｒＨＴａ
、 Ｗ、 Ｔ ＩＴ ＭＯ等でメンキないし、表面処
理しておく必要のあることがわかった。この保持’ＦＩ
Ｅｆｆｌがステンレスの場合には、反応の形跡はなく表
面処理の必要（位なかった。
量なることが望ましく、さらにターゲット保持電極が銅
製の場合には、液体金属と反応するためｔ ＣｒＨＴａ
、 Ｗ、 Ｔ ＩＴ ＭＯ等でメンキないし、表面処
理しておく必要のあることがわかった。この保持’ＦＩ
Ｅｆｆｌがステンレスの場合には、反応の形跡はなく表
面処理の必要（位なかった。
この方法を、例えば、Ｓｉ−ウエノ・をターゲットとし
て用いる場合について説明するっＧａ−■ｎ系液体金ｇ
４はｔ Ｇ ａｔ Ｉ ｎをビーカ内で接触ないしは
軽く加熱することによって速やかに合金液体化できる。
て用いる場合について説明するっＧａ−■ｎ系液体金ｇ
４はｔ Ｇ ａｔ Ｉ ｎをビーカ内で接触ないしは
軽く加熱することによって速やかに合金液体化できる。
他方ターゲット用Ｓｉウニ／・は。
アルコール洗浄、ｅ洗浄、水洗浄後乾燥する。スパッタ
装置のターゲット保持電極もアルコール。
装置のターゲット保持電極もアルコール。
アセトン等でよく拭う以上の準備の後Ｓｉ−ウェハの片
面と、保持電極上にＧａＩｎを塗布し。
面と、保持電極上にＧａＩｎを塗布し。
両面を合わせることによってターゲット化することがで
きる。
きる。
第１図は７本発明によるターゲット装着を行なったスパ
ッタ装置のターゲット部分の断面図を示したものである
。１がターゲット、２がターゲット保持電極、３が両者
を接着している合金層、４がシールド電極、５が絶縁体
、６がスパッタ室壁７．８がシールド０−リング、９が
ターゲット冷却用、冷却水の人出口である。
ッタ装置のターゲット部分の断面図を示したものである
。１がターゲット、２がターゲット保持電極、３が両者
を接着している合金層、４がシールド電極、５が絶縁体
、６がスパッタ室壁７．８がシールド０−リング、９が
ターゲット冷却用、冷却水の人出口である。
従来の技術で説明したように通常、３の部分に。
有機接着剤、又は半田会合によって接合されているが、
本発明では、ＧａＩｎ系のべ体会合によって構成されて
いる。その装着法′をＳｉ−ウニ・・ｔターゲットとす
る場合について説明する。
本発明では、ＧａＩｎ系のべ体会合によって構成されて
いる。その装着法′をＳｉ−ウニ・・ｔターゲットとす
る場合について説明する。
Ｓｉウェハ全例えばアセトンでよく洗浄した後。
ＨＦ＋ＨＮ４Ｆ （１： ６液）で洗浄し、さらに脱
イ万ン水で洗浄後乾燥する。第１図の２のターゲット保
持電極も、アセトン等でよく拭って清浄面とする。接着
に用いるＱ ａ −Ｉｎ合金は両者を接触し室＠ａｌＯ
ｃに加熱して得られる。この液体合金中に含まｎる混雑
物やスラツプをよく除去して？き、先に準備したＳｉ−
ウエノ・と、電極保持電極に綿棒等を用いて薄く塗布し
て、その量が表面張力で保持できる程度に塗布する。つ
まり、ウェハを斜めにした時でも、８金がたれおちない
程度に塗る。これらの塗布面を合わせるだけで、ターゲ
ット接着保持が完成する。ターゲットの外径と。
イ万ン水で洗浄後乾燥する。第１図の２のターゲット保
持電極も、アセトン等でよく拭って清浄面とする。接着
に用いるＱ ａ −Ｉｎ合金は両者を接触し室＠ａｌＯ
ｃに加熱して得られる。この液体合金中に含まｎる混雑
物やスラツプをよく除去して？き、先に準備したＳｉ−
ウエノ・と、電極保持電極に綿棒等を用いて薄く塗布し
て、その量が表面張力で保持できる程度に塗布する。つ
まり、ウェハを斜めにした時でも、８金がたれおちない
程度に塗る。これらの塗布面を合わせるだけで、ターゲ
ット接着保持が完成する。ターゲットの外径と。
電極の外径はターゲットの外径が保持電極よりもわずか
に大きいことが望ましく、これによって接着用合金の影
響を完全に切ることができる。又上述のように、できる
だけ少量で接着するのもポイントの一つである。ターゲ
ット保持電極は１通常、銅製の場合も多いが、銅ａ、こ
の合金と反応するため１表面にＣｒ等をメッキするＤ）
あるいはＴａ。
に大きいことが望ましく、これによって接着用合金の影
響を完全に切ることができる。又上述のように、できる
だけ少量で接着するのもポイントの一つである。ターゲ
ット保持電極は１通常、銅製の場合も多いが、銅ａ、こ
の合金と反応するため１表面にＣｒ等をメッキするＤ）
あるいはＴａ。
ｗ、’ｒｉ等の保護・−？形成して分く必要がある。
なお１不接着用、合金層分、確実にするために、保持電
極は必らず第１図に示すように冷却水によって冷却され
ていることが必要である。
極は必らず第１図に示すように冷却水によって冷却され
ていることが必要である。
本発明Ｖこよれば、従来のネジどめ、又は永久ボンド弐
と異なり、ターゲットとして使用している時は、使用し
た１合金の表面張力により、十分な固定機能を有してお
り、ターゲットの冷却効果も十分である。次に、摩耗、
破損等によって、ターゲットを交換したい要求が生じた
時にはターゲット保持電極から、容易にはがし去ること
ができ。
と異なり、ターゲットとして使用している時は、使用し
た１合金の表面張力により、十分な固定機能を有してお
り、ターゲットの冷却効果も十分である。次に、摩耗、
破損等によって、ターゲットを交換したい要求が生じた
時にはターゲット保持電極から、容易にはがし去ること
ができ。
その作業性はもとより、Ｘ空槽内部での一部分の交換で
ターゲットを交換できるため、交侠前後での真空槽への
ルーフもまったく心配なく短時間で終了することができ
る。又、不発明によるターゲットは、そのＡ面に無理な
力が全然加えられていないため、不要な熱歪が加わって
も、歪量ハ少なく、歪に対して強いという特性も有して
いる。
ターゲットを交換できるため、交侠前後での真空槽への
ルーフもまったく心配なく短時間で終了することができ
る。又、不発明によるターゲットは、そのＡ面に無理な
力が全然加えられていないため、不要な熱歪が加わって
も、歪量ハ少なく、歪に対して強いという特性も有して
いる。
第１図は本発明の一実施例になるスパッタ装置のターゲ
ット装着部分の断面図である。 １・・・ターゲット、２・・・ターゲット保持成極、３
・・・低融点合金接層層２４・・・シールド電ｔｆｓ、
５・・・ターゲット絶縁物、６・・・スパンタ室外
壁部分、７，８・・・シール用０−リング、９・・・タ
ーゲット冷却用。 冷却水出入口。 、
ｚ’１、。 代理人 弁理士 小川勝男 。 第 ｌ 区 ス
ット装着部分の断面図である。 １・・・ターゲット、２・・・ターゲット保持成極、３
・・・低融点合金接層層２４・・・シールド電ｔｆｓ、
５・・・ターゲット絶縁物、６・・・スパンタ室外
壁部分、７，８・・・シール用０−リング、９・・・タ
ーゲット冷却用。 冷却水出入口。 、
ｚ’１、。 代理人 弁理士 小川勝男 。 第 ｌ 区 ス
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空槽内に、直流又はＲＦパワーの供給される電極
と、アース電極を有する、スパッタ装置において、該電
極上に装着されている、ターゲット材が、低融点合金に
より、接着されていることを特徴とするスパッタ装置。 ２、上記低融点合金が、Ｇａ−系合金より成ることを特
徴とする、第１項記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20366486A JPS6360274A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20366486A JPS6360274A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360274A true JPS6360274A (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=16477807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20366486A Pending JPS6360274A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6360274A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769116A (en) * | 1994-01-31 | 1998-06-23 | Kabushiki Kaisha Yokota Seisakusho | Composite action type water-hammer-preventive check valve |
| JP2012122088A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | スパッタリング成膜用珪素ターゲットおよび珪素含有薄膜の成膜方法 |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP20366486A patent/JPS6360274A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769116A (en) * | 1994-01-31 | 1998-06-23 | Kabushiki Kaisha Yokota Seisakusho | Composite action type water-hammer-preventive check valve |
| JP2012122088A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | スパッタリング成膜用珪素ターゲットおよび珪素含有薄膜の成膜方法 |
| US9812300B2 (en) | 2010-12-06 | 2017-11-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film |
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