JPS6358819A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS6358819A JPS6358819A JP20305686A JP20305686A JPS6358819A JP S6358819 A JPS6358819 A JP S6358819A JP 20305686 A JP20305686 A JP 20305686A JP 20305686 A JP20305686 A JP 20305686A JP S6358819 A JPS6358819 A JP S6358819A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- susceptor
- vacuum suction
- epitaxially grown
- suction holes
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 2
- 101100215641 Aeromonas salmonicida ash3 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造装置、特に高濃度不純物基板
もしくは基板裏面に形成された高濃度不純物層を有する
基板にエピタキシャル成長膜を形成させる半導体装置の
製造装置に関する。
もしくは基板裏面に形成された高濃度不純物層を有する
基板にエピタキシャル成長膜を形成させる半導体装置の
製造装置に関する。
［従来の技術］
一般にエピタキシャル成長装置はシリンダータイプ、パ
ンケーキタイプを主力として広く使用されている。これ
らの装置はサセプター上（炭素（Ｃ）上にＳｉＣ膜をコ
ーティングしてなる基板支持台）に半導体基板（以下基
板という〉を置き、ランプ加熱あるいは高周波加熱等に
より基板を加熱し水素雰囲気中にてソースガス（例えば
５ｉｔ−１４，５ｉＨＣ１！３．ＳｉＨ＋ Ｃｊ２，５
ｉＣＲ４等）及びドーパントガス（例えばＰＨ３。
ンケーキタイプを主力として広く使用されている。これ
らの装置はサセプター上（炭素（Ｃ）上にＳｉＣ膜をコ
ーティングしてなる基板支持台）に半導体基板（以下基
板という〉を置き、ランプ加熱あるいは高周波加熱等に
より基板を加熱し水素雰囲気中にてソースガス（例えば
５ｉｔ−１４，５ｉＨＣ１！３．ＳｉＨ＋ Ｃｊ２，５
ｉＣＲ４等）及びドーパントガス（例えばＰＨ３。
ＡＳＨ３，Ｂ２°Ｈ６）を流しエピタキシャル成長膜厚
及び不純物濃度をコントロールして膜を形成するもので
あった。
及び不純物濃度をコントロールして膜を形成するもので
あった。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来のエピタキシャル成長膜形成法では、例え
ばＭＯＳデバイスにおけるエピタキシャル成長のように
、高濃度不純物基板を使用するエピタキシャル膜の形成
、あるいはＢｉｐミルデバイスける埋込拡散層を形成す
る際、同時に裏面にも高濃度不純物が拡散された基板を
使用するエピタキシャル膜の形成等の場合には、裏面の
不純物がエピタキシャル成長膜の不純物濃度に影響を与
え、第４図に示す様に基板周辺の比抵抗が低くなるいわ
ゆる凸型の不均一な分布となる。そこで、裏面からの不
純物の影響を防ぐ為に基板裏面に酸化膜、窒化膜等の絶
縁膜を形成させたり、又裏面の不純物拡散層の形成を防
ぐ為に裏面にレジスト等を塗布して拡散層パターンを形
成する際、裏面の絶縁膜を残す工程が必要となり、工程
が増加して作業能率が低下するという欠点を有していた
。
ばＭＯＳデバイスにおけるエピタキシャル成長のように
、高濃度不純物基板を使用するエピタキシャル膜の形成
、あるいはＢｉｐミルデバイスける埋込拡散層を形成す
る際、同時に裏面にも高濃度不純物が拡散された基板を
使用するエピタキシャル膜の形成等の場合には、裏面の
不純物がエピタキシャル成長膜の不純物濃度に影響を与
え、第４図に示す様に基板周辺の比抵抗が低くなるいわ
ゆる凸型の不均一な分布となる。そこで、裏面からの不
純物の影響を防ぐ為に基板裏面に酸化膜、窒化膜等の絶
縁膜を形成させたり、又裏面の不純物拡散層の形成を防
ぐ為に裏面にレジスト等を塗布して拡散層パターンを形
成する際、裏面の絶縁膜を残す工程が必要となり、工程
が増加して作業能率が低下するという欠点を有していた
。
本発明の目的は基板裏面の不純物がエピタキシャル成長
膜の不純物濃度に影響を与えるのを防止する半導体装置
の製造装置を提供することにある。
膜の不純物濃度に影響を与えるのを防止する半導体装置
の製造装置を提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来のエピタキシャル成長膜形成装置に対し、
本発明はエピタキシャル成長を形成する際、サセプター
に基板の裏面を真空により強制的に密着させることによ
り、基板裏面を成長雰囲気から隔離し不純物の影響をな
くして均一な比抵抗のエピタキシャル成長膜を形成する
という独創的な内容を有する。
本発明はエピタキシャル成長を形成する際、サセプター
に基板の裏面を真空により強制的に密着させることによ
り、基板裏面を成長雰囲気から隔離し不純物の影響をな
くして均一な比抵抗のエピタキシャル成長膜を形成する
という独創的な内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は半導体基板上にエピタキシャル成長層を形成す
る半導体装置の製造装置において、基板の裏面をサセプ
ターに密着させる真空吸着孔をサセプターの基板搭載部
に開口したことを特徴とする半導体装置の製造装置であ
る。
る半導体装置の製造装置において、基板の裏面をサセプ
ターに密着させる真空吸着孔をサセプターの基板搭載部
に開口したことを特徴とする半導体装置の製造装置であ
る。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）はシリンダータイプのエピタキシャル成長
装置の縦断面図である。
装置の縦断面図である。
この種の装置はシリンダー状のペルジャー１内に角形状
のサセプター２を有し、ペルジャー１の外周には複数個
の加熱用ランプ３，３・・・が設置され、ペルジャー１
の上部にガス導入口４が設けられている。
のサセプター２を有し、ペルジャー１の外周には複数個
の加熱用ランプ３，３・・・が設置され、ペルジャー１
の上部にガス導入口４が設けられている。
本実施例は第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）に示すよ
うにサセプター２の内部を中空構造とし、基板を搭載す
る各面に基板を受入れる凹状の基板搭載部２ａ、・・・
を形成し、各搭載部２ａの一部に基板５の下縁を保持す
る突縁２ｂを設け、ざらに各搭載部２ａ内に複数個の直
径１〜５Ｍφの真空吸着孔２ｃ、 ２ｃ・・・を開口し
たものでおる。
うにサセプター２の内部を中空構造とし、基板を搭載す
る各面に基板を受入れる凹状の基板搭載部２ａ、・・・
を形成し、各搭載部２ａの一部に基板５の下縁を保持す
る突縁２ｂを設け、ざらに各搭載部２ａ内に複数個の直
径１〜５Ｍφの真空吸着孔２ｃ、 ２ｃ・・・を開口し
たものでおる。
実施例において、常にサセプタ−２内部をサセプター外
部雰囲気より１％以上減圧になるように調整する。この
ため、基板５は真空吸着孔２Ｃの負圧により裏面仝而が
搭載部２ａに真空吸着されてサセプター２に強制的に密
着させられ、エピタキシャル成長中、成長雰囲気が変化
しても常に基板裏面がサセプターに密着して成長雰囲気
から隔離されるため、基板裏面からの不純物の影響は抑
えられ、第３図に示す様な均一な比抵抗のエピタキシャ
ル成長膜が得られる。
部雰囲気より１％以上減圧になるように調整する。この
ため、基板５は真空吸着孔２Ｃの負圧により裏面仝而が
搭載部２ａに真空吸着されてサセプター２に強制的に密
着させられ、エピタキシャル成長中、成長雰囲気が変化
しても常に基板裏面がサセプターに密着して成長雰囲気
から隔離されるため、基板裏面からの不純物の影響は抑
えられ、第３図に示す様な均一な比抵抗のエピタキシャ
ル成長膜が得られる。
（実施例２）
第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の実施例２を説明する
ためのエピタキシャル成長装置の縦断面図である。
ためのエピタキシャル成長装置の縦断面図である。
第２図（ａ）、 （ｂ）はパンケーキタイプのエピタキ
シャル成長装置を示すものでおる。この種の装置はペル
ジャー１内に皿状のサセプター２が設置してあり、サセ
プター２の中心部にガス導入バイブロが設けられ、バイ
ブロの上端周面にガス噴出口６ａが開口され、サセプタ
ー２の下部に加熱用コイル７か設置しである。
シャル成長装置を示すものでおる。この種の装置はペル
ジャー１内に皿状のサセプター２が設置してあり、サセ
プター２の中心部にガス導入バイブロが設けられ、バイ
ブロの上端周面にガス噴出口６ａが開口され、サセプタ
ー２の下部に加熱用コイル７か設置しである。
本実施例は第２図（ａ）、 （ｂ）に示すようにサセプ
ター２の内部を中空構造とし、皿状サセプター２の上面
に基板裏面θを密着させる基板搭載部２ａ、・・・を形
成し、各搭載部２ａ内に複数個の直径１〜５ｓφの真空
吸着孔２ｃ、 ２ｃ・・・を開口したものである。
ター２の内部を中空構造とし、皿状サセプター２の上面
に基板裏面θを密着させる基板搭載部２ａ、・・・を形
成し、各搭載部２ａ内に複数個の直径１〜５ｓφの真空
吸着孔２ｃ、 ２ｃ・・・を開口したものである。
本実施例によれば、サセプター２内を真空引きして真空
吸着孔２Ｃの負圧により基板裏面の全面をサセプター２
に密着させ、基板裏面を成長雰囲気から隔離するもので
あるから、実施例１と同様に第３図に示すような均一な
比抵抗のエピタキシャル成長膜が得られる。
吸着孔２Ｃの負圧により基板裏面の全面をサセプター２
に密着させ、基板裏面を成長雰囲気から隔離するもので
あるから、実施例１と同様に第３図に示すような均一な
比抵抗のエピタキシャル成長膜が得られる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、基板裏面がサセプ
ターに真空により強制密着させられているので、エピタ
キシャル成長中、基板裏面がサセプターに密着して成長
雰囲気から隔離され、基板裏面の高濃度不純物の影響を
抑えることができ、不純物濃度の均一なエピタキシャル
成長膜を得ることができるという効果がおる。
ターに真空により強制密着させられているので、エピタ
キシャル成長中、基板裏面がサセプターに密着して成長
雰囲気から隔離され、基板裏面の高濃度不純物の影響を
抑えることができ、不純物濃度の均一なエピタキシャル
成長膜を得ることができるという効果がおる。
第１図（ａ）は本発明に係る実施例１であるシリンダー
タイプのエピタキシャル成長装置を示す縦断面図、第１
図（ｂ）はサセプターを示す正面図、第１図（Ｃ）はサ
セプターを示す縦断面図、第２図（ａ）は本発明に係る
実施例２であるパンケーキタイプのエピタキシャル成長
装置を示す縦断面図、第２図（ｂ）はサセプターの形状
を説明するための断面図、第３図は本発明に係るエピタ
キシャル成長膜の比抵抗分布を示す特性図、第４図は従
来装置によるエピタキシャル成長膜の比抵抗分布を示す
特性図である。 １・・・ペルジャー ２・・・サセプター２ａ・
・・基板搭載部 ２Ｃ・・・真空吸着孔真空系 （α） 第１図 （ｂ） （Ｃ） 窮１図 第２図
タイプのエピタキシャル成長装置を示す縦断面図、第１
図（ｂ）はサセプターを示す正面図、第１図（Ｃ）はサ
セプターを示す縦断面図、第２図（ａ）は本発明に係る
実施例２であるパンケーキタイプのエピタキシャル成長
装置を示す縦断面図、第２図（ｂ）はサセプターの形状
を説明するための断面図、第３図は本発明に係るエピタ
キシャル成長膜の比抵抗分布を示す特性図、第４図は従
来装置によるエピタキシャル成長膜の比抵抗分布を示す
特性図である。 １・・・ペルジャー ２・・・サセプター２ａ・
・・基板搭載部 ２Ｃ・・・真空吸着孔真空系 （α） 第１図 （ｂ） （Ｃ） 窮１図 第２図
Claims (1)
- （１）半導体基板上にエピタキシャル成長層を形成する
半導体装置の製造装置において、基板の裏面をサセプタ
ーに密着させる真空吸着孔をサセプターの基板搭載部に
開口したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20305686A JPS6358819A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20305686A JPS6358819A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358819A true JPS6358819A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16467608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20305686A Pending JPS6358819A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358819A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005515630A (ja) * | 2001-12-21 | 2005-05-26 | 三菱住友シリコン株式会社 | エピタキシャル成長用サセプタおよびエピタキシャル成長方法 |
| USRE38937E1 (en) | 1997-02-07 | 2006-01-24 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Susceptor for vapor-phase growth apparatus |
| US7462246B2 (en) | 2005-04-15 | 2008-12-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Modified susceptor for barrel reactor |
| US8926754B2 (en) | 2001-12-21 | 2015-01-06 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Epitaxial growth susceptor |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20305686A patent/JPS6358819A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE38937E1 (en) | 1997-02-07 | 2006-01-24 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Susceptor for vapor-phase growth apparatus |
| JP2005515630A (ja) * | 2001-12-21 | 2005-05-26 | 三菱住友シリコン株式会社 | エピタキシャル成長用サセプタおよびエピタキシャル成長方法 |
| US8926754B2 (en) | 2001-12-21 | 2015-01-06 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Epitaxial growth susceptor |
| US7462246B2 (en) | 2005-04-15 | 2008-12-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Modified susceptor for barrel reactor |
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