JPS6357749U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6357749U JPS6357749U JP15073186U JP15073186U JPS6357749U JP S6357749 U JPS6357749 U JP S6357749U JP 15073186 U JP15073186 U JP 15073186U JP 15073186 U JP15073186 U JP 15073186U JP S6357749 U JPS6357749 U JP S6357749U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- large number
- insulating substrate
- conductive patterns
- external connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図Ａは、本考案に係る第１実施例の斜視図
、第１図Ｂは、その平面図、第２図Ａ，Ｂは、本
考案に係るリードレスチツプキヤリアの効果を説
明するための説明図、第３図は、第１図Ａ，Ｂに
示した実施例の変形例を示す平面図、第４図は、
本考案の第２実施例の平面図、第５図は、第２実
施例のリードレスチツプキヤリアの製作工程の一
例を示す図、第６図は、本考案の第３実施例を示
す平面図、第７図は、第３実施例の変形例を示す
図、第８図は、本考案の第４実施例を示す平面図
、第９図は、従来のリードレスチツプキヤリアの
一構成例を示す平面図である。 図において、１は基板、２はキヤビテイ、３は
半導体チツプ、４，５は平行縁部、６，７は不平
行縁部、８は導電パターン、９は外部接続用導電
パターンを示す。
、第１図Ｂは、その平面図、第２図Ａ，Ｂは、本
考案に係るリードレスチツプキヤリアの効果を説
明するための説明図、第３図は、第１図Ａ，Ｂに
示した実施例の変形例を示す平面図、第４図は、
本考案の第２実施例の平面図、第５図は、第２実
施例のリードレスチツプキヤリアの製作工程の一
例を示す図、第６図は、本考案の第３実施例を示
す平面図、第７図は、第３実施例の変形例を示す
図、第８図は、本考案の第４実施例を示す平面図
、第９図は、従来のリードレスチツプキヤリアの
一構成例を示す平面図である。 図において、１は基板、２はキヤビテイ、３は
半導体チツプ、４，５は平行縁部、６，７は不平
行縁部、８は導電パターン、９は外部接続用導電
パターンを示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体装置に用いるリードレスチツプキヤ
リアにおいて、絶縁基板に設けた半導体チツプを
接合するためのキヤビテイと、該キヤビテイの周
辺部から基板縁部に向けて形成した多数の導電パ
ターンと、該導電パターンに接続され、前記キヤ
ビテイの周辺部から距離を異ならせて前記絶縁基
板縁部に形成した多数の外部接続用導電パターン
とを備えていることを特徴とするリードレスチツ
プキヤリア。 (2) 前記キヤビテイは絶縁基板にマトリツクス
状に多数形成されており、前記外部接続用導電パ
ターンはスルーホールで形成されていることを特
徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載のリ
ードレスチツプキヤリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15073186U JPS6357749U (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15073186U JPS6357749U (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6357749U true JPS6357749U (ja) | 1988-04-18 |
Family
ID=31067137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15073186U Pending JPS6357749U (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6357749U (ja) |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP15073186U patent/JPS6357749U/ja active Pending
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