JPS6356928A - 半導体検査法 - Google Patents
半導体検査法Info
- Publication number
- JPS6356928A JPS6356928A JP20233386A JP20233386A JPS6356928A JP S6356928 A JPS6356928 A JP S6356928A JP 20233386 A JP20233386 A JP 20233386A JP 20233386 A JP20233386 A JP 20233386A JP S6356928 A JPS6356928 A JP S6356928A
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- JP
- Japan
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- sample
- semiconductor
- semiconductor sample
- band
- beams
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体試料に電子線を照射させ、それによっ
て半導体試料から発生する光にもとすき、半導体試料の
検査情報を得る半導体検査法に団する。
て半導体試料から発生する光にもとすき、半導体試料の
検査情報を得る半導体検査法に団する。
従来の技術
従来、半導体試料に電子線を照射させ、それによって半
導体試料から発生する光にもとずき、その光の波長を検
査情報として測定して、半導体試享1中の欠陥などの種
類を判知したり、半導体試料に電子線を走査して照射さ
せ、それによって半導体試料から発生する光にもとずき
、その光の発光強度を他の検査情報として測定して、半
導体試料中の欠陥などの分布などを判知したりする、と
いう半導体検査法が提案されている。
導体試料から発生する光にもとずき、その光の波長を検
査情報として測定して、半導体試享1中の欠陥などの種
類を判知したり、半導体試料に電子線を走査して照射さ
せ、それによって半導体試料から発生する光にもとずき
、その光の発光強度を他の検査情報として測定して、半
導体試料中の欠陥などの分布などを判知したりする、と
いう半導体検査法が提案されている。
このような半導体検査法によれば、半導体試料を破壊す
ることなしに、半導体試料の検査情報の種類や、分布な
どを、容易に判知することができる、という特徴を有す
る。
ることなしに、半導体試料の検査情報の種類や、分布な
どを、容易に判知することができる、という特徴を有す
る。
発明が解決しようとする間 6、
しかしながら、半導体試料が高い抵抗を右する場合、半
導体試料が電子線の照射によって帯電するため、検査情
報を明瞭に得ることができない、という欠点を有してい
た。
導体試料が電子線の照射によって帯電するため、検査情
報を明瞭に得ることができない、という欠点を有してい
た。
また、このため、電子線の電流を減少させることが考え
られるが、この場合、半導体試料が電子線によって帯電
するかが減少するが、これに応じて半導体試料から発生
する光の強度も低下するので、検査情報を明瞭に17る
ことができない、という欠点を有する。また、半導体試
料の表面上に薄い導電性層を形成することが考えられる
が、このようにした場合、爾後導電性層を除去する必要
が生じるとともに、そのとき半導体試料に破損を与える
、という欠点を有する。
られるが、この場合、半導体試料が電子線によって帯電
するかが減少するが、これに応じて半導体試料から発生
する光の強度も低下するので、検査情報を明瞭に17る
ことができない、という欠点を有する。また、半導体試
料の表面上に薄い導電性層を形成することが考えられる
が、このようにした場合、爾後導電性層を除去する必要
が生じるとともに、そのとき半導体試料に破損を与える
、という欠点を有する。
。 を ゛するための手段
よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な半導体
検査法を提案せんとするものである。
検査法を提案せんとするものである。
本発明による半導体検査法は、従来の半導体検査法の場
合と同様に、半導体試料に電子線を照射させ、それによ
って上記半導体試料から発生する光にもとすき、上記半
導体試料の検査情報を得る。
合と同様に、半導体試料に電子線を照射させ、それによ
って上記半導体試料から発生する光にもとすき、上記半
導体試料の検査情報を得る。
しかしながら、本発明による半導体検査法は、上記電子
線の照射時、半導体試料に、その中の欠陥などによる単
位に捕獲されているキャリアを伝導帯及び充満帯のいず
れか一方または双方に遷移させるべ(光を照射させる。
線の照射時、半導体試料に、その中の欠陥などによる単
位に捕獲されているキャリアを伝導帯及び充満帯のいず
れか一方または双方に遷移させるべ(光を照射させる。
創」!」1工
このような本発明による半導体検査法によれば、半導体
試料に対する電子線の照04時において、半導体試料に
、その半導体試料中の欠陥などによる準位に捕5〜され
ているキャリアを伝導帯及び充満帯のいずれか一方また
は双方に遷移させるべく光を照射しているので、半導体
試料が元来、高い抵抗を有しているとしても、その抵抗
が低下している。
試料に対する電子線の照04時において、半導体試料に
、その半導体試料中の欠陥などによる準位に捕5〜され
ているキャリアを伝導帯及び充満帯のいずれか一方また
は双方に遷移させるべく光を照射しているので、半導体
試料が元来、高い抵抗を有しているとしても、その抵抗
が低下している。
このため、半導体試料が電子線の照射によって半導体試
料が不必要に帯電しない。
料が不必要に帯電しない。
従って、電子線の電流を減少したり、半導体試料の表面
上に導電性層を形成したりすることなしに、半導体試料
の検査情報を明瞭、容易に得ることができる。
上に導電性層を形成したりすることなしに、半導体試料
の検査情報を明瞭、容易に得ることができる。
実施例
次に、図面を伴って本究明による半導体検査法の実施例
を述べよう。
を述べよう。
第1図に示すように且従来の場合と同様に、半導体試料
1を、電子銃2からの電子線3によつで、偏向器14を
用いて走査して照射させ、イして、半導体試料1から発
生する光4を分光検出器5によって検出し、その電気的
出力6によって、他の電子銃7を制御し、その電子銃7
からの電子線8を、表示面9上に、偏向器4と同期して
いる伯の偏向器10を用いて走査到達させ、表示面9上
の輝度分布によって、半導体試料1内の欠陥などの分布
を判知する。
1を、電子銃2からの電子線3によつで、偏向器14を
用いて走査して照射させ、イして、半導体試料1から発
生する光4を分光検出器5によって検出し、その電気的
出力6によって、他の電子銃7を制御し、その電子銃7
からの電子線8を、表示面9上に、偏向器4と同期して
いる伯の偏向器10を用いて走査到達させ、表示面9上
の輝度分布によって、半導体試料1内の欠陥などの分布
を判知する。
しかしながら、この場合、すなわら、半導体試料1を電
子$13で走査照射しているとき、半導体試料1に、そ
の全域に亘って、半導体試料1中の欠陥などによる準位
に捕獲されているキャリアを伝導帯及び充満帯のいずれ
か一方または双方に遷移させることのできるエネルギ(
波長)を有する、すなわち、キャリアが電子である場合
、その電子を伝導帯に遷移さゼることができ、またキャ
リアが正孔である場合、その正孔を充満帯に遷移させる
ことができるエネルギ(波長)を有する光12を、光源
11から照射させる。
子$13で走査照射しているとき、半導体試料1に、そ
の全域に亘って、半導体試料1中の欠陥などによる準位
に捕獲されているキャリアを伝導帯及び充満帯のいずれ
か一方または双方に遷移させることのできるエネルギ(
波長)を有する、すなわち、キャリアが電子である場合
、その電子を伝導帯に遷移さゼることができ、またキャ
リアが正孔である場合、その正孔を充満帯に遷移させる
ことができるエネルギ(波長)を有する光12を、光源
11から照射させる。
しかるときは、半導体試料1を電子線3で走査照射して
いるとき、その半導体試料1が本来の抵抗よりも低下し
ているので、半導体試料1が電子線3の照射によって帯
電せず、従って。
いるとき、その半導体試料1が本来の抵抗よりも低下し
ているので、半導体試料1が電子線3の照射によって帯
電せず、従って。
半導体試料1内の欠陥などの分布を、表示面9上で明瞭
に判知することができる。
に判知することができる。
このことは、半導体試料1がGaAS基板である場合に
おいて、それに、光12を部分的に、1.06μmの波
長を有するものとして照射したときの、第2図に示す表
示面9上の明暗像からも確認された。
おいて、それに、光12を部分的に、1.06μmの波
長を有するものとして照射したときの、第2図に示す表
示面9上の明暗像からも確認された。
なお、上述においては、半導体試料内の欠陥などの分布
を判知する場合につき述べたが、光4の波長から、半導
体試料内の欠陥などの種類などの判知する場合にも本発
明を適用し得ることは明らかであろう。
を判知する場合につき述べたが、光4の波長から、半導
体試料内の欠陥などの種類などの判知する場合にも本発
明を適用し得ることは明らかであろう。
第1図:ま、本発明による半導体検査法の実施例を示す
路線図である。 第2図は、その説明に供する表示面上の明暗像を示す図
である。 1・・・・・・・・・半導体試料 2、7・・・電子銃 3.8・・・電子線 4・・・・・・・・・光 5・・・・・・・・・分光検出器 9・・・・・・・・・表示面 10.14 ・・・・・・・・・偏向器 11・・・・・・・・・光源 12・・・・・・・・・光 出願人 日本電信電話株式会社 図面の1争書 第2図 尤叶枦へ 手続ネilj正店 (方式) 1、事件の表示 特願昭6’l−202333号2、
発明の名称 半導体検査法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号名 称
(422)日本電信電話株式会社代表名 真 藤
恒 4、代理人
路線図である。 第2図は、その説明に供する表示面上の明暗像を示す図
である。 1・・・・・・・・・半導体試料 2、7・・・電子銃 3.8・・・電子線 4・・・・・・・・・光 5・・・・・・・・・分光検出器 9・・・・・・・・・表示面 10.14 ・・・・・・・・・偏向器 11・・・・・・・・・光源 12・・・・・・・・・光 出願人 日本電信電話株式会社 図面の1争書 第2図 尤叶枦へ 手続ネilj正店 (方式) 1、事件の表示 特願昭6’l−202333号2、
発明の名称 半導体検査法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号名 称
(422)日本電信電話株式会社代表名 真 藤
恒 4、代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体試料に電子線を照射させ、それによつて上記半導
体試料から発生する光にもとずき、上記半導体試料の検
査情報を得る半導体検査法において、 上記電子線の照射時、半導体試料に、その中の欠陥など
による準位に捕獲されているキャリアを伝導帯及び充満
帯のいずれか一方または双方に遷移させるべく光を照射
させることを特徴とする半導体検査法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20233386A JPS6356928A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 半導体検査法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20233386A JPS6356928A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 半導体検査法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6356928A true JPS6356928A (ja) | 1988-03-11 |
Family
ID=16455812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20233386A Pending JPS6356928A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 半導体検査法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6356928A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007129596A1 (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | The University Of Tokyo | エネルギー準位の測定方法、分析方法 |
RU2649065C1 (ru) * | 2016-11-01 | 2018-03-29 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Р. Лебедева Российской академии наук, (ФГБУН ФИАН) | Способ определения параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике |
-
1986
- 1986-08-28 JP JP20233386A patent/JPS6356928A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007129596A1 (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | The University Of Tokyo | エネルギー準位の測定方法、分析方法 |
RU2649065C1 (ru) * | 2016-11-01 | 2018-03-29 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Р. Лебедева Российской академии наук, (ФГБУН ФИАН) | Способ определения параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике |
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