JPS6356928A - 半導体検査法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体試料に電子線を照射させ、それによっ
て半導体試料から発生する光にもとすき、半導体試料の
検査情報を得る半導体検査法に団する。

従来の技術 従来、半導体試料に電子線を照射させ、それによって半
導体試料から発生する光にもとずき、その光の波長を検
査情報として測定して、半導体試享１中の欠陥などの種
類を判知したり、半導体試料に電子線を走査して照射さ
せ、それによって半導体試料から発生する光にもとずき
、その光の発光強度を他の検査情報として測定して、半
導体試料中の欠陥などの分布などを判知したりする、と
いう半導体検査法が提案されている。

このような半導体検査法によれば、半導体試料を破壊す
ることなしに、半導体試料の検査情報の種類や、分布な
どを、容易に判知することができる、という特徴を有す
る。

発明が解決しようとする間　６、 しかしながら、半導体試料が高い抵抗を右する場合、半
導体試料が電子線の照射によって帯電するため、検査情
報を明瞭に得ることができない、という欠点を有してい
た。

また、このため、電子線の電流を減少させることが考え
られるが、この場合、半導体試料が電子線によって帯電
するかが減少するが、これに応じて半導体試料から発生
する光の強度も低下するので、検査情報を明瞭に１７る
ことができない、という欠点を有する。また、半導体試
料の表面上に薄い導電性層を形成することが考えられる
が、このようにした場合、爾後導電性層を除去する必要
が生じるとともに、そのとき半導体試料に破損を与える
、という欠点を有する。

。　を　゛するための手段 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な半導体
検査法を提案せんとするものである。

本発明による半導体検査法は、従来の半導体検査法の場
合と同様に、半導体試料に電子線を照射させ、それによ
って上記半導体試料から発生する光にもとすき、上記半
導体試料の検査情報を得る。

しかしながら、本発明による半導体検査法は、上記電子
線の照射時、半導体試料に、その中の欠陥などによる単
位に捕獲されているキャリアを伝導帯及び充満帯のいず
れか一方または双方に遷移させるべ（光を照射させる。

創」！」１工 このような本発明による半導体検査法によれば、半導体
試料に対する電子線の照０４時において、半導体試料に
、その半導体試料中の欠陥などによる準位に捕５〜され
ているキャリアを伝導帯及び充満帯のいずれか一方また
は双方に遷移させるべく光を照射しているので、半導体
試料が元来、高い抵抗を有しているとしても、その抵抗
が低下している。

このため、半導体試料が電子線の照射によって半導体試
料が不必要に帯電しない。

従って、電子線の電流を減少したり、半導体試料の表面
上に導電性層を形成したりすることなしに、半導体試料
の検査情報を明瞭、容易に得ることができる。

実施例 次に、図面を伴って本究明による半導体検査法の実施例
を述べよう。

第１図に示すように且従来の場合と同様に、半導体試料
１を、電子銃２からの電子線３によつで、偏向器１４を
用いて走査して照射させ、イして、半導体試料１から発
生する光４を分光検出器５によって検出し、その電気的
出力６によって、他の電子銃７を制御し、その電子銃７
からの電子線８を、表示面９上に、偏向器４と同期して
いる伯の偏向器１０を用いて走査到達させ、表示面９上
の輝度分布によって、半導体試料１内の欠陥などの分布
を判知する。

しかしながら、この場合、すなわら、半導体試料１を電
子＄１３で走査照射しているとき、半導体試料１に、そ
の全域に亘って、半導体試料１中の欠陥などによる準位
に捕獲されているキャリアを伝導帯及び充満帯のいずれ
か一方または双方に遷移させることのできるエネルギ（
波長）を有する、すなわち、キャリアが電子である場合
、その電子を伝導帯に遷移さゼることができ、またキャ
リアが正孔である場合、その正孔を充満帯に遷移させる
ことができるエネルギ（波長）を有する光１２を、光源
１１から照射させる。

しかるときは、半導体試料１を電子線３で走査照射して
いるとき、その半導体試料１が本来の抵抗よりも低下し
ているので、半導体試料１が電子線３の照射によって帯
電せず、従って。

半導体試料１内の欠陥などの分布を、表示面９上で明瞭
に判知することができる。

このことは、半導体試料１がＧａＡＳ基板である場合に
おいて、それに、光１２を部分的に、１．０６μｍの波
長を有するものとして照射したときの、第２図に示す表
示面９上の明暗像からも確認された。

なお、上述においては、半導体試料内の欠陥などの分布
を判知する場合につき述べたが、光４の波長から、半導
体試料内の欠陥などの種類などの判知する場合にも本発
明を適用し得ることは明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図：ま、本発明による半導体検査法の実施例を示す
路線図である。 第２図は、その説明に供する表示面上の明暗像を示す図
である。 １・・・・・・・・・半導体試料 ２、７・・・電子銃 ３．８・・・電子線 ４・・・・・・・・・光 ５・・・・・・・・・分光検出器 ９・・・・・・・・・表示面 １０．１４ ・・・・・・・・・偏向器 １１・・・・・・・・・光源 １２・・・・・・・・・光 出願人　　日本電信電話株式会社 図面の１争書 第２図 尤叶枦へ 手続ネｉｌｊ正店　（方式） １、事件の表示　　特願昭６’ｌ−２０２３３３号２、
発明の名称 半導体検査法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都千代田区内幸町１丁目１番６号名　称　
（４２２）日本電信電話株式会社代表名　真　　藤　　
　恒 ４、代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体試料に電子線を照射させ、それによつて上記半導
   体試料から発生する光にもとずき、上記半導体試料の検
   査情報を得る半導体検査法において、 上記電子線の照射時、半導体試料に、その中の欠陥など
   による準位に捕獲されているキャリアを伝導帯及び充満
   帯のいずれか一方または双方に遷移させるべく光を照射
   させることを特徴とする半導体検査法。