JP2002540398A - 半導体の構成 - Google Patents

半導体の構成

Info

Publication number
JP2002540398A
JP2002540398A JP2000606987A JP2000606987A JP2002540398A JP 2002540398 A JP2002540398 A JP 2002540398A JP 2000606987 A JP2000606987 A JP 2000606987A JP 2000606987 A JP2000606987 A JP 2000606987A JP 2002540398 A JP2002540398 A JP 2002540398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
upper layer
light
fluorescence
pair
beams
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000606987A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3817427B2 (ja
Inventor
ビショップ，ロバート
Original Assignee
ベルトロニクス，インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ベルトロニクス，インコーポレイテッド filed Critical ベルトロニクス，インコーポレイテッド
Publication of JP2002540398A publication Critical patent/JP2002540398A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3817427B2 publication Critical patent/JP3817427B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects

Abstract

(57)【要約】 半導体ウェーハ、回路基板及び類似の多層構造を光学的に高速で検査する。この検査は、好ましくは、垂直面及びウェーハ表面に対してある傾斜した角度で送られる対向する一対の傾斜レーザビームを使用して、欠陥検査がなされる導体パターンが通るフォトレジスト層に蛍光を発生させ、及び、好ましくは、蛍光を発しない導体パターンは強調されるが、下部の層からの光は全てマスクされた、蛍光レジスト表面の画像を記録するための時間遅延積分CCD撮像カメラを使用して行われる。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、多層ウェーハ、チップ、回路基板などの半導体構造等の光学的な検
査に関連し、より具体的には、欠陥やアーティファクトなどを高速で検査するこ
と（但し、これらに限定するわけではない）に関連し、また、そのような構造の
所定の表面や層、あるいは一部分を、優先的に識別し、あるいは選択して結像す
るために選択的層蛍光を使用することに関連する。
【０００１】 ［背景］ 多層半導体ウェーハやチップ等の制御された平坦な表面に形成された導電性パ
ターンを遮蔽するために、その上部誘電体層にレーザビームにより励起された蛍
光を使用し、これによって、その下方にある層をマスクすることは、Yamanaka他
の米国特許第5,278,012号に記載されており、また、このような技術を、粗いま
たは不規則にでこぼこの層や表面、及び、角が突き出た導体に使用できるように
改善することは、「Method Of Optically Inspecting Multi-Layered Electron
ic Parts And The Like With Fluorescent Scattering Top-Layer Discriminati
on And Apparatus Therefor」と題する、1997年6月23日に提出された、本願と同
時係属の米国特許出願第08/880,836号に開示された技術によって実現される。
【０００２】 他の目的用の検査システムに蛍光を使用することも開示されており、例えば、
エポキシ回路基板に蛍光を発生させて、可視スペクトルで高いコントラストを呈
する構造（Orbot社などの装置）内のざらざらした金属導体を無視することがで
きる。しかしながら、下部層からの画像を排除するという問題に対処してはいな
い。また、「High Throughput Inspection Tool For Photoresist Patterning」
と題する論文（Semiconductor International,1997年9月）に記載されているよ
うに、プロセス制御の手段として、レジストが、各ウェーハに塗布されたか否か
、または、各ウェーハから除去されたか否かを判定するために、カセット内に配
置されたウェーハのかど部のみからの蛍光を、広い範囲でオペレータが見ること
ができるように、テレビカメラを使用することが提案（Hughes社）されている。
【０００３】 一方、本発明は、全てのウェーハの全表面のレジストパターンを全数自動で高
速走査して検査し、ヘアラインショート、ピンホール、適正でない線幅、間隙ま
たは形状／構造などのあらゆる欠陥、あるいは、パターン形成されたレジスト内
の他の欠陥を調べるという、非常に厳しく困難な問題に対処するものである。さ
らに、本発明は、欠陥を含むウェーハ表面全体についてフォトレジスト蛍光及び
自動画像解析を行うための新規な技術によってこれを行う。この新規な技術は、
前述のテレビによるかど部の広範囲視覚検査とは異なり、視覚画像のごく小さな
部分のみを表示することができる。一例を挙げれば、本発明では、わずか１また
は２画素のピンホール欠陥を検出することができる。こうした欠陥は、前述した
、高輝度範囲が広い蛍光レジストを利用するような技術では検出できないであろ
う。さらに、本発明によれば、ウェーハパターンが、デザインルール、既知の良
好な基準（参照）画像に合致しているかについて、及び、ウェーハ等の上の隣接
する回路パターンが適正なパターン形態であるか否かについて、自動的に解析す
ることが可能である。
【０００４】 「本発明の目的」 従って、本発明の目的は、前述した従来技術における制限を被ることなく、多
層ウェーハ、チップ及び他の半導体や同様のデバイスを、光学的に高速に走査し
て検査できるようにするための、新規で改善された方法及び装置を提供すること
である。本発明によれば、従来技術とは対照的に、各ウェーハ層の製造プロセス
におけるフォトレジストの欠陥の全体検査及び欠陥のないフォトレジストの塗布
を自動で行い、ウェーハ上の所望の導体や他の回路構造の位置及びそれらが存在
しないことを正確に特定することができる。
【０００５】 本発明のさらに他の目的は、レジストパターンを自動的または半自動的に検査
して、適正なパターン形状であるか否かを検査し、及び、開放、ショート、ニッ
ク（欠損部）、突起部など、及び、残余の除去されなかったまたは現像されなか
ったレジストスカムなどの欠陥を検出できるようにする新規な技術を提供するこ
とである。レジストスカムなどは、後述するように、金属除去プロセスでは、シ
ョートや突起部タイプの欠陥を引き起こす可能性がある酸食の間、正常な金属の
除去を妨げる可能性があり、また、さらに詳しく説明するように、金属付加プロ
セスでは、より重い第２の金属層を、スカムの下のベースとなる金属に堆積させ
、または、化学的に結合することを妨げ、これによって、割れ目すなわち亀裂を
生じる場合がある。
【０００６】 本発明の他の目的は、フォトレジストを金属層に堆積しているとき、及び、下
部にある金属をエッチングする前に、このような検査を行って、エッチングする
前の製造におけるレジスト塗布段階で修復できるようにすることである。
【０００７】 本発明のさらに他の目的は、より一般的な実用性を有する、新規かつ改善され
たレーザ励起による蛍光フォトレジスト検査システムを提供することである。
【０００８】 本発明の他の目的については、後述することとするが、それらは、特許請求の
範囲により十分に示されている。
【０００９】 「概要」 重要な装置の観点から要約すると、本発明は、多層集積回路ウェーハなどの上
部層にある光を通さない導線パターンを、下部層上のパターン除外して、光学的
に検査するための装置を含む。ここで、導線パターンは、所定の周波数のレーザ
光に応答して蛍光を発する材料（蛍光材料）からなる上部層上に形成されており
、蛍光の周波数は、その所定の周波数とは異なる。前記装置は、以下の手段を組
み合わせて備える。すなわち、前記所定周波数のレーザ光を生成し、向かい合わ
せに傾斜した角度で層の反対側から入射する一対のビームに沿って、前記レーザ
光を前記上部層に向けて送るための手段と、上部層に向けて一対のビームが送ら
れ、下部層を背景マスクする蛍光（導線パターンが、暗い線として現れる）を照
射された上部層が発したことに応答して、上部層からの前記異なる周波数の蛍光
を光学的に検査するための手段と、一対のレーザビームの動作を調整して、周波
数のうなりを生ずる可能性のある厳密な周波数コヒーレンシー（コヒーレンス：
可干渉性）を回避するための手段と、前記一対のビームの向かい合わせに傾斜し
た角度を調整して、隣接する導線間にある該導線の近接したエッジの間に暗い影
の領域が生成されないようにする（さもなければ、この領域は、暗い導線として
誤って解釈される可能性がある）ための手段、である。
【００１０】 より広い見地からは、本発明は、また、多層集積回路ウェーハなどの上部層に
ある光を通さない導線パターンを、下部層上のパターンを除外して、光学的に検
査する方法を含む。この方法は、所定の周波数のレーザ光に応答して、この所定
の周波数とは異なる周波数の蛍光を発する材料からなる上部層上に導線パターン
を形成するステップと、上部層に対して傾斜した角度で、前記所定の周波数のレ
ーザ光を照射するステップと、上部層にレーザ光が照射され、照射された上部層
が下部層を背景マスクする蛍光（導線パターンは、背景上に暗い線として現れる
）を発したことに応答して、上部層からの前記異なる周波数の蛍光を光学的に検
査するステップと、前記傾斜した角度を調整して、隣接する導線間にある該導線
の近接したエッジの間における暗い影の領域の発生を最小限にする（さもなけれ
ば、この領域は、暗い導線として誤って解釈される可能性がある）ステップ、を
含む。
【００１１】 好適かつ最良モードの構成及び詳細について、以下に詳述する。以下では、添
付の図面を参照して本発明を説明する。
【００１２】 「本発明の好適な実施態様」 本発明の基礎を構成する新規な検査方法または技法を実施するための好適な装
置について説明する前に、半導体構造がどのように製作されるかについて、及び
、自動式すなわち機械式光学検査によって検出することが重要である、製作時の
フォトレジスト−導体パターンエッチングにおける欠陥について、先ず説明する
ことが有用でかつ重要であると考える。
【００１３】 「序論」 前述したように、半導体ウェーハ（及びこれに類似のもの）は、１つ以上の導
電性材料（金属）の層から構成される。各層の製作において、回路構造を配置す
る場所を画定するためにフォトレジストを塗布することが必要である。
【００１４】 前述したように、蛍光を使用して、フォトレジストパターンを検査することが
できる。本発明によれば、フォトレジストが金属に塗布されると、下部の金属を
エッチングする前に、レジストパターンを検査することができる。レジスト段階
では欠陥を修復することができるが、エッチング後には、修復を行うことは非常
に難しく、おそらく不可能である。
【００１５】 本出願人による同時係属出願に記載した手法により、半導体を製造するために
使用されるポジ型レジストとネガ型レジストの両方を蛍光を発するように作製し
て、誘電性の上部層の下部表面を見えなくすることができる。かかる下部表面は
、図１Ａ及び２Ａに示すように、可視の白色光画像内に暗いパターンを生成する
平坦でない構造を有する場合が多い。図１Ａ及び２Ａは、白色光下における、平
坦でない金属導体表面上のフォトレジストの光学的画像を示す。
【００１６】 レジストの厚さ全体を通して確実に露光する（光にさらす）ためには、レジス
トは、露光周波数において比較的透明でなければならない。この周波数は、後述
するように、通常は紫外スペクトル領域にある。しかし、後述する、構造の整列
状態（アライメント）を検査できるようにするためには、レジストは、可視のス
ペクトル領域において比較的透明でなければならず、このため、欠陥を視覚によ
り検査することが極端に難しくなる。しかしながら、本発明によれば、下部層の
画像を除去することによって、手動または自動または半自動で、レジストを検査
することができる。これは、図１Ｂ及び２Ｂに示すように、レジストが蛍光を発
するようにすることによって達成される。図１Ｂ及び２Ｂは、図１Ａ及び２Ａの
各レジストが蛍光を発することによる効果を示しており、明るく光っている（蛍
光）部分は蛍光を発しているレジスト部分である。これは、レジストがそれ自体
で蛍光を発しない場合には、蛍光材料をレジストに添加することによって実現す
ることができる。図１Ａ、１Ｂ及び２Ａ、２Ｂは、Shipley社によって製造され
た市販のポリイミドレジストを使用して得られたものである。このレジストは、
約488〜514nmの波長範囲のレーザ光によって励起されると、約600〜700nmの波長
範囲の蛍光を放出することがわかっている。
【００１７】 いずれかのタイプのレジストを使用して回路を製作するために、導体のパター
ンを基板上に配置して、それを絶縁体の層で覆い（さらに、絶縁体の層を導電性
材料の層で覆っても良い）、その後、フォトレジストの層で覆う（図３ａ、４ａ
及び５ａ）。フォトレジストである流体物質が、その下部にある平坦でない表面
を満たし、その上部表面は平坦に保たれる。ポジ型レジストは、光が当たった箇
所が溶けやすくなり、ネガ型レジストは、光が当たった箇所が溶けにくくなる。
すなわち、可溶性のレジストが除去されると、ポジ型レジストでは、レジストに
光が当たった部分の金属が露出し、ネガ型レジストでは、レジストが光にさらさ
れなかった部分の金属があらわになる。
【００１８】 前述したように、製造プロセスは、付加プロセス（additive process）または
除去プロセス（subtractive process）とすることができる。除去プロセスでは
、露出した導体がエッチングにより除去され、一方、不溶性のレジストが、導体
であることが所望される箇所にある層を保護する。付加プロセスでは、その部分
には、他の導体層は付加されず、可溶性のレジストを除去することによって、導
体が所望される部分の領域をあらわにし、その領域に金属を塗布して意図した導
体パターンを形成する。製造プロセスのタイプに関係なく、レジストは、白色光
の下では透明であり（図１Ａ及び２Ａ）、適切な蛍光−励起光の下では目に見え
るようにすることができる（図１Ｂ及び２Ｂ）。
【００１９】 図３はポジ型付加プロセスの一例を示し、図４はネガ型除去プロセスの一例を
示す。ポジ型付加プロセスでは、レジストは、所望の導電パターンに沿って光に
さらされる（図３ｂ）。露光されたレジストは、溶けて洗い流され、下部の絶縁
層があらわになる（図３ｃ）。金属層が、その部分に配置されて、露出した導電
層に付着する（図３ｄ）。露光されないレジストは、その上にある金属とともに
除去され、導体は絶縁層に付着したまま残る（図３ｅ）。図４ｂに示す典型的な
ネガ型除去プロセスでは、フォトレジストは、所望の導電パターンに沿ってのみ
露光される。露光されなかったレジストは除去され、硬化したフォトレジストの
層で覆われた導電性パターンが残る（図４ｃ）。あらわになった導体は、エッチ
ングにより除去され（図４ｄ）、最後には、硬化したレジストも除去される（図
４ｅ）。
【００２０】 図５には、付加プロセスと除去プロセスとの組合せにおいてポジ型レジストを
使用した場合のプロセスを示す。レジストは、薄い金属層に塗布され、最終的に
金属が所望される部分において除去される。より厚い金属層が、露出した薄い金
属の上に配置される。この厚い金属層は、結合のためのシード層として作用する
。残りのレジストと下部の薄い金属は、エッチングにより除去され、より厚い金
属は、高さがわずかに低くなるだけで、依然として残る。
【００２１】 上述した全てのプロセスにおいて、実際には、図４に示すように、レジスト直
下の導電層の表面は平坦ではないことが多い。フォトレジストを露光するために
必要な光はレジストを通って金属から反射され、必要以上に広く線（ライン）を
露光してしまう。光を吸収して、下方にある金属からの反射を少なくするために
、ダイ（染料）が透明なフォトレジストに付加されている。しかし、レジストは
、アライメントを確認することができるようにするために、その透明性を維持し
なければならないため、可視性の向上は、視覚による検査のために無視できるほ
ど小さい。
【００２２】 「背景的な問題」 下部構造に関する蛍光パターンの自動検査は、戻り蛍光信号が微弱で、一般的
に迅速な検査のためにはあまりにも弱すぎるために、これまで、商業的には利用
されていない。高速の走査では、カメラの露光時間が非常に短いことが要求され
るので、迅速な検査では、ずっと強い信号が必要とされる。
【００２３】 本発明の背景にあるのは、利用可能な蛍光の強度を大幅に上げ、一方では、ウ
ェーハ（または同様なもの）内の下部表面または層からの反射を抑えるための技
術を発見したことである。このような信号の効率の向上、及び、より感度の高い
走査技法及び装置を使用することにより、自動的な蛍光検査を実用的な高速度で
行うことが可能となる。
【００２４】 本出願人による前記同時係属出願に記載しているように、蛍光を発する表面の
各ポイントからの蛍光の光線は、あらゆる方向に放出されるが、この光線を、入
射励起光線の垂直方向にはない撮像カメラに向けて平行化することができる。蛍
光光線の一部は、蛍光を発する表面の角度または照射角度に関係なく、表面の平
坦部、傾斜部、不ぞろいな部分及びでこぼこの部分といったあらゆる部分から、
カメラに向かって進む。なぜなら、蛍光を発する微粒子の各々は、あらゆる球面
（半球）方向に光を放出するからである。従って、蛍光の使用は、コントラスト
を得るのには適していないが、検査する表面への励起入射の角度に関係なくいく
らかの放出光を生成するのには適しており、あらゆる湾曲した表面及び平坦では
ない表面の撮像を可能にする。これらの表面は、通常の反射光や散乱光ではなく
、蛍光を結像することによってのみ、撮像すなわち見ることができる。本出願人
による同時係属出願及び前記Yamanakaの特許に記載されているように、撮像カメ
ラの前に適切なフィルタを配置することによって、他のあらゆる光を排除して、
蛍光光線のみを結像することができる。
【００２５】 本発明の背景にある目的は、ウェーハ、回路基板、チップモジュールなどのパ
ターン欠陥を速い走査速度で自動的に検査することであり、照射及び撮像検出器
の適切なソースを考慮しなければならない。高速度で移動する画像はぼやけるの
で、例えば、従来のテレビカメラは適切ではない。単一のポイントだけを調べる
光電子増倍管は、検査用には遅すぎる。さらに、使用可能なレーザパワーは制限
され、いくつかの場合には、材料を励起し過ぎたり、それを焼損しないようにす
るために格別な注意が必要となるため、非常に高い感度が要求される。従って、
ぼやけることなく高速度で走査可能にするために、時間遅延積分（time-delay-i
ntegration:TDI）電荷結合素子（CCD）を使用するという結論に達した。
【００２６】 効率的な照射を行うために、蛍光に使用可能な少なくとも３つのソースを検討
した。これらの３つのソースは、水銀ランプ、キセノンランプ、及びレーザであ
る。しかしながら、水銀ランプは、樹脂材料において、わずかな量の蛍光−励起
エネルギーしか生成しないことがわかった。例えば、488ナノメートルで、典型
的には5ミリワットのオーダーである。キセノンランプは、これよりわずかに高
い、20ミリワットしか生成しない。本発明の好適な態様によれば、1000ミリワッ
トを生成する空冷式アルゴンレーザが最も有効であることがわかった。さらに、
全ての利用可能なパワーを使用するようカメラが効率的に撮影する周波数に励起
周波数を配置することが重要である。線形時間遅延積分CCDの場合、電荷結合素
子は矩形形状単位で撮像するので、矩形の照射が必要である。従って、図６に示
すように、円柱レンズを用いて生成される、レーザによるスリット照射をフォト
レジストの蛍光発生のために選択した。かかる構成は、レーザからの全ての光が
、走査領域に収束するようにして、利用可能な電力を最も効率よく使用するため
に考案された。このために、ビーム拡大レンズ１を使用して（図６）、ビーム径
を矩形の長手寸法に一致させるのが好ましい。ビーム拡大レンズ１の後ろには、
円形ビームを適切な長さのスリット形状にするための外部円柱レンズ３がある。
こうして、レーザの全パワーが、システムが検査する場所に正確に配置される。
【００２７】 前記同時係属出願及び前記特許に開示されたシステムでは、レーザ源は、その
ビームを傾斜したミラーに向けて送り、このミラーによってビームはウェーハ表
面に向けて垂直下方に反射される。次に、垂直上方に向かう励起蛍光光線が撮像
カメラで受け取られる。表面（及び垂直方向）に対してある角度で励起用ビーム
を照射すると、カメラが受け取る、不揃いや表面のでこぼこを含むあらゆる表面
部分からの蛍光球面放射が増加することがわかっている。実際には、図７を参照
して後述するように、反対側からある傾斜角度で入射ビームを送り出す一対のレ
ーザ源を使用するのが好ましい。
【００２８】 高速検査における高速走査では、光を集めるのにわずかな時間しか与えられず
、従って、複数レーザのような強力な励起源が必要とされるので、パワーをあげ
るためにそれらを単に使用するだけでは、通常、コヒーレントビームが干渉して
互いにうち消し合うという問題が生じる。２つの個別のレーザまたはレーザ光路
を使用すれば、ビームは位相ロックせず、干渉パターン（干渉縞）を良好に時間
変化させることができる。いくつかの位相ランダム化装置を利用できるが、それ
によりパワーが減少するため、複数のビームを使用する意味がなくなってしまう
。しかしながら、対向する一対の傾斜したビームと共に時間遅延積分CCDカメラ
を採用する本発明の技術によれば、パワーを損失することなくビームを効率的に
加え合わせることができる。
【００２９】 次に、図７の複数レーザ照射システムについて説明する。撮像カメラTDI-CCD
の両側にある一対のレーザは、それぞれのビームを（図６と同様の）ビーム拡大
器１及び１’を通してミラーに送る。ミラーは、拡大された円形ビームを円柱レ
ンズ３及び３’に向けて送り、これにより、スリット状の光５及び５’が生成さ
れる。このスリット状の光は、同様であるが反対方向に傾斜した角度（好ましく
は約４５°）で、走査台と表示された台上にあるウェーハのレジストの導体表面
（図７では、「ｒ」、「ｐ」で表している）に入射する。画素検査用水平センサ
の行１〜ｎ（A,B,C,Dなど）と垂直列１〜ｎからなる時間遅延積分CCDカメラ（TD
I-CCD）を使用すると、レーザビームによって励起されたウェーハ表面から放出
され、カメラのところで平行にされる蛍光光線により、カメラにおいて各列全体
にわたって加え合わされた画素（ＰAなど）が生成される。ここで、CCDの出力は
、両方のビームのパワーを合計したものである。これは、本発明に従って、ウェ
ーハ表面が走査台上を移動するのと同じ速度、または、ウェーハ表面を走査する
のと同じ速度で、時間遅延積分CCD内の積分（集積）された電荷をCCD内で電気的
に移動させることによって達成される。台が１行分だけ移動するたびに、電荷は
CCD上で１行分だけシフトされる。従って、レーザビームのスリット（５、５’
）は、CCDに沿って異なるグループの行を照射できるように配置されており、こ
れにより、全体のパワー出力は、各レーザビームによって励起されたウェーハ表
面の蛍光によって照射される各グループの行を合計したものとなる。例えば、１
行に１００単位量の光を有する出力は、１００行の各行に１単位量の光を有する
時間遅延積分CCDと同じ出力を生成するので、各ビーム信号分布の位置は、図９
に示すようにオーバーラップせず、各レーザによって個別に励起された蛍光信号
の正味の和を生ずる。各ビームの幅の焦点を合わせるのは簡単にできるので、本
発明に従えば、厳密な周波数コヒーレンスを生じることなく、上述のようにして
、複数のレーザビームのパワーを加え合わせることができ、極めて効率の高い蛍
光励起システムが得られる。非常に感度の良い時間遅延積分カメラシステムを使
用すれば、蛍光を発する表面の撮像を非常に効率良く行うことがさらに可能にな
る。さらに、カメラのところで蛍光光線以外のすべての光をフィルタリングして
除去する（図７）ことにより、図１Ｂ及び２Ｂに示すように、ウェーハや他のデ
バイス内の下部層から反射される全ての光が遮断すなわちマスクされ、これによ
って、蛍光を発する表面上の導体を選択的に検査することが可能となる。
【００３０】 図７には、一対の異なるが類似のレーザから向かい合わせに傾斜して送り出さ
れる一対のレーザ光のスリット状のビームを使用する構成を示しているが、所望
であれば、図１０に示すように、単一の共通のレーザ源から２つのスリット状の
ビームを得ることもできる。図１０では、２つの光路を形成するためにビームス
プリッタを使用し、それらの光路の状態（長さやその他の変動）を調整して、前
述したように、効果をうち消す周波数のうなりを生成する可能性がある厳密な周
波数コヒーレンスを回避する。いずれの場合（図７または図１０）でも、向かい
合わせに傾斜した角度で上部層の両側からスリット５、５’として入射する一対
のビームに沿って、所定の周波数の蛍光励起用レーザ光を上部層に向けて送り出
すことにより、多層集積回路ウェーハや回路基板などの上部蛍光レジスト層「ｒ
」上の光を通さない導線パターン「ｐ」を、下部層のパターンを除外して光学的
に検査することができる。一対のビームを上部層に送ったことに応答して、上部
層からの別の周波数を有する蛍光を光学的に検査する構成では、照射された上部
層が、下部層を背景マスクする蛍光を発し、その際、導線パターンは暗い線とし
て見える（図１Ｂ及び２Ｂ）。一対のレーザビームの動作は、前述したように周
波数うなりを発生する可能性のある厳密な周波数コヒーレンスを回避するために
、調整等される。図１Ｂ及び２Ｂに示すように、隣接する導線間にある該導線の
近接エッジの間に暗い影の領域（この領域は、暗い導線として誤って解釈される
可能性がある）が生じないようにするために、一対のビームの向かい合わせに傾
斜した角度が調整される。上部層を走査するに従って、TDI-CCDの画素センサの
連続する行に沿ってTDI-CCD内の蛍光をモニタすることにより検査が行われる。
この場合、CCD内で集積（または積分）された電荷は、前記走査と同じ速度で電
気的にシフトされる。また、CCDに沿って異なるグループの行を照射するよう各
レーザビームを位置決めして、各レーザビームによって別個に生成されて、モニ
タされる蛍光信号の正味の和が生成されるようにする。
【００３１】 スリット状のレーザビームは、前述したように、最初に元のビームをほぼ円形
のビームに拡大し、次に、その拡大されたビームを円柱レンズに通して、前記上
部層に入射するためのスリット状のレーザ光として作用するようビームを平らに
することによって形成するのが好ましい。
【００３２】 前述した図１Ｂ及び２Ｂに示す結果は、488nmと514nmの周波数の光を放射する
アルゴンレーザ（Laser Physics社製のLas-1000モデル）を用いて得られた。ま
た、システムでは、走査用として、TDI（時間遅延積分）CCDカメラチップ（Reti
con社製の1024×96 TDIモデル）を使用した。側方に対向して向けられた一対の
レーザビームのスリットは、垂直及びウェーハ表面の平面に対して約４５°だけ
傾斜している。
【００３３】 しかしながら、いくつかのアプリケーションにおいて、一対の傾斜したビーム
が、ラインの側方エッジからそのラインの小さな切れ目などの上に影を投じる箇
所では、それらの切れ目などを照射できない場合がある。このような状況では、
傾斜ビームの一方を９０°くらいの角度まで調整することにより、これらの問題
をみごとに解決できることがわかった。尚、この角度の調整は、図１１に示すよ
うに、ウェーハにほぼ垂直に入射する（Ｎ）ように左側のレーザビームを向け、
他方（右側）のビームは鋭角の角度を維持するように行われる。
【００３４】 さらに、前述したように、本発明の蛍光レジスト検査プロセスは、図１２のシ
ステムブロック図に概要を示す、他の自動検査機能を組み込むことにも役立つ。
図１２には、レーザ励起蛍光レジスト撮像システム（これは、図７及び図１０の
システムとすることもできる）が、いくつかの撮像カメラ、すなわち、ＴＶモニ
タに表示するためのカラーカメラ（このようにラベル表示されている）、ウェー
ハや他のデバイスの検査台に対して上部及び下部のカメラ、を組み込んだものと
して示されている。後者のカメラは、A/D変換及び材料識別をおこなって、周知
のパターン参照解析及びデザインルール解析を可能にするよう構成することがで
きる。図示のように、走査台を自動的にコンピュータ制御しかつモニタにして、
検出された欠陥情報を欠陥収集バッファからコンピュータに送るようにすること
ができる。
【００３５】 当業者は、本発明について種々の修正を行うことができ、本発明の種々のアプ
リケーション及び使用法、及び方法論を考案することができようが、それらは、
特許請求の範囲によって画定される本発明の思想及び範囲に入るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 表面が平坦ではないフォトレジスト−金属導体パターンを有する多層半導体ウ
ェーハの白色光反射画像である。
【図１Ｂ】 本発明の方法及び装置に従って生成された同一ウェーハの蛍光画像であり、蛍
光レジストの明るい背景を有効にマスクして、導体パターンを暗い影の線として
検査するために目だたせている。
【図２Ａ及び２Ｂ】 半導体ウェーハのバイアホールの領域についてそれぞれ図１Ａと図１Ｂと同様
に示した図である。
【図３】 (a)乃至(e)は、ポジ型レジスト付加プロセスによるウェーハの製造の連続する
工程を縦断面図で示す。
【図４ａ乃至４ｅ】 ネガ型レジスト除去プロセスについて図３と同様の工程を示す。
【図５ａ乃至５ｅ】 付加プロセス及び除去プロセスにおけるポジ型レジストについて図３と同様の
工程を示す。
【図６】 スリット状のレーザビームを形成する構成を示す図である。
【図７】 ウェーハの表面に傾斜して照射する、一対の対向する蛍光励起レーザビームを
使用する好適な光学検査装置の光路を示す。
【図８及び９】 TDI-CCD画素センサアレイを示す。
【図１０】 図７と類似の図であり、図７の構成を変更したものである。
【図１１】 図７と類似の図であり、図１０とは別の変更を施したものであるが、より構造
的かつより実際的な形態で示している。
【図１２】 自動検査システムのブロック図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多層集積回路ウェーハなどの上部層にある光を通さない導線パターンを、下部
    層のパターンを除外して光学的に検査する方法において、 所定の周波数のレーザ光に応答して蛍光を発する材料の上部層に導線パターン
    を形成するステップであって、この蛍光の周波数は、前記所定の周波数とは異な
    ることからなる、ステップと、 向かい合わせに傾斜した角度で前記上部層の両側から入射する一対のビームに
    沿って、前記所定の周波数のレーザ光を前記上部層に向けて送るステップと、 前記上部層に前記一対のビームが送られ、照射された上部層が下部層を背景マ
    スクする蛍光を発したことに応答して、前記上部層からの前記異なる周波数の蛍
    光を光学的に検査するステップであって、この場合に、導線パターンが暗い線と
    して見えることからなる、ステップと、 前記一対のレーザビームの動作を調整して、周波数うなりを生成する可能性が
    ある厳密な周波数コヒーレンスを回避するステップと、 前記一対のビームの向かい合わせに傾斜した角度を調整して、暗い導線として
    誤って解釈されうる、隣接する導線間にある該導線の近接したエッジ間の暗い影
    の領域の発生を回避するステップ からなる、方法。
  2. 【請求項２】 前記一対のビームを一対の別々のレーザから発生することにより、ビームパワ
    ーを増大させる、請求項１の方法。
  3. 【請求項３】 共通のレーザビームを光学的に分割することによって前記一対のビームを生成
    する、請求項１の方法。
  4. 【請求項４】 前記検査が、 前記上部層を走査するに従い、時間遅延積分CCDの画素センサの連続する行に
    沿って前記CCD内の蛍光をモニタするステップであって、この場合に、前記CCD内
    に集積された電荷を、上記走査の速度と同じ速度で電気的にシフトすることから
    なる、ステップと、 前記CCDに沿って異なるグループの行を照射するよう各レーザビームを位置決
    めして、各レーザビームにより個別に生成されて、モニターされる蛍光信号の正
    味の和を生成するステップ によって実行される、請求項１の方法。
  5. 【請求項５】 最初に各レーザビームをほぼ円形のビームに拡大し、次に、円柱レンズを通し
    て、前記上部層に入射するためのスリット状のレーザ光として作用するようにそ
    のビームを平らにすることからなる、請求項１の方法。
  6. 【請求項６】 多層集積回路ウェーハなどの上部層にある光を通さない導線パターンを、下部
    層のパターンを除外して光学的に検査するための装置において、 所定の周波数のレーザ光に応答して蛍光を発する材料の上部層に導線パターン
    が形成され、この場合、この蛍光の周波数は、前記所定の周波数とは異なるもの
    であって、 前記所定の周波数のレーザ光を生成し、このレーザ光を、向かい合わせに傾斜
    した角度で前記上部層の両側から入射する一対のビームに沿って前記上部層に向
    けて送るための手段と、 前記上部層に前記一対のビームが送られ、照射された上部層が下部層を背景マ
    スクする蛍光を発したことに応答して、前記上部層からの前記異なる周波数の蛍
    光を光学的に検査するための手段であって、この場合に、導線パターンが暗い線
    として見えることからなる、手段と、 前記一対のレーザビームの動作を調整して、周波数うなりを生じる可能性があ
    る厳密な周波数コヒーレンスを回避するための手段と、 一対のビームの前記向かい合わせに傾斜した角度を調整して、暗い導線として
    誤って解釈されうる、隣接する導線間にある該導線の近接したエッジ間の暗い影
    の領域の発生を回避するための手段 を組み合わせて有する、装置。
  7. 【請求項７】 前記一対のビームを一対の別々のレーザから発生するための手段により、ビー
    ムパワーを増大させる、請求項６の装置。
  8. 【請求項８】 共通のレーザビームを光学的に分割するための手段によって、前記一対のビー
    ムを生成する、請求項６の装置。
  9. 【請求項９】 画素センサの連続する行を有する時間遅延積分CCDにおける蛍光をモニタする
    ための手段と、 所定の速度で前記上部層を走査するに従い、前記行を走査するための手段と、 前記CCD内に集積された電荷を、上記走査の速度と同じ速度で電気的にシフト
    するための手段と、 前記CCDに沿って異なるグループの行を照射するよう各レーザビームを位置決
    めして、各レーザビームにより個別に生成されて、モニターされる蛍光信号の正
    味の和を生成するための手段 によって前記検査を実行することからなる、請求項６の装置。
  10. 【請求項１０】 最初に、ビーム拡大レズによって各レーザビームをほぼ円形のビームに拡大し
    、次に、円柱レンズを通して、前記上部層に入射するためのスリット状のレーザ
    光として作用するようにそのビームを平らにする、請求項６の装置。
  11. 【請求項１１】 多層集積回路ウェーハなどの上部層にある光を通さない導線パターンを、下部
    層のパターンを除外して光学的に検査する方法において、 所定の周波数のレーザ光に応答して蛍光を発する材料の上部層に導線パターン
    を形成するステップであって、この蛍光の周波数は、前記所定の周波数とは異な
    ることからなる、ステップと、 傾斜した角度で、前記所定の周波数のレーザ光を前記上部層に向けて送るステ
    ップと、 前記上部層に前記レーザ光を送り、照射された上部層が下部層を背景マスクす
    る蛍光を発したことに応答して、前記上部層からの前記異なる周波数の蛍光を光
    学的に検査するステップであって、背景に導線パターンが暗い線として見えるこ
    とからなる、ステップと、 前記傾斜した角度を調整して、暗い導線として誤って解釈されうる、隣接する
    導線間にある該導線の近接したエッジ間における暗い影の領域の発生を最小限に
    するステップ からなる、方法。
  12. 【請求項１２】 レーザ光を、最初にほぼ円形のビームに拡大し、次に、前記上部層に前記傾斜
    した角度で入射するためのスリット状のレーザ光として作用するように平らにす
    ることからなる、請求項１１の方法。
  13. 【請求項１３】 前記検査が、前記上部層を走査するに従い、時間遅延積分CCDの画素センサの
    連続する行に沿って前記CCD内の蛍光をモニタするステップであって、前記CCD内
    に集積された電荷を、上記走査の速度と同じ速度で電気的にシフトすることから
    なるステップによって実行される、請求項１１の方法。
  14. 【請求項１４】 前記材料が、レジストであって、可視光を通過させ、約４８８〜５１４ｎｍの
    波長範囲内のレーザ光によって励起されて、約６００〜７００ｎｍの波長範囲の
    可視光を放出することからなる、請求項１１の方法。
  15. 【請求項１５】 多層集積回路ウェーハなどの上部層にある光を通さない導線パターンを、下部
    層のパターンを除外して光学的に検査するための装置において、 所定の周波数のレーザ光に応答して蛍光を発するレジスト材料の上部層に導線
    パターンが形成され、この場合、この蛍光の周波数は、前記所定の周波数とは異
    なるものであって、 前記所定の周波数のレーザ光を生成し、このレーザ光を、前記上部層に対して
    傾斜した角度で入射するビームに沿って前記上部層に向けて送るための手段と、 前記上部層にビームが送られ、照射された上部層が下部層を背景マスクする蛍
    光を発したことに応答して、前記上部層から前記異なる周波数の蛍光を光学的に
    検査するための手段であって、この場合に、導線パターンが暗い線として見える
    ことからなる、手段と、 前記ビームの傾斜した角度を調整して、暗い導線として誤って解釈されうる、
    隣接する導線間にある該導線の近接したエッジ間における暗い影の領域の発生を
    最小限にするための手段 を組み合わせて有する、装置。
  16. 【請求項１６】 画素センサの連続する行を有する時間遅延積分CCDにおける蛍光をモニタする
    ための手段と、 所定の速度で前記上部層を走査するに従い、前記行を走査するための手段と、 前記TDI-CCD内に集積された電荷を、上記走査の速度と同じ速度で電気的にシ
    フトするための手段 によって、前記検査を実行することからなる、請求項１５の装置。
  17. 【請求項１７】 最初に、ビーム拡大レズによってレーザビームをほぼ円形のビームに拡大し、
    次に、円柱レンズを通して、前記上部層に前記傾斜した角度で入射するためのス
    リット状のレーザ光として作用するようにそのビームを平らにする、請求項１５
    の装置。
  18. 【請求項１８】 前記傾斜した角度が約４５°である、請求項１５の装置。
  19. 【請求項１９】 更なるレーザビームを、前記上部層にほぼ垂直に入射するように向けて送るた
    めの手段を備える、請求項１５の装置。
  20. 【請求項２０】 更なるレーザビームを、前記上部層にほぼ垂直に入射させる、請求項１１の方
    法。
JP2000606987A 1999-03-22 2000-03-22 半導体の構成 Expired - Fee Related JP3817427B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/275,349 1999-03-22
US09/275,349 US6091488A (en) 1999-03-22 1999-03-22 Method of and apparatus for automatic high-speed optical inspection of semi-conductor structures and the like through fluorescent photoresist inspection
PCT/IB2000/000334 WO2000057162A2 (en) 1999-03-22 2000-03-22 Optical inspection of semi-conductor structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002540398A true JP2002540398A (ja) 2002-11-26
JP3817427B2 JP3817427B2 (ja) 2006-09-06

Family

ID=23051916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000606987A Expired - Fee Related JP3817427B2 (ja) 1999-03-22 2000-03-22 半導体の構成

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6091488A (ja)
EP (1) EP1180237A2 (ja)
JP (1) JP3817427B2 (ja)
KR (1) KR100522209B1 (ja)
CN (1) CN100460862C (ja)
AU (1) AU774674B2 (ja)
CA (1) CA2366563A1 (ja)
HK (1) HK1049697A1 (ja)
WO (1) WO2000057162A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012159488A (ja) * 2011-01-28 2012-08-23 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プリント基板の検査装置

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177989B1 (en) * 1999-03-01 2001-01-23 Advanced Micro Devices Laser induced current for semiconductor defect detection
US6867406B1 (en) * 1999-03-23 2005-03-15 Kla-Tencor Corporation Confocal wafer inspection method and apparatus using fly lens arrangement
US6774991B1 (en) * 1999-05-27 2004-08-10 Inspex Incorporated Method and apparatus for inspecting a patterned semiconductor wafer
US6621571B1 (en) * 1999-10-29 2003-09-16 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting defects in a patterned specimen
US6642150B1 (en) * 1999-12-28 2003-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for testing for blind hole formed in wafer layer
US6407810B1 (en) * 2000-03-10 2002-06-18 Robotic Vision Systems, Inc. Imaging system
FR2817345B1 (fr) * 2000-11-24 2003-05-02 Gemplus Card Int Controle par excitation et visualisation d'une substance a longueur d'onde absorbee modifiable
US6608321B1 (en) 2001-02-01 2003-08-19 Advanced Micro Devices, Inc. Differential wavelength inspection system
US6603543B1 (en) * 2001-02-01 2003-08-05 Advanced Micro Devices, Inc. Inspection system with enhanced contrast
US6927847B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-09 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus for inspecting pattern defects
US6700658B2 (en) * 2001-10-05 2004-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for circuit pattern inspection
AU2002357241A1 (en) * 2001-12-17 2003-06-30 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Semiconductor wafer carrier mapping sensor
KR100429637B1 (ko) * 2001-12-17 2004-05-03 엘지전자 주식회사 다중 광로 광원장치 및 그 동작방법
US6887776B2 (en) * 2003-04-11 2005-05-03 Applied Materials, Inc. Methods to form metal lines using selective electrochemical deposition
US7179568B2 (en) * 2003-07-10 2007-02-20 Wisconsin Alumni Research Foundation Defect inspection of extreme ultraviolet lithography masks and the like
US20050086024A1 (en) * 2003-09-19 2005-04-21 Cyberoptics Semiconductor Inc. Semiconductor wafer location sensing via non contact methods
US20060065626A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Smayling Michael C Detection and feed forward of exposed area to improve plasma etching
JP4626982B2 (ja) * 2005-02-10 2011-02-09 セントラル硝子株式会社 ガラス板の端面の欠陥検出装置および検出方法
US7496241B1 (en) * 2005-09-08 2009-02-24 Goodrich Corporation Precision optical systems with performance characterization and uses thereof
JP4996856B2 (ja) * 2006-01-23 2012-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置およびその方法
US20080311283A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Qimonda Ag Method of Inspecting and Manufacturing an Integrated Circuit
DE102007057011B4 (de) * 2007-11-23 2011-04-28 Pi Photovoltaik-Institut Berlin Ag Erfassungsvorrichtung und Verfahren zum Erfassen einer Beschädigung einer Solarzelle mittels Photolumineszenz
JP2011506937A (ja) * 2007-12-06 2011-03-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板上のピクセルウェル内の堆積インクを、ラインスキャンカメラを使用して測定する方法及び装置
KR20100138985A (ko) * 2008-03-31 2010-12-31 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 다중화된 이미지 획득 및 처리를 위한 방법 및 장치
US20100226114A1 (en) * 2009-03-03 2010-09-09 David Fishbaine Illumination and imaging system
EP2284520A1 (en) * 2009-07-28 2011-02-16 David Marcos Muntal Assembly for the inspection in a continuous manner of cells, strings and photovoltaic modules and inspection method thereof
TWI522609B (zh) * 2010-01-04 2016-02-21 Ｂｔ映像私人有限公司 用於分析半導體的方法與系統以及執行該方法與操作該系統的製造物件
DE102010011066B4 (de) * 2010-03-11 2020-10-22 Pi4_Robotics Gmbh Photovoltaikmodul-, oder Photovoltaikzellen- oder Halbleiterbauelement-Identifikationsverfahren und Photovoltaikmodul- oder, Photovoltaikzellen- oder Halbleiterbauelement-Identifikationsvorrichtung
CN103080731B (zh) 2010-07-30 2016-08-17 第一太阳能有限公司 光致发光测量工具和相关方法
CN103874918A (zh) * 2011-08-12 2014-06-18 Bt成像股份有限公司 半导体晶片中掺杂变化的光致发光成像
US9402036B2 (en) 2011-10-17 2016-07-26 Rudolph Technologies, Inc. Scanning operation with concurrent focus and inspection
US10317347B2 (en) * 2013-11-01 2019-06-11 Kla-Tencor Corp. Determining information for defects on wafers
US9970873B1 (en) 2014-11-12 2018-05-15 Kla-Tencor Corporation System and method for luminescent tag based wafer inspection
KR20170042432A (ko) * 2015-10-08 2017-04-19 삼성전자주식회사 포토레지스트 패턴의 검사 방법
US10132861B2 (en) * 2016-09-16 2018-11-20 Qualcomm Incorporated Visible laser circuit fault isolation
CN108072613B (zh) * 2016-11-11 2020-09-08 台湾积体电路制造股份有限公司 光学检测装置及其检测方法
JP7034621B2 (ja) * 2017-07-25 2022-03-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
KR102445340B1 (ko) * 2017-12-20 2022-09-21 삼성전자주식회사 포토레지스트 검출 물질 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US10818005B2 (en) * 2018-03-12 2020-10-27 Kla-Tencor Corp. Previous layer nuisance reduction through oblique illumination
KR102418198B1 (ko) * 2019-05-15 2022-07-07 전상구 기판 상의 패턴을 측정하는 시스템들 및 방법들
US20220244648A1 (en) * 2021-02-04 2022-08-04 Kla Corporation Sensitivity improvement of optical and sem defection inspection
CN115201990A (zh) * 2022-09-08 2022-10-18 成都中科卓尔智能科技集团有限公司 一种半导体光学材料内部缺陷检测片光源镜头

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4152723A (en) * 1977-12-19 1979-05-01 Sperry Rand Corporation Method of inspecting circuit boards and apparatus therefor
DE3422395A1 (de) * 1983-06-16 1985-01-17 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren und vorrichtung zum ermitteln von verdrahtungsmustern
US4556903A (en) * 1983-12-20 1985-12-03 At&T Technologies, Inc. Inspection scanning system
US4877326A (en) * 1988-02-19 1989-10-31 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for optical inspection of substrates
US5278012A (en) * 1989-03-29 1994-01-11 Hitachi, Ltd. Method for producing thin film multilayer substrate, and method and apparatus for detecting circuit conductor pattern of the substrate
US5278021A (en) 1993-04-05 1994-01-11 Ocg Microelectronic Materials, Inc. O-naphthoquinone diazide sulfonyl esters of 4-(4-hydroxyphenyl)cyclohexanone phenolic derivatives with associated radiation sensitive mixtures and articles
ES2185956T3 (es) * 1996-06-21 2003-05-01 Dade Behring Inc Composiciones y procedimiento para la fabricacion de sensores de electrodos selectivos de iones.
CN1072364C (zh) * 1997-05-29 2001-10-03 中国科学院上海光学精密机械研究所 超精细结构的光学测量系统
US6014209A (en) * 1997-06-23 2000-01-11 Beltronics, Inc. Method of optically inspecting multi-layered electronic parts and the like with fluorescent scattering top layer discrimination and apparatus therefor
US6608676B1 (en) * 1997-08-01 2003-08-19 Kla-Tencor Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012159488A (ja) * 2011-01-28 2012-08-23 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プリント基板の検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000057162A3 (en) 2001-01-04
HK1049697A1 (zh) 2003-05-23
AU3314500A (en) 2000-10-09
AU774674B2 (en) 2004-07-01
CN1369061A (zh) 2002-09-11
EP1180237A2 (en) 2002-02-20
KR100522209B1 (ko) 2005-10-14
US6091488A (en) 2000-07-18
JP3817427B2 (ja) 2006-09-06
CA2366563A1 (en) 2000-09-28
CN100460862C (zh) 2009-02-11
WO2000057162A2 (en) 2000-09-28
KR20010113856A (ko) 2001-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3817427B2 (ja) 半導体の構成
US10359370B2 (en) Template substrate for use in adjusting focus offset for defect detection
JP4183492B2 (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
US8269959B2 (en) Inspection method and inspection apparatus
US6292260B1 (en) System and method of optically inspecting surface structures on an object
JPH07113966B2 (ja) 二次元画像処理方法および装置
JP2002014057A (ja) 欠陥検査装置
JP2003017536A (ja) パターン検査方法及び検査装置
KR20040035553A (ko) 고장 해석 방법
JPH0658731A (ja) パターン検査装置
JP3142991B2 (ja) レーザ走査装置および画像形成方法
JP3421522B2 (ja) パターン検査装置並びに電子線によるパターン検査装置及びその方法
JPH1183465A (ja) 表面検査方法及び装置
JPH07159333A (ja) 外観検査装置及び外観検査方法
JPH03230544A (ja) ウェーハ外観検査装置
JPH0643110A (ja) レジストパターン欠陥の検出方法
JPH04165641A (ja) ウェーハ外観検査装置
JP2566369B2 (ja) 形状検査方法
JPH11339653A (ja) シャドウマスクの露光状態観測装置
JP2000002526A (ja) 表面欠陥の検査方法および検査装置
JP2000137002A (ja) プリント基板のバイアホールの検査方法
JPS59148809A (ja) 格子状パタ−ンを有する表面の欠陥検査方法
JPH04315908A (ja) 線状物体検査装置及び検査方法
JPH0786320A (ja) ペースト検査方法
JPH05251540A (ja) ボンディングワイヤ検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041012

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041025

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050125

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050425

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051017

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060113

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060417

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060515

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060612

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616

Year of fee payment: 4

S201 Request for registration of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616

Year of fee payment: 4

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616

Year of fee payment: 4

S201 Request for registration of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees