JPS635549A - 半導体装置のベース金属板 - Google Patents
半導体装置のベース金属板Info
- Publication number
- JPS635549A JPS635549A JP14992286A JP14992286A JPS635549A JP S635549 A JPS635549 A JP S635549A JP 14992286 A JP14992286 A JP 14992286A JP 14992286 A JP14992286 A JP 14992286A JP S635549 A JPS635549 A JP S635549A
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- JP
- Japan
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- metal plate
- semiconductor element
- groove
- molding resin
- ceramic board
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、特にベース金属板上に
セラミック製絶縁板を介して半導体素子を搭載し樹脂封
止してなるものに関するものである。
セラミック製絶縁板を介して半導体素子を搭載し樹脂封
止してなるものに関するものである。
第２図は従来のこの種の半導体装置を示し、図において
、１は筐体、２は外部からの電気信号を送受するための
外部端子、３は回路間を接続するためのプリント基板、
４はプリント基板３上に搭載された半導体部品、５はプ
リント基板３と接続された半導体素子、６は筺体１に固
定されたベース金属板、７は半導体素子５とベース金属
板６との間に挿入されこれらを絶縁するセラミック板、
８は回路構成部品２〜５を被覆して電気絶縁するモール
ド樹脂である。
、１は筐体、２は外部からの電気信号を送受するための
外部端子、３は回路間を接続するためのプリント基板、
４はプリント基板３上に搭載された半導体部品、５はプ
リント基板３と接続された半導体素子、６は筺体１に固
定されたベース金属板、７は半導体素子５とベース金属
板６との間に挿入されこれらを絶縁するセラミック板、
８は回路構成部品２〜５を被覆して電気絶縁するモール
ド樹脂である。
このような装置では、回路構成部品２〜５と金属板６と
の絶縁は、半導体素子５からセラミック板７の端面まで
の距離とセラミック板７の厚みを加えた距離によりたち
たれており、絶縁効果が弱いため、全体をモールド樹脂
８で被覆して絶縁効果をあげている。
の絶縁は、半導体素子５からセラミック板７の端面まで
の距離とセラミック板７の厚みを加えた距離によりたち
たれており、絶縁効果が弱いため、全体をモールド樹脂
８で被覆して絶縁効果をあげている。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
モールド樹脂８のセラミック板７及び金属板６との接着
力が弱く、また、樹脂８の膨張率。
モールド樹脂８のセラミック板７及び金属板６との接着
力が弱く、また、樹脂８の膨張率。
収縮率がセラミック板７．金属板６のそれとは異なり、
このため低温、高温のくり返しにより、モールド樹脂８
とセラミック板７及び金属板６との間に隙間が生じたり
して半導体素子５と金属板６との間で放電するなどの問
題点があった。
このため低温、高温のくり返しにより、モールド樹脂８
とセラミック板７及び金属板６との間に隙間が生じたり
して半導体素子５と金属板６との間で放電するなどの問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、モールド樹脂と金属板との接着力を増して絶
縁効果を増大できる半導体装置を得ることを目的とする
。
たもので、モールド樹脂と金属板との接着力を増して絶
縁効果を増大できる半導体装置を得ることを目的とする
。
この発明に係る半導体装置は、半導体素子をセラミック
板を介して搭載した金属板に、該セラミック板の周縁部
に沿って凹溝を形成したものである。
板を介して搭載した金属板に、該セラミック板の周縁部
に沿って凹溝を形成したものである。
この発明においては、ベース金属板に、その上のセラミ
ック板の周縁部に沿って凹溝を形成したから、モールド
樹脂が金属板の凹溝にくい込み、モールド樹脂と金属板
との接着力が増大する。
ック板の周縁部に沿って凹溝を形成したから、モールド
樹脂が金属板の凹溝にくい込み、モールド樹脂と金属板
との接着力が増大する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による半導体装置を示し、図にお
いて、１は筐体（側壁）、２は外部からの電気信号を送
受するための外部端子、３は回路間を接続するためのプ
リント基板、４はプリント基板３上に搭載された半導体
部品、５はプリント基板３と接続された半導体素子、６
は筺体１に固定されたベース金属板、７は半導体素子５
と金属板６との間に挿入されこれらを絶縁するセラミッ
ク板、８は回路構成部品２〜５を被覆して電気絶縁する
モールド樹脂、１１はセラミック板７の周囲に沿って金
属板６上に形成された凹溝である。
図は本発明の一実施例による半導体装置を示し、図にお
いて、１は筐体（側壁）、２は外部からの電気信号を送
受するための外部端子、３は回路間を接続するためのプ
リント基板、４はプリント基板３上に搭載された半導体
部品、５はプリント基板３と接続された半導体素子、６
は筺体１に固定されたベース金属板、７は半導体素子５
と金属板６との間に挿入されこれらを絶縁するセラミッ
ク板、８は回路構成部品２〜５を被覆して電気絶縁する
モールド樹脂、１１はセラミック板７の周囲に沿って金
属板６上に形成された凹溝である。
次に作用効果について説明する。
本実施例装置では、筺体１に注入されたモールド樹脂８
は金属板６に形成された凹溝に流れ込み、これによりモ
ールド樹脂８と金属板６との接着力が増大する。このた
め、温度変化により膨張、収縮がくり返されても、モー
ルド樹脂８とセラミック板７及び金属板６との間には隙
間が生じず、半導体素子５と金属板６との間で放電する
ことがなくなる。
は金属板６に形成された凹溝に流れ込み、これによりモ
ールド樹脂８と金属板６との接着力が増大する。このた
め、温度変化により膨張、収縮がくり返されても、モー
ルド樹脂８とセラミック板７及び金属板６との間には隙
間が生じず、半導体素子５と金属板６との間で放電する
ことがなくなる。
以上のよう巨、この発明にかかる半導体装置によれば、
金属板上Ｌ＝セラミック板の周縁部に沿って凹溝を形成
したので、モールド樹脂と金属板との接着力を増大でき
、これにより絶縁効果を増大することができる。
金属板上Ｌ＝セラミック板の周縁部に沿って凹溝を形成
したので、モールド樹脂と金属板との接着力を増大でき
、これにより絶縁効果を増大することができる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面側面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面側面図
である。 図中、１は筐体、２は外部端子、３はプリント基板、４
は半導体部品、５は半導体素子、６は金属板、７はセラ
ミック板、８はモールド樹脂、１１は金属板の凹溝であ
る。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面側面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面側面図
である。 図中、１は筐体、２は外部端子、３はプリント基板、４
は半導体部品、５は半導体素子、６は金属板、７はセラ
ミック板、８はモールド樹脂、１１は金属板の凹溝であ
る。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）ベース金属板上に、絶縁性セラミック板を介して
半導体素子を搭載し、上記ベース金属板に、その周囲を
とりかこむよう周壁を設け、該周壁内にモールド樹脂を
充填してなる半導体装置において、 上記ベース金属板は凹溝が上記セラミック板の周縁部に
沿って形成されたものであることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14992286A JPH0691170B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置のベース金属板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14992286A JPH0691170B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置のベース金属板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635549A true JPS635549A (ja) | 1988-01-11 |
| JPH0691170B2 JPH0691170B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=15485511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14992286A Expired - Lifetime JPH0691170B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置のベース金属板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691170B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519252A (en) * | 1992-07-24 | 1996-05-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor device employing pin block connection arrangement for facilitated and economized manufacture |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14992286A patent/JPH0691170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519252A (en) * | 1992-07-24 | 1996-05-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor device employing pin block connection arrangement for facilitated and economized manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691170B2 (ja) | 1994-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |