JPS635519A - 半導体の電極形成方法 - Google Patents
半導体の電極形成方法Info
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- JPS635519A JPS635519A JP15036986A JP15036986A JPS635519A JP S635519 A JPS635519 A JP S635519A JP 15036986 A JP15036986 A JP 15036986A JP 15036986 A JP15036986 A JP 15036986A JP S635519 A JPS635519 A JP S635519A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体、特に、■−Ｖ族化合物半導体の電極
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
ＧａＡｓあるいはＩｎＰで代表される■−ｖ族化合物半
導体は、高速電子デバイス、光デバイス用材料としてき
わめて重要なものである０例えば、光半導体デバイスを
例にとると、ＩｎＰに格子整合するＩｎＧａＡｓＰ混晶
は、光通信システムを構成するシリカ系光ファイバーの
低損失領域である波長＋ｊ〜１．６μｍ域での発光及び
受光素子を得るのに適した材料であり、活発に研究開発
が進められている。ここで高品質な半導体素子を得るた
めには、性能的に優れていることは勿論であるが、高信
頼を保障する素子構造でなければ、実用に供することは
できなく、半導体への電極形成は高信頼化に必要な重要
技術といえる。
導体は、高速電子デバイス、光デバイス用材料としてき
わめて重要なものである０例えば、光半導体デバイスを
例にとると、ＩｎＰに格子整合するＩｎＧａＡｓＰ混晶
は、光通信システムを構成するシリカ系光ファイバーの
低損失領域である波長＋ｊ〜１．６μｍ域での発光及び
受光素子を得るのに適した材料であり、活発に研究開発
が進められている。ここで高品質な半導体素子を得るた
めには、性能的に優れていることは勿論であるが、高信
頼を保障する素子構造でなければ、実用に供することは
できなく、半導体への電極形成は高信頼化に必要な重要
技術といえる。
現在、ＩｎＰあるいはＧａＡｓで代表される■−Ｖ族化
合物半導体のｐ型導電形のオーミック性電極として、亜
鉛を数％含んだ金亜鉛合金あるいは、金／亜鉛／金の様
な多層構造金属を堆積後、高温熱処理することにより上
記ｐ型導電形半導体層中に亜鉛の拡散を促進し低接触抵
抗電極を得る方法がもっともよく知られた方法である。
合物半導体のｐ型導電形のオーミック性電極として、亜
鉛を数％含んだ金亜鉛合金あるいは、金／亜鉛／金の様
な多層構造金属を堆積後、高温熱処理することにより上
記ｐ型導電形半導体層中に亜鉛の拡散を促進し低接触抵
抗電極を得る方法がもっともよく知られた方法である。
しかしながら、この様にして形成された電極を持つ半導
体は高温雰囲気中で長時間動作あるいは放置されると、
特性劣化をきたし、この原因として金が半導体層中に拡
散することが知られている。
体は高温雰囲気中で長時間動作あるいは放置されると、
特性劣化をきたし、この原因として金が半導体層中に拡
散することが知られている。
本発明は、高信頼性のある低接触抵抗の電極を形成する
半導体の電極形成方法を提供することにある。
半導体の電極形成方法を提供することにある。
本発明の半導体の電極形成方法の構成は、金と亜鉛を主
成分とする金属を高温熱処理することによりｐ型高不純
物濃度領域を半導体の一領域に形成する工程と、前記熱
処理により形成されたｐ壁高不純物濃度半導体層上に位
置する金を主成分とする合金領域を除去する工程とを含
むことを特徴とする。
成分とする金属を高温熱処理することによりｐ型高不純
物濃度領域を半導体の一領域に形成する工程と、前記熱
処理により形成されたｐ壁高不純物濃度半導体層上に位
置する金を主成分とする合金領域を除去する工程とを含
むことを特徴とする。
以下、本発明の実施例について、図面を参照にして説明
する。
する。
第１図は本発明の半導体の電極形成方法をフォトダイオ
ードに実施した一実施例の工程順の断面口を示す。
ードに実施した一実施例の工程順の断面口を示す。
以下、作製順序に従って説明する。
素子としては、波長１．０〜１．６μｍ帯の受光素子と
して重要なＩ ｎＧａＡｓフォトダイオードを一実施例
として示す。
して重要なＩ ｎＧａＡｓフォトダイオードを一実施例
として示す。
素子の構成は、ｎ”−ＩｎＰ基板１１．光吸収層となる
ｎ−Ｉ ｎＧａＡｓ １２及びキャップ層としてのｎ−
ＩｎＰ１３から構成されており、ｐ−ｎ接合は、例えば
、Ｚｎ３Ｐ２あ゛るいはＣｄ３Ｐ２を拡散源とした不純
物拡散の技術により、第１図（ａ）に示す様に選択的に
ｐ−ｎ接合端がｎ−Ｉ ｎＧａＡｓ １２の光吸収層に
到達するよう制御されている。
ｎ−Ｉ ｎＧａＡｓ １２及びキャップ層としてのｎ−
ＩｎＰ１３から構成されており、ｐ−ｎ接合は、例えば
、Ｚｎ３Ｐ２あ゛るいはＣｄ３Ｐ２を拡散源とした不純
物拡散の技術により、第１図（ａ）に示す様に選択的に
ｐ−ｎ接合端がｎ−Ｉ ｎＧａＡｓ １２の光吸収層に
到達するよう制御されている。
この様なウェーハに、例えば、保護膜として５ｉＮｘ１
５を形成後、フォトリソグラフィー技術により上記不純
物拡散領域上の保護膜１５を除去し、この領域に、例え
ば、亜鉛１％を含む金亜鉛合金を高温加熱し蒸発させる
手法を様いて１０００人程度堆積させる。この堆積金属
が第１図（ａ）に示すＡｕＺｎ １６である。
５を形成後、フォトリソグラフィー技術により上記不純
物拡散領域上の保護膜１５を除去し、この領域に、例え
ば、亜鉛１％を含む金亜鉛合金を高温加熱し蒸発させる
手法を様いて１０００人程度堆積させる。この堆積金属
が第１図（ａ）に示すＡｕＺｎ １６である。
この様にし°て得られたウェーハを、例えば、４３０℃
で２分程度の熱処理することにより第１図（ｂ）に示す
ように上記ＡｕＺｎ １６金属が上記ｐ”−ＩｎＰ１４
中に拡散し、ｐ壁高不純物濃度領域１７を形成する。こ
れが従来用いられている電極形成方法である。
で２分程度の熱処理することにより第１図（ｂ）に示す
ように上記ＡｕＺｎ １６金属が上記ｐ”−ＩｎＰ１４
中に拡散し、ｐ壁高不純物濃度領域１７を形成する。こ
れが従来用いられている電極形成方法である。
この工程を経た後、例えばＫＩ主成分とする液により選
択的に上記ＡｕＺｎ １６を除去する工程により第１図
（ｃ）を得ることができる。
択的に上記ＡｕＺｎ １６を除去する工程により第１図
（ｃ）を得ることができる。
次に、例えば、第１図（ｄ）に示すようにＴｉ１８、Ｐ
ｔ１９．Ａｕ２０を連続的に堆積することによりｐ型電
極を形成する。ここで半導体との接触は、高融点材料で
あるＴｉにより得ている。
ｔ１９．Ａｕ２０を連続的に堆積することによりｐ型電
極を形成する。ここで半導体との接触は、高融点材料で
あるＴｉにより得ている。
又、外部との結線用の金２０が必要な為、この金型８ｉ
２０のＴｉ １８中への拡散を防ぐ材料としてＰｔ１９
が導入されている。
２０のＴｉ １８中への拡散を防ぐ材料としてＰｔ１９
が導入されている。
最後に、ｎ”−ＩｎＰｌｌへのｎ型電極としてＡｕＧａ
２１が蒸着により得られる。これにより本発明の電極形
成方法を適用したＩｎＧａＡｓフォトダイオードが得ら
れる。
２１が蒸着により得られる。これにより本発明の電極形
成方法を適用したＩｎＧａＡｓフォトダイオードが得ら
れる。
上述した本発明の一実施例により得られたＩｎＧａＡｓ
フォトダイオードにより、雰囲気温度２５０℃、負バイ
アス１０Ｖ印加での通電試験を行った結果、１０００時
間経過した時点でも特性劣化は全く見られなかった。こ
れは、半導体層に接触する金属として、金が存在してい
ないこと、なおかつ高融点金属がｐ壁高不純物濃度領域
１７に接して存在することにより低接触抵抗が得られて
いることによると理解できる。
フォトダイオードにより、雰囲気温度２５０℃、負バイ
アス１０Ｖ印加での通電試験を行った結果、１０００時
間経過した時点でも特性劣化は全く見られなかった。こ
れは、半導体層に接触する金属として、金が存在してい
ないこと、なおかつ高融点金属がｐ壁高不純物濃度領域
１７に接して存在することにより低接触抵抗が得られて
いることによると理解できる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体の電極形成方法
をフォトダイオードに実施した一実施例の工程順の断面
図を示す。
をフォトダイオードに実施した一実施例の工程順の断面
図を示す。
Claims (1)
- 金と亜鉛を主成分とする金属を高温処理することにより
ｐ型高不純物濃度領域を半導体の一領域に形成する工程
と、前記高温熱処理により形成されたｐ型高不純物濃度
半導体層領域の上部に位置する金を主成分とした合金領
域を除去する工程とを、含むことを特徴とする半導体の
電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15036986A JPS635519A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15036986A JPS635519A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635519A true JPS635519A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15495487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15036986A Pending JPS635519A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635519A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036023A (en) * | 1989-08-16 | 1991-07-30 | At&T Bell Laboratories | Rapid thermal processing method of making a semiconductor device |
| JPH1041254A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Sony Corp | オーミック電極およびその形成方法 |
| GB2424312A (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-20 | Denso Corp | Silicon carbide ohmic contacts |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527651A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method of forming electrode for p-type inp crystal surface |
| JPS60196937A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-10-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子およびその製造法 |
| JPS61123133A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-06-11 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 半導体装置と電極形成方法 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP15036986A patent/JPS635519A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527651A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method of forming electrode for p-type inp crystal surface |
| JPS60196937A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-10-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子およびその製造法 |
| JPS61123133A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-06-11 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 半導体装置と電極形成方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036023A (en) * | 1989-08-16 | 1991-07-30 | At&T Bell Laboratories | Rapid thermal processing method of making a semiconductor device |
| JPH1041254A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Sony Corp | オーミック電極およびその形成方法 |
| KR100496369B1 (ko) * | 1996-07-24 | 2005-09-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 오믹전극및반도체소자 |
| GB2424312A (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-20 | Denso Corp | Silicon carbide ohmic contacts |
| US7141498B2 (en) | 2005-03-14 | 2006-11-28 | Denso Corporation | Method of forming an ohmic contact in wide band semiconductor |
| GB2424312B (en) * | 2005-03-14 | 2010-03-03 | Denso Corp | Method of forming an ohmic contact in wide band semiconductor |
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