JPS6083325A - 半導体素子の電極製造方法 - Google Patents
半導体素子の電極製造方法Info
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- JPS6083325A JPS6083325A JP58191858A JP19185883A JPS6083325A JP S6083325 A JPS6083325 A JP S6083325A JP 58191858 A JP58191858 A JP 58191858A JP 19185883 A JP19185883 A JP 19185883A JP S6083325 A JPS6083325 A JP S6083325A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体がI族及び■族の化合物である半導体
素子の電極製造方法に関する。
素子の電極製造方法に関する。
話をわかシやすくするために発光ダイオードを具体例に
以下説明する。
以下説明する。
半導体発光ダイオードは、高信頼かつ高輝度の発光が容
易に得られ、また50MHz程度までの高速変調も簡単
な注入電流変調によって可能であるから、光フアイバ通
信用の光源として広く使用されている。そして、半導体
としてはl族及び■族の化合物が主に用いられるが、と
シわけInP基板を用いて製造されるInGaAsP/
InP二重へテロ接合構造を有する発光ダイオードは
光ファイバの低分散、低伝送損失波長である□1.3μ
m波長の発光が得られるところから実用化が急速に進め
られている。
易に得られ、また50MHz程度までの高速変調も簡単
な注入電流変調によって可能であるから、光フアイバ通
信用の光源として広く使用されている。そして、半導体
としてはl族及び■族の化合物が主に用いられるが、と
シわけInP基板を用いて製造されるInGaAsP/
InP二重へテロ接合構造を有する発光ダイオードは
光ファイバの低分散、低伝送損失波長である□1.3μ
m波長の発光が得られるところから実用化が急速に進め
られている。
第1図は、従来の製造方法によって得られた電極を備え
るその発光ダイオードの断面図である。
るその発光ダイオードの断面図である。
この発光ダイオードは、InGaAsP/InP二重へ
テロ接合構造の半導体lに、電流狭窄用絶縁膜2を挾ん
でP側オーミックコンタクト用金鵜膜3と。
テロ接合構造の半導体lに、電流狭窄用絶縁膜2を挾ん
でP側オーミックコンタクト用金鵜膜3と。
光出力数シ出し用開口4をもつn側オーミックコンタク
ト用金M(Au、Ge、Niの合金)の膜5と、ボンデ
ィング用金属膜であるAu膜6を設けて製造されていた
。この従来の電極製造方法では、ボンディング用金属膜
としてAu膜6(又は他の軟らかい金属の膜)を直接n
側オーミックコンタクト用金鵬膜5の上に付着させてい
たから、n側オーミックコンタクト用金属膜5を通して
半導体1の組成であるInが素子製造工程、例えばウェ
ハー作製工程や組立工程中の加熱によJAuAu膜6中
散しやすく、これが原因でリードボンディングの歩留シ
低下や、ボンディング強度低下を生じるなどの欠点があ
った。
ト用金M(Au、Ge、Niの合金)の膜5と、ボンデ
ィング用金属膜であるAu膜6を設けて製造されていた
。この従来の電極製造方法では、ボンディング用金属膜
としてAu膜6(又は他の軟らかい金属の膜)を直接n
側オーミックコンタクト用金鵬膜5の上に付着させてい
たから、n側オーミックコンタクト用金属膜5を通して
半導体1の組成であるInが素子製造工程、例えばウェ
ハー作製工程や組立工程中の加熱によJAuAu膜6中
散しやすく、これが原因でリードボンディングの歩留シ
低下や、ボンディング強度低下を生じるなどの欠点があ
った。
一般に、開口のない電極(例えば第1図のP側オーミッ
クコンタクト用金属膜3)はptHfA等の拡散阻止膜
を含ませて製造するから、ボンディングに関する前述の
欠点は生じない。しかしながら、pt等の拡散阻止膜は
パター二/グが困難であるから、開口のあるw、 mの
製造にはPt等は使用できなかった。そこで、従来は開
口のある電極は前述の方法で製造せざるをイ(トなかっ
た。従って、発光ダイオードだけでなく、i−v族化合
物半導体を用いた開口部きの他の半導体素子、例えばフ
ォトトランジスタ、フォトダイオード、APD(アバラ
ンシェ・フォトダイオード)、面発光形半導体レーザ等
の電極製造方法にも前述の欠点があった。
クコンタクト用金属膜3)はptHfA等の拡散阻止膜
を含ませて製造するから、ボンディングに関する前述の
欠点は生じない。しかしながら、pt等の拡散阻止膜は
パター二/グが困難であるから、開口のあるw、 mの
製造にはPt等は使用できなかった。そこで、従来は開
口のある電極は前述の方法で製造せざるをイ(トなかっ
た。従って、発光ダイオードだけでなく、i−v族化合
物半導体を用いた開口部きの他の半導体素子、例えばフ
ォトトランジスタ、フォトダイオード、APD(アバラ
ンシェ・フォトダイオード)、面発光形半導体レーザ等
の電極製造方法にも前述の欠点があった。
本発明の目的は、ボンディング歩留シ及びボンディング
強度が高い半導体素子の電極製造方法を提供することに
ある。
強度が高い半導体素子の電極製造方法を提供することに
ある。
本発明の構成は、半導体が■族及びV族の化合物である
半導体素子の開口付電極の製造方法において、前記半導
体にオーミックコンタクト用の金属膜を付着する工程と
、この金属膜に前記開口を設けてからこの金属膜を熱処
理して前記半導体と合金化する工程と、この合金化した
金属膜及び前記開口部分の前記半導体上に”’1JJt
LP’膜及びAu膜を順次付着する工程と、前記開口部
分の前記Tr膜、Pd膜及びAu膜を選択的に除去する
工程とを含むことを特徴とする。
半導体素子の開口付電極の製造方法において、前記半導
体にオーミックコンタクト用の金属膜を付着する工程と
、この金属膜に前記開口を設けてからこの金属膜を熱処
理して前記半導体と合金化する工程と、この合金化した
金属膜及び前記開口部分の前記半導体上に”’1JJt
LP’膜及びAu膜を順次付着する工程と、前記開口部
分の前記Tr膜、Pd膜及びAu膜を選択的に除去する
工程とを含むことを特徴とする。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明の一実施例により製造された発光ダイオードの断
面図を第2図に示す。本実施例は以下に述べる如くであ
る。まず、InGaAsP/InP 二重へテロ接合構
造の半導体1に電流狭窄用絶縁膜2を挾んでP側オーミ
ックコンタクト用金梅膜3と、光出力取#)中し用開口
4をもつn 11111オーミツクコンタクト用金属膜
5とを設ける。金属膜5は、抵抗加勢方式の真空薯着法
によシ半導体1に蒸着してからフォトリ゛/グ2フィに
より開口4を設け、熱処理して半導体1と合金化する。
面図を第2図に示す。本実施例は以下に述べる如くであ
る。まず、InGaAsP/InP 二重へテロ接合構
造の半導体1に電流狭窄用絶縁膜2を挾んでP側オーミ
ックコンタクト用金梅膜3と、光出力取#)中し用開口
4をもつn 11111オーミツクコンタクト用金属膜
5とを設ける。金属膜5は、抵抗加勢方式の真空薯着法
によシ半導体1に蒸着してからフォトリ゛/グ2フィに
より開口4を設け、熱処理して半導体1と合金化する。
その次にn側オーミックコンタクト用金pI41N5及
び開口4の部分の半導体1上に、ボンデイン、グのため
にTi膜?、Pd膜8、Au膜6の順で抵抗加熱方式の
真空蒸着法またはス、Fブタリング法によシ連続的に、
それぞれ100OA、2000A、5000A程贋付着
せ[7めてから、開口4.9部分のT層膜7 、 )”
d膜8゜Au膜61tフォトレジストをマそりとして選
択的に化学エツチング咳よシ除去する。化学エツチング
工程においては、l(+と工、との水溶液によ、9Au
Ti[7の±を除去する。ここでTi膜7はn側オーミ
ックコンタクト用金属膜5への付着力金高めるだめのも
のであ!+、Pd膜8はn(lllUオーミック=+ン
タクト用金属膜5とリードボンディング用のAu膜6と
の間のバリア層(拡散阻止膜)として設けられたもので
hb、n側オーミックコンタクト用金属膜5中に存在す
るInがAu膜6中へ拡散することによって生ずるリー
ドボンディングの不良を防止する役目を有する。そこで
、この実施例によシ製造された電極においては、ボンデ
ィング用金属膜であるAu膜6へInが拡散しないから
、この電極はボンディング歩留シ及びボンディング強度
が高い。
び開口4の部分の半導体1上に、ボンデイン、グのため
にTi膜?、Pd膜8、Au膜6の順で抵抗加熱方式の
真空蒸着法またはス、Fブタリング法によシ連続的に、
それぞれ100OA、2000A、5000A程贋付着
せ[7めてから、開口4.9部分のT層膜7 、 )”
d膜8゜Au膜61tフォトレジストをマそりとして選
択的に化学エツチング咳よシ除去する。化学エツチング
工程においては、l(+と工、との水溶液によ、9Au
Ti[7の±を除去する。ここでTi膜7はn側オーミ
ックコンタクト用金属膜5への付着力金高めるだめのも
のであ!+、Pd膜8はn(lllUオーミック=+ン
タクト用金属膜5とリードボンディング用のAu膜6と
の間のバリア層(拡散阻止膜)として設けられたもので
hb、n側オーミックコンタクト用金属膜5中に存在す
るInがAu膜6中へ拡散することによって生ずるリー
ドボンディングの不良を防止する役目を有する。そこで
、この実施例によシ製造された電極においては、ボンデ
ィング用金属膜であるAu膜6へInが拡散しないから
、この電極はボンディング歩留シ及びボンディング強度
が高い。
なお、前述の実施例は発光ダイオードの′tに極の製造
方法であったが、本発明は■−v族化合物半導体を用い
た開口付きの他の半導体素子、例えばフォトトランジス
タ、フォトダイオード、APD。
方法であったが、本発明は■−v族化合物半導体を用い
た開口付きの他の半導体素子、例えばフォトトランジス
タ、フォトダイオード、APD。
面発光形の半導体レーザ等開口部を設ける半導体素子の
電極の製造にも適用できることは勿論である0 また、実施例ヤは基板がInPである発光ダイオードの
電極の製造をとシ上げたが、GaAsのような他の■族
及び■族よシなる化合物半導体を基板とする半導体素子
へも本発明は適用できる。
電極の製造にも適用できることは勿論である0 また、実施例ヤは基板がInPである発光ダイオードの
電極の製造をとシ上げたが、GaAsのような他の■族
及び■族よシなる化合物半導体を基板とする半導体素子
へも本発明は適用できる。
以上のように、本発明を用いるなら、InPあるいはG
aAsのような■族及び■族よりなる化合物半導体の電
極製造方法において、光入出力用等の開口を有する側の
オーミックコンタクト電極上に簡単に付着でき、しかも
化学エツチングによシ容易にパターニングしつるTi、
Pd、AuFJよシなるボンディング層を設ける工程を
導入することにより、従来に比べ一段と耐熱性が良好で
信頼性に優れたリード線のボンディングが可能な、即ち
、ボンディング歩留シ及びボンディング強度の高い半導
体素子の電極の製造方法が提供できる。
aAsのような■族及び■族よりなる化合物半導体の電
極製造方法において、光入出力用等の開口を有する側の
オーミックコンタクト電極上に簡単に付着でき、しかも
化学エツチングによシ容易にパターニングしつるTi、
Pd、AuFJよシなるボンディング層を設ける工程を
導入することにより、従来に比べ一段と耐熱性が良好で
信頼性に優れたリード線のボンディングが可能な、即ち
、ボンディング歩留シ及びボンディング強度の高い半導
体素子の電極の製造方法が提供できる。
第1図は従来の方法によって製造された電極を備える半
導体発光ダイオードの断面図、第2図は本発明の一実施
例によって得られた電極を備える半導体発光ダイオード
の新曲図である。
導体発光ダイオードの断面図、第2図は本発明の一実施
例によって得られた電極を備える半導体発光ダイオード
の新曲図である。
Claims (1)
- 半導体が1族及びV族の化合物である半導体素子の開口
付電極の製造方法において、前記半導体にオーミックコ
ンタクト用の金属膜を付着する工程と、この金属膜に前
記開口を設けてからこの金属膜を熱処理してMtl記半
導体と合金化する工程と、この合金化した金属膜及び前
記開口部分の前記半専体上にTi膜、Pd膜及びAu膜
を順次付着する工程と、前記開口部分の前記Ti膜、P
d膜及びAu膜を選択的に除去する工程とを含むことを
特徴とする半導体素子の電極製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58191858A JPS6083325A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 半導体素子の電極製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58191858A JPS6083325A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 半導体素子の電極製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6083325A true JPS6083325A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16281672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58191858A Pending JPS6083325A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 半導体素子の電極製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6083325A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6894391B1 (en) | 1999-04-26 | 2005-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode structure on P-type III group nitride semiconductor layer and formation method thereof |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP58191858A patent/JPS6083325A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6894391B1 (en) | 1999-04-26 | 2005-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode structure on P-type III group nitride semiconductor layer and formation method thereof |
KR100525494B1 (ko) * | 1999-04-26 | 2005-11-01 | 샤프 가부시키가이샤 | P형 ⅲ족 질화물 반도체층 상의 전극 구조 및 그의 제조방법 |
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