JPS6354801A - マイクロ波ダイオ−ドスイツチ回路 - Google Patents
マイクロ波ダイオ−ドスイツチ回路Info
- Publication number
- JPS6354801A JPS6354801A JP61097347A JP9734786A JPS6354801A JP S6354801 A JPS6354801 A JP S6354801A JP 61097347 A JP61097347 A JP 61097347A JP 9734786 A JP9734786 A JP 9734786A JP S6354801 A JPS6354801 A JP S6354801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strip line
- chip
- diode
- stub
- pin diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数の回路を相互に接続分離するためのマイ
クロ波ダイオードスイッチ回路に関する。
クロ波ダイオードスイッチ回路に関する。
この種の回路として、ＰＩＮダイオードを使用した並列
型スイッチ回路がある。これは、第３図及び第４図に示
すように、ストリップ線路１に交差する方向に溝２を形
成して、そこに導電性のチップマウント用台座３を装着
し、そのチップマウント用台座３の上にＰＩＮダイオー
ドチフプ４を装着接続し、そのチップ４の他の電極とス
トリップ線路１との間をワイヤ５でボンディングしたも
のである。６は誘電体基板、７は導電性のキャリア、８
は直流阻止用キャパシタ、９はバイアス端子である。
型スイッチ回路がある。これは、第３図及び第４図に示
すように、ストリップ線路１に交差する方向に溝２を形
成して、そこに導電性のチップマウント用台座３を装着
し、そのチップマウント用台座３の上にＰＩＮダイオー
ドチフプ４を装着接続し、そのチップ４の他の電極とス
トリップ線路１との間をワイヤ５でボンディングしたも
のである。６は誘電体基板、７は導電性のキャリア、８
は直流阻止用キャパシタ、９はバイアス端子である。
この回路では、バイアス端子９とキャリア７間に直流バ
イアスを印加すると、ＰＩＮダイオードチフブ４が導通
して、ワイヤ５とキャリア７の間が導通する。
イアスを印加すると、ＰＩＮダイオードチフブ４が導通
して、ワイヤ５とキャリア７の間が導通する。
ところが、この回路構成では、ＰＩＮダイオードチップ
４のキャリア７に対する接地を実現するために溝２を形
成し、更にチップ台座３もチップ毎に装填する必要があ
り、組み立てが煩雑で、その組立のバラツキが大きくな
り易く、量産に不向きであった。
４のキャリア７に対する接地を実現するために溝２を形
成し、更にチップ台座３もチップ毎に装填する必要があ
り、組み立てが煩雑で、その組立のバラツキが大きくな
り易く、量産に不向きであった。
本発明の目的は、基板に対する加工が不要で、組立バラ
ツキが少なく、更に伝送線路を直流的にコモン（接地）
として使用できるようにしたマイクロ波ダイオードスイ
ッチ回路を提供することである。
ツキが少なく、更に伝送線路を直流的にコモン（接地）
として使用できるようにしたマイクロ波ダイオードスイ
ッチ回路を提供することである。
このために本発明は、？Ａ Ｑ体基板上のストリップ線
路が形成された面に扇形Ａ波長開放スタブを高周波接地
用として形成し、該スタブ上にダイオードを搭載接続し
て、該ダイオードの他端を上記ストリップ線路にワイヤ
接続して構成した。
路が形成された面に扇形Ａ波長開放スタブを高周波接地
用として形成し、該スタブ上にダイオードを搭載接続し
て、該ダイオードの他端を上記ストリップ線路にワイヤ
接続して構成した。
以下、本発明の実施例について説明する。第１図及び第
２図はその一実施例を示す図である。本実施例では、ス
トリップ線路１の途中に、そのストリップ線路１と交差
する方向の両側に扇形の〃波長開放スタブ１０を形成し
、そのスタブ１０の中央にＰＩＮダイオートチフプ４を
接続搭載し、そのチップ４をワイヤ５によりストリップ
線路１にボンディングしたものである。１１はバイアス
端子、１２は直流リタン−用チョークである。
２図はその一実施例を示す図である。本実施例では、ス
トリップ線路１の途中に、そのストリップ線路１と交差
する方向の両側に扇形の〃波長開放スタブ１０を形成し
、そのスタブ１０の中央にＰＩＮダイオートチフプ４を
接続搭載し、そのチップ４をワイヤ５によりストリップ
線路１にボンディングしたものである。１１はバイアス
端子、１２は直流リタン−用チョークである。
即ち、本実施例は、ＰＩＮダイオードの高周波接地面を
、広帯域で低いインピーダンスが得られ且つ高いＱが実
現できる扇形Ａ開放スタブ１０にて、基板６のストリッ
プ線路１の形成された面に該線路１と同様に形成したも
のである。
、広帯域で低いインピーダンスが得られ且つ高いＱが実
現できる扇形Ａ開放スタブ１０にて、基板６のストリッ
プ線路１の形成された面に該線路１と同様に形成したも
のである。
本実施例では、バイアス端子１１に直ｖＬ電圧を印加す
れば、ダイオード４が導通する。また、ストリップ線路
１は直流的にコモン（接地）となるので、他の回路（移
相器、ミキサ等）と接続する際に、直流阻止用のキャパ
シタが不要となる。
れば、ダイオード４が導通する。また、ストリップ線路
１は直流的にコモン（接地）となるので、他の回路（移
相器、ミキサ等）と接続する際に、直流阻止用のキャパ
シタが不要となる。
以上から本発明によれば、高周波接地面がストリップ線
路と同一面に形成されるので、ダイオード搭載のための
基板分割は不要で、チップマウント用台座をも必要なく
、よって組立のバラツキが非常に少なくなる。また、伝
送線路を直流的にコモンとすることができるので、他の
回路との接続の際の直流阻止用のキャパシタが不要とも
なる。
路と同一面に形成されるので、ダイオード搭載のための
基板分割は不要で、チップマウント用台座をも必要なく
、よって組立のバラツキが非常に少なくなる。また、伝
送線路を直流的にコモンとすることができるので、他の
回路との接続の際の直流阻止用のキャパシタが不要とも
なる。
第１図は本発明の一実施例のマイクロ波ダイオードスイ
ッチ回路を示す図、第２図は第１図のダイオード搭載部
分の断面図、第３図は従来のマイクロ波ダイオードスイ
ッチ回路を示す図、第４図は第３図のダイオード搭載部
分の断面図である。 ■・・・ストリップ線路、２・・・溝、３・・・チップ
マウント用台座、４・・・ＰＩＮダイオードチップ、５
・・・ワイヤ、６・・・誘電体基板、７・・・キャリア
、８・・・キャパシタ、９・・・バイアス端子、１０・
・・扇形の２波長開放スタブ、１１・・・バイアス端子
、１２・・・直流リターン用チョーク。
ッチ回路を示す図、第２図は第１図のダイオード搭載部
分の断面図、第３図は従来のマイクロ波ダイオードスイ
ッチ回路を示す図、第４図は第３図のダイオード搭載部
分の断面図である。 ■・・・ストリップ線路、２・・・溝、３・・・チップ
マウント用台座、４・・・ＰＩＮダイオードチップ、５
・・・ワイヤ、６・・・誘電体基板、７・・・キャリア
、８・・・キャパシタ、９・・・バイアス端子、１０・
・・扇形の２波長開放スタブ、１１・・・バイアス端子
、１２・・・直流リターン用チョーク。
Claims (1)
- （１）誘電体基板上のストリップ線路が形成された面に
扇形１／４波長開放スタブを高周波接地用として形成し
、該スタブ上にダイオードを搭載接続して、該ダイオー
ドの他端を上記ストリップ線路にワイヤ接続したことを
特徴とするマイクロ波ダイオードスイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61097347A JPS6354801A (ja) | 1986-04-26 | 1986-04-26 | マイクロ波ダイオ−ドスイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61097347A JPS6354801A (ja) | 1986-04-26 | 1986-04-26 | マイクロ波ダイオ−ドスイツチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6354801A true JPS6354801A (ja) | 1988-03-09 |
Family
ID=14189947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61097347A Pending JPS6354801A (ja) | 1986-04-26 | 1986-04-26 | マイクロ波ダイオ−ドスイツチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6354801A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5109205A (en) * | 1990-11-08 | 1992-04-28 | Honeywell Inc. | Millimeter wave microstrip shunt-mounted pin diode switch with particular bias means |
| US6046659A (en) * | 1998-05-15 | 2000-04-04 | Hughes Electronics Corporation | Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications |
| CN105024114A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-11-04 | 东南大学 | 一种基于微带线阻抗转换原理的外力驱动开关 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5590102A (en) * | 1978-12-22 | 1980-07-08 | Thomson Csf | Ultra high frequency diode phase shifter and electron scanning antenna having same |
-
1986
- 1986-04-26 JP JP61097347A patent/JPS6354801A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5590102A (en) * | 1978-12-22 | 1980-07-08 | Thomson Csf | Ultra high frequency diode phase shifter and electron scanning antenna having same |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5109205A (en) * | 1990-11-08 | 1992-04-28 | Honeywell Inc. | Millimeter wave microstrip shunt-mounted pin diode switch with particular bias means |
| US6046659A (en) * | 1998-05-15 | 2000-04-04 | Hughes Electronics Corporation | Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications |
| US6331257B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-12-18 | Hughes Electronics Corporation | Fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications |
| CN105024114A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-11-04 | 东南大学 | 一种基于微带线阻抗转换原理的外力驱动开关 |
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