JP2000278002A - 誘電体フィルタ - Google Patents

誘電体フィルタ

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JP2000278002A
JP2000278002A JP11079363A JP7936399A JP2000278002A JP 2000278002 A JP2000278002 A JP 2000278002A JP 11079363 A JP11079363 A JP 11079363A JP 7936399 A JP7936399 A JP 7936399A JP 2000278002 A JP2000278002 A JP 2000278002A
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JP
Japan
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dielectric
conductor
resonators
dielectric substrate
short
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JP11079363A
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English (en)
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Takashi Nihei
高司 仁平
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Toko Inc
Original Assignee
Toko Inc
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 Qを低下させることなく、共振器間の結合を
調整する。 【解決手段】 共振器間の誘電体基板の貼り合わせ面
に、短絡端面あるいは短絡端面と開放端面を接続するよ
うに伸びる導体パターンを形成し、この共振器間の導体
パターンを中央部で広く、端部で狭く形成する。インタ
ーディジタル型の場合、中央部で容量性の結合が大きく
なり、端部で誘導性の結合が強くなる。端部の導体パタ
ーンの幅を狭くしたので磁界の遮断量も小さくなり、誘
導性の結合を大きくできる。全体的な結合量は中央部の
容量性結合で決められ、誘導性の結合によって高いQを
確保できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体フィルタの
構造に係るもので、特に、その共振器間の結合を調整し
て所望の特性を得るための導体パターンの構造に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】UHF帯からマイクロ波帯といった高周
波領域において各種の誘電体フィルタが用いられてい
る。その中でも、貫通孔を具えてその部分に内導体が形
成され、外周面に外導体が形成されたTEM共振器を組
み合わせた誘電体フィルタが多く用いられている。個別
の共振器を接続して構成するものと、誘電体のブロック
に一体化されたものとがある。
【0003】それらの誘電体フィルタにおいては、入出
力の結合容量を入出力段の共振器の内導体との間で形成
しなければならない。この結合容量を得る手段として、
コンデンサを接続したり、コンデンサを形成した誘電体
基板を用いる方法がある。また、誘電体を被覆した金属
棒を内導体の形成された貫通孔内に挿入したり、内導体
の近傍の誘電体に設けた孔に金属棒を挿入したり、外周
面に外導体と別の金属皮膜を形成したりする方法があ
る。
【0004】誘電体フィルタの分野でも、小型化、薄型
化の要求があり、また、周波数帯の上昇にしたがって波
長が短くなるため寸法も小さくしなければならない。そ
れに伴って入出力結合容量を得ることも難しくなる。そ
こで、特開平6-125204号において、二枚の誘電体基板を
貼り合わせ、その貼り合わせた面に導体パターンを形成
して、インピーダンス整合点に直接入出力用の導体パタ
ーンを接続する誘電体フィルタが提案されている。ま
た、共振器間の結合を調整して帯域通過特性を調整する
ことも試みられている。
【0005】図2は、その誘電体フィルタの一例の組立
前の平面図である。二本の平行な凹溝を具えた第一の誘
電体基板(図示せず)の凹溝のある面に貼り合わせる平
板の第二の誘電体基板21を示したものである。内導体の
一部となる導体パターン22、24が平行に形成され、入出
力端子と接続される導体パターン23、25がインピーダン
ス整合点から引き出される。近接した共振器間の結合を
調整するために導体パターン26が接合面を横切って形成
される。これと凹溝を有する誘電体基板を接合すること
によって、二本の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロック
が形成される。
【0006】図3は接着後に導体膜を形成した誘電体フ
ィルタを示す斜視図である。誘電体基板が接着されてな
る誘電体ブロックに貫通孔37が形成された構造となって
いる。この貫通孔37内には内導体が形成され、その貫通
孔37の伸びる方向に平行な外周面には外導体38が形成さ
れる。外導体に囲まれた端子電極39が形成され、図2に
示した導体パターン23、25が接続される。この例では、
インターディジタル型のフィルタとなっており、図2の
導体パターン26は両端が短絡導体に接続されることにな
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、共振器
間に結合調整用の導体パターンを形成して近接する共振
器間の結合を弱める手段が採られる。この導体パターン
によって、容量性の結合と誘導性の結合の双方が弱めら
れて全体的な結合量が調整される。
【0008】容量性の結合の調整を十分に行うために
は、導体パターンの幅を十分に大きくする必要がある。
しかし、導体パターンの幅を大きくするとQの劣化を生
じることが分かった。これは、誘導性の結合を生じる磁
界の結合が導体パターンによって遮断されるためである
ことが分かった。本発明は、容量性の結合を十分に調整
することができるとともに、誘導性の結合の調整量を小
さくしてQの良好な誘電体フィルタを提供するものであ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、共振器間の導
体パターンを改良することによって、上記の課題を解決
するものである。
【0010】すなわち、二枚の誘電体基板が接着されて
複数の共振器が一体に形成された誘電体フィルタにおい
て、直線的に伸びる複数の平行な凹溝を具えた第一の誘
電体基板の、凹溝のある表面上に平板の第二の誘電体基
板が接着されて複数の貫通孔が形成された誘電体ブロッ
クが形成され、貫通孔内の表面に内導体が形成され、第
一の誘電体基板と第二の誘電体基板の接着面に対向する
それぞれの表面と、凹溝の伸びる方向に平行な両端面に
外導体が形成され、貫通孔の開口する端面の一方に短絡
導体が形成されて複数の共振器が誘電体ブロック内に一
体に構成され、少なくとも一方の誘電体基板の接着面
に、両端の共振器の内導体と入出力端子を結合させる導
体パターンを具えるとともに、共振器間に位置して貫通
孔の開口する両端面を接続して短絡導体と接続される導
体パターンを具え、短絡導体と接続される導体パターン
の短絡導体側の幅が中央部分よりも狭く形成されたこと
に特徴を有するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】共振器間の導体パターンは中央部
で広く、端部で狭く形成してある。インターディジタル
型の場合、中央部で容量性の結合が大きくなり、端部で
誘導性の結合が強くなる。端部の導体パターンの幅を狭
くしたので磁界の遮断量も小さくなり、誘導性の結合を
大きくできる。全体的な結合量は中央部の容量性結合で
決められ、誘導性の結合によって高いQを確保できる。
【0012】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。
【0013】図1は、本発明による誘電体フィルタの一
例の組立前の平面図である。二本の平行な凹溝を具えた
第一の誘電体基板(図示せず)の凹溝のある面に接着す
る平板の第二の誘電体基板11を示したものである。これ
と凹溝を具えた誘電体基板を接着することによって、二
本の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロックが形成され
る。誘電体基板11の接着面にはあらかじめ内導体となる
導体パターン12、14を形成しておくが、これらの導体パ
ターン12、14のインピーダンス整合点から端子接続用の
導体パターン13、15を形成しておく。共振器間の位置に
結合調整用の導体パターン16を両端が対向する端面に引
き出されるようにして形成しておく。
【0014】なお、二枚の誘電体基板11、12が貼り合わ
された後に、図3に示したのと同様に、内導体、外導
体、端子電極が形成される。
【0015】導体パターン16は、中央部の幅を広くして
おき、端面側の幅はそれよりも大幅に狭くしておく。こ
の導体パターン16はアース電位に接続するために短絡端
面に引き出して短絡導体と接続する必要がある。この端
面側の幅を狭くするほどこの位置で強くなる誘導性の結
合を大きくすることができる。
【0016】誘電体フィルタとして2442MHz帯のフィル
タの結合調整用導体パターンの幅全体0.6mmとすると挿
入損失は2.67dBであった。それに対して結合調整用導体
パターンの両端から1.5mmの所までの幅を半分の0.3mmと
すると、挿入損失は2.44dBとなった。このように、約0.
2dB挿入損失が改善されたことは、Qが改善されたこと
を意味している。
【0017】本発明は上記の例に限られるものではな
く、誘電体基板を接合し、その接合面に結合調整用の導
体パターンを具える誘電体フィルタ全般に適用できる。
インターディジタル型に適しているがこれに限られるも
のではない。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体共振器間の誘導
性の結合を維持したまま容量性の結合を調整できる。し
たがって、Qの値を高く維持したまま任意の帯域通過特
性を得ることができる。
【0019】また、導体パターンの形状を変えるのみで
実現できるので、小型で廉価な誘電体フィルタが得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例の平面図
【図2】 従来の誘電体フィルタ例の平面図
【図3】 従来の誘電体フィルタの斜視図
【符号の説明】
11、21:誘電体基板 12、14:(内導体)導体パターン 16、26:(結合調整用)導体パターン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 二枚の誘電体基板が接着されて複数の共
    振器が一体に形成された誘電体フィルタにおいて、直線
    的に伸びる複数の平行な凹溝を具えた第一の誘電体基板
    の、凹溝のある表面上に平板の第二の誘電体基板が接着
    されて複数の貫通孔が形成された誘電体ブロックが形成
    され、貫通孔内の表面に内導体が形成され、第一の誘電
    体基板と第二の誘電体基板の接着面に対向するそれぞれ
    の表面と、凹溝の伸びる方向に平行な両端面に外導体が
    形成され、貫通孔の開口する端面の一方に短絡導体が形
    成されて複数の共振器が誘電体ブロック内に一体に構成
    され、少なくとも一方の誘電体基板の接着面に、両端の
    共振器の内導体と入出力端子を結合させる導体パターン
    を具えるとともに、共振器間に位置して貫通孔の開口す
    る両端面を接続して短絡導体と接続される導体パターン
    を具え、短絡導体と接続される導体パターンの短絡導体
    側の幅が中央部分よりも狭く形成されたことを特徴とす
    る誘電体フィルタ。
  2. 【請求項2】 導体パターンが平板の誘電体基板に形成
    された請求項1記載の誘電体フィルタ。
  3. 【請求項3】 短絡導体が隣接する共振器で互いに逆方
    向に形成されたインタディジタル型に構成された請求項
    1記載の誘電体フィルタ。
JP11079363A 1999-03-24 1999-03-24 誘電体フィルタ Pending JP2000278002A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108134164A (zh) * 2017-11-24 2018-06-08 北京遥感设备研究所 一种硅基微小型mems滤波器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN108134164A (zh) * 2017-11-24 2018-06-08 北京遥感设备研究所 一种硅基微小型mems滤波器

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