JPH0195601A - ストリップ線路の直流阻止回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く本発明の産業上の利用分野〉 本発明は、ストリップ線路の直流成分の伝送を阻止する
ストリップ線路の直流阻止回路に関する。

〈従来技術〉（第８図） 電子機器のうち特にマイクロ波等の高い周波数を扱う掘
器では、その信号伝送路として、構成が容易で量産性お
よび信頼性が高いことからストリップ線路が多く用いら
れている。

ストリップ線路を用いて電子回路を構成する場合、半導
体（トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等）に与えるバイ
アス電流、電圧等の直流成分を阻止するために、ストリ
ップ導体の途中を溝状に切断し、この切断部をまたぐよ
うにコンデンサを接続して直流阻止回路を構成しており
、これによって必要な交流信号のみを伝送することがで
きる。

このような目的で使用されるコンデンサとしては、特に
マイクロ波等の高周波において損失の少ない誘電材で矩
形平板状に形成され、誘導損失分の少ないチップ型のコ
ンデンサが多く用いられている。

第８図は、このようなコンデンサを用いたマイクロスト
リップ線路の直流阻止回路の一例を示す図である。

図において、このマイクロストリップ線路は、所定厚の
誘電体基板１の一方面（底面）に接地導体２が形成され
、他方面（上面）には所定幅のストリップ導体３がエツ
チング等によって形成されている。

このストリップ線路の特性インピーダンス２゜は、この
誘電体基板１の材質（誘電率）や厚さおよびストリップ
導体の幅Ｗによって、例えば５００等に予め決められて
いる。

ストリップ導体３は、その長平方向と直交するスリット
状の切断部４によって切離されており、この切断部４を
はさむストリップ導体３の一方の端部３ａには、直流阻
止用のコンデンサ５が取付けられている。

このコンデンサ５は矩形平板状に形成され、その厚さ方
向に金蒸着等による電極面５ａ、５ｂが設けられており
、一方の電極面５ａをストリップ導体３の一方の端部３
ａの上面に当接するように、導電性接着材（図示せず）
等によって接着固定されている。

コンデンサ５の他方の電極面５ｂには、リボン状の接続
板６の一端側６ａが圧着されており、接続板６の他端側
６ｂは、切断部４をはさむストリップ導体３の他方の端
部３ｂの上面に接着固定されている。

したがって、このストリップ線路を伝送される信号のう
ちバイアス電源等からの直流成分は、コンデンサ５で阻
止され、交流成分（高周波成分）のみが伝送されること
になる。

く本発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記のようなストリップ線路で、マイク
ロ波帯だけでなく、数１０ＭＨｚから数１０ＧＨｚまで
の広帯域な信号を少な（＼減衰量で伝送するためには、
コンデンサ５は、その最低信号周波数（例えば２０ＭＨ
ｚ）に対応した大きな容量値（例えば１０００ｐＦ）も
つ必要があるが、前記のようなコンデンサ５で、大きな
容量値を得ようとする場合、−辺の大きさが比較的大き
い（例えば−辺が１．５ミリ程度）コンデンサを使用す
るか多数のコンデンサを並列使用しなければならない（
厚さを薄くすることには限界がある）。

ところが、マイクロ波等の高周波帯まで良好な誘電率を
示す基板材質は限られており（テフロン等）、この基板
を用いてストリップ線路による電子回路をできるだけ小
さく構成しようとすると、ストリップ導体３の幅は、非
常に細い（例えば誘電率εｒ＝２．２、厚さ０．２５４
ミリのテフロン基板で５０Ωのストリップ線路を形成し
ようとするとストリップ導体の幅は０．７５ミリとなる
）ものとなり、ストリップ導体３の幅よりもコンデンサ
５の一辺の方が大きくなってしまう。また、並列使用で
はストリップ導体３の幅をその接続部分だけ拡げなけれ
ばならない＝ このように、ストリップ導体に、その幅よりも大きな電
極面が接続されると、その部分のストリップ導体の幅が
広くなったことと等価になってしまい、ストリップ線路
の特性インピーダンスが著るしく異なるものとなり、高
い周波数帯での挿入摸失や反射減衰量（リターンロス）
等の特性が著るしく悪化して広帯域な伝送特性を得るこ
とができないという問題があった。

本発明は、この問題を解決したストリップ線路の直流阻
止回路を提供することを目的としている。

く前記問題点を解決するための手段〉 前記問題点を解決するために、本発明のストリップ回路
の直流阻止回路では、ストリップ導体を切断する切断部
に、このストリップ導体の長さ方向にほぼ沿ってこのス
トリップ導体を溝状に切断する縦走部を形成し、ストリ
ップ導体幅より厚さの薄い平板状のコンデンサをこの縦
走部に沿って立て、縦走部をはさむストリップ導体に、
電極面をそれぞれ電気接続している。

く作用〉 したがって、コンデンサの接続によってストリップ導体
の幅が広がることなく、直流成分の阻止と広帯域な伝送
を行なうことができる。

く本発明の実施例〉（第１〜３図） 以下図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。

第１図は、本発明をマイクロストリップ線路に適用した
直流阻止回路を示す斜視図であり、第２図は、第１図の
上面図である。第３図は、第２図の■−■断面図である
。

このマイクロストリップ線路は、特性インピーダンスｚ
０が５０Ωになるように厚さ０．２５４ミリのテフロン
からなる誘電体基板１０によって形成されており、その
下面には接地導体１１が全面に形成されている。

誘電体基板１０の上面には、幅が０．７５ミリのストリ
ップ導体１２が形成されており、このストリップ導体１
２は、その途中を溝状の切断部１３によって切離されて
いる。

この切断部１３は第２図に示すように、ストリップ導体
１２の長手方向と直交して側方からストリップ導体１２
を切断する横断部１３ａと、ストリップ導体１２の幅中
心で、その長手方向と平行にストリップ導体１２を切断
する縦走部１３ｂとがクランク状に所定の＠（斜えば０
．１５ミリ）で連続して形成されている。

この縦走部１３ｂには、その切断方向に沿って矩形平板
状のコンデンサ１５が立てられている。

このコンデンサ１５は、このストリップ線路に２０ＭＨ
ｚ〜数１０ＧＨｚの広帯域な信号を伝送するために必要
な容量（例えば’１００ＯｐＦ＞を有しており、その−
辺の寸法は前述したようにほぼ１，５ミリであり、その
厚さは０．２ミリ程度である。

コンデンサ１５の厚さ方向の両面には、金蒸着等によっ
て電極面１６．１６が形成されており、この電極面１６
．１６の下端部は、切断部１３の縦走部１３ｂをまたぐ
ようにして、この縦走部１３ｂをはさむストリップ導体
１２の端部１２ａ１１２ａ上面に当接してりる。

電極面１６．１６の下端部には、それぞれ断面り字状の
接続片１７．１７の直立部１７ａ、１７ａが圧管されて
おり、その水平部１７ｂ、１７ｂは、ストリップ導体１
２の端部１２ａ、１２ａの上面に導電性接着材（図示せ
ずン等によって電気的に接続されている。

したがって、このマイクロストリップ線路には、コンデ
ンサ１５によって直流成分の信号が阻止され、交流成分
のみが伝送されることになる。

なお、コンデンサ１５の取付によって、このストリップ
導体１２の幅は拡がらず、特性インピーダンスの変化は
少なく低い周波数から高い周波数の信号が効率よく伝送
される。

次に上記の実施例のストリップ線路と、上記実施例と同
一のストリップ導体幅で同一のコンデンサ１５を用いた
従来のストリップ線路の周波数に対する挿入損失および
反射減衰量の実理結果を第４図、第５図に示す。

第４図は、周波数に対２するこの伝送路の挿入損失の変
化を示すグラフであり、破線Ａで示す従来回路の挿入損
失が高周波領域＜１０Ｇ〜２０ＧＨ２）で大゛きく変化
しているのに対し、実線Ｂで示す本実施例の回路では、
大きな変化はなく一定の傾きで損失が増加しているのみ
である。

なお、この損失の増加は、ストリップ線路自体の挿入損
失であり、本実施例の回路では、コンデンサ１５の実装
による損失は非常に少ない。

また、第５図は周波数に対するこの伝送路の反射減衰量
を示すグラフであり、伝送路の特性インピーダンスの５
０Ωに対する整合状態を示すものである。

この図において、破線Ｃで示す従来回路の反射減衰量が
、２ＧＨｚ付近からほぼ単調に大きく減少（グラフでは
上昇）しているのに対し、実？ＪＤで示す本実施例の回
路では、数ケ所で反射減衰量の減少がみられるが、その
ピーク値でも平均で５６３はど従来回路より改善されて
おり、その間の周波数帯では、大きな反射減衰量が得ら
れている。

なお、周波数の低い部分（２０〜８０ＭＨｚまでの部分
）では、本実施例の回路および従来回路とも、反射減衰
量が少なく示されているが、これは、コンデンサ１５の
容量値（１０００ｐＦ）に起因するものである。

く本発明の他の実施例〉（第６〜７図）なお、上記実施
例では、ストリップ導体１２の切断部１３にこのストリ
ップ導体と平行な縦走部１３ｂを形成していたが、これ
は、第６図に示すように、ストリップ導体２２の長手方
向に沿って斜めに切断する縦走部２３を形成して、この
縦走部２３をまたぐようにコンデンサ２５を立てるよう
にしてもよ一＼。

さらに、コンデンサの容量値を増加させて、さらに低い
周波数の信号までを伝送する場合、第７図＜８）に示す
ように、ストリップ導体３２を長い縦走部３３ｂで切断
して、２つのコンデンサ３５．３５をこの縦走部３３ｂ
に沿って立て、２倍の容量値を得ることも可能である。

また、第７図（ｂ）に示すように、ストリップ導体４２
の端部４２ａ１４２ｂを凹凸状に切断する切断部４３を
形成して、２つの縦走部４３ｂ１４３ｂにそれぞれコン
デンサ４５．４５を立てるようにしても２倍の容量値が
得られる。また、第７図（ａ）と第７図（１））の方法
を併用してさらに多くのコンデンサを並列接続して、大
きな容量値を得ることもできる。

なお、上記実施例では、５０Ω系のテフロン基板による
マイクロストリップ線路に本発明を適用しているが、他
の基板や他の特性インピーダンスのストリップ線路ある
いは他のストリップ線路（例えば遮へい形ストリップ線
路等）についても同様に適用できる。

く本発明の効果〉 以上のように、本発明のストリップ線路の直流阻止回路
では、ストリップ導体を切断する縦走部に沿って平板状
のコンデンサを立てるように接続しているため、ストリ
ップ導体の等価的な幅の拡がりがなく、線路の特性イン
ピーダンスに対する不整合が抑制され、広帯域な伝送特
性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第
１図の上面図、第３図は第２図のｌｌｌ−１断面図であ
る。 第４図および第５図は、本実施例の回路と従来回路の周
波数に対する特性を示すグラフである。 第６図、第７図（ａ）および第７図（ｂ）は、本発明の
他の実施例を示す上面図である。 １３・・・・・・切断部、１３１）・・・・・・縦走部
、１５・・・・・・コンデンサ、１６・・・・・・電極
面。 特許出願人　　　　　アンリツ株式会社代理人　　弁理
士　　早　川　誠　志 第３図 第４図 周波数□　（Ｈｚ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　所定幅のストリップ導体を切断部によつて電気的に切
   離し、前記ストリップ導体の幅より小なる厚さを有し該
   厚さ方向に電極面を有する平板状のコンデンサを前記切
   断部に介装して、直流成分の伝送を阻止するストリップ
   線路の直流阻止回路であって、 前記切断部は、前記ストリップ導体をその長さ方向にほ
   ぼ沿つて溝状に切断する縦走部を有し、前記コンデンサ
   は、前記縦走部に沿つて立てられ、前記電極面は前記縦
   走部をはさむストリップ導体にそれぞれ電気接続されて
   いることを特徴とするストリップ線路の直流阻止回路。