JPS6354432A - 高分子電導体の製造法 - Google Patents

高分子電導体の製造法

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JPS6354432A
JPS6354432A JP61245489A JP24548986A JPS6354432A JP S6354432 A JPS6354432 A JP S6354432A JP 61245489 A JP61245489 A JP 61245489A JP 24548986 A JP24548986 A JP 24548986A JP S6354432 A JPS6354432 A JP S6354432A
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film
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vacuum
treated
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Haruo Yoshida
晴雄 吉田
Nobuo Uotani
魚谷 信雄
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Showa Denko KK
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  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、プリキノリン類を熱処理することによる新規
な高分子電導体の製造法に関し、電子回路用素子、各種
センサー材料等に有用な熱的および化学的安定性に優れ
た可撓性を有する高分子電導体の製造法に関する。
従来の技術 近年、電気・電子機器の軽量化・薄形化あるいは小型化
の進歩は著しく、それらに用いられる各種電導性材料に
ついても、より優れた新規材料の出現に強い期待が持た
れている。これらの要望あるいは期待全溝たすべく、新
しい電導性高分子化合物の開発が盛んに行われている。
例えば、t? IJアセチレンはヨウ素あるいは五フッ
化ヒ素などをドーピングすることによシ、102〜10
3S/cntもの高い電導度を示すことが知られている
〔例えばシンセティック・メタルズ(5yntheti
c Metalg ) 、第1巻2号、101頁(19
79/1980年)参照〕。
しかしながら、ポリアセチレンはそれ自体酸化され易く
、またドーピングしたポリアセチレンは湿気に対しても
極めて敏感であり、長期間にわたって高電導性を維持す
ることは極めて困難であるという欠点を持っている。
この欠点を解消し、かつ高電導性を維持する方法として
、高分子化合物全熱処理することにより、炭素質化する
試みがなされている。これらの例としては、ポリアクリ
ロニトリル系重合体を熱処理する方法(特開昭60−2
35709号公報)、芳香族ポリイミドを熱処理する方
法〔ソリッド・ステート・コミュニケーション(5ol
id 5tate Commun、)、第35巻、13
5頁(1980年〕、あるいは特開昭50−18112
9号公報〕、芳香族ポリアミド全熱処理する方法(特開
昭57−163909号公報)、芳香族ポリアミドイミ
ドを熱処理する方法(特開昭57−34604号公報)
などがあげられる。
これらの高分子化合物を用いて高電導度の高分子電導体
を得ようとする場合、熱処理過程において高分子鎖が縮
合、分解、再結合を伴ないつつ、炭素質化が進行する。
しかしながら、例えばポリアクリロニトリル繊維を高温
で熱処理することにより、炭素繊維とする方法が公知で
あるが、得られる炭素繊維の電導度は低く、3000℃
で熱処理を行っても黒鉛化は十分ではない。
このように、用いる高分子化合物によっては熱処理する
ことにより炭素質化することは可能でありても、黒鉛化
するとは限らない。他の黒鉛化の例としてはピッチのメ
ソフェーズの配向のし易さ全利用して繊維化した後、高
温で熱処理することにより、炭素繊維とする方法がある
が、この方法では繊維状の成形体に限定され、よυ巾広
い用途で求められるフィルム状のものは得られない欠点
がある。さらに、Iす(1,4−フェニレン−1,3゜
4−オキサジアゾール〕のフィルムを黒鉛化する方法が
知られている。しかし、この方法は1.t? IJ(1
,4−フェニレン−1,3,4−オキサジアゾール〕の
フィルムを黒鉛化するためには2800℃以上の高温を
必要とする〔吉相ら、ポリマープレプリンツ、ジa、 
)4ン(Polymerpreprints Japa
n )、第34巻、第10号、2949頁(1985年
)〕ことから、熱処理に際しての装置上の制約を受けざ
る全得す、また黒鉛化後の重量存在率を示す炭化収率も
60%以下であり低いものであった。
本発明は、上記従来技術の種々の問題点を解決すべくな
されたものであって、ポリキノリン類全真空中または不
活性ガス雰囲気中で熱処理することによシ容易に黒鉛化
が進行し、可撓性のある高分子電導体が得られると共に
、さらにドーピングにより、電導度が向上することを見
出して、本発明を達成したものである。
即ち、本発明は、ポリキノリン類を真空中または不活性
ガス雰囲気中で1200℃以上2800℃以下の温度で
熱処理することを特徴とする高分子電導体の製造法に関
する。
また、本発明は、ポリキノリン類を真空中または不活性
ガス雰囲気中で1200℃以上2800℃以下の温度で
熱処理して得られる熱処理物にドープセントをドープす
ることを特徴とする高分子電導体の製造法に関する。
本発明において使用されるポリキノリン類は、高分子主
鎖に繰返し単位としてキノリン骨格を有するものであっ
て、種々の方法で合成しうる周知の物質である。ポリキ
ノリン類の合成方法としては、例えば金属銅の存在下で
ショート置換誘導体をカップリングさせるウルマン反応
全利用する方法あるいはジクロロまたはジブロモ置換誘
導体tノ!ラジウムあるいはニッケル錯体を用いて還元
金属の存在下カップリングさせる方法が知られている。
しかしながら、これらの方法は、組合わせ可能なジハロ
置換誘導体をカップリングさせる方法としては有効では
あるものの、成形するに足る十分な分子情ヲ有するポリ
キノリン類を得るには適切な方法ではない。ポリキノリ
ン類を合成する好ましい方法としては、適当な酸または
塩基性の溶媒中で適当なアミノジアシルベンゼンを自己
縮合させる方法、あるいは適当なジアミノ・シアシルベ
ンゼンと適当なジケトンとを縮合させる方法が知られて
おり、ジェー・ケー・ステイル(J、 K、 5til
le )らノ、例工ばポリマー・プレプリンツ・ニー・
シー・ニス・ポリマー・ケミストリー・ディビジョン(
Polymer Preprints、 AC3Pol
ymer Chem、 Div+)、第17巻、第1号
、41頁(1976年)、あるいはマクロモレキュール
ス(Macromolecules )、第14巻、第
3号、870頁(1980年〕などに記載されている方
法をあげることができる。本発明に好適なポリキノリン
類としては、ポリ(2,6−(4−フェニル)キノリン
〕、ポリ[2,6−[4−(4’−クロルフェニル)キ
ノリン])1.t?IJl:2.6−[4−(4′−メ
トキシフェニル)キノリン])、=1?すC2+2’−
(pop’−ビフェニレン) −6,6’−ピ[4−(
4−(4−フェノキシフェニル)フェニル〕キノリン]
]、ポリ(2−(p−フェニレン)−6−(4−フェニ
ル)キノリン〕など全あげることができる。
これらのポリキノリン類は、溶融成形は困難であるため
、ポリキノリン類の溶液を調製し、公知の方法で繊維あ
るいはフィルムなどの成形品とする。
2リギノリン類綺溶液を調製するために使用する溶媒は
、使用するポリキノリン類の種類により、使用できる溶
媒が異なるため、−概には規定できないが、一般にはm
−クレゾールと五酸化リンの反応生成物、濃硫酸、トリ
フルオロ酢酸、ギ酸などの強酸系溶媒音用いることがで
きる。ポリキノリン類の溶液は、ポリキノリン類全合成
し2てから上記溶媒に溶解して調製してもよいし、また
上記溶媒中重合に用いうる溶媒の存在下でキノリン類を
重合して調製してもよい。
ポリキノリン類の溶液は、紡糸用ノズル、T−ダイまた
はスリ、トノズルなどに用いて賦型し、次いで乾式法あ
るいは湿式法で脱溶媒することにより、繊維あるいはフ
ィルムなどの成形品とする。
このようにして得られるポリキノリン類の磯維の太さあ
るいはフィルムの厚さは、ポリマー濃度、キャスト厚、
ノズル径、スリットノズルのスリット間隔あるいは吐出
景などにより調製することができる。本発明で用いられ
る成形品のうちでは殊にフィルム状のものが好ましく、
その厚さとしては0.1μm以上100μm以下のもの
が好ましい。
フィルム厚が0.1μm未満では、次に行なう熱処理の
際に収縮が激しいばかりでなく、得られるフィルムの強
度が不十分でちる。また、フィルム厚が100μmf超
える場合は、熱処理時間が長くなるばかりでなく、フィ
ルムとしても脆いものとなフィルムは、真空中あるいは
不活性ガス雰囲気中で熱処理する。この際、無張力下で
熱処理しても、容易に黒鉛化が進行し、可撓性のある電
導体が得られるが、予じめ700℃以下、好ましくは6
50℃以下の温度で張力をかけながら熱固定を行った後
、高温で熱処理全行うと、フィルムにより可撓性を持た
せることができると共に、より高い電導度を有す電導体
とすることができる。張力をかける場合、フィルム厚お
よび張力にもよるが7001:を超える温度では破断し
易い。張力としては、0.05 kg/副2〜5 kl
//m2、好ましくは0.1kg/m2〜3 ky/c
rn2である。0.05 kg/cm”未満の張力では
、実質上、張力をかけた効果がみられず、5 kg/c
m2を超える張力では破断が起き易く、また伸長方向に
沿って亀裂が生じ易くなるので好ましくない。
本発明において使用される4リキノリン類は、熱処理の
際に400℃から600℃の間で熱分解反応を開始する
。この挙動は前記芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミド
イミド、芳香族ポリイミドなどの高分子化合物と同様で
あるが、これら高分子化合物が黒鉛化するのには少なく
とも2500℃以上の熱処理を必要とするのに対し、本
発明において使用されるポリキノリン類は例えば200
0℃での熱処理によシ、すでに殆んど黒鉛化する特徴を
有する。また、前記芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミ
ドイミド9、芳香族ポリイミドなどの高分子化合物の炭
化収率は、例えば2000℃の熱処理で50%未満まで
低下するのて対し、本発明において使用されるポリキノ
リン類は2500℃の熱処理でも601以上の高い炭化
収率全示す特徴を有する。
熱処理温度は、1200℃以上2800℃以下、好まし
くは1300℃以上2500℃以下である。
ポリキノリン類から成形されたフィルムの熱処理温度が
1200℃未満では、黒鉛化のみならず、炭素質化も不
十分なため、フィルムはかえって脆くなり、かつ電導度
も低く、好ましくない。一方、熱処理温度が2800℃
よシ高い場合には、実質上問題はないが、装置上の制約
と共に、例えば黒鉛発熱体タンマン炉などを使用する場
合では、黒鉛発熱体の消耗が激しく経済的に好ましくな
い。
また、2リキノリン類から成形されたフィルムの熱処理
を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行なわない場合
には、フィルムが酸化劣化を受け、脆くなるため好まし
くない。熱処理時間は、フィルム厚あるいは熱処理温度
にもよるが、所定の温度に到達後、5分〜5時間、好ま
しくは10分〜3時間である。5分未満では、熱処理が
不十分であり、5時間を超えた場合は、実質上問題はな
いが、経済的でない。
このように熱処理して得られたフィルムは、それ自体電
導性を有するが、この熱処理したフィルムにドープセン
トをドープすることにより、さらに電導塵を高めること
ができる。ドーパントをドープさせる方法としては、化
学的ドーぎング、電気化学的ドーピング、イオンインプ
ランテーションなど公知の方法を採用することができる
。ドーパントとしては、ナトリウムナフタレン、カリウ
ムナフタレン、リチウムアントラセン、カリウムアミド
、ナトリウムピフェニルなどのドナー性ドーパントの他
に無水硫酸、クロルスルホン酸、硝酸、臭素、ヨウ素、
塩化アルミニウム、塩化第二鉄、五酸化アンチモン、五
フッ化ヒ素などのアクセッター性ドー・4ントを用いる
ことができるが、必ずしもこれらに限定されるものでは
ない。
ドーピング量は特に制限はないが、好ましい含有量は熱
処理物の重量に基づいて0.14〜150%、特に好ま
しくは10%〜100チである。
実施例 以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが
、本発明はこれによって制限されるものではない。
実施例1 精製m−クレゾール25m1.五酸化リン10.711
を内部を窒素置換した1 00 atのガラス封管中に
入れ、140℃で2.5時間、窒素気流下で反応させた
。ガラス封管を室温まで冷却した後、4−アミノ−3−
ベンゾイルアセトフェノン5f!、精製メタクレゾール
8 rttlを加え、凍結−真空脱気−溶融のサイクル
を3回繰返した後、真空下、溶封した。次いで、溶融封
管を120℃に保持して48時間反応させ、暗赤色のポ
リ(2,6−(4−フェニル)キノリン〕溶液を得た。
封管を破断し、内部のポリマー溶液を10係のトリエチ
ルアミンを含む95係変性エタノール溶液に加えること
により、螢光を有する黄色の粗生成物を得た。次いで、
粗生成物を10係のトリエチルアミンを含む95チ変性
エタノールで14時間ソックスレー抽出することによっ
て重合溶媒を除去した後、100℃で一夜真空乾燥して
4.24Iのポリ(2,6−(4−フェニル)キノリン
〕ヲ得た。
ポリ〔2,6−(4−フェニル)キノリンフ0.5It
ギ酸9.5gに溶解し、ガラス板上にノ4−コーターを
用いてキャストして風乾後、100℃で8時間真空乾燥
することにより、30μmの厚さを有する黄色のフィル
ムを得た。このフィルムの4端子法での室温型導度は1
O−10S/crn以下でありた。
次に、と9フイルムを2 kg7cm2の張力をかけな
がら、アルゴン雰囲気中、赤外線イメージ炉で10℃/
分の昇温速度で600℃迄加熱した。得られた黒色のや
や脆いフィルムを縦割すした黒鉛製丸棒の間に挾み、引
続き黒鉛発熱体タンマン炉でアルゴン雰囲気中、20℃
/分の昇温速度で加熱し、1400℃、2000℃、2
500℃の各熱処理温度で15分保持することにより、
銀灰色の可撓性のある熱処理フィルムを得た。これらの
フィルムの反射法によるX線回折/母ターンは黒鉛と同
様に(002) 、 (004)及び(006)面の回
折線のみが得られた。
第1表に各試料の熱処理後の炭化収率、4端子法での室
温型導度、X線回折の(002)での面間距離、フィル
ム端部での電子顕微鏡写真の観察結果及び熱処理後の膜
厚を示した。なお、X線回折は理学電機製ロータフレッ
クスRU−200型X線回折計’&用い、(002)面
での回折線を用いた面間距離は単振法により結晶シリコ
ンを対照として計算した。また、走査型電子顕微鏡は日
立5530型走査型電子顕微鏡全用いた。
第 1 表 実施例2 実施例1で得九各処理温度での熱処理物を脱水、脱酸素
したテトラヒドロフラン中でナトリウムナフタレンに2
4時間作用させ九後、乾燥テトラヒドロフランで良く洗
浄し、5時間真空乾燥することにより、ナトリウムをド
ーピングしたポリ(2,6−(4−フェニル)キノリン
〕熱処理物金得九。得られた各試料について実施例1と
同様に、4端子法による室温電導度を測定した。その結
果t−第2表に示した。
第  2  表 実施例3 実施例1で得た各処理温度での熱処理物に常法により室
温で24時間無水硫酸を気相からドーピングさせた。得
られ九各試料について実施例1と同様に、4端子法によ
る室温電導度を測定し九〇その結果を第3表に示した。
第  3  表 実施例4 実施例1と同様の方法で3,3′−ジベンゾイルペンチ
ジンと4,4′−ノアセチルビフェニルとを反応させる
ことにより、?す〔2・2’−(1)IP’−ビフェニ
レン) −6,6’−ビ(4−フェニル〕キノリン〕全
得た。次いで、トリフルオロ酢酸の5チ溶液からキャス
トすることにより、20μmの厚さのフィルムを得た。
このフィルムの室温電導度は1O−10S/6n以下で
あった。さらにとのフィルムを実施例1と同じ条件で熱
処理し、銀灰色の可撓性のある熱処理フィルム全得た。
このフィルムの反射法によるX線回折線は実施例1と同
様、2000℃以上の熱処理温度で黒鉛構造を示すもの
であり、その室温電導度及び実施例3と同様にして無水
硫酸全気相ドーピングした時の室温電導度は第4表に示
したとおりでありた。
第  4  表 比較例 デ、/ン社製の20μmの厚さ全方する芳香族ポリイミ
ドフィルム(商品名、カプトン〕を実施例1と同様の条
件で2000’C6るいは25001::で熱処理する
ことにより銀灰色の可撓性のある熱処理フィルムを得几
。第5表にその結果を示した。
第  5  表 第1表との対比からも明らかなように、4リキノリン類
は1400℃での熱処理品の構造は芳香族ポリイミドフ
ィルムの2000℃での熱処理品に相当するものであり
、このことから本発明の優位性が明らかである。
発明の効果 本発明におけるポリキノリン類の熱処理物は可撓性を保
持したまま容易に炭素質化が進行し、高い炭化収率で高
電導性材料にできるところに特徴があり、高電導性が求
められる各種の電気・電子材料用途に用いることができ
る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ポリキノリン類を真空中または不活性ガス雰囲気
    中で1200℃以上2800℃以下の温度で熱処理する
    ことを特徴とする高分子電導体の製造法。
  2. (2)ポリキノリン類を真空中または不活性ガス雰囲気
    中で1200℃以上2800℃以下の温度で熱処理して
    得られる熱処理物にドーパントをドープすることを特徴
    とする高分子電導体の製造法。
JP61245489A 1986-04-03 1986-10-17 高分子電導体の製造法 Expired - Fee Related JPH0788425B2 (ja)

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JP61-75612 1986-04-03
JP7561286 1986-04-03

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JPH0788425B2 JPH0788425B2 (ja) 1995-09-27

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3928750A1 (de) * 1988-09-06 1990-03-15 Calsonic Corp Verfahren zum herstellen eines metallenen substrats fuer einen katalytischen abgasreiniger
JP2004299919A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd グラファイト及びその製造方法

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