JPH0788425B2 - 高分子電導体の製造法 - Google Patents

高分子電導体の製造法

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JPH0788425B2
JPH0788425B2 JP61245489A JP24548986A JPH0788425B2 JP H0788425 B2 JPH0788425 B2 JP H0788425B2 JP 61245489 A JP61245489 A JP 61245489A JP 24548986 A JP24548986 A JP 24548986A JP H0788425 B2 JPH0788425 B2 JP H0788425B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ポリキノリン類を熱処理することによる新規
な高分子電導体の製造法に関し、電子回路用素子、各種
センサー材料等に有用な熱的および化学的安定性に優れ
た可撓性を有する高分子電導体の製造法に関する。
従来の技術 近年、電気・電子機器の軽量化・薄形化あるいは小型化
の進歩は著しく、それらに用いられる各種電導性材料に
ついても、より優れた新規材料の出現に強い期待が持た
れている。これらの要望あるいは期待を満たすべく、新
しい電導性高分子化合物の開発が盛んに行われている。
例えばポリアセチレンはヨウ素あるいは五フッ化ヒ素な
どをドーピングすることにより、102〜103S/cmもの高い
電導度を示すことが知られている〔例えばシンセティッ
ク・メタルズ(Synthetic Metals)、第1巻2号、101
頁(1979/1980年)参照〕。しかしながら、ポリアセチ
レンはそれ自体酸化され易く、またドーピングしたポリ
アセチレンは湿気に対しても極めて敏感であり、長期間
にわたって高電導性を維持することは極めて困難である
という欠点を持っている。
この欠点を解消し、かつ高電導性を維持する方法とし
て、高分子化合物を熱処理することにより、炭素質化す
る試みがなされている。これらの例としては、ポリアク
リロニトリル系重合体を熱処理する方法(特開昭60−23
5709号公報)、芳香族ポリイミドを熱処理する方法〔ソ
リッド・ステート・コミュニケーション(Solid state
Commun.)、第35巻、135頁(1980年)、あるいは特開昭
60−181129号公報〕、芳香族ポリアミドを熱処理する方
法(特開昭57−163909号公報)、芳香族ポリアミドイミ
ドを熱処理する方法(特開昭57−34604号公報)などが
あげられる。
発明が解決しようとする問題点 これらの高分子化合物を用いて高電導度の高分子電導体
を得ようとする場合、熱処理過程において高分子鎖が縮
合分解、再結合を伴ないつつ、炭素質化が進行する。し
かしながら、例えばポリアクリロニトリル繊維を高温で
熱処理することにより、炭素繊維とする方法が公知であ
るが、得られる炭素繊維の電導度は低く、3000℃で熱処
理を行っても黒鉛化は十分ではない。
このように、用いる高分子化合物によっては熱処理する
ことにより炭素質化することは可能であっても、黒鉛化
するとは限らない。他の黒鉛化の例としてはピッチのメ
ソフェーズの配向のし易さを利用して繊維化した後、高
温で熱処理することにより、炭素繊維とする方法がある
が、この方法では繊維状の成形体に限定され、より巾広
い用途で求められるフィルム状のものは得られない欠点
がある。さらに、ポリ(1,4−フェニレン−1,3,4−オキ
サジアゾール)のフィルムを黒鉛化する方法が知られて
いる。しかし、この方法は、ポリ(1,4−フェニレン−
1,3,4−オキサジアゾール)のフィルムを黒鉛化するた
めには2800℃以上の高温を必要とする〔吉村ら、ポリマ
ープレプリンツ、ジャパン(Polymerpreprints Japa
n)、第34巻、第10号、2949頁(1985年)〕ことから、
熱処理に際しての装置上の制約を受けざるを得ず、また
黒鉛化後の重量存在率を示す炭化収率も60%以下であり
低いものであった。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記従来技術の種々の問題点を解決すべくな
されたものであって、ポリキノリン類を真空中または不
活性ガス雰囲気中で熱処理することにより容易に黒鉛化
が進行し、可撓性のある高分子電導体が得られると共
に、さらにドーピングにより、電導度が向上することを
見出して、本発明を達成したものである。
即ち、本発明は、ポリキノリン類を真空中または不活性
ガス雰囲気中で1200℃以上2800℃以下の温度で熱処理す
ることを特徴とする高分子電導体の製造法に関する。
また、本発明は、ポリキノリン類を真空中または不活性
ガス雰囲気中で1200℃以上2800℃以下の温度で熱処理し
て得られる熱処理物にドーパントをドープすることを特
徴とする高分子電導体の製造法に関する。
本発明において使用されるポリキノリン類は、高分子主
鎖に繰返し単位としてキノリン骨格を有するものであっ
て、種々の方法で合成しうる周知の物質である。ポリキ
ノリン類の合成方法としては、例えば金属銅の存在下で
ジヨード置換誘導体をカップリングさせるウルマン反応
を利用する方法あるいはジクロロまたはジブロモ置換誘
導体をパラジウムあるいはニッケル錯体を用いて還元金
属の存在下カップリングさせる方法が知られている。
しかしながら、これらの方法は、組合わせ可能なジハロ
置換誘導体をカップリングさせる方法としては有効では
あるものの、成形するに足る十分な分子量を有するポリ
キノリン類を得るには適切な方法ではない。ポリキノリ
ン類を合成する好ましい方法としては、適当な酸または
塩基性の溶媒中で適当なアミノジアシルベンゼンを自己
縮合させる方法、あるいは適当なジアミノジアシルベン
ゼンと適当なジケトンとを縮合させる方法が知られてお
り、ジェー・ケー・スティル(J.K.Stille)らの、例え
ばポリマー・プレプリンツ・エー・シー・エス・ポリマ
ー・ケミストリー・ディビジョン(Polymer Preprints,
ACS Polymer Chem.Div.)、第17巻、第1号、41頁(197
6年)、あるいはマクロモレキュールス(Macromolecule
s)、第14巻、第3号、870頁(1980年)などに記載され
ている方法をあげることができる。本発明に好適なポリ
キノリン類としては、ポリ〔2,6−(4−フェニル)キ
ノリン〕、ポリ〔2,6−[4−(4′−クロルフェニ
ル)キノリン]〕、ポリ〔2,6−[4−(4′−メトキ
シフェニル)キノリン]〕、ポリ〔2,2′−(p,p′−ビ
フェニレン)−6,6′−ビ[4−(4−(4−フェノキ
シフェニル)フェニル)キノリン]〕、ポリ〔2−(p
−フェニレン)−6−(4−フェニル)キノリン〕など
をあげることができる。
これらのポリキノリン類は、溶融成形は困難であるた
め、ポリキノリン類の溶液を調製し、公知の方法で繊維
あるいはフィルムなどの成形品とする。
ポリキノリン類の溶液を調製するために使用する溶媒
は、使用するポリキノリン類の種類により、使用できる
溶媒が異なるため、一概には規定できないが、一般には
m−クレゾールと五酸化リンの反応生成物、濃硫酸、ト
リフルオロ酢酸、ギ酸などの強酸系溶媒を用いることが
できる。ポリキノリン類の溶液は、ポリキノリン類を合
成してから上記溶媒に溶解して調製してもよいし、また
上記溶媒中重合に用いうる溶媒の存在下でキノリン類を
重合して調製してもよい。
ポリキノリン類の溶液は、紡糸用ノズル、T−ダイまた
はスリットノズルなどを用いて賦型し、次いで乾式法あ
るいは湿式法で脱溶媒することにより、繊維あるいはフ
ィルムなどの成形品とする。このようにして得られるポ
リキノリン類の繊維の太さあるいはフィルムの厚さは、
ポリマー濃度、キャスト厚、ノズル径、スリットノズル
のスリット間隔あるいは吐出量などにより調製すること
ができる。本発明で用いられる成形品のうちでは殊にフ
ィルム状のものが好ましく、その厚さとしては0.1μm
以上100μm以下のものが好ましい。
フィルム厚が0.1μm未満では、次に行なう熱処理の際
に収縮が激しいばかりでなく、得られるフィルムの強度
が不十分である。また、フィルム厚が100μmを超える
場合は、熱処理時間が長くなるばかりでなく、フィルム
としても脆いものとなる。
フィルムは、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処
理する。この際、無張力下で熱処理しても、容易に黒鉛
化が進行し、可撓性のある電導体が得られるが、予じめ
700℃以下、好ましくは650℃以下の温度で張力をかけな
がら熱固定を行った後、高温で熱処理を行うと、フィル
ムにより可撓性を持たせることができると共に、より高
い電導度を有す電導体とすることができる。張力をかけ
る場合、フィルム厚および張力にもよるが700℃を超え
る温度では破断し易い。張力としては、0.05kg/cm2〜5k
g/cm2、好ましくは0.1kg/cm2〜3kg/cm2である。0.05kg/
cm2未満の張力では、実質上、張力をかけた効果がみら
れず、5kg/cm2を超える張力では破断が起き易く、また
伸長方向に沿って亀裂が生じ易くなるので好ましくな
い。
本発明において使用されるポリキノリン類は、熱処理の
際に400℃から600℃の間で熱分解反応を開始する。この
挙動は前期芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミ
ド、芳香族ポリイミドなどの高分子化合物と同様である
が、これら高分子化合物が黒鉛化するのには少なくとも
2500℃以上の熱処理を必要とするのに対し、本発明にお
いて使用されるポリキノリン類は例えば2000℃での熱処
理により、すでに殆ど黒鉛化する特徴を有する。また、
前記芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香
族ポリイミドなどの高分子化合物の炭化収率は、例えば
2000℃の熱処理で50%未満まで低下するのに対し、本発
明において使用されるポリキノリン類は2500℃の熱処理
でも60%以上の高い炭化収率を示す特徴を有する。
熱処理温度は、1200℃以上2800℃以下、好ましくは1300
℃以上2500℃以下である。
ポリキノリン類から成形されたフィルムの熱処理温度が
1200℃未満では、黒鉛化のみならず、炭素質化も不十分
なため、フィルムはかえって脆くなり、かつ電導度も低
く、好ましくない。一方、熱処理温度が2800℃より高い
場合には、実質上問題はないが、装置上の制約と共に、
例えば黒鉛発熱体タンマン炉などを使用する場合では、
黒鉛発熱体の消耗が激しく経済的に好ましくない。
また、ポリキノリン類から成形されたフィルムの熱処理
を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行なわない場合
には、フィルムが酸化劣化を受け、脆くなるため好まし
くない。熱処理時間は、フィルム厚あるいは熱処理温度
にもよるが、所定の温度に到達後、5分〜5時間、好ま
しくは10分〜3時間である。5分未満では、熱処理が不
十分であり、5時間を超えた場合は、実質上問題はない
が、経済的でない。
このようにして熱処理して得られたフィルムは、それ自
体電導性を有するが、この熱処理したフィルムにドーパ
ントをドープすることにより、さらに電導度を高めるこ
とができる。ドーパントをドープさせる方法としては、
化学的ドーピング、電気化学的ドーピング、イオンイン
プランテーションなど公知の方法を採用することができ
る。ドーパントとしては、ナトリウムナフタレン、カリ
ウムナフタレン、リチウムアントラセン、カリウムアミ
ド、ナトリウムビフェニルなどのドナー性ドーパントの
他に無水硫酸、クロルスルホン酸、硝酸、臭素、ヨウ
素、塩化アルミニウム、塩化第二鉄、三酸化アンチモ
ン、五フッ化ヒ素などのアクセプター性ドーパントを用
いることができるが、必ずしもこれらに限定されるもの
ではない。
ドーピング量は特に制限はないが、好ましい含有量は熱
処理物の重量に基づいて0.1%〜150%、特に好ましくは
10%〜100%である。
実施例 以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。
実施例1 精製m−クレゾール25ml、五酸化リン10.7gを内部を窒
素置換した100mlのガラス封管中に入れ、140℃で2.5時
間、窒素気流下で反応させた。ガラス封管を室温まで冷
却した後、4−アミノ−3−ベンゾイルアセトフェノン
5g、精製メタクレゾール8mlを加え、凍結−真空脱気−
溶融のサイクルを3回繰返した後、真空下、溶封した。
次いで、溶融封管を120℃に保持して48時間反応させ、
暗赤色のポリ〔2,6−(4−フェニル)キノリン〕溶液
を得た。封管を破断し、内部のポリマー溶液を10%のト
リエチルアミンを含む95%変性エタノール溶液に加える
ことにより、蛍光を有する黄色の粗生成物を得た。次い
で、粗生成物を10%のトリエチルアミンを含む95%変性
エタノールで14時間ソックスレー抽出することによって
重合溶媒を除去した後、100℃で一夜真空乾燥して4.24g
のポリ〔2,6−(4−フェニル)キノリン〕を得た。
ポリ〔2,6−(4−フェニル)キノリン〕0.5gをギ酸9.5
gに溶解し、ガラス板上にバーコーターを用いてキャス
トして風乾後、100℃で8時間真空乾燥することによ
り、30μmの厚さを有する黄色のフィルムを得た。この
フィルムの4端子法での室温電導度は10-10S/cm以下で
あった。次に、このフィルムを2kg/cm2の張力をかけな
がら、アルゴン雰囲気中、赤外線イメージ炉で10℃/分
の昇温速度で600迄加熱した。得られた黒色のやや脆い
フィルムを縦割りした黒鉛製丸棒の間に挾み、引続き黒
鉛発熱体タンマン炉でアルゴン雰囲気中、20℃/分の昇
温速度で加熱し、1400℃,2000℃,2500℃の各熱処理温度
で15分保持することにより、銀灰色の可撓性のある熱処
理フィルムを得た。これらのフィルムの反射法によるX
線回析パターンは黒鉛と同様に(002),(004)及び
(006)面の回折線のみが得られた。
第1表に各試料の熱処理後の炭化収率、4端子法での室
温電導度、X線回折の(002)での面間距離、フィルム
端部での電子顕微鏡写真の観察結果及び熱処理後の膜厚
を示した。なお、X線回折は理学電機製ロータフレック
スRU−200型X線回折計を用い、(002)面での回折線を
用いた面間距離は学振法により結晶シリコンを対照とし
て計算した。また、走査型電子顕微鏡は日立S530型走査
型電子顕微鏡を用いた。
実施例2 実施例1で得た各処理温度での熱処理物を脱水、脱酸素
したテトラヒドロフラン中でナトリウムナフタレンに24
時間作用させた後、乾燥テトラヒドロフランで良く洗浄
し、5時間真空乾燥することにより、ナトリウムをドー
ピングしたポリ〔2,6−(4−フェニル)キノリン〕熱
処理物を得た。得られた各試料について実施例1と同様
に、4端子法による室温電導度を測定した。その結果を
第2表に示した。
実施例3 実施例1で得た各処理温度での熱処理物に常法により室
温で24時間無水硫酸を気相からドーピングさせた。得ら
れた各試料について実施例1と同様に、4端子法による
室温電導度を測定した。その結果を第3表に示した。
実施例4 実施例1と同様の方法で3,3′−ジベンゾイルベンチジ
ンと4,4′−ジアセチルビフェニルとを反応させること
により、ポリ〔2,2′−(p,p′−ビフェニレン)−6,
6′−ビ(4−フェニル)キノリン〕を得た。次いで、
トリフルオロ酢酸の5%溶液からキャストすることによ
り、20μmの厚さのフィルムを得た。このフィルムの室
温電導度は10-10S/cm以下であった。さらにこのフィル
ムを実施例1と同じ条件で熱処理し、銀灰色の可撓性の
ある熱処理フィルムを得た。このフィルムの反射法によ
るX線回折線は実施例1と同様、2000℃以上の熱処理温
度で黒鉛構造を示すものであり、その室温電導度及び実
施例3と同様にして無水硫酸を気相ドーピングした時の
室温電導度は第4表に示したとおりであった。
比較例 デュポン社製の20μmの厚さを有する芳香族ポリイミド
フィルム(商品名,カプトン)を実施例1と同様の条件
で2000℃あるいは2500℃で熱処理することにより銀灰色
の可撓性のある熱処理フィルムを得た。第5表にその結
果を示した。
第1表との対比からも明らかなように、ポリキノリン類
は1400℃での熱処理品の構造は芳香族ポリイミドフィル
ムの2000℃での熱処理品に相当するものであり、このこ
とから本発明の優位性が明らかである。
発明の効果 本発明におけるポリキノリン類の熱処理物は可撓性を保
持したまま容易に炭素質化が進行し、高い炭化収率で高
電導性材料にできるところに特徴があり、高電導性が求
められる各種の電気・電子材料用途に用いることができ
る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ポリキノリン類を真空中または不活性ガス
    雰囲気中で1200℃以上2800℃以下の温度で熱処理するこ
    とを特徴とする高分子電導体の製造法。
  2. 【請求項2】ポリキノリン類を真空中または不活性ガス
    雰囲気中で1200℃以上2800℃以下の温度で熱処理して得
    られる熱処理物にドーパントをドープすることを特徴と
    する高分子電導体の製造法。
JP61245489A 1986-04-03 1986-10-17 高分子電導体の製造法 Expired - Fee Related JPH0788425B2 (ja)

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