JPS6354070B2 - - Google Patents

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JPS6354070B2
JPS6354070B2 JP706285A JP706285A JPS6354070B2 JP S6354070 B2 JPS6354070 B2 JP S6354070B2 JP 706285 A JP706285 A JP 706285A JP 706285 A JP706285 A JP 706285A JP S6354070 B2 JPS6354070 B2 JP S6354070B2
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JP
Japan
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target material
plate
recess
backing plate
sputtering
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Expired
Application number
JP706285A
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English (en)
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JPS61166965A (ja
Inventor
Tomoshiro Shioda
Shozo Satoyama
Katsuyuki Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokuda Seisakusho Co Ltd filed Critical Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority to JP706285A priority Critical patent/JPS61166965A/ja
Publication of JPS61166965A publication Critical patent/JPS61166965A/ja
Publication of JPS6354070B2 publication Critical patent/JPS6354070B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は金属膜を高効率で形成できるように
したスパツタ用ターゲツトに関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来より、電子部品、磁気記録媒体等における
高融点金属の薄膜形成にスパツタリングが利用さ
れている。スパツタリングは、陽極〜陰極間に数
百ボルトの電圧を印加してグロー放電を生じさ
せ、陰極周辺に配置させたターゲツト金属原子を
上記放電によつてを叩き出し、陰極付近に配置さ
れた基板上に上記金属原子を付着させるものであ
る。特にエレクトロンの動きを磁界と電界によつ
て拘束し基板に流入するエレクトロンを抑制する
ようにしたものにあつては、基板の温度上昇を抑
制できるという利点がある。 ところで、スパツタリングによる膜形成速度を
速めて生産性の向上化を図るためには電極間電圧
を高めれば良いが、この場合には基板の温度上昇
をもたらし、熱に弱い材料に適用することが困難
になるという問題がある。 そこで、基板の温度を上昇させず、しかもスパ
ツタリングの生産性を高めるため、スパツタリン
グ用ターゲツトを可能な限り大形にして一度に形
成可能な製品数を増加させることが考えられる。 しかしながら、スパツタリング用ターゲツトを
大形化するには次のような問題があつた。 すなわちターゲツト材は通常バツキングプレー
トに固定されるが、この固定方法として、一般に
ははんだ付けが使用されていた。その理由は、使
用済みターゲツト材を回収して再利用する場合の
回収がロー付けなどに比べて比較的容易であるこ
と、また、ターゲツト材とバツキングプレートと
の間の密着性を高めてターゲツト材の冷却効果を
高めるためである。ところが、例えばCo−Cr材
のように熱伝導の良くない金属を銅系バツキング
プレートに支障なくはんだ付けできるターゲツト
材の大きさには限度がある。すなわち、ターゲツ
ト材が500mm角以上になると、熱伝導と熱膨張係
数の差および加熱冷却方式に起因して、はんだ付
け後のバツキングプレートの反りが大きくなるか
らである。このようにバツキングプレートの反り
が大きくなると、プレートの修正加工をしないと
真空シールが困難になるうえ、修正加工時にはん
だが剥がれてしまうという問題があつた。つま
り、このような問題がスパツタリング用ターゲツ
トを大形化する上での障害となつていた。 また、はんだ付けによつてターゲツト材を固定
する作業は、極めて工数がかかり、しかもはんだ
強度の関係からスパツタリング装置への大電力投
入が困難となるなどの問題があつた。 〔発明の目的〕 本発明は、このような従来の問題に鑑みなされ
たものであり、その目的とするところは、他に支
障を与えることなしにターゲツト材の大形化を図
ることができ、もつて生産性の向上化に寄与し得
るスパツタリング用ターゲツトを提供することに
ある。 〔発明の概要〕 本発明は、一方の面に平面形状が長方形で底部
面積が開口部面積よりも広い凹部を備えたバツキ
ングプレートと、このバツキングプレートの前記
凹部に嵌合するとともに前記凹部底面に対向する
固定面を他方の面よりも広い面積となるように形
成してなる長方形の平板状ターゲツト材と、この
ターゲツト材と前記バツキングプレートとを機械
的に固定するスペーサと、前記バツキングプレー
トの凹部底面の周縁部でかつ上記凹部底面と前記
ターゲツト材の固定面との間に介装されたオイル
シールリングと、このオイルシールリングの内側
でかつ前記凹部底面と前記固定面との間に充填さ
れたフツ素系油とを具備してなることを特徴とし
ている。 〔発明の効果〕 本発明によれば、ターゲツト材とバツキングプ
レートとをはんだ付けではなく、機械的に固定す
るようにしているので、ターゲツト材を大形化し
てもターゲツト材とバツキングプレートとを容易
に固定することできる。 ところで、このようにターゲツト材を機械的に
固定するとターゲツト材とバツキングプレートと
の間の密着性が低下することが考えられるが、本
発明によれば、両者の間にフツ素系油を充填して
いるので、両者の伝熱効果は大きい。したがつ
て、ターゲツト材の温度上昇も抑制できる。 また、この発明では蒸気圧の低いフツ素系油を
用い、しかもバツキングプレートの凹部底面の周
縁部にオイルシールリングを配置しているので、
フツ素系油が真空雰囲気に流入することもない。 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照しながら本発明に一実施例に
係るスパツタリング用ターゲツトについて説明す
る。 第1図は本実施例に係るスパツタリング用ター
ゲツトを組込んだスパツタ源を示す縦断面図であ
り、第2図は同横断面図、第3図aはバツキング
プレートの平面図、同図bは側面図をである。 第1図において1はスパツタリング用の真空容
器である。スパツタ源は、この真空容器1に設
けられた窓3を密封する如く固定される。 スパツタ源は、次のように構成されている。
すなわち、ベースプレート10上には、スタンド
11が固定されている。このスタンド11は、前
記真空容器1の窓3の周縁部に対向配置された角
形環状の支持枠12と、この支持枠12をベース
プレート10上で支持する脚13と、上記支持枠
12とベースプレート10との間の位置に固定さ
れた固定板14とからなるものである。 支持枠12と真空容器1とは取付け枠15を介
して固定される。この取付け枠15は、支持枠1
2の外周部にねじ16によつて固定され、前記真
空容器1との間および支持枠12との間にそれぞ
れパツキング17,18を介在させて両者の間の
真空シールを施すようにしている。 一方、支持枠12の内周部には、角形環状の絶
縁スペーサ20を介して平板状の冷却板21が載
置されている。冷却板21は、その上面に冷却水
を通流させるための溝22を有したものであり、
この溝22には冷却水Pの導入管23および排出
管24が接続されている。冷却板21と前記絶縁
スペーサ20との間および支持枠12と絶縁スペ
ーサ20との間は、冷却板21に装着されたパツ
キング25および支持枠12に装着されたパツキ
ング26によつてシールされている。 そして、上記冷却板21の上には本実施例に係
るターゲツト27が載置されている。このターゲ
ツト27は、バツキングプレート28と、ターゲ
ツト材29と、両者を固定するスペーサ30と、
バツキングプレート28とターゲツト材29との
間に充填された図示しないフツ素系油と、オイル
シールリング31,32とで構成されている。 バツキングプレート31は、カソードとなるも
のであり、長方形の鋼板で形成され、長方形の凹
部Qを備えたものとなつている。上記長方形の凹
部Qは、第3図に示すように、横断面形状の両側
面部が逆テーパ状となるように形成されている。
このバツキングプレート28は冷却板21にねじ
33によつて固定されている。バツキングプレー
ト28と冷却板21との間のシールは、冷却板2
1の外周部に並列に埋め込まれた2つのパツキン
グ34,35によつて施されている。これら2つ
のパツキング34,35の間は孔36を介して大
気解放されている。このため冷却水Pと真空雰囲
気とを確実に分離することができる。 ターゲツト材29は、例えば長さが500mm程度
の大形長方形のCo−Cr合金からなるものであり、
前記バツキングプレート28の凹部Qに嵌合し得
るように、横断面形状の側面部がテーパ状に形成
され、かつ横幅が前記凹部Qよりも狭く形成され
たものとなつている。したがつて、このターゲツ
ト材29を凹部Qに収納し、ターゲツト材29を
幅方向の一方の側に寄せると、ターゲツト材の一
方の側面部と凹部Qの一方の側面部とが嵌合す
る。このとき、ターゲツト材の他方の側面部と凹
部Qの他方の側面部との間にスペースを生じる
が、このスペースには、スペーサ30が装着さ
れ、これによつてターゲツト材29は、バツキン
グプレート28に固定されることになる。 また、オイルシールリング31,32は、凹部
Qの底面周縁部に並列に埋め込まれており、上記
凹部Qの底面とターゲツト材29の固定面との間
に充填されたフツ素系油を内部に密封する機能を
有する。フツ素系油としては、例えばフオンプリ
ン(商標名;モンテジソン社製)が好適である。 冷却板21の外周部には角形環状の絶縁スペー
サ41を介してやはり角形環状のフランジ42が
載置されている。そして、このフランジ42と支
持枠12とをねじ43で固定することによつて両
者の間に存在する絶縁スペーサ20,41および
冷却板21が挟持固定される。そして上記フラン
ジ41の上面には環状のアノード44が固着され
ている。 一方、前述した固定板14の上部には可動板5
0が配置されている。この可動板50と固定板1
4とは複数の偏心軸51および軸受52を介して
連結されている。これら偏心軸51の1つ、例え
ば中心部に位置したものにはモータ53が連結さ
れている。可動板50の上面には、絶縁部材54
を介して磁石支持板55が固定されている。この
磁石支持板55の上面には環状の磁石56が、ま
たこの磁石56の中心部には平板状の磁石57が
それぞれ固定されている。これら各磁石56,5
7は、それぞれ第1図中上下方向に着磁されてお
り、磁石支持板55ともに磁気ループを形成し、
バツキングプレート28に平行な方向の磁束を供
給する。これら磁石56,57は、冷却板21の
下面に対して僅かの隙間を介して配置される。な
お、図中58は、金属膜を形成される図示しない
基体を冷却しながら導くローラである。 いま、真空容器1の内部を10-3〜10-4Torr程
度の真空状態にし、ローラ58に密着するように
例えば700mm幅の高分子フイルムからなる基板を
移動させ、アノード44〜バツキングプレート
(カソード)28間に、上記基板が溶融しない程
度の数百Vの電圧を印加すると、両電極間に放電
が生じる。磁石56,57から発生した磁界と両
電極間に生じた電界とが直交する部分では、放電
によつて電離した電子がマグネトロン運動を起こ
し、高密度プラズマが発生する。これによつて、
例えばCo−Cr合金からなるターゲツト材29か
らスパツタ原子が叩き出され、このターゲツト材
28の近傍に配置された基板上に付着する。かく
して基板上に金属薄膜が形成されていく。この場
合、ターゲツト材29はスパツタ原子の叩き出さ
れた部分とそうでない部分とで消耗の程度が異な
るため、可動板50をモータ53で駆動して、磁
石56,57とターゲツト材29との相対位置を
変化させ、消耗箇所の均一化を図るようにしてい
る。 そして、この場合には、ターゲツト材29をバ
ツキングプレート28に対し、はんだ付けではな
く機械的な固定方法によつて固定するようにして
いるので、ターゲツト材29を大形にしても、何
等固定上の不都合は生じない。このため、ターゲ
ツト材29を大形にすることによつて、一度にス
パツタリングされる面積を増加させることがで
き、生産性の向上化を図ることができる。 また、本実施例によれば、バツキングプレート
28とターゲツト材29との間にフツ素系油を充
填しているため、両者の間の熱伝達も良好であ
り、ターゲツト材29を効率良く冷却することが
できる。 なお、本発明は、上述した実施例に限定される
ものではない。 例えば、第4図に示すように、ターゲツト材6
0の固定面側を凸とするように湾曲させるととも
に、バツキングプレート61の凹部Qの底面部を
上記凸面と嵌合するように湾曲させるようにして
もよい。この場合には、スパツタリングによる温
度上昇でターゲツト材60が、バツキングプレー
ト61に対して接触面圧を増加させるように変形
するので、より冷却効果を高めることができる。 この他、ターゲツト材の材質などは、上述した
実施例のものに限定される訳ではなく、各種のタ
ーゲツトに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係るスパツタリン
グ用ターゲツトを組込んだスパツタ源の縦断面
図、第2図は同スパツタ源の概略的な横断面図、
第3図aは同スパツタ源におけるバツキングプレ
ートの平面図、同図bは同横断面図、第4図は本
発明の他の実施例に係るスパツタリング用ターゲ
ツトの一部を示す縦断面図である。 1……真空容器、2……スパツタ源、3……
窓、10……ベースプレート、11……スタン
ド、12……支持枠、14……固定板、15……
取付け枠、17,18,25,26,34,35
……パツキング、20,41……絶縁スペーサ、
21……冷却板、22……溝、23……導入管、
24……排出管、27……ターゲツト、28,6
1……バツキングプレート(カソード)、29,
60……ターゲツト材、30……スペーサ、3
1,32……オイルシールリング、42……フラ
ンジ、44……アノード、50……可動板、51
……偏心軸、53……モータ、54……絶縁部
材、55……磁石支持板、56,57……磁石、
58……ローラ、P……冷却水、Q……凹部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一方の面に平面形状が長方形で底部面積が開
    口部面積よりも広い凹部を備えたバツキングプレ
    ートと、このバツキングプレートの前記凹部に嵌
    合するとともに前記凹部底面に対向する固定面を
    他方の面よりも広い面積となるように形成してな
    る長方形の平板状ターゲツト材と、このターゲツ
    ト材と前記バツキングプレートとを機械的に固定
    するスペーサと、前記バツキングプレートの凹部
    底面の周縁部でかつ上記凹部底面と前記ターゲツ
    ト材の固定面との間に介装されたオイルシールリ
    ングと、このオイルシールリングの内側でかつ前
    記凹部底面と前記固定面との間に充填されたフツ
    素系油とを具備してなることを特徴とするスパツ
    タリング用ターゲツト。 2 前記ターゲツト材は、前記固定面側を凸とす
    るように湾曲させたものであることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載のスパツタリング用タ
    ーゲツト。 3 前記ターゲツト材はCo−Cr合金からなるも
    のであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載のスパツタリング用ターゲツト。
JP706285A 1985-01-18 1985-01-18 スパツタリング用タ−ゲツト Granted JPS61166965A (ja)

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JPS61166965A JPS61166965A (ja) 1986-07-28
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JPH0826452B2 (ja) * 1987-12-26 1996-03-13 富士通株式会社 スパッタターゲットおよびスパッタリング方法
US5474667A (en) * 1994-02-22 1995-12-12 Materials Research Corporation Reduced stress sputtering target and method of manufacturing therefor
JP6508774B2 (ja) * 2015-06-09 2019-05-08 株式会社高純度化学研究所 スパッタリングターゲット組立体

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