JPS635232Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS635232Y2 JPS635232Y2 JP1982098305U JP9830582U JPS635232Y2 JP S635232 Y2 JPS635232 Y2 JP S635232Y2 JP 1982098305 U JP1982098305 U JP 1982098305U JP 9830582 U JP9830582 U JP 9830582U JP S635232 Y2 JPS635232 Y2 JP S635232Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- package
- metal base
- amplifier circuit
- dielectric substrate
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
考案の技術分野
本考案は、例えば、マイクロ波増幅回路モジユ
ールを収容するのに好適な半導体装置用パツケー
ジに関する。
ールを収容するのに好適な半導体装置用パツケー
ジに関する。
従来技術と問題点
従来、サフアイア等の誘電体基板上にマイクロ
波増幅回路を形成することが行なわれ、そして増
幅回路が帯域内で共振したり帯域外で発振したり
することを防止する為、増幅回路を形成した前記
誘電体基板の一部に適当な抵抗パターンを形成
し、その抵抗に依り不所望の発振等を抑制するな
どの工夫がなされている。
波増幅回路を形成することが行なわれ、そして増
幅回路が帯域内で共振したり帯域外で発振したり
することを防止する為、増幅回路を形成した前記
誘電体基板の一部に適当な抵抗パターンを形成
し、その抵抗に依り不所望の発振等を抑制するな
どの工夫がなされている。
ところで、近年、マイクロ波増幅回路モジユー
ルを収容するための内容積が著しく小さい半導体
装置用パツケージが開発されている。
ルを収容するための内容積が著しく小さい半導体
装置用パツケージが開発されている。
このようなパツケージにモジユールを収容する
と、増幅回路パターンと直流電圧印加用ワイヤや
パツケージ内壁が著しく接近することが多い。
と、増幅回路パターンと直流電圧印加用ワイヤや
パツケージ内壁が著しく接近することが多い。
第１図は、そのような半導体装置用パツケージ
の要部切断斜面図であり、１は金属基台、２はサ
フアイア等の誘電体基板、３は増幅回路（記号で
表示してある）、４は例えば金（Au）からなる直
流電圧印加用ワイヤ、５はメタライズ膜、６はセ
ラミツク蓋板をそれぞれ示している。
の要部切断斜面図であり、１は金属基台、２はサ
フアイア等の誘電体基板、３は増幅回路（記号で
表示してある）、４は例えば金（Au）からなる直
流電圧印加用ワイヤ、５はメタライズ膜、６はセ
ラミツク蓋板をそれぞれ示している。
マイクロ波増幅回路は、通常であつても、前記
のような発振や共振が生じ易いので、図示例のよ
うに構成が複雑化するとその危険は一層助長され
ることになり、増幅機能は低下する。
のような発振や共振が生じ易いので、図示例のよ
うに構成が複雑化するとその危険は一層助長され
ることになり、増幅機能は低下する。
従つて、前記したように、増幅回路に抵抗を挿
入して発振等を抑制することは必須であるが、パ
ツケージの内容積が小さくなつているので、抵抗
パターンを形成した大型の誘電体基板を収容する
ことが非常に困難或いは不可能となりつつある。
入して発振等を抑制することは必須であるが、パ
ツケージの内容積が小さくなつているので、抵抗
パターンを形成した大型の誘電体基板を収容する
ことが非常に困難或いは不可能となりつつある。
考案の目的
本考案は、小型でありながら内部空間に余裕が
得られ、また、発振等を防止する為の抵抗を有す
る半導体装置用パツケージを提供するものであ
る。
得られ、また、発振等を防止する為の抵抗を有す
る半導体装置用パツケージを提供するものであ
る。
考案の実施例
本実施例では、セラミツク蓋板６の外側全面が
金鍍金されていて、その裏面には、帯域外で発振
する周波数のλ／２・ｍ（ｍは整数、好ましくは
２〜３）の長さを有し、且つ、シート抵抗が100
〔Ω／□〕程度である例えばクロムの蒸着膜から
なるミアンダ線路状抵抗体７及び該ミアンダ線路
状抵抗体７の両端を接地する為の接地用金属膜８
が形成され、その接地用金属膜８は金属基台１に
終端されている。また、金属基台１に蓋板６を封
止した場合、金属基台１に収容されている誘電体
基板２上のマイクロ波増幅回路３とセラミツク蓋
板６の裏面に形成されたミアンダ線路状抵抗体７
との間の空隙は電磁的に結合可能な程度に保持さ
れるようにしてある。
金鍍金されていて、その裏面には、帯域外で発振
する周波数のλ／２・ｍ（ｍは整数、好ましくは
２〜３）の長さを有し、且つ、シート抵抗が100
〔Ω／□〕程度である例えばクロムの蒸着膜から
なるミアンダ線路状抵抗体７及び該ミアンダ線路
状抵抗体７の両端を接地する為の接地用金属膜８
が形成され、その接地用金属膜８は金属基台１に
終端されている。また、金属基台１に蓋板６を封
止した場合、金属基台１に収容されている誘電体
基板２上のマイクロ波増幅回路３とセラミツク蓋
板６の裏面に形成されたミアンダ線路状抵抗体７
との間の空隙は電磁的に結合可能な程度に保持さ
れるようにしてある。
このような構成になつているので、前記周波数
の電磁気エネルギは前記ミアンダ線路状抵抗７に
誘起され、該抵抗体７に依つて発振条件を満たさ
ないように消費され、帯域外発振は起きない。
の電磁気エネルギは前記ミアンダ線路状抵抗７に
誘起され、該抵抗体７に依つて発振条件を満たさ
ないように消費され、帯域外発振は起きない。
考案の効果
本考案パツケージに依れば、蓋板の裏面に抵抗
体が形成してあるので、パツケージ内に挿入する
誘電体基板上に抵抗体を形成する余裕がないよう
な超小型パツケージであつても、前記抵抗体に依
つて発振等を抑制できるので、マイクロ波増幅回
路モジユールを収容して極めて高い周波数まで良
い特性を持続できる半導体装置を構成することが
できる。また、金属基台に蓋板を封止した場合、
金属基台内のマイクロ波増幅回路とセラミツク蓋
板に形成された抵抗体との間の空隙は両者が電磁
的に結合可能な程度に保持されるようになつてい
ることから、マイクロ波増幅回路の電磁気エネル
ギは、接続用導体などを全く必要とせずに、空隙
を介して抵抗体に誘起され且つ消費されてしまう
から、この点からもパツケージは小型化されるも
のである。
体が形成してあるので、パツケージ内に挿入する
誘電体基板上に抵抗体を形成する余裕がないよう
な超小型パツケージであつても、前記抵抗体に依
つて発振等を抑制できるので、マイクロ波増幅回
路モジユールを収容して極めて高い周波数まで良
い特性を持続できる半導体装置を構成することが
できる。また、金属基台に蓋板を封止した場合、
金属基台内のマイクロ波増幅回路とセラミツク蓋
板に形成された抵抗体との間の空隙は両者が電磁
的に結合可能な程度に保持されるようになつてい
ることから、マイクロ波増幅回路の電磁気エネル
ギは、接続用導体などを全く必要とせずに、空隙
を介して抵抗体に誘起され且つ消費されてしまう
から、この点からもパツケージは小型化されるも
のである。
第１図は従来例の要部切断斜面図、第２図は本
考案一実施例の要部切断斜面図である。 図に於いて、１は金属基台、２はサフアイア等
の誘電体基板、３は増幅回路、４は直流電圧印加
用ワイヤ、５はメタライズ膜、６はセラミツク蓋
板、７はミアンダ線路状抵抗体、８は接地用金属
膜である。
考案一実施例の要部切断斜面図である。 図に於いて、１は金属基台、２はサフアイア等
の誘電体基板、３は増幅回路、４は直流電圧印加
用ワイヤ、５はメタライズ膜、６はセラミツク蓋
板、７はミアンダ線路状抵抗体、８は接地用金属
膜である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 マイクロ波増幅回路が形成された誘導体基板を
もつ半導体装置を収容する金属基台と、 裏面に抵抗体が形成され且つその抵抗体と前記
マイクロ波増幅回路とが電磁的に結合し得る空隙
を保持して前記金属基台に封止されるセラミツク
蓋板と を有してなることを特徴とする半導体装置用パツ
ケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9830582U JPS593544U (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9830582U JPS593544U (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593544U JPS593544U (ja) | 1984-01-11 |
| JPS635232Y2 true JPS635232Y2 (ja) | 1988-02-12 |
Family
ID=30233466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9830582U Granted JPS593544U (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593544U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764953A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP9830582U patent/JPS593544U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764953A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS593544U (ja) | 1984-01-11 |
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