JPS6347387A - エ−テル類の製法 - Google Patents
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Landscapes
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、式
%式%
(式中、R1は炭素数5〜10のアルキル基、または低
級アルキル置換基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基など
をその中に含む了り−ル基を示す。)で示される化合物
と、 (式中、R2は低級アルキル基を示す。R3は低級アル
キル基またはフェニル基を示す。)で示される化合物を
電解液中で生ずる電解酸を触媒として反応させることを
特徴とする 式、 R’ −CH2−0−CH2−R’ (I)(式中
、符号は前記に同じ)で示される化合物の製造法にに関
する。
級アルキル置換基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基など
をその中に含む了り−ル基を示す。)で示される化合物
と、 (式中、R2は低級アルキル基を示す。R3は低級アル
キル基またはフェニル基を示す。)で示される化合物を
電解液中で生ずる電解酸を触媒として反応させることを
特徴とする 式、 R’ −CH2−0−CH2−R’ (I)(式中
、符号は前記に同じ)で示される化合物の製造法にに関
する。
上記エーテル類(1)は種々の医薬品、香料の有機合成
中間体として、染色キャリヤーとして、あるいは溶剤と
して多用される、有用な化合物である。
中間体として、染色キャリヤーとして、あるいは溶剤と
して多用される、有用な化合物である。
エーテル類の製造法としては以前から多くの例が知られ
ている。古くからある例としては金泥アルコキサイドと
アルキルハライドの反応(Vogel。
ている。古くからある例としては金泥アルコキサイドと
アルキルハライドの反応(Vogel。
J、Chem、 Soc、、 616 (1948)
) 、金泥アルコキサイドとジメチル硫酸の反応(Ce
rchez、 Bull、 soc。
) 、金泥アルコキサイドとジメチル硫酸の反応(Ce
rchez、 Bull、 soc。
chim、 France、 43.762 (19
28) ) 、アルコールの脱水(Schorigin
、 Makaroff−5emljanski、 Be
r、+皿、 1293 (1932) ) 、アルコー
ルのエポキシドへの付加反応(Winstein、 H
enderson、 J、八m、 Chem。
28) ) 、アルコールの脱水(Schorigin
、 Makaroff−5emljanski、 Be
r、+皿、 1293 (1932) ) 、アルコー
ルのエポキシドへの付加反応(Winstein、 H
enderson、 J、八m、 Chem。
Soc、、 65.2196 (1943) )また、
カルボニル化合物からの合成法としてアルデヒド、アル
コール。
カルボニル化合物からの合成法としてアルデヒド、アル
コール。
ハロゲン化水素によるハロゲン化アルキルエーテルの製
法(Marrel and Porter+ Org、
5yntheses+Co11.’ Vol I 、
377 (1941) )等が挙げられる。
法(Marrel and Porter+ Org、
5yntheses+Co11.’ Vol I 、
377 (1941) )等が挙げられる。
しかしながら、これらの方法では副生物が多い、あるい
は収率が低いといった欠点があり、有利なエーテル合成
法とはいえない。最近、カルボニル化合物からエーテル
を合成する方法として(1)アルデヒドまたはケトンと
アルコールをトリエチルシランの存在下、トリフルオロ
酢酸やトリフルオロホウ素エーテラートなどの酸を用い
て反応させる方法(収率43〜90%、 M、P、 D
oyle、 D、J。
は収率が低いといった欠点があり、有利なエーテル合成
法とはいえない。最近、カルボニル化合物からエーテル
を合成する方法として(1)アルデヒドまたはケトンと
アルコールをトリエチルシランの存在下、トリフルオロ
酢酸やトリフルオロホウ素エーテラートなどの酸を用い
て反応させる方法(収率43〜90%、 M、P、 D
oyle、 D、J。
Debruyn+ D、A、 Kooisfra、 J
、Am、 Chem、 Soc、、 94゜3659
(1972)およびり、N、 Kursanov、 E
、N、 Parnes。
、Am、 Chem、 Soc、、 94゜3659
(1972)およびり、N、 Kursanov、 E
、N、 Parnes。
and N、M、 Loim、 5ynthesis、
644 (1974) ) + (2)アルデヒド
をトリチルバークロレート触媒およびトリエチルシラン
存在下反応させる方法(収率83288%、 J、 K
ato、 N、 Iwasawa、 and T。
644 (1974) ) + (2)アルデヒド
をトリチルバークロレート触媒およびトリエチルシラン
存在下反応させる方法(収率83288%、 J、 K
ato、 N、 Iwasawa、 and T。
Mukaiyama、 Chem、 Letters、
743+ 1985 ) + (3)ケトンとアルコ
キシドリッチルシランをトリチルバークロレート触媒お
よびトリエチルシラン存在下反応させる方法(収率64
〜88%、同上文献)などが報告されている。
743+ 1985 ) + (3)ケトンとアルコ
キシドリッチルシランをトリチルバークロレート触媒お
よびトリエチルシラン存在下反応させる方法(収率64
〜88%、同上文献)などが報告されている。
これらシラン化合物を用いた反応はいずれも基質の酸素
原子へのケイ素原子の親和性を利用した合成法である。
原子へのケイ素原子の親和性を利用した合成法である。
しかし、(1)の方法は原料であるカルボニル化合物の
4〜5倍のトリフルオロ酢酸を用い、実用的ではない。
4〜5倍のトリフルオロ酢酸を用い、実用的ではない。
トリフルオロホウ素エーテラートを用いた場合はアルコ
ールとエーテルの混合物ができるといった問題がある。
ールとエーテルの混合物ができるといった問題がある。
また(2)および(3)の方法は低温で特殊な触媒であ
るトリチルバークロレートを使用しているが、基質によ
っては長い反応時間を要する、といった問題がある。
るトリチルバークロレートを使用しているが、基質によ
っては長い反応時間を要する、といった問題がある。
本発明者らは上記問題点を考慮して、短時間で選択的に
エーテル化合物(1)を高収率で製造すべく鋭意検討を
行った。
エーテル化合物(1)を高収率で製造すべく鋭意検討を
行った。
その結果、アルデヒド(It)とトリアルキルシラン(
またはジアルキルフェニルシラン)(■)を塩化メチレ
ンに溶かし、支持塩存在下、微量の電流を短時間通電す
ることによって、数分〜1時間30分の短時間に高収率
で選択的にエーテル類(1)が生成することを見い出し
、本発明を完成するに至った。
またはジアルキルフェニルシラン)(■)を塩化メチレ
ンに溶かし、支持塩存在下、微量の電流を短時間通電す
ることによって、数分〜1時間30分の短時間に高収率
で選択的にエーテル類(1)が生成することを見い出し
、本発明を完成するに至った。
本発明の特徴は、エーテル類(1)の製造に際して、触
媒として電解液中に生じる微量の電解酸を用いることで
ある。少量の金泥過塩素酸塩や過塩素酸アンモニウム塩
を溶媒に熔かし、微量の電流を通・電した時に得られる
電解酸(に、 Uneyama。
媒として電解液中に生じる微量の電解酸を用いることで
ある。少量の金泥過塩素酸塩や過塩素酸アンモニウム塩
を溶媒に熔かし、微量の電流を通・電した時に得られる
電解酸(に、 Uneyama。
A、 Ishimura、 K、 Fujii、 s、
Torii、 TetrahedronLett、、
24.2857 (1983) ;宇根山、有機合成
協会誌、 Vol、弧、 557.1985に論文掲載
)は室温で10分〜1.5時間の短時間に、室温の穏や
かな条件下で(I[)と(I[[)を高選択的に反応せ
しめ、高収率でエーテル類(1)を得ることを可能にし
、本発明を完成した。(式1) %式% (式1) 本発明について詳細に述べると、まず反応は次のように
進める。10〜20CCのガラス製円筒容器に支持電解
質である過塩素酸アンモニウム塩を原料のアルデヒドに
対して5〜10モル%、同じく金属過塩素酸塩を5〜1
0モル%入れる。過塩素酸アンモニウム塩はテトラブチ
ルアンモニウムバークロレート、テトラエチルアンモニ
ウムバークロレート、過塩素酸アンモニウム等である。
Torii、 TetrahedronLett、、
24.2857 (1983) ;宇根山、有機合成
協会誌、 Vol、弧、 557.1985に論文掲載
)は室温で10分〜1.5時間の短時間に、室温の穏や
かな条件下で(I[)と(I[[)を高選択的に反応せ
しめ、高収率でエーテル類(1)を得ることを可能にし
、本発明を完成した。(式1) %式% (式1) 本発明について詳細に述べると、まず反応は次のように
進める。10〜20CCのガラス製円筒容器に支持電解
質である過塩素酸アンモニウム塩を原料のアルデヒドに
対して5〜10モル%、同じく金属過塩素酸塩を5〜1
0モル%入れる。過塩素酸アンモニウム塩はテトラブチ
ルアンモニウムバークロレート、テトラエチルアンモニ
ウムバークロレート、過塩素酸アンモニウム等である。
また金属過塩素酸塩は過塩素酸リチウム、過塩素酸ソー
ダ等であり、これらは乾燥したものが好ましく、湿った
ものは活性を示さない恐れがある。
ダ等であり、これらは乾燥したものが好ましく、湿った
ものは活性を示さない恐れがある。
次にアルデヒドと、ジエチルシランまたはジメチルフェ
ニルシラン(アルデヒドに対して1.2〜1.4倍モル
)を円筒セルに加え、続いて塩化カルシウム上で乾燥し
、蒸留精製した塩化メチレンをアルデヒドに対して10
倍〜200倍量加えて基質および支持塩を溶解し、電解
セル内を窒素またはアルゴンガスで置換する。電解セル
に2枚の白金電極を差し入れ、液をマグネチソクスクー
ラーなどで攪拌しながら一定の直流電流を通電する。
ニルシラン(アルデヒドに対して1.2〜1.4倍モル
)を円筒セルに加え、続いて塩化カルシウム上で乾燥し
、蒸留精製した塩化メチレンをアルデヒドに対して10
倍〜200倍量加えて基質および支持塩を溶解し、電解
セル内を窒素またはアルゴンガスで置換する。電解セル
に2枚の白金電極を差し入れ、液をマグネチソクスクー
ラーなどで攪拌しながら一定の直流電流を通電する。
(電流密度は1〜10mA/cotの範囲の一定値を示
す。) 通電中、電解液中の原料であるアルデヒドの減少を薄層
クロマトグラフィーを用いて追跡し、アルデヒドが消失
した時点を反応終点とする。アルデヒドに対して触媒量
の電気量である0、03〜0゜3F(ファラデー)1モ
ルで反応が終了する。電流を流さなかうた場合、反応は
全く進行しない。
す。) 通電中、電解液中の原料であるアルデヒドの減少を薄層
クロマトグラフィーを用いて追跡し、アルデヒドが消失
した時点を反応終点とする。アルデヒドに対して触媒量
の電気量である0、03〜0゜3F(ファラデー)1モ
ルで反応が終了する。電流を流さなかうた場合、反応は
全く進行しない。
反応終点を確認後、少量のトリエチルアミン(アルデヒ
ドに対して5〜5Qwt%)を添加して残存の電解酸を
中和して反応を完全に止める。反応混合物を飽和食塩水
で洗浄して支持塩やトリエチルアミンを除き、無水硫酸
ナトリウム上で乾燥してエバポレーターを用いて濃縮、
塩化メチレンを留去する。残渣をカラムクロマトグラフ
ィー(酢酸エチル:ヘキサン=3:1の混合溶媒、シリ
カゲル充填剤)で精製あるいは蒸留精製すると収率72
.8〜95.7%でエーテル類(1)が得られ、同時に
ジトリメチルシリルオキサイドも副生ずる。
ドに対して5〜5Qwt%)を添加して残存の電解酸を
中和して反応を完全に止める。反応混合物を飽和食塩水
で洗浄して支持塩やトリエチルアミンを除き、無水硫酸
ナトリウム上で乾燥してエバポレーターを用いて濃縮、
塩化メチレンを留去する。残渣をカラムクロマトグラフ
ィー(酢酸エチル:ヘキサン=3:1の混合溶媒、シリ
カゲル充填剤)で精製あるいは蒸留精製すると収率72
.8〜95.7%でエーテル類(1)が得られ、同時に
ジトリメチルシリルオキサイドも副生ずる。
生成物の確認は、IH−NMRスペクトル、赤外線吸収
スペクトル、沸点、融点、元素分析等で行った。
スペクトル、沸点、融点、元素分析等で行った。
以下に実施例を示す。
実施例1
10ccの円筒型ガラス製電解セルにテトラブチルアン
モニウムバークロレート34■(0,1ミリモル)およ
びリチウムパークロレー1−11■(0゜1ミリモル)
を秤量し、真空ポンプで減圧乾燥する。これにヘプチル
アルデヒド114■(1ミリモル)、フエニルジメチル
シラン102■(1,3ミリモル)を加え、乾燥塩化メ
チレン3 ccに溶かして容器内をアルゴン置換する。
モニウムバークロレート34■(0,1ミリモル)およ
びリチウムパークロレー1−11■(0゜1ミリモル)
を秤量し、真空ポンプで減圧乾燥する。これにヘプチル
アルデヒド114■(1ミリモル)、フエニルジメチル
シラン102■(1,3ミリモル)を加え、乾燥塩化メ
チレン3 ccに溶かして容器内をアルゴン置換する。
これらの混合物を室温下、2枚の白金電極(1,5c+
+りを挿入し、一定電流密度(2,67ミリアンペア/
co! )で電解する。薄層クロマトグラフィー(ヘ
キサン;酢酸エチル−3:1の混合溶媒−シリカゲル)
で反応を追跡し、ヘプチルアルデヒドが消失した時点を
反応の終点とした。1時間かけて0.15フアラデー
(F)1モルの電気量を通電した後、トリエチルアミン
を10〜50■加えて液中の酸を中和して反応を停止し
た。反応混合物をエバポレーターで濃縮し、残液をカラ
ムクロマトグラフィーくシリカゲル充填剤、ヘキサン−
酢酸エチル混合溶媒)または蒸留によって精製し、ジヘ
ブチルエーテル98.2■(0,46ミリモル、収率9
1.8%対へブチルアルデヒド)およびジ(ジメチルフ
ェニルシリル)オキサイド131.5nv(収率92%
対へプチルアルビテド)を各々得た。
+りを挿入し、一定電流密度(2,67ミリアンペア/
co! )で電解する。薄層クロマトグラフィー(ヘ
キサン;酢酸エチル−3:1の混合溶媒−シリカゲル)
で反応を追跡し、ヘプチルアルデヒドが消失した時点を
反応の終点とした。1時間かけて0.15フアラデー
(F)1モルの電気量を通電した後、トリエチルアミン
を10〜50■加えて液中の酸を中和して反応を停止し
た。反応混合物をエバポレーターで濃縮し、残液をカラ
ムクロマトグラフィーくシリカゲル充填剤、ヘキサン−
酢酸エチル混合溶媒)または蒸留によって精製し、ジヘ
ブチルエーテル98.2■(0,46ミリモル、収率9
1.8%対へブチルアルデヒド)およびジ(ジメチルフ
ェニルシリル)オキサイド131.5nv(収率92%
対へプチルアルビテド)を各々得た。
ジヘプチルエーテル分析値
す、9.82〜b
’)l−NMR(CDC1,3) :δ0−88 (
m、681 CI(3) 。
m、681 CI(3) 。
1.25. 1.29 (broad、 20H,C)
+2)IR(neat) : 2945.2921 (
CH3,CI(2のシC−H) 。
+2)IR(neat) : 2945.2921 (
CH3,CI(2のシC−H) 。
1110 C111−1(シc−o−c )以下の実施
例は実施例1に従う。
例は実施例1に従う。
実施例2
10ccの電解セルにテトラブチルアンモニウムバーク
ロレート34nt(0,1ミリモル)およびリチウムバ
ークロレート11rrg(0,1ミリモル)を秤り取り
、デシルアルデヒド156■(1,0ミリモル)、フエ
ニルジメチルシラン102mg(1,3ミリモル)を加
え、3 ccの乾燥塩化メチレン中、白金電価を用いて
電解する。約0.15F1モルの電気量を通電した後(
60分後)、原料が消失した。トリエチルアミンを少量
加え反応液を濃縮後、カラムクロマトグラフィー(ヘキ
サン−酢酸エチル混合溶媒、シリカゲル充填剤)または
減圧蒸留によって精製し、ジデシルエーテル131■(
0゜44ミリモル、収率88%対デシルアルビヒト)お
よびジ(ジメチルフェニルシリル)オキサイド129■
(収率90.0%対デシルアルデヒド)を得た。
ロレート34nt(0,1ミリモル)およびリチウムバ
ークロレート11rrg(0,1ミリモル)を秤り取り
、デシルアルデヒド156■(1,0ミリモル)、フエ
ニルジメチルシラン102mg(1,3ミリモル)を加
え、3 ccの乾燥塩化メチレン中、白金電価を用いて
電解する。約0.15F1モルの電気量を通電した後(
60分後)、原料が消失した。トリエチルアミンを少量
加え反応液を濃縮後、カラムクロマトグラフィー(ヘキ
サン−酢酸エチル混合溶媒、シリカゲル充填剤)または
減圧蒸留によって精製し、ジデシルエーテル131■(
0゜44ミリモル、収率88%対デシルアルビヒト)お
よびジ(ジメチルフェニルシリル)オキサイド129■
(収率90.0%対デシルアルデヒド)を得た。
ジデシルエーテル分析値
す、p、 162〜b
’H−NMR(CDCi3) :δ0.88 (m、
6HI CH3) +1.26 (broad、 32
)1. CHz)JR(neat) : 2945.2
920 (CHs、 CHzのシc−H) 。
6HI CH3) +1.26 (broad、 32
)1. CHz)JR(neat) : 2945.2
920 (CHs、 CHzのシc−H) 。
1110 cm−” (シc−o−c )実施例3
10’ccの電解セルにテトラブチルアンモニウムバー
クロレート34■およびリチウムバークロレート11■
を秤り取り、バラシアノベンズアルデヒド131■(1
ミリモル)、フエニルジメチルシラン102mgを加え
、3 ccの乾燥塩化メチレン中で電解を行った。32
分後、電気i0.08F1モルを通電して原料が消失し
た。少量のトリエチルアミンを添加し、濃縮後、カラム
クロマトグラフィーで精製するとジバラシアノベンジル
エーテルが10’ 2.6■(収率82.8%)とジ(
ジメチルフェニルシリル)オキサイドが収率81%で得
られた。
クロレート34■およびリチウムバークロレート11■
を秤り取り、バラシアノベンズアルデヒド131■(1
ミリモル)、フエニルジメチルシラン102mgを加え
、3 ccの乾燥塩化メチレン中で電解を行った。32
分後、電気i0.08F1モルを通電して原料が消失し
た。少量のトリエチルアミンを添加し、濃縮後、カラム
クロマトグラフィーで精製するとジバラシアノベンジル
エーテルが10’ 2.6■(収率82.8%)とジ(
ジメチルフェニルシリル)オキサイドが収率81%で得
られた。
ジ−バラシアノベンジルエーテル分析値m、p、 97
〜98℃ ’H−NMR(CDC11!3 ) :δ4.64
(s、 4H,CH2O) 。
〜98℃ ’H−NMR(CDC11!3 ) :δ4.64
(s、 4H,CH2O) 。
7.23〜7.70 (m、 811.CeH+)rR
(neat) : 2240 (νc =N)、
1650(νc=c)1080 cm−” (シc
−o−c )元素分析 蝕HI2 N20 測定値: C: 77.40. II : 4.87
. N : 11.28%計算値: Cニア7.50.
H: 4.89. N:11.06 %実施例4 15ccの電解セルにテトラブチルアンモニウムバーク
ロレート34■、リチウムバークロレート11rrg、
パラ−t−ブチルベンズアルデヒド162呵(1ミリモ
ル)およびトリエチルシラン151nv(1,3ミリモ
ル)を入れ、3 ccの乾燥塩化メチレン中で電解を行
った。約1.5時間後0.22 F1モルを通電して原
料が消失した。少量のトリエチルアミンを添加し、濃縮
後、カラムクロマトグラフィーで精製するとジ−パラ−
t−ブチルベンジルエーテル138.2■(収率89.
2%)およびジトリエチルシリルオキサイド(収率88
.5%)が得られた。
(neat) : 2240 (νc =N)、
1650(νc=c)1080 cm−” (シc
−o−c )元素分析 蝕HI2 N20 測定値: C: 77.40. II : 4.87
. N : 11.28%計算値: Cニア7.50.
H: 4.89. N:11.06 %実施例4 15ccの電解セルにテトラブチルアンモニウムバーク
ロレート34■、リチウムバークロレート11rrg、
パラ−t−ブチルベンズアルデヒド162呵(1ミリモ
ル)およびトリエチルシラン151nv(1,3ミリモ
ル)を入れ、3 ccの乾燥塩化メチレン中で電解を行
った。約1.5時間後0.22 F1モルを通電して原
料が消失した。少量のトリエチルアミンを添加し、濃縮
後、カラムクロマトグラフィーで精製するとジ−パラ−
t−ブチルベンジルエーテル138.2■(収率89.
2%)およびジトリエチルシリルオキサイド(収率88
.5%)が得られた。
ジーパラ−【−ブチルベンジルエーテル分析値す、p、
173〜b ’H−NMR(CDCi3) :δ1.30 (s、
18H,(CH3)3C−)4.49 (s、 4H
,CH2O) 。
173〜b ’H−NMR(CDCi3) :δ1.30 (s、
18H,(CH3)3C−)4.49 (s、 4H
,CH2O) 。
7.28 (s、 8tl、CeH4)IR(neat
) : 2955.2900 (CH3,CH2の
(シc−H) 。
) : 2955.2900 (CH3,CH2の
(シc−H) 。
1605 (νc=c ) 。
1090 cm−” (v c−o−c )元素分析
C22H300測定値: C: 62.94. !(
: 4.53%計算、値: C: 63.24. H
: 4.47%実施例5 電解セルにテトラブチルアンモニウムバークロレート3
4■、リチウムバークロレート11■。
C22H300測定値: C: 62.94. !(
: 4.53%計算、値: C: 63.24. H
: 4.47%実施例5 電解セルにテトラブチルアンモニウムバークロレート3
4■、リチウムバークロレート11■。
パラ−t−ブチルベンズアルデヒド162■(1ミリモ
ル)およびジメチルフェニルシラン163mg(1,2
ミリモル)入れ、塩化メチレン中で0.22F1モルの
電気量を通電するとジ−パラ−し−ブチルジベンジルエ
ーテル133mg (収185.8%)が得られた。
ル)およびジメチルフェニルシラン163mg(1,2
ミリモル)入れ、塩化メチレン中で0.22F1モルの
電気量を通電するとジ−パラ−し−ブチルジベンジルエ
ーテル133mg (収185.8%)が得られた。
実施例6
電解セルにテトラブチルアンモニウムバークロレート3
4■、リチウムバークロレートl1mg。
4■、リチウムバークロレートl1mg。
パラクロロベンズアルデヒド140.5mg(1ミリモ
ル)およびジメチルフェニルシラン163■(1,2ミ
リモル)を入れ、塩化メチレン中で0.04F1モルの
電気量を通電するとジ−パラクロロジベンジルエーテル
が115.2■(収率86.3%)生成した。
ル)およびジメチルフェニルシラン163■(1,2ミ
リモル)を入れ、塩化メチレン中で0.04F1モルの
電気量を通電するとジ−パラクロロジベンジルエーテル
が115.2■(収率86.3%)生成した。
ジ−バラクロルジベンジルエーテル分析値m、p、 4
4〜45℃ ’)I−NMR(CDO!3 ) :δ4.47 (
s、 4. CH20) 。
4〜45℃ ’)I−NMR(CDO!3 ) :δ4.47 (
s、 4. CH20) 。
7.24 (s、 8. Ce)I+) 。
IR(Nujol ) : 1600CI11−”
(νc=c )1120、1080cm″1(シc−o
−c )実施例7 電解セルにテトラブチルアンモニウムバークロレ−1−
34■、リチウムバークロレート11■。
(νc=c )1120、1080cm″1(シc−o
−c )実施例7 電解セルにテトラブチルアンモニウムバークロレ−1−
34■、リチウムバークロレート11■。
バラメチルベンズアルデヒド120■(1ミリモル)お
よびジメチルフェニルシラン163■(1゜2ミリモル
)を入れ、塩化メチレン中で0.04 F1モルの電気
量を通電するとジ−バラメチルジベンジルエーテルが1
06.8■(収率94.5%)得られた。
よびジメチルフェニルシラン163■(1゜2ミリモル
)を入れ、塩化メチレン中で0.04 F1モルの電気
量を通電するとジ−バラメチルジベンジルエーテルが1
06.8■(収率94.5%)得られた。
ジ−バラメチルジベンジルエーテル分析値m、p、 6
0〜62℃ IH−NMR(CDCI!、a ) :δ2.33
(s、 6. CH3) 。
0〜62℃ IH−NMR(CDCI!、a ) :δ2.33
(s、 6. CH3) 。
4.48 (s、 4. CH20) 。
7.16 (s、 8. CG34)
IR(neat) : 2955.2900 (CH3
,CH2のνC−)1) 。
,CH2のνC−)1) 。
1600 (ν c=c ) 。
1115■−1(ν c−c−o)
実施例8
電解セルにテトラブチルアンモニウムバークロレート3
4■、リチウムバークロレート11mg。
4■、リチウムバークロレート11mg。
ベンズアルデヒド106■(1ミリモル)およびトリエ
チルシラン139mg(1,2ミリモル)を入れ、塩化
メチレン中で0.22F1モルの電気量を通電するとジ
ベンジルエーテルが90■(収率91.0%)得られた
。
チルシラン139mg(1,2ミリモル)を入れ、塩化
メチレン中で0.22F1モルの電気量を通電するとジ
ベンジルエーテルが90■(収率91.0%)得られた
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式、 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1は炭素数5〜10のアルキル基、または
低級アルキル置換基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基な
どをその中に含むアリール基を示す。)で示される化合
物と、 式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^2は低級アルキル基を示す。R^3は低級
アルキル基またはフェニル基を示す。)で示される化合
物を電解液中で生ずる電解酸を触媒として反応させるこ
とを特徴とする 式、R^1−CH_2−O−CH_2−R^1( I )
(式中、符号は前記に同じ)で示される化合物の製造法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61191284A JPS6347387A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | エ−テル類の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61191284A JPS6347387A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | エ−テル類の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6347387A true JPS6347387A (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=16272002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61191284A Pending JPS6347387A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | エ−テル類の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6347387A (ja) |
-
1986
- 1986-08-14 JP JP61191284A patent/JPS6347387A/ja active Pending
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