JPS6347372A - 化学銅めつき液の再生装置 - Google Patents

化学銅めつき液の再生装置

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JPS6347372A
JPS6347372A JP19133486A JP19133486A JPS6347372A JP S6347372 A JPS6347372 A JP S6347372A JP 19133486 A JP19133486 A JP 19133486A JP 19133486 A JP19133486 A JP 19133486A JP S6347372 A JPS6347372 A JP S6347372A
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JP
Japan
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plating solution
exchange resin
chamber
copper
metal mesh
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JP19133486A
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Hirotoku Ota
広徳 大田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1617Purification and regeneration of coating baths
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、老化した化学銅めっき液の再生に関し、特に
化学銅めっき液中の化学めっき反応阻害成分を選択的に
除去して、化学銅めっき液を再生する装置に関する。
〔従来の技術〕
化学銅めっき液は、銅イオン・銅イオンのキレート剤・
銅イオンの還元剤・聞調整剤等を主成分として含有して
おり、化学めっきが良好に行なわれるためには、めっき
液の各成分が常に一定に保たnることか望ましい。しか
し長時間使用すると、以下に説明するようにめっき液中
に化学銅めっき反応を阻害する成分が蓄積される(老化
現象)。
めっき液は使用によって、液中の銅イオンが消費される
ので、その最適濃度を維持するため、消費さnた分だけ
の銅イオンの補給を行なう。
補給は通常、銅化合物の水溶液として行なうが、この補
給のくり返しにより銅化合物の銅イオンの対陰イオンが
、反応により消耗せずにめっき液中に蓄積される。また
、銅イオンの還元剤もその最適濃度を維持するために、
消費された量だけ補給を行なう。そのため、反応の進行
に伴い銅イオンの還元剤の酸化反応生成物イオンがめつ
き液中に蓄積される。
一般に、よく使用さnるめつき液では、銅化合物として
は硫酸銅が用いられ、銅イオンの還元剤としてはホルム
アルデヒドが用いられる。
したがって、銅イオンの対陰イオンとして硫酸イオンが
、銅イオンの還元剤の酸化反応生成物イオンとしてギ酸
イオンが蓄積される。これらの蓄積イオンの増加は、め
っき皮膜の機械的性質を低下させることが知られており
、まためっき液の使用に伴い浴組成が変化していくため
、比較的短時間でめっき液は不安定となり、使用できな
くなる。
めっき液中のこれらの蓄積イオンを除去し、めっき液を
再生する方法および装置が、アメリカ合衆国特許筒4 
、289 、597号(1981年9月15日)によっ
て提案されている。すなわち、この特許によると、1つ
の電気透析槽を2枚の陰イオン交換樹脂膜によって陽極
室、めっき液再生室および陰極室の3つの部屋に区切り
、それぞれの部屋に硫駿水溶液、再生すべきめつき液、
水酸化す) IJウム水溶液を入れる。陽極室、陰極室
にそれぞれ陽極電極、および陰極電極を浸漬し、この両
電極間に直流電圧を印加すると、めっき液再生室のめつ
き液中に蓄積している陰イオンである硫酸イオン、ギ酸
イオンは陰イオン交換樹脂膜を通過して陽極室に移動す
る。したがって、めっき液中の硫酸イオン、ギ酸イオン
の濃度は減少し【めっき液が再生される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来技術では、電気透析中において電荷の移動
を担うものとして、陰極室からめっき液再生室へは水酸
イオンであり、めっき液再生室から陽極室へは、銅化合
物の銅イオンの対陰イオンである硫酸イオンと銅イオン
の還元剤であるホルムアルデヒドの酸化反応生成物イオ
ンであるギ酸イオンとが主である。
ところで、陰極室からめっき液再生室へ移動する電荷量
とめっき液再生室から陽極室へ移動する電荷量は等しい
はずであるから、めっき液再生室のめつき液の水酸イオ
ンの濃度は高くなる。特に、陰極室とめっき液再生室と
の間に介挿した陰イオン交換樹脂膜のめつき液の接触面
付近め水酸イオン濃度が高くなシ、次の(1)式の反応
が起こりやすくなる。
2Cu  +HCHO+50H−−CJO+HCOO−
+3HzO・・・(1) (1)式の反応により酸化第1銅が生成されると、次の
(2)式あるいは(3)式の反応によって金属銅が析出
し、めっき液は不安定になる。
Cu5O+HzO→Cu+Cu  + 20H−−−−
(21Cu !O+ 2HCHO+ 20H−= 2C
u + Hh+ 2HCOO−+HzO・・・(3) 以上のことから、陰極室とめっき液再生室の間に介挿し
た陰イオン交換樹脂膜のめつき液の接触面に金属銅が析
出されやすく、陰イオン交換樹脂膜の劣化、蓄積イオン
の除去効率の低下を引き起こす欠点があった。
本発明の目的は、かかる従来技術の欠点を除去した化学
銅めっき液の再生装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本装置は、前記したアメリカ合衆国特許筒4.289,
597号のめっき液再生装置を改良するもので、2枚の
陰イオン交換樹脂膜によって仕切られた陽極室−めつき
液再生室・陰極室の配列をなす電気透析槽において、め
っき液再生室内に a)前記陰極室との間を仕切る陰イオン交換樹脂膜に接
触配置した金属メツシュと。
b)前記金属メツシュに対向して配置した標準電極およ
び金属メツシュに対する対極とC)前記金属メッシュ・
標準電極間の電位差を一定にしつつ、前記金属メツシュ
を前記対極より貴の電位に保持する直流電源とd)前記
陰イオン交換樹脂膜の近傍に酸素をバブリングさせる手
段と を備えたものである。
〔作用〕
再生の時間経過とともに再生効率が低下し、陰イオン交
換樹脂膜の劣化が生ずる原因は、めっき液再生室の陽極
室側の陰イオン交換樹脂膜の近傍において水酸イオン濃
度が高くなシ(1)式の反応により駿化第1銅が生じ、
さらに(2)式、(3)式の反応により銅が陰イオン交
換樹脂膜に析出さnることによる。したがって、直接的
には銅の析出を防ぐことと、さらには酸化第1銅の発生
を防げればよい。
本発明では、銅の析出を防ぐため、陰イオン交換樹脂膜
に接触して金属メツシュを設け、この金属メツシュの液
に対する電位を適正にして銅の析出を防いでいる。その
ためには金属メッシュ・標準電極・対極を3電極とする
ポテンシオスタットを直流電源として使用し、金属メツ
シュが標準電極に対して一定電位(銅の析出の生じない
電位範囲に選ぶ)になるように金属メッシュ・対極間の
電圧が自動的に調整さnる。
これによって再生によりめっき液成分の変化があっても
銅の析出は防げられる。
さらに酸化第1銅は、酸素で酸化してCu2+イオンに
、変化させる。すなわち実施例に示すように、めっき再
生室にエアーバブリング用配管を設けて、空気をバブリ
ングすると、空気中の酸素により の反応によ’) CuzOはCu 2+に変換する。
上記の金属メツシュ、酸素バブリングの2者を併用する
ことで、銅の析出は完全に防ぐことができる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して、本発明の一実施例につき説明す
る。第1図の電気透析槽10は、陰極室(9)とめっき
液再生室栃との間を陰イオン交換樹脂膜加a、めっき液
再生室40と陽極室刃との間を隘イオン交換樹脂膜20
bで仕切シ、陰極重加に陰極電極1.陽極室刃に陽極電
極2が配設され、各電極は直流電源4にリード3で結線
さnている。めっき液再生室40内には底面に、陰イオ
ン交換樹脂膜maに近接してエアーバブリング用配管印
が設けである。エアーバブリング用配管印は周壁の一方
に多数の孔部を穿設した合成樹脂製で、孔部を陰イオン
交換樹脂膜20aに向けて設置する。また、陰イオン交
換樹脂膜20aに接続して全面に、金属メツシュ5を設
け、さらに標準電極6.対極7を対向配置している。
標準電極6.対極7は、金属メツシュ5に対して負電位
になるようにそれぞれリード線9を介して直流電源8に
接続される。
電気透析槽10.エアーバブリング用配管印の材質は、
ポリプロピレンを使用し、電極1,2は白金めつきチタ
ン板を使用した。イオン交換樹脂膜20 a 、 20
 bとしては、陰イオン交換樹脂膜ACLE−5PC商
品名:徳山曹達株式会社製)を用いた。金属メツシュ5
の材質としては、ステンレスメツシュを、対極7として
銅板を、標準電極6として銀/塩化銀電極を使用した。
また陰極室(資)の溶液は49/e濃度の水酸化す) 
IJウム水溶液を、陽極室刃の溶液は109/Q濃度の
硫酸水溶液を用いた。
本発明の効果を検証するために、老化めっき液として、
硫酸銅(CuSO4” 5HzO) 109/Q、 :
f−チレンジアミン四酢酸(EDTA)359/Q、ホ
ルムアルデヒド(HCHO) 2q/Q、硫酸ナトリウ
ム(Natio4) 25 g/Q 、ギ酸ナトリウム
(HCOONa)409/Qを含む−=12の擬似老化
化学銅めっき液を作成し、めっき液再生室40に入れ、
直流電源4により陰極電極1と陽極電極2との間に直流
電圧を印加する。また直流電源8によって、金属メツシ
ュ5の電位が標準電極6に対して−〇、IVと彦るよう
に金属メツシュ5と対極7との間に直流電圧を印加して
15時間再生操作を行なった。この間、図示していない
エアーポンプによって、エアーバブリング用配管ωに空
気を送シ、陰イオン交換樹脂膜20aの全面にバブリン
グを行なった。なお、イオン交換樹脂膜20a。
20bのめっき液接触面積はZoocln”、  電解
電流密度は30mA/m” 、めっき液13の体積はL
it とした。
透析終了後、陰イオン交換樹脂[20aのめっき液接触
面を観察したが、銅の析出は認められず、本考案の実用
性が立証された。
本実施例で、金属メツシュ5と対極7との間に印加する
直流電源8は、金属メツシュ5と標準電極6との電位差
が一定になるように、その電圧を自動調整するポテンシ
オスタットを使用する。金属メツシュ5の標準電極6に
対する電位としては、銅の析出がおきない電位領域内で
あればよく、銀/塩化銀電極を標準電極6として使用し
た場合、約−〇、4vより太きけnばよいことを実験で
定め、実施例では−0,1Vとした。
なお、標準電極6としては、飽和せコウ電極などを、用
いることができる。また金属メツシュ5の材質としては
、ステンレスの他に銅睡白金めつきチタンなどが、対極
6の材質として銅の他に白金めつきチタンなども用いる
ことができる。
〔発明の効果〕
以上、説明したように、本発明では、従来方法において
みられた陰極室とめっき液再生室とを仕切る陰イオン交
換樹脂膜への銅析出を、陰イオン交換樹脂膜全面に接触
して金属メツシュを配置し、この金属メツシュのめつき
液に対する電位を適正にすることで防ぐことができた。
金属メツシュの電位を一定化するため、標準電極と対極
とを設け、3電極を使用するポテンシオスタットを直流
電源として用い電圧印加するようにした。
さらにまた、酸素を隘イオン交換樹脂膜に向けてバブリ
ングすることによって、この附近の酸化第1銅を酸化し
てイオン化することによって、銅の析出を防ぐようにし
た。この結果、長時間再生を行なっても、銅の析出はな
く、老化化学銅めっき液から蓄積イオンである硫酸イオ
ンおよびギ酸イオンを効率よく除去することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す図である。 1・・・陰極電極、   2・・・陽極電極、4・・・
直流電源、   5・・・金属メツシュ、6・・・標準
電極、    7・・・対極、8・・・直流電源、  
 10・・・電気透析槽、11・・・水酸化ナトリウム
水溶液、 12・・・硫酸水溶液、   13・・・化学銅めっき
液、20a、20b・・・陰イオン交換樹脂膜、加・・
・陰極室、40・・・めっき液再生室、関・・・陽極室
、 印・・・エアーバブリング用配管。 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 2枚の陰イオン交換樹脂膜によつて仕切られた陽極室・
    めつき液再生室、陰極室の配列をなす電気透析槽を有し
    、前記めつき液再生室に老化せる化学銅めつき板(主成
    分が銅イオン・銅イオンのキレート剤・銅イオンの還元
    剤・pH調整剤である)を、前記陽極室・陰極室にそれ
    ぞれ電解質溶液を入れておき、前記陽極室・陰極室の各
    電極間に直流電圧を印加して、前記化学銅めつき液中の
    銅イオンの対陰イオンと、還元剤の酸化反応生成物イオ
    ンとを選択的に除去する再生装置において、 前記めつき液再生室内に a)前記陰極室との間を仕切る陰イオン交換樹脂膜に接
    触配置した金属メッシュと、 b)前記金属メッシュに対向して配置した標準電極およ
    び金属メッシュに対する対極と c)前記金属メッシュ・標準電極間の電位差を一定にし
    つつ、前記金属メッシュを前記 対極より貴の電位に保持する直流電源と d)前記陰イオン交換樹脂膜の近傍に酸素をバブリング
    させる手段と を備えたことを特徴とする化学銅めつき液の再生装置。
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