JPS6346755A - 絶縁モ−ルド型半導体装置 - Google Patents

絶縁モ−ルド型半導体装置

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Publication number
JPS6346755A
JPS6346755A JP19054786A JP19054786A JPS6346755A JP S6346755 A JPS6346755 A JP S6346755A JP 19054786 A JP19054786 A JP 19054786A JP 19054786 A JP19054786 A JP 19054786A JP S6346755 A JPS6346755 A JP S6346755A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
insulating layer
semiconductor device
case
resin case
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19054786A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Yamazaki
山崎 龍雄
Seizo Sato
佐藤 成三
Masami Fujii
藤井 正巳
Yoichi Nakajima
中島 羊一
Toshiyuki Ozeki
大関 俊行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Haramachi Electronics Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Haramachi Electronics Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6346755A publication Critical patent/JPS6346755A/ja
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁モールド型半導体装着に係り、特に、耐
絶縁性、耐温性にすぐれ、且つ、熱サイクル耐量が高い
樹脂モールド構造に関する。
〔従来の技術〕
放熱用金属板上に絶縁層を介して半導体素子。
抵抗、コンデンサ等の電子回路部品を載置し、これらの
箱蓋状樹脂ケースで覆っているものとして特開昭59−
22’H4,1号公報に示されるものがある。
この従来技術では外部端子を樹脂ケースの天板部分から
引出し、天板部分全体にはモールド樹脂が設けられてい
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術では、天板部分全体にモールド樹脂がある
ため、実使用の熱膨張、熱収縮のくり返しにより、モー
ルド樹脂と外部端子の接着面が剥離し、ここから水分が
侵入する。
水分侵入により、絶縁性は低下し、装置の信頼性が低下
する。
本発明の目的は、熱サイクル耐量が高く、耐絶縁性、耐
湿性に優れた絶縁モールド型半導体装置を提供するにあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の特徴とするところは、外部端子を箱蓋状樹脂ケ
ースの外部の金属板上に絶縁層を介して設け、外部端子
と電子回路部品を樹脂ケースの側U端部から導出された
導体パターンで接続し、この部分をモールド樹脂で封止
したことにある。
〔作用〕
外部端子を封止するモールド樹脂として、耐トラッキン
性、耐吸水性等にすぐれたものを用いることにより、金
属板上の絶縁層と樹脂ケースの界面からの湿気の進入を
阻止し、且つ、絶縁層上の導体パターンと、放熱用金冠
板との沿面放電も防止する。一方、樹脂ケース内部は、
中空となっている為、回路電子部品は、熱応力等に対し
、バランスのとれた構造を容易にとれる。
従って、耐湿性、耐絶縁性にすぐれ、且つ、熱サイクル
耐量が高い樹脂モールド構造となる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を、第1図、第2図及び第3図
を用いて説明する。
本発明による絶縁モールド型半導体装置1において、第
3図に詳細に示すようにAQ製の放熱用金属板8.エポ
キシ絶R層9及びCu導体パターン10を順次積層した
構造を有する金属プリント基板2(以下、基板)の絶縁
層9上に外部端子4a、4b、4c、4d及び、電子回
路部品5が設けら九、これらはろう材を介して、あるい
は、ワイヤーボンディングで導体パターン10に接着さ
れ、且つ外部端子4a、4b、4c、4dと電子回路部
品5は、導体パターン10を介して、電気的に接続され
ている。電子回路部品はコーティング剤7で覆われてい
る。箱蓋状樹脂ケース3は、その側壁端部を接着剤で基
板2に仮付された後、基板端子近傍のケース内壁3aと
筒状部3bでしきられた領域で、樹脂6を注型しモール
ドする構造となっている。絶縁ケース3と基板2はアク
リル系接着剤により、接着されている。金属基板2の絶
縁ケース3との接着部は、導体パターンl。
部とそれ以外の部分とで段差が生じるが、導体パターン
10の厚みが例えば35μmと薄いため、接着剤の塗布
量で充分カバーできる段差であり、即ち、樹脂ケース3
の内壁端部全周で確実に基板2と接着されてしまい、モ
ールド樹脂6を注入する際に、内部電子回路部品5側へ
のモールド樹脂の流出は生じない。
載板2端部近傍に充てんされたモールド樹脂6は、導体
パターン10と、放熱用金冠板8との沿面を覆い、且つ
それ自身耐トラッキング性が高い為、装置の絶縁耐圧を
向上させる。また樹脂ケース3と基板2の界面から侵入
する湿気は、その界面の接着剤モールド樹脂で遮断され
、耐湿性も向上する。一方熱サイクル耐量の見地からも
、ガラスモールド部品、レジンモールド部品セラミック
部品、及びベアチップ等、さまざまな熱膨張係数を有す
る電子回路部品5に対して、樹脂で全体を固めない中空
構造のため、応力バランスがとりやすく、熱サイクル耐
量は向上している。また、樹脂モールド部も、絶縁ケー
ス3.モールド樹脂6゜基板2に、本実施例の如く、エ
ポキシレジン、フェノール、アルミニウムを用いれば、
各々の熱膨張係数の差がホさい為、熱サイクル等に対し
、密着性上の信頼性が高い構造となっている。
本発明は、絶縁ケースの外枠3cと、内壁が一体化構造
となっていなくとも、いっこうにさしつかえない。
本発明は、コーティング剤が使用されていない場合でも
適用できる。
本発明は、外部端子近傍が部分的にモールド樹脂で覆わ
れている場合でも、適用できる。
第4図、第5図は、第1図〜第3図の実施例で内壁3a
を取去った構造の実施例である。第4図。
第5図の実施例では、内Q3aと外枠3Cの間のモール
ド樹脂6は存在しないけれども、外気と樹脂ケース3内
の気密は、樹脂ケース3の側壁端部と基板2間の接着剤
で持たせている。特に、外部端子48〜4dの固定と、
導体パターン9の樹脂ケース側壁からの4出部の気密性
向上に上目した構成である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、実使用中に、気
密封止部が剥離することはなく、耐湿性。
耐絶縁性は高く、熱サイクル耐量も高く、信頼性の高い
絶縁モールド型半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は本発明の一実施例になる半導体装置を
示し、第1図は部分断面上面図、第2図は部分断面正面
図、第3図は要部拡大図、第4図。 第5図は本発明の他の実施例になる半導体装置を示し、
第4図は部分断面上面図、第5図は部分断面正面図であ
る。 1・・・絶縁モールド型半導体装置、2・・・金属プリ
ント基板、3・・・樹脂ケース、48〜4d・・・外部
端子。 5・・・電子回路部品、6・・・モールド樹脂、7・・
・コーティング剤、8・・・放熱用金属板、9・・・絶
a層、10・・・導体パターン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、放熱用金属板上に絶縁層、配線用導体パターンが順
    次積層固着された金属プリント基板を有し、導体パター
    ン間に電子回路部品が接続され、電子回路部品を箱蓋状
    外装用樹脂ケースで覆い、樹脂ケース外の金属板上に絶
    縁層を介して外部端子が設けられており、この外部端子
    と電子回路部品は樹脂ケースから導出された導体パター
    ンで接続されており、樹脂ケースの側壁端部は接着剤で
    絶縁層と固着され、少くとも、導電パターンの樹脂ケー
    スからの導出部および導電パターンと外部端子の接続部
    はモールド樹脂で封止されていることを特徴とする絶縁
    モールド型半導体装置。 2、特許請求の範囲第1項において、接着剤で絶縁層と
    固着された樹脂ケースの全側壁端部がモールド樹脂で封
    止されていることを特徴とする絶縁モールド型半導体装
    置。 3、特許請求の範囲第1項において、電子回路部品はコ
    ーティング剤で覆われていることを特徴とする絶縁モー
    ルド型半導体装置。 4、特許請求の範囲第1項において、樹脂ケースの側壁
    部には筒状部が設けられており、この筒状部内に外部端
    子が位置し、モールド樹脂は筒状部内に注入され硬化さ
    れる樹脂モールド型半導体装置。
JP19054786A 1986-08-15 1986-08-15 絶縁モ−ルド型半導体装置 Pending JPS6346755A (ja)

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JPS6346755A true JPS6346755A (ja) 1988-02-27

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JP19054786A Pending JPS6346755A (ja) 1986-08-15 1986-08-15 絶縁モ−ルド型半導体装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01230256A (ja) * 1988-03-10 1989-09-13 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH028048U (ja) * 1988-06-24 1990-01-18
JPH0281461A (ja) * 1988-09-17 1990-03-22 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
EP0645812A1 (en) * 1993-09-21 1995-03-29 Fuji Electric Co., Ltd. Resin-sealed semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01230256A (ja) * 1988-03-10 1989-09-13 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH028048U (ja) * 1988-06-24 1990-01-18
JPH0281461A (ja) * 1988-09-17 1990-03-22 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
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