JPS60154543A - 合成樹脂基板を用いた半導体装置 - Google Patents
合成樹脂基板を用いた半導体装置Info
- Publication number
- JPS60154543A JPS60154543A JP59011174A JP1117484A JPS60154543A JP S60154543 A JPS60154543 A JP S60154543A JP 59011174 A JP59011174 A JP 59011174A JP 1117484 A JP1117484 A JP 1117484A JP S60154543 A JPS60154543 A JP S60154543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin
- cap
- semiconductor element
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、いわゆるチップオンボードと称する半導体装
置の格造に関する。
置の格造に関する。
従来合成樹脂積層板を基板とし、その両面又は片面に金
層層を設け、かかる金属層を所要のパターンに形成した
ものに半導体素子を搭叡し、ボンディング樹脂封止した
ものである。このチップオンボードと称する半導体装置
において杖、半導体素子の周囲は樹脂でおおわれている
4、とζろで樹脂材狛は少々いながらも水分を透過させ
、かかる樹脂が半導体素子表面にl接触れている為半導
体素子表面が汚染され、腐食される場合があシ、半導体
装置としての耐湿性に難点かあシ、その信頼性レベルは
必ずしも高いものではなかった。
層層を設け、かかる金属層を所要のパターンに形成した
ものに半導体素子を搭叡し、ボンディング樹脂封止した
ものである。このチップオンボードと称する半導体装置
において杖、半導体素子の周囲は樹脂でおおわれている
4、とζろで樹脂材狛は少々いながらも水分を透過させ
、かかる樹脂が半導体素子表面にl接触れている為半導
体素子表面が汚染され、腐食される場合があシ、半導体
装置としての耐湿性に難点かあシ、その信頼性レベルは
必ずしも高いものではなかった。
本発明は上記状況に鑑みチップオンボードの耐湿性レベ
ルの向上を目的として表されたものであって、かかる発
明の要旨は樹脂封止された樹脂側斜のうえに一定の表面
処理を施した金属層を設けることにある。
ルの向上を目的として表されたものであって、かかる発
明の要旨は樹脂封止された樹脂側斜のうえに一定の表面
処理を施した金属層を設けることにある。
これは、耐湿性にかかる水分の侵入経路として、チップ
オンボードの基材であるガラス・エポキシ、ガラスポリ
イシド、ガラストリアジン等の合成樹脂材料からのもの
と、樹脂封止したエポキシ樹脂やシリコーン極脂からの
ものが考えられ、その経路の長さを比較してみると、前
者よシも徒者の場合の方が短く、耐湿性を大きく左右し
ておシ、その経路を金属層で遮断してしまうのである。
オンボードの基材であるガラス・エポキシ、ガラスポリ
イシド、ガラストリアジン等の合成樹脂材料からのもの
と、樹脂封止したエポキシ樹脂やシリコーン極脂からの
ものが考えられ、その経路の長さを比較してみると、前
者よシも徒者の場合の方が短く、耐湿性を大きく左右し
ておシ、その経路を金属層で遮断してしまうのである。
以下、実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の第一の実施例を示す断面図である。合
成樹脂基板1にはガラスエポキシ樹脂、ガラスボリシイ
ド樹脂、ガラストリアジン樹脂を用いる。半導体素子2
を固着すべきキャビティ部にには金属層3が設けられて
いる5、この金属層3は合成樹脂基板の製造工程におい
て、メッキによっても、成形した金属部材によってもよ
い。この金属層の機能は合成樹脂基板1からの水分の侵
入を防止する為でアシ、金属キャップ4と相俟って耐湿
性の向上に寄与するものである。半導体才子2は封止用
樹脂5で覆われておシ、その上に金属キャップ4がかぶ
っている。封止用樹脂としてはエポキシ樹脂、シリコー
ン樹脂があるが、樹脂の種類は限定され力い。封止用樹
脂はポツテング等の手段を用いて充填しても、また、エ
ポキシ樹脂等のトランスファ成形によって充填してもよ
い。金属キャップ4と封止用樹脂5との密着性を向上さ
せる為に、金hキャップの表面には該金属の酸化物を形
成させておく。例えば金属としてアルミニウムを選択す
ればアルマイト処理によシアルミナ被膜を、銅を選択す
れは酸化銅の被膜を形成させる。これら被膜の形成につ
いては通常の表面処理技術を利用することができる。そ
して、封止用樹脂5と金属キャップをポツテングの場合
には未硬化状態で封止用樹脂5上に金属キャップ4を搭
載し、必要に応じてクリップ等の治工具を用いて機械力
を加えて所定の温度の恒温槽に放置する。使用温度時間
は、使用する封止樹脂の性質に依存し熱硬化型樹脂の場
合150℃〜200℃、 1時間〜15時間程度である
。トランスファ成形の場合には同系統の樹脂の未硬化状
態のものを接着剤として利 l用し、他はポツテングの
場合と同様である。以上、この様な構造であればキャビ
ティ内への水分の侵入はキャップと基体の境界部が最大
の経路となる −1−ので、半導体装置としてその耐湿
性を著しく向上させることができる。
成樹脂基板1にはガラスエポキシ樹脂、ガラスボリシイ
ド樹脂、ガラストリアジン樹脂を用いる。半導体素子2
を固着すべきキャビティ部にには金属層3が設けられて
いる5、この金属層3は合成樹脂基板の製造工程におい
て、メッキによっても、成形した金属部材によってもよ
い。この金属層の機能は合成樹脂基板1からの水分の侵
入を防止する為でアシ、金属キャップ4と相俟って耐湿
性の向上に寄与するものである。半導体才子2は封止用
樹脂5で覆われておシ、その上に金属キャップ4がかぶ
っている。封止用樹脂としてはエポキシ樹脂、シリコー
ン樹脂があるが、樹脂の種類は限定され力い。封止用樹
脂はポツテング等の手段を用いて充填しても、また、エ
ポキシ樹脂等のトランスファ成形によって充填してもよ
い。金属キャップ4と封止用樹脂5との密着性を向上さ
せる為に、金hキャップの表面には該金属の酸化物を形
成させておく。例えば金属としてアルミニウムを選択す
ればアルマイト処理によシアルミナ被膜を、銅を選択す
れは酸化銅の被膜を形成させる。これら被膜の形成につ
いては通常の表面処理技術を利用することができる。そ
して、封止用樹脂5と金属キャップをポツテングの場合
には未硬化状態で封止用樹脂5上に金属キャップ4を搭
載し、必要に応じてクリップ等の治工具を用いて機械力
を加えて所定の温度の恒温槽に放置する。使用温度時間
は、使用する封止樹脂の性質に依存し熱硬化型樹脂の場
合150℃〜200℃、 1時間〜15時間程度である
。トランスファ成形の場合には同系統の樹脂の未硬化状
態のものを接着剤として利 l用し、他はポツテングの
場合と同様である。以上、この様な構造であればキャビ
ティ内への水分の侵入はキャップと基体の境界部が最大
の経路となる −1−ので、半導体装置としてその耐湿
性を著しく向上させることができる。
半導体素子2を固着すべきキャビティ部の構造に関して
は、第2図の様な構造も有効である。即ち、かかる部分
直下の合成樹脂基板材に銅等の熱伝導率の良好な金J%
10を埋め込んでおくと、半導体装置として低熱抵抗値
を有するものとカる。
は、第2図の様な構造も有効である。即ち、かかる部分
直下の合成樹脂基板材に銅等の熱伝導率の良好な金J%
10を埋め込んでおくと、半導体装置として低熱抵抗値
を有するものとカる。
それを半導体素子2が下向きとなる様に合成樹脂基板を
設けられたスルーホール穴に外部リード11を半田付す
る等取付ければプラグイン形態の半導体装置となる5、
そして金属板7の上にはヒートラックを設ければさらに
放熱の効果が上る3、半導体装置”としての外形形態と
しては、外部リードの取シ付けていないいわゆるリード
レスチップキャリアタイプでも、外部リードを取付けて
、デュアルインライン、シングルインジイン、プラグイ
ンの夫々のタイプのものを作ることができる。
設けられたスルーホール穴に外部リード11を半田付す
る等取付ければプラグイン形態の半導体装置となる5、
そして金属板7の上にはヒートラックを設ければさらに
放熱の効果が上る3、半導体装置”としての外形形態と
しては、外部リードの取シ付けていないいわゆるリード
レスチップキャリアタイプでも、外部リードを取付けて
、デュアルインライン、シングルインジイン、プラグイ
ンの夫々のタイプのものを作ることができる。
第1図は本発明の第1の実施例を示す横断面図、第2図
は本発明の第2の実施例を示す横断面図である。 ここに、1・・・・・・合成樹脂基板、2・・・・・・
半導体素子、3・・・・・・金属層、4・・・・・・金
属キャップ、5・・・・・・封止用樹脂、6・・・・・
・樹脂枠、7・・・・・・金属板、8・・・・・・配紳
層、9・・・・・・スルーホール穴、1o・・・・・・
金属、11・・・・・・外部リードである。 筋 I 閃 躬 2 (2)
は本発明の第2の実施例を示す横断面図である。 ここに、1・・・・・・合成樹脂基板、2・・・・・・
半導体素子、3・・・・・・金属層、4・・・・・・金
属キャップ、5・・・・・・封止用樹脂、6・・・・・
・樹脂枠、7・・・・・・金属板、8・・・・・・配紳
層、9・・・・・・スルーホール穴、1o・・・・・・
金属、11・・・・・・外部リードである。 筋 I 閃 躬 2 (2)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 α)電気導体配線を有する合成樹脂基板を用いた半導体
装置であって、その制止に用いるキャップは金rであシ
、該キャップの表面に輻その酸化vJ膜が設けられてい
ることを%徴とする半導体装置。 (2)合成樹脂基板の半導体1子搭載部に該搭載部をa
う金属層を設けたことを特徴とする特許請求の齢、間第
(1)項記載の半導体装置。 (3)合成樹脂基板の半導体1子搭載部の直下に金属部
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59011174A JPS60154543A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 合成樹脂基板を用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59011174A JPS60154543A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 合成樹脂基板を用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60154543A true JPS60154543A (ja) | 1985-08-14 |
JPH0317220B2 JPH0317220B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=11770689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59011174A Granted JPS60154543A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 合成樹脂基板を用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60154543A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01125555U (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-28 | ||
US4999319A (en) * | 1986-03-19 | 1991-03-12 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device having package structure |
US5173766A (en) * | 1990-06-25 | 1992-12-22 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package and method of making such a package |
US5455456A (en) * | 1993-09-15 | 1995-10-03 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package lid |
WO1996025763A3 (en) * | 1995-02-15 | 1996-11-07 | Ibm | Organic chip carriers for wire bond-type chips |
US5729050A (en) * | 1996-03-11 | 1998-03-17 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package substrate and ball grid array (BGA) semiconductor package using same |
EP0948047A3 (en) * | 1998-03-20 | 1999-12-22 | Caesar Technology Inc. | Electronic component cooling arrangement |
JP2013009017A (ja) * | 2012-10-12 | 2013-01-10 | Daikin Ind Ltd | モジュール |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59011174A patent/JPS60154543A/ja active Granted
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4999319A (en) * | 1986-03-19 | 1991-03-12 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device having package structure |
JPH01125555U (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-28 | ||
US5173766A (en) * | 1990-06-25 | 1992-12-22 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package and method of making such a package |
US5455456A (en) * | 1993-09-15 | 1995-10-03 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package lid |
WO1996025763A3 (en) * | 1995-02-15 | 1996-11-07 | Ibm | Organic chip carriers for wire bond-type chips |
US5729050A (en) * | 1996-03-11 | 1998-03-17 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package substrate and ball grid array (BGA) semiconductor package using same |
EP0948047A3 (en) * | 1998-03-20 | 1999-12-22 | Caesar Technology Inc. | Electronic component cooling arrangement |
JP2013009017A (ja) * | 2012-10-12 | 2013-01-10 | Daikin Ind Ltd | モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0317220B2 (ja) | 1991-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5402006A (en) | Semiconductor device with enhanced adhesion between heat spreader and leads and plastic mold compound | |
JP2660295B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
US4949225A (en) | Circuit board for mounting electronic components | |
JPS60154543A (ja) | 合成樹脂基板を用いた半導体装置 | |
JPH10135380A (ja) | 半導体装置 | |
US5099395A (en) | Circuit board for mounting electronic components | |
JP2620611B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JP2691352B2 (ja) | 電子部品塔載装置 | |
JP2612468B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JPH03238852A (ja) | モールド型半導体集積回路 | |
JP2603101B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JPH0334909Y2 (ja) | ||
JP2614495B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JPS6346755A (ja) | 絶縁モ−ルド型半導体装置 | |
KR940006580B1 (ko) | 접착리드를 이용한 반도체 패키지 구조 및 그 제조방법 | |
JP3615236B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP2712967B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2737332B2 (ja) | 集積回路装置 | |
JP2649251B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JP2775262B2 (ja) | 電子部品搭載用基板及び電子部品搭載装置 | |
JPS6334281Y2 (ja) | ||
JPH04124860A (ja) | 半導体パッケージ | |
JPS5856449A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0758246A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JPS62276836A (ja) | 半導体装置 |