JPH0281461A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0281461A JPH0281461A JP23311688A JP23311688A JPH0281461A JP H0281461 A JPH0281461 A JP H0281461A JP 23311688 A JP23311688 A JP 23311688A JP 23311688 A JP23311688 A JP 23311688A JP H0281461 A JPH0281461 A JP H0281461A
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- JP
- Japan
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- resin
- remaining part
- parts
- terminals
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- Pending
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 11
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、パワートランジスタ、ダイオード。
サイリスクなどの半導体素子、あるいは半導体素子とそ
の駆動用回路、保護用回路などを備えた半導体装置に関
する。
の駆動用回路、保護用回路などを備えた半導体装置に関
する。
複数の半導体素子および他の回路素子からなる半導体装
置をモジュール化したものは、例えばパワートランジス
タモジュールとして従来より種々製品化されている。そ
のような装置の構造は、熱良導性の放熱絶縁基板と主と
して絶縁材料からなる側壁とを備え、前記絶縁基板上に
は半導体素子その他の回路素子、外部導出用端子を固着
し、ゲル状ンリコーンを注入し、さらにその上にエポキ
シ樹脂を注入して硬化させ、開口部を絶縁材料からなる
蓋体で閉じたものが一般的である。
置をモジュール化したものは、例えばパワートランジス
タモジュールとして従来より種々製品化されている。そ
のような装置の構造は、熱良導性の放熱絶縁基板と主と
して絶縁材料からなる側壁とを備え、前記絶縁基板上に
は半導体素子その他の回路素子、外部導出用端子を固着
し、ゲル状ンリコーンを注入し、さらにその上にエポキ
シ樹脂を注入して硬化させ、開口部を絶縁材料からなる
蓋体で閉じたものが一般的である。
上述のように、従来の半導体装置においては、容器内の
半導体素子などを封止するために、まず軟らかいゲル状
の樹脂１例えばゲル状ンリコーン樹脂を注入し、その上
にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂で覆うように注入し
て硬化させて封止している。そのために、半導体素子が
発熱するとエポキシ樹脂で上部を塞がれた熱膨張率の大
きなゲル状樹脂などの応力により、外部導出用端子のは
んだ付部（固着部）などに大きな応力がかかり、はんだ
付部が剥離するという問題があった。また、この問題を
解決するために、端子自体の形状を変えるなどのように
する応力緩和のためのバッファ部を設ける方法があるが
、端子のコストが高くなるという問題があった。
半導体素子などを封止するために、まず軟らかいゲル状
の樹脂１例えばゲル状ンリコーン樹脂を注入し、その上
にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂で覆うように注入し
て硬化させて封止している。そのために、半導体素子が
発熱するとエポキシ樹脂で上部を塞がれた熱膨張率の大
きなゲル状樹脂などの応力により、外部導出用端子のは
んだ付部（固着部）などに大きな応力がかかり、はんだ
付部が剥離するという問題があった。また、この問題を
解決するために、端子自体の形状を変えるなどのように
する応力緩和のためのバッファ部を設ける方法があるが
、端子のコストが高くなるという問題があった。
この発明は、上述の問題点を解消して、簡単な構造で安
価な外部導出用端子を用いても、ゲル状樹脂の熱膨張に
よる応力による端子はんだ何部の１１１１ Ａｔｌが発
生しない、信頼性の高い半導体装置を提供することを目
的とする。
価な外部導出用端子を用いても、ゲル状樹脂の熱膨張に
よる応力による端子はんだ何部の１１１１ Ａｔｌが発
生しない、信頼性の高い半導体装置を提供することを目
的とする。
上記の目的を達成するために、この発明によれば、熱良
導性の放熱絶縁基板と主として絶縁材料からなる側壁お
よび蓋体とを備え、前記放熱絶縁基板上には半導体素子
、外部導出用端子が固着され、側壁内に樹脂が注入され
て封止されてなる半導体装置において、外部導出用端子
の導出部と残部とが中堅により分けられており、この導
出部には熱硬化性樹脂が注入され、残部にはゲル状樹脂
が注入された構成の半導体装置とする。
導性の放熱絶縁基板と主として絶縁材料からなる側壁お
よび蓋体とを備え、前記放熱絶縁基板上には半導体素子
、外部導出用端子が固着され、側壁内に樹脂が注入され
て封止されてなる半導体装置において、外部導出用端子
の導出部と残部とが中堅により分けられており、この導
出部には熱硬化性樹脂が注入され、残部にはゲル状樹脂
が注入された構成の半導体装置とする。
ｒ作用〕
Ｌ記のような構成としたため、残部（半導体素子、その
他の回路素子の搭載部や外部導出用端子はんだ何部など
）内のゲル状樹脂が半導体素子の発熱により膨張しても
、上部がフリーなために応力の発生はなく、端子はんだ
何部に大きな応力が加わることはなくなる。また、外部
導出用端子は導出部内で熱膨張率の比較的小さい熱硬化
性樹脂により固定されて動くことはない。従って、外部
導出用端子に端子形状を変化させてなるバッファ部を設
ける必要はなくなる。
他の回路素子の搭載部や外部導出用端子はんだ何部など
）内のゲル状樹脂が半導体素子の発熱により膨張しても
、上部がフリーなために応力の発生はなく、端子はんだ
何部に大きな応力が加わることはなくなる。また、外部
導出用端子は導出部内で熱膨張率の比較的小さい熱硬化
性樹脂により固定されて動くことはない。従って、外部
導出用端子に端子形状を変化させてなるバッファ部を設
ける必要はなくなる。
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示すもので
、第１図（ａ）は外観斜視図、第１図（ｂ）は第１図（
ａ）のＡ−Ａ’ 断面図である。第１図において、放熱
絶縁基板ｌと絶縁材料からなる側壁２とで形成される側
壁内は中堅７により外部導出用端子の導出部と残部とに
分けられている。導出部で−１が外部へでている端子１
８の他端は、中堅７の下部を貫通して残部内に延びてベ
ース４となり、ベース４は放熱絶縁基板ｌにはんだ付け
されている。
、第１図（ａ）は外観斜視図、第１図（ｂ）は第１図（
ａ）のＡ−Ａ’ 断面図である。第１図において、放熱
絶縁基板ｌと絶縁材料からなる側壁２とで形成される側
壁内は中堅７により外部導出用端子の導出部と残部とに
分けられている。導出部で−１が外部へでている端子１
８の他端は、中堅７の下部を貫通して残部内に延びてベ
ース４となり、ベース４は放熱絶縁基板ｌにはんだ付け
されている。
端子■９の他端も中堅７の下部を貫通して残部内に延び
て、そこで放熱絶縁基板ｌにはんだ伺けされ一〇いる。
て、そこで放熱絶縁基板ｌにはんだ伺けされ一〇いる。
ベース４上に半導体素子５が固着され、アルミワイヤ６
で所要の電気的接続がなされている。残部にはゲル状シ
リコーン樹脂１１が注入されており、残部上面は蓋体３
により閉じられている。
で所要の電気的接続がなされている。残部にはゲル状シ
リコーン樹脂１１が注入されており、残部上面は蓋体３
により閉じられている。
導出部にはエポキシ樹脂ＩＯが注入されている。
ゲル状シリコーン樹脂１１は、その−Ｌ面がエポキシ樹
脂で被覆されずにフリーになっているので、熱膨張して
も応力が発生することはない。また、端子！８．端子■
９は導出部内で比較的熱膨張率の小さいエポキシ樹脂で
固定されており、端子に応力緩和のためのバッファ部を
設ける必要はなくなる。
脂で被覆されずにフリーになっているので、熱膨張して
も応力が発生することはない。また、端子！８．端子■
９は導出部内で比較的熱膨張率の小さいエポキシ樹脂で
固定されており、端子に応力緩和のためのバッファ部を
設ける必要はなくなる。
第２図は、他の実施例で、−１−述の実施例に駆動回路
、保護回路などを内蔵したもので、第２図（ａ）は外観
ネ１視図、第２図α））は第２図（ａ）のΔ−Δ°断面
図であり、第１図と共通な部分には同じ符号を付しであ
る。第２図において、１３は駆動回路、保護回路などの
電子部品１４が塔数されたプリント配線基板であり、側
壁内の壁に設けられた支持棚１２に取り付けられており
、１５は外部へ導出された１８号端子である。
、保護回路などを内蔵したもので、第２図（ａ）は外観
ネ１視図、第２図α））は第２図（ａ）のΔ−Δ°断面
図であり、第１図と共通な部分には同じ符号を付しであ
る。第２図において、１３は駆動回路、保護回路などの
電子部品１４が塔数されたプリント配線基板であり、側
壁内の壁に設けられた支持棚１２に取り付けられており
、１５は外部へ導出された１８号端子である。
この発明によれば、半導体装置の側壁内を中堅により外
部導出用端子の導出部と残部とに分け、導出部には熱膨
張率の比較的小さい熱硬化性樹脂を注入し、残部にはゲ
ル状樹脂を注入する。
部導出用端子の導出部と残部とに分け、導出部には熱膨
張率の比較的小さい熱硬化性樹脂を注入し、残部にはゲ
ル状樹脂を注入する。
このような構成とすることにより、ゲル状樹脂が熱によ
り膨張してもその上面がフリーになっているので応力が
発生することはなく、外部導出用端子のはんだ何部が剥
離することはなくなり、また、外部導出用端子はその導
出部で熱膨張率の比較的小さい樹脂で固定されているの
で、端子自体に応力緩和のだめのバッファ部を設ける必
要はなくなり、簡単な構造の端子を用いて安価で（ａ軸
性の高い゛１３導体装置が得られることになる。
り膨張してもその上面がフリーになっているので応力が
発生することはなく、外部導出用端子のはんだ何部が剥
離することはなくなり、また、外部導出用端子はその導
出部で熱膨張率の比較的小さい樹脂で固定されているの
で、端子自体に応力緩和のだめのバッファ部を設ける必
要はなくなり、簡単な構造の端子を用いて安価で（ａ軸
性の高い゛１３導体装置が得られることになる。
また、側壁内の各部に注入される樹脂は１種類ずつであ
り、従来のように２袖類の樹脂を積層しないので樹脂層
が薄くなり、その分生導体装置の高さを低くすることが
できる利点も生じる。
り、従来のように２袖類の樹脂を積層しないので樹脂層
が薄くなり、その分生導体装置の高さを低くすることが
できる利点も生じる。
第１図はこの発明の一実施例を示すもので、第１図（ａ
）は外観斜視図、第１図ら）は第１図（ａ）のＡ−Ａ°
断面図である。第２図は他の実施例を示すもので、第２
図（ａ）は外観斜視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ａ−Ａ’断面図である。 １ 放熱絶縁基板、２ 側壁、３ 蓋体、４ベース、５
半導体素子、６ アルミワイヤ、７中堅、８ 端子Ｌ
９ 端子ＩＩ、１０ エポキシ樹脂、１１ ゲル
状シリコーン樹脂。
）は外観斜視図、第１図ら）は第１図（ａ）のＡ−Ａ°
断面図である。第２図は他の実施例を示すもので、第２
図（ａ）は外観斜視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ａ−Ａ’断面図である。 １ 放熱絶縁基板、２ 側壁、３ 蓋体、４ベース、５
半導体素子、６ アルミワイヤ、７中堅、８ 端子Ｌ
９ 端子ＩＩ、１０ エポキシ樹脂、１１ ゲル
状シリコーン樹脂。
Claims (1)
- １）熱良導性の放熱絶縁基板と主として絶縁材料からな
る側壁および蓋体とを備え、前記放熱絶縁基板上には半
導体素子、外部導出用端子が固着され、前記側壁内に樹
脂が注入されて封止されてなる半導体装置において、外
部導出用端子の導出部と残部とが中堅により分けられて
おり、この導出部には熱硬化性樹脂が注入され、残部に
はゲル状樹脂が注入されていることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23311688A JPH0281461A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23311688A JPH0281461A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281461A true JPH0281461A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16950018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23311688A Pending JPH0281461A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281461A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519252A (en) * | 1992-07-24 | 1996-05-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor device employing pin block connection arrangement for facilitated and economized manufacture |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346755A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-27 | Hitachi Ltd | 絶縁モ−ルド型半導体装置 |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP23311688A patent/JPH0281461A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346755A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-27 | Hitachi Ltd | 絶縁モ−ルド型半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519252A (en) * | 1992-07-24 | 1996-05-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor device employing pin block connection arrangement for facilitated and economized manufacture |
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