JPS6346734B2

JPS6346734B2 -

Info

Publication number: JPS6346734B2
Application number: JP55114359A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Okuya; Giichi Goto
Original assignee: Takeda Chemical Industries Ltd
Current assignee: Takeda Pharmaceutical Co Ltd
Priority date: 1980-08-19
Filing date: 1980-08-19
Publication date: 1988-09-19
Also published as: JPS5738744A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、医薬として有用な新規キノン誘導体
および工業的に有利なキノン誘導体の新規な製造
法に関する。本発明の一つは、一般式〔式中、ｍは11〜22の整数であり、R₁は低級
アルキル基を、R₂は水素原子、低級アルキル基
または低級アシル基を示す。〕で表わされるキノ
ン誘導体に関する。前記一般式（）中、R₁，R₂で示される低級
アルキル基としては、たとえばメチル、エチル、
ｎ―プロピル、ｎ―ブチルなどの炭素数１〜４の
ものがあげられる。R₂で示される低級アシル基
としては炭素数１〜８のもの、具体的にはたとえ
ばホルミル、アルキルカルボニル（たとえばアセ
チル、プロピオニル、ブチリルなど）、アラルキ
ルカルボニル（たとえばフエニルアセチルなど）
およびアリルカルボニル（たとえばベンゾイルな
ど）があげられる。本発明の化合物（）は血圧降下作用、組織代
謝賦活作用、免疫調整作用、リソゾーム膜安定化
作用および抗SRS―Ａ作用（SRS―Ａ：slow
reacting substance of anaphylaxis）を有し、
人間を含む哺乳動物に対してたとえば心不全治療
剤、脳循環障害治療剤、免疫調整剤、抗アレルギ
ー剤（たとえば喘息、鼻炎の治療剤）などとして
用いられる。剤型としては、たとえばカプセル
剤、顆粒剤、散剤、錠剤、トローチ剤、丸剤、シ
ロツプ剤、注射剤、坐剤などがあげられるが、抗
アレルギー剤としては、軟膏剤、エアロゾル剤、
吸入剤などとして用いることもできる。また医薬として許容され得る製剤組成物に使用
されるものとしては、例えば白糖、乳糖、ブドウ
糖、でん粉、マンニツト、ソルビツト、セルロー
ス、タルク、シクロデキストリン等の賦形剤、セ
ルロース、メチルセルロース、ポリビニルプロリ
ドン、ゼラチン、アラビアゴム、ポリエチレング
リコール、白糖、でん粉等の結合剤、でん粉、カ
ルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセ
ルロースのカルシウム塩等の崩壊剤、タルク等の
滑沢剤、矯味剤、安息香酸ナトリウム等の保存
剤、メチルセルロース、ポリビニルピロリドン、
ステアリン酸アルミニム等のけんだく化剤、ポリ
ソルベート80、エマルゲン408、エマゾール310等
の分散剤、水等の溶剤、カカオ脂、ポリエチレン
グリコール、ウエテプソール、白色ワセリン等の
基剤等が挙げられ、これらは製剤の種類に応じて
適宜選択される。本発明の化合物（）は経口もしくは非経口の
ルートにより、成人１日当り５―500mg（0.1―10
mg／Kg）、好ましくは10―300mg／daily（0.2―６
mg／Kg）が好んで用いられる。本発明の化合物（）はたとえば一般式〔式中、R₁，R₂およびｍは前記と同意義であ
り、水素原子、保護されていてもよい水酸基もし
くは保護されていてもよいアミノ基を、R₃は水
素、低級アルキルもしくは低級アシル基を示す。〕
で表わされる化合物を酸化することにより得るこ
とができる。前記式中、R₃で示される低級アルキル基とし
ては、たとえばメチル、エチル、プロピルもしく
はブチル基など炭素数１〜４のものがあげられ
る。R₃で示される低級アシル基としては炭素数
が１〜８のものが挙げられその具体例としてはた
とえばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチ
リル基のような脂肪族アシル基、フエニルアセチ
ル基のような芳香脂肪族アシル基またはベンゾイ
ル基のような芳香族アシル基が挙げられる。Ｘで
示される保護された水酸基としてはたとえばメト
キシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等の炭素
数１〜４のアルコキシ、たとえばベンジルオキシ
などの炭素数７〜９のアラルキルオキシ、たとえ
ばホルミルカルボニルオキシ、炭素数２〜６のア
ルキルカルボニルオキシ（例、アセチルオキシ、
プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ）、炭素数
８〜10のアラルキルカルボニルオキシ（例、フエ
ニルアセチルオキシ）、炭素数７〜９のアリール
カルボニルオキシ（例、ベンゾイルオキシ）など
の炭素１〜９のアシルオキシ、たとえばテトラヒ
ドロフラニルオキシ、テトラヒドロピラニルオキ
シ、メトキシメチルオキシ、チオメトキシメチル
オキシなどの炭素２〜７のアセタール、たとえば
トリメチルシリルオキシ、ｔ―ブチルジメチルシ
リルオキシなどの炭素数３〜６のトリアルキルシ
リルオキシなどがあげられる。Ｘで示される保護
されたアミノ基としては、たとえばホルミルアミ
ノ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブチ
リルアミノなどの脂肪族アシルアミノ基が挙げら
れる。酸化反応は一般に酸化剤を用いて有利に行われ
る。酸化剤としては、たとえば過酸化水素；過酢
酸、過ギ酸、トリフロロ過酢酸、過安息香酸など
の有機過酸；過マンガン酸カリウム、重クロム酸
カリウム、無水クロム酸、二酸化マンガン、酸化
鉛、酸化銀、炭酸銀などの金属酸化物とその塩；
ニトロソジスルホン酸カリウム、過硫酸カリウ
ム、過硫酸アンモニウムなどのスルホン酸酸化
物；および亜硝酸塩、塩化第二鉄やフエロシアン
化カリウムなどを挙げうる。本酸化反応は通常適宜の溶媒中で行われる。溶
媒としては、所望の反応を妨げないものであれば
いずれも用いうる。その具体例として、たとえば
水、酸もしくは塩基の希水溶液；メタノール、エ
タノール、ブタノールなどの低級アルコール；ア
セトン、メチルエチルケトンなどの低級脂肪族ケ
トン；ジオキサン、テトラヒドロフラン、エーテ
ルなどのエーテル型溶媒；クロロホルム、ジクロ
ルメタン、１，２―ジクロルエタン、四塩化炭素
などのハロゲン化炭化水素型溶媒；ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチル
ホスホロアミドなどのアミド型溶媒；およびジメ
チルスルホキシドなどが挙げられる。反応に適当な温度および時間は使用する酸化剤
の種類によつて異なるが、通常−10℃から使用し
た溶媒の沸点近くまでの温度および0.5時間から
10日間程度の時間が好ましい。酸化剤として過硫酸塩や亜硝酸塩を用いる場合
は、適当な緩衝液、たとえばリン酸緩衝液の存在
下に反応を行うことにより好ましい結果が得られ
る。本発明の酸化反応の終了後、目的物は自体公知
の処理手段（たとえば、抽出、濃縮、再結晶、ク
ロマトグラフイー）により容易に単離、精製する
ことができる。本発明の他の一つは、一般式〔式中、X₁，X₂はいずれか一方が水酸基また
はアミノ基を示し、他方が水素原子もしくはエス
テル化またはエーテル化された水酸基を示し、他
の記号は前記と同意義である。〕で表わされる化
合物を遷移金属錯体の存在下酸素または空気で酸
化することを特徴とする一般式〔式中、各記号は前記と同意義である。〕で表
わされるキノン誘導体の製造法に関するものであ
る。従来より、一般式（）で表わされる化合物を
たとえば過酸化水素、過酢酸、過ギ酸、重クロム
酸カリ、過マンガン酸カリ、無水クロム酸、ニト
ロソジスルホン酸カリウム、過硫酸カリウムなど
の酸化剤を用いて酸化することにより一般式
（）で表わされるキノン誘導体を得ることは知
られている。しかし上記のような酸化剤を用いた
場合には目的物の収率が低く、副生成物が多いた
め高純度の目的物を得難く、また安全面からみて
も上記酸化剤を大量に取り扱うことは危険であ
り、従来法はいずれも工業的には不適当である。
これに比べて本発明の方法によれば、コバルト錯
体を用いることにより、目的物を高収率高純度で
得ることができ工業的に極めて有利である。またX₁，X₂の一方で示されるエステル化また
はエーテル化された水酸基としては、たとえばア
ルキルカルボニルオキシ基（たとえばアセチルオ
キシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ基な
ど炭素数２〜６のもの）、アリールカルボニルオ
キシ基（たとえばベンゾイルオキシ基など炭素数
６〜８のもの）などのアシルオキシ基、たとえば
テトラヒドロピラニルオキシ、テトラヒドロフラ
ニルオキシ、メトキシメチルオキシ、２―メトキ
シエチルオキシなどのアルコキシアルキルオキシ
基（アルコキシの炭素数が１〜７でアルキルの炭
素数が１〜２）、たとえばトリメチルシリル、ｔ
―ブチルジメチルシリル基などの炭素数３〜６の
トリアルキルシリル基などがあげられる。本発明の酸化反応は遷移金属錯体の存在下、通
常酸素あるいは空気などによる接触酸化法により
行なわれる。使用される遷移金属錯体としては酸
素と可逆的に酸素錯体を生成するものであればい
かなるものでもよく、たとえば鉄、コバルト、ニ
ツケル、銅などの遷移金属の錯体があげられるが
なかでもコバルト錯体が好ましく用いられる。コ
バルト錯体の中でも特に一般式〔式中Ｄは

【式】（式中R₅は低級アルキル基またはフエニル基を示す）で表わされるビニレ
ン基または式

【式】（式中R₆は水素原子、ヒドロキシ基または低級アルコキシ基を示す）で表
わされるオルソフエニレン基を示す。Ｅは水素原
子または低級アルキル基を示す。Ｇは

【式】（式中R₇は水素原子または低級アルキル基を示す）で表わされるエチレン基または

【式】で表わされるオルソフエニレン基を示す〕で表わされるものが好ましい。上記R₅，R₇
およびＥで示される低級アルキル基としてはメチ
ル、エチルなど炭素数１〜２のものが、R₆で示
される低級アルコキシとしてはメトキシ、エトキ
シなど炭素数１〜２のものがあげられる。上記一
般式（）で表わされる化合物の具体例として
は、たとえばコバルトザレン（ザルコミン）、コ
バルトザルプル、コバルトザルフエン、コバルト
アカセン、コバルトブザセンなどの２価コバルト
―シツプ塩基錯体のほか、たとえばビス（３―ア
ルコキシサリシリデン）エチレンジイミノコバル
ト（）、ビス（４―ヒドロキシサリシリデン）
エチレンジイミノコバルト（）などがあげられ
る。本接触酸化は通常有機溶媒中で行なわれる。溶
媒としてはジクロルメタン、１，２―ジクロルエ
タン、１，１，２，２―テトラクロルエタン、ク
ロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン系有機溶
媒、メタノール、エタノール、ブタノールなどの
低級アルコール系有機溶媒、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホ
ロトリアミドなどのアミド系溶媒、ピリジンおよ
び置換ピリジン（たとえばＳ―コリジン）、ジメ
チルスルフオキシド、スルホランなどが使用され
る。またこれらの有機溶媒を二種以上適宜混合し
て使用してもよい。本反応で金属錯体の使用量は原料の種類その他
の反応条件によつて異なるが通常化合物（）に
対して0.01―50重量％の範囲で使用されるが、１
―30重量％が好ましい。また本錯体による酸化反
応はイミダゾール、ピリジン、シアンイオン（た
とえばシアン化ナトリウム）の添加より促進さ
れ、添加量は通常使用した遷移金属錯体と同重量
が好ましい。反応温度は通常０℃〜80℃であるが、室温が好
ましい。この反応は常圧下に行なつてもよいが
150気圧以下の加圧下に行なつてもよい。反応時
間は0.5時間〜30日間の範囲で適宜選択して行な
われるが、通常75時間までである。本発明の酸化反応の終了後、目的物は自体公知
の処理手段（たとえば、抽出、濃縮、再結晶、ク
ロマトグラフイー）により容易に単離、精製する
ことができる。本発明の方法において用いられる原料化合物
（）はたとえば特開昭51−128932に記載の方法
またはこれらに準ずる方法によつて製造すること
ができる。化合物（）はつぎの方法によつても
製造することができる。（式中の各記号は前記と同意義である）実施例１２，３―ジメトキシ―５―メチル―１，４―ベ
ンゾキノン（1.7ｇ）を酢酸（20ml）に溶かし、
90℃でかきまぜながら、ビス―13―メトキシカル
ボニルトリデカノイルパーオキシド（7.6ｇ）を
少量ずつ加える。22時間加熱し、冷後水で稀釈
し、エーテルで抽出する。抽出液を飽和食塩水、
重ソウ水、食塩水で順次洗い、乾燥する。溶媒を
減圧下留去し、残留物をヘキサンから再結晶して
橙色針状晶の２，３―ジメトキシ―６―（12―メ
トキシカルボニルドデシル）―５―メチル―１，
４―ベンゾキノン（1.37ｇ）を得る。融点54℃ 水素化リチウムアルミニウム（740mg）を乾燥
エーテル（80ml）にけんだくし、氷冷下かきまぜ
ながら２，３―ジメトキシ―５―メチル―６―
（12―メトキシカルボニルドデシル）―１，４―
ベンゾキノン（1.06ｇ）の乾燥エーテル100ml溶
液を滴下する。1.5時間後氷水を加え過剰の水素
化リチウムアルミニウムを分解し、ついで塩酸酸
性としエーテルで抽出する。抽出液を水洗後減圧
下濃縮する。残留物のメタノール（30ml）溶液
に、塩化第二鉄（12ｇ）を水（60ml）に溶かして
加え室温で1.5時間かきまぜる。反応液を水で希
釈し、酢酸エチルで抽出する。抽出液を水洗、乾
燥後溶媒を減圧下留去して得られる残留物をクロ
ロホルムに溶かし、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイーに付す。クロロホルム―エタノール
（99：１）で溶出する画分より得られる結晶をエ
ーテル―ヘキサンから再結晶して黄色針状晶の６
―ヒドロキシトリデシル）―２，３―ジメトキシ
―５―メチル―１，４―ベンゾキノン（727mg）
を得る。融点65〜66℃。実施例２メチル22―（２―ヒドロキシ―３，４―ジメト
キシ―６―メチルフエニル）ドコサノアート３ｇ
のテトラヒドロフラン溶液30mlに水素化リチウム
アルミニウムを加え１時間室温でかき混ぜる。氷
冷下反応液に10％硫酸を加えエーテルで抽出す
る。抽出液を水洗、乾燥後溶媒を減圧下留去し、
６―（22―ヒドロキシドコシル）―２，３―ジメ
トキシ―５―メチルフエノールを無色結晶で得
た。融点78―81℃ 22―（２―ヒドロキシ―３，４―ジメトキシ―
６―メチルフエニル）ドコサン―１―オール
（300mg）およびビス（４―ヒドロキシサリシリデ
ン）エチレンジイミノコバルト（）（50mg）を
ジメチルホルムアミド（200ml）にけんだくし、
酸素気流中常温、常圧で７日間かきまぜる。不溶
物をろ去し、ろ液を減圧下濃縮する。残留物を水
で希釈し酢酸エチルで抽出する。抽出液を常法に
より処理し、生成物をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーに付す。クロロホルムで溶出される画
分をメタノールから再結晶して橙黄色針状晶の６
―（22―ヒドロキシドコシル）―２，３―ジメト
キシ―５―メチル―１，４―ベンゾキノンを得
た。融点89―90.5℃ 実施例３ 12―アセトキシ―ｎ―ドデシル酸クロリド
（8.5ｇ）の１，２―ジクロルエタン溶液（30ml）
に塩化アルミニウム（8.2ｇ）を加え室温で２時
間かきまぜる。本反応液を５℃に冷却し、これに
３，４，５―トリメトキシトルエン（5.6ｇ）の
１，２―ジクロルエタン溶液（20ml）を加え、室
温で72時間かき混ぜる。ついで反応液を50―60に
加熱し30分間かき混ぜる。反応液にメタノール
（200ml）を加え３時間50℃でかき混ぜる。溶媒を
留去し、残留物をジクロルメタンで抽出する。ジ
クロルメタン層は水洗し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を留去すると粗結晶が得られる。
本品をエーテル―ヘキサン（１：１）から再結晶
すると無色針状晶の６―（12―ヒドロキシ―１―
オキソドデシル）―２，３―ジメトキシ―５―メ
チルフエノール（8.5ｇ）が得られる。融点82℃。６―（12―ヒドロキシ―１―オキソドデシル）
―２，３―ジメトキシ―５―メチルフエノール
（6.4ｇ）の酢酸溶液（150ml）に、５％パラジウ
ム―炭素（50％含水物）（1.1ｇ）と70％過塩素酸
（0.1ml）を加え、常温、常圧で接触還元する。水
素の吸収が終了したら、触媒を濾別し、濾液を減
圧下に濃縮する。残留物をジクロルメタンで抽出
する。ジクロルメタン層は５％炭酸水素ナトリウ
ム水溶液で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。溶媒を留去すると無色油状物として（６―
（12―アセトキシドデシル）―２，３―ジメトキ
シ―５―メチルフエノール（6.8ｇ）が得られる。 IRν^Neat _naxcm^-1：3450（OH），1730（OAc），1610，
1580（Ar） NMRδ^CDCl3 _ppn：1.1―1.8〔20H，ｍ，―（CH₂）₁₀
―〕，2.02（3H，ｓ，OAc），2.23（3H，ｓ，
C₅―CH₃），2.55（2H，ｔ，Ｊ＝７Hz，C₁
―H₂），3.79（3H，ｓ，OCH₃），3.83（3H，
ｓ，OCH₃），4.02（2H，ｔ，Ｊ＝６Hz，
CH₂OAc），5.78（1H，ｓ，C₁―OH），
6.23（1H，ｓ，C₄―Ｈ） MS ｍ／ｅ：394（M⁺），352，334，181 ６―（12―アセトキシドデシル）―２，３―ジ
メトキシ―５―メチルフエノール（6.1ｇ）のジ
メチルホルムアミド溶液（300ml）に、ニトロソ
ジスルホン酸カリウム（18ｇ）、水（300ml）、メ
タノール（50ml）およびリン酸一カリウム（0.5
ｇ）を加え、30日間室温でかき混ぜる。生成物を
クロルメタンで抽出後、有機層は水洗し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去すると粗
結晶が得られる。本品をヘキサンから再結晶する
と橙黄色針状晶の６―（12―アセトキシドデシ
ル）―２，３―ジメトキシ―５―メチル―１，４
―ベンゾキノン（4.8ｇ）が得られる。融点47℃。６―（12―アセトキシドデシル）―２，３―ジ
メトキシ―５―メチル―１，４―ベンゾキノン
（4.4ｇ）のメタノール溶液（200ml）に濃塩酸
（0.1ml）を加え室温で12時間放置する。反応液に
炭酸水素ナトリウム（0.2ｇ）を加え、溶媒を留
去する。生成物をジクロルメタンに溶解し、不溶
物を濾別する。ジクロルメタンを留去すると粗結
晶が得られる。ヘキサン―エーテル（３：１）か
ら再結晶すると橙黄色針状晶の６―（12―ヒドロ
キシキシドデシル）―２，３―ジメトキシ―５―
メチル―１，４―ベンゾキノン（3.8ｇ）が得ら
れる。融点63℃。実施例４６―（20―ヒドロキシエイコシル）２，３―ジ
メトキシ―５―メチルフエノール（2.3ｇ）のジ
メチルホルムアミド溶液（1.5）に、ニトロソ
ジスルホン酸カリウム（30ｇ）、水1.5、メタノ
ール300mlおよびリン酸一カリウム（1.3ｇ）を加
え、室温で45日間かき混ぜる。生成物はジクロル
メタンで抽出し、エーテルから再結晶すると、橙
黄色針状晶の６―（20―ヒドロキシエイコシル）
―２，３―ジメトキシ―５―メチル―１，４―ベ
ンゾキノン（1.3ｇ）が得られる。融点85℃。実施例５６―（20―ヒドロキシエイコシル）―２，３―
ジメトキシ―５―メチルフエノール（0.6ｇ）の
テトラヒドロフラン溶液（80ml）に過硫酸カリウ
ム（2.7ｇ）の水溶液（20ml）を加え、室温、窒
素気流下に72時間かき混ぜる。生成物をエーテル
ですばやく抽出し、エーテルを留去する。残留物
である６―（20―ヒドロキシエイコシル）―２，
３―ジメトキシ―５―メチルヒドロキノンに無水
酢酸１mlを加え３時間室温で放置する。生成物は
常法に従つて抽出し、ヘキサンから再結晶すると
無色針状晶の６―（20―アセトキシエイコシル）
―２，３―ジメトキシ―５―メチルヒドロキノン
―１，４―ジアセタート（0.31ｇ）が得られる。
融点67℃ 本品をメタノール性濃塩酸で処理し、ついでメ
タノール性塩化第二鉄で処理すると６―（20―ヒ
ドロキシエイコシル）―２，３―ジメトキシ―５
―メチル―１，４―ベンゾキノンが得られる。融
点85℃。実施例６６―（11―アセトキシウンデシル―２，３―ジ
メトキシ―５―メチルフエノール（８ｇ）のジメ
チルホルムアミド溶液（400ml）にニトロソジス
ルホン酸カリウム（24ｇ）、水（400ml）、メタノ
ール（30ml）およびリン酸一カリウム（1.0ｇ）
を加え、室温で28日間かき混ぜる。生成物をジク
ロルメタンで抽出し、ジクロルメタンは水洗し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去す
ると粗結晶が得られる。ヘキサンから再結晶する
と橙黄色針状晶の６―（11―アセトキシウンデシ
ル）―２，３―ジメトキシ―５―メチル―１，４
―ベンゾキノン6.4ｇが得られる。融点41℃ ６―（11―アセトキシウンデシル）―２，３―
ジメトキシ―５―メチル―１，４―ベンゾキノン
（4.2ｇ）のメタノール溶液（200ml）に濃塩酸
（0.1ml）を加え、室温で12時間放置する。反応液
に炭酸水素ナトリウム（0.2ｇ）を加え、溶媒を
留去する。生成物をジクロルメタンに溶解し、不
溶物を濾別する。ジクロルメタンを留去すると粗
結晶が得られる。ヘキサン―エーテル（３：１）
から再結晶すると橙黄色針状晶の６―（11―ヒド
ロキシウンデシル）―２，３―ジメトキシ―５―
メチル―１，４―ベンゾキノン（3.6ｇ）が得ら
れる。融点57℃ 実施例７ 18―アセトキシ―ｎ―オクタデカン酸クロリド
（11ｇ）の１，２―ジクロルエタン溶液（50ml）
に塩化アルミニウム（７ｇ）を加え、室温で２時
間かき混ぜる。本反応液を５℃に冷却し、これに
３，４，５―トリメトキシトルエン（6.2ｇ）の
１，２―ジクロルエタン溶液（20ml）を加え、室
温で72時間かき混ぜる。ついで反応液を50―60℃
に加熱して、30分間かき混ぜる。放冷後反応液に
氷水を加え、生成物をジクロルメタンで抽出す
る。ジクロルメタン層は水洗したのち溶媒を留去
すると油状物（12.1ｇ）が得られる。本品をメタ
ノール（150ml）に溶解し、これに水酸化ナトリ
ウム（5.2ｇ）を加え、室温で２時間かき混ぜる。
反応液を5N塩酸で中和し、溶媒を留去すると粗
結晶が析出する。本品を水洗したのち、ジクロル
メタン―エーテル（１：１）から再結晶すると無
色針状晶の６―（18―ヒドロキシ）―１―オキソ
オクタデシル）―２，３―ジメトキシ―５―メチ
ルフエノール（6.4ｇ）が得られる。融点101℃ ６―（18―ヒドロキシ―１―オキソオクタデシ
ル）―２，３―ジメトキシ―５―メチルフエノー
ル（1.4ｇ）の酢酸溶液（30ml）に５％パラジウ
ムカーボン（50％含水物）（0.5ｇ）と70過塩素酸
（0.05ml）を加え常温、常圧で接触還元する。水
素の吸収が終了したら、触媒を濾別し、濾液を減
圧下に濃縮すると無色油状物が得られる。本品を
エーテルに溶解し、エーテル層は５％炭酸水素ナ
トリウム水溶液で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで
乾燥し、ついで溶媒を留去すると粗結晶が得られ
る。ヘキサンから再結晶すると無色針状晶の６―
（18―アセトキシオクタデシル）―２，３―ジメ
トキシ―５―メチルフエノール（1.4ｇ）が得ら
れる。融点53℃ 上記の18―アセトキシ体から実施例６に示した
方法で脱アセチル化して得られる６―（18―ヒド
ロキシオクタデシル）―２，３―ジメトキシ―５
―メチルフエノール（0.5）のジメチルホルムア
ミド溶液（１）に、ニトロソジスルホン酸カリ
ウム（13ｇ）、水700ml、メタノール100mlおよび
リン酸一カリウム（１ｇ）を加え、室温で45日間
かき混ぜる。生成物は常法に従つて抽出し、エー
テル―ヘキサンから再結晶すると黄色針状晶の６
―（18―ヒドロキシオクタデシル）―２，３―ジ
メトキシ―５―メチル―１，４―ベンゾキノン
（0.31ｇ）が得られる。融点81℃ 実施例８６―（12′―ヒドロキシドデシル―２，３―ジ
メトキシ―５―メチルフエノール（1.7ｇ）のジ
メチルホルムアミド溶液（30ml）にピリジン（50
mg）、ビス（４―ヒドロキシサリシリデン）エチ
レンジイミノコバルト（）（36mg）を加え、室
温、常圧の酸素気流下で72時間かき混ぜる。反応
終了後、溶媒を留去し残留物をエーテルで抽出す
る。エーテル層は常法により水洗、乾燥したの
ち、溶媒を留去すると粗結晶が得られる。エーテ
ルから再結晶すると、橙黄色針状晶の６―
（12′―ヒドロキシドデシル）―２，３―ジメトキ
シ―５―メチル―１，４―ベンゾキノン（1.37
ｇ）が得られる。融点63℃ 実施例９６―（12′―アセトキシドデシル―２，３―ジ
メトキシ―５―メチルフエノール（1.1ｇ）のジ
メチルホルムアミド溶液（20ml）にビス（サリシ
リデン）エチレンジイミノコバルト（）（40mg）
を加え、室温、常圧の酸素気流下で72時間かき混
ぜる。生成物は実施例８の記載の方法で単離し、
エーテル―ヘキサン（１：１）から再結晶する
と、６―（12′―アセトキシドデシル）―２，３
―ジメトキシ―５―メチル―１，４―ベンゾキノ
ン（0.84ｇ）が橙黄色針状晶として得られる。融
点47℃ 実施例 10 ６―（20′―ヒドロキシエイコサニル）―２，
３―ジメトキシ―５―メチルフエノール（4.0ｇ）
のジメチルホルムアミド溶液（50ml）にビス（サ
リシリデン）エチレンジイミノコバルト（）
（40mg）を加え、室温、常圧の酸素気流下で72時
間かき混ぜる。生成物は実施例８の記載の方法で
単離し、エーテルから再結晶すると、黄色針状晶
の６―（20′―ヒドロキシエイコサニル）―２，
３―ジメトキシ―５―メチル―１，４―ベンゾキ
ノン（3.28ｇ）が得られる。融点85℃。

Claims

【特許請求の範囲】１一般式［式中、ｍは11〜22の整数を、R₁は低級アル
キル基を、R₂は水素原子、低級アルキル基また
は低級アシル基を示す。］で表されるキノン誘導
体。２一般式［式中、ｍは11〜22の整数を、R₁は低級アル
キル基を、R₂は水素原子、低級アルキル基また
は低級アシル基を、X₁，X₂はいずれか一方が水
酸基またはアミノ基を示し、他方は水素またはエ
ステル化もしくはエーテル化された水酸基を示
す。］で表わされる化合物を遷移金属錯体の存在下酸素
または空気で酸化することを特徴とする一般式［式中の各記号は前記と同意義である］で表わ
されるキノン誘導体の製造法。３遷移金属錯体が一般式［式中Ｄは式【式】（式中R₅は低級アルキル基もしくはフエニル基を示す）のビニレン基
または式【式】（式中R₆は水素、ヒドロキシ基もしくは低級アルコキシ基を示す）のオルソ
フエニレン基を示す。Ｅは水素もしくは低級アル
キル基を示す。Ｇは【式】（式中R₇は水素もしくは低級アルキル基を示す）のエチレン基
または式【式】のオルソフエニレン基を示す］で表されるコバルト錯体である特許請求の範
囲第２項記載のキノン誘導体の製造法。