JPS6345802A - 非晶質膜およびその製造方法 - Google Patents
非晶質膜およびその製造方法Info
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- JPS6345802A JPS6345802A JP61189762A JP18976286A JPS6345802A JP S6345802 A JPS6345802 A JP S6345802A JP 61189762 A JP61189762 A JP 61189762A JP 18976286 A JP18976286 A JP 18976286A JP S6345802 A JPS6345802 A JP S6345802A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は、雰囲気の相対湿度の変化により電気抵抗値が
変化する非晶質膜とその製造方法に関する。
変化する非晶質膜とその製造方法に関する。
先行技術とその問題点
近年、例えば感湿材料としては、雰囲気に対して物理的
、化学的に安定であり、強度も高い金属酸化物系セラミ
ックが用いられるようになってきている。
、化学的に安定であり、強度も高い金属酸化物系セラミ
ックが用いられるようになってきている。
従来のセラミック感湿材料は、水蒸気が多孔質セラミッ
ク表面で解離し、これによって生じた水素イオン(Ho
)の濃度が周囲の相対湿度によって変化して感湿部の電
気抵抗値が変化することを利用するものである。
ク表面で解離し、これによって生じた水素イオン(Ho
)の濃度が周囲の相対湿度によって変化して感湿部の電
気抵抗値が変化することを利用するものである。
一方、感湿材料を湿度センサとして空調機の自動湿度コ
ントロール等の用途に使用する場合、駆動および検知回
路−Fの使い易さの点で、より低い電気抵抗値を有する
湿度センサが要望されている。
ントロール等の用途に使用する場合、駆動および検知回
路−Fの使い易さの点で、より低い電気抵抗値を有する
湿度センサが要望されている。
しかし、従来のH+の電気伝導を利用する感湿材料では
、良好な感度を維持しての電気抵抗の低減は困難である
。 また、使用によりOH基が感湿材料表面に安定吸着
され、電気抵抗値が経時的に変化し、これを防止するた
めに、ヒーターにより500〜600℃以上に加熱し、
初期特性にまで復帰させる操作が必要である。
、良好な感度を維持しての電気抵抗の低減は困難である
。 また、使用によりOH基が感湿材料表面に安定吸着
され、電気抵抗値が経時的に変化し、これを防止するた
めに、ヒーターにより500〜600℃以上に加熱し、
初期特性にまで復帰させる操作が必要である。
このような問題を解決するものとして、有機ケイ素化合
物重合体およびアルカリ金属化合物を含有する焼成残留
物から成る感湿材料(特開昭59−132352号)お
よび金属アルコキシドを加水分解した後、いわゆるゾル
−ゲル法を用いて得た成形体くゲル硬化体)を焼成し、
それに一対の電極を形成することによって得られる感湿
素f(特開昭59−147402号)が報告されている
。
物重合体およびアルカリ金属化合物を含有する焼成残留
物から成る感湿材料(特開昭59−132352号)お
よび金属アルコキシドを加水分解した後、いわゆるゾル
−ゲル法を用いて得た成形体くゲル硬化体)を焼成し、
それに一対の電極を形成することによって得られる感湿
素f(特開昭59−147402号)が報告されている
。
L記の感湿材料は、従来の感湿材料に比べ、電気抵抗が
低く、経時劣化防止用の加熱装置が不要であり、比較的
低温での焼成で作製できるものである。 しかし1、こ
れらの電気抵抗は未だ105Ω以上であり、また、焼成
も500〜1300℃で0.5〜10時間必要である。
低く、経時劣化防止用の加熱装置が不要であり、比較的
低温での焼成で作製できるものである。 しかし1、こ
れらの電気抵抗は未だ105Ω以上であり、また、焼成
も500〜1300℃で0.5〜10時間必要である。
このため、より電気抵抗が低く、かつ製造の容易な、安
定した特性を有する新規な材料が望まれている。
定した特性を有する新規な材料が望まれている。
■ 発明の目的
本発明の目的は、特に感湿材料として感湿範囲が広く電
気抵抗が低く、また経時安定性に優れ、かつ、製造がき
わめて容易な非晶′R膜とその製造方法を提供すること
にある。
気抵抗が低く、また経時安定性に優れ、かつ、製造がき
わめて容易な非晶′R膜とその製造方法を提供すること
にある。
■ 発明の開示
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち第1の発明は、S i02 、 P205およ
びTiO2を含有することを特徴とする非晶質膜である
。
びTiO2を含有することを特徴とする非晶質膜である
。
また、第2の発明は、シリコンアルコキシド、リン酸お
よびチタンアルコキシドの加水分解物溶液を塗設後乾燥
し、5io2.P2O。
よびチタンアルコキシドの加水分解物溶液を塗設後乾燥
し、5io2.P2O。
およびTiO2を含有する非晶質膜を得ることを特徴と
する非晶質膜の製造方法である。
する非晶質膜の製造方法である。
■ 発・明の具体的構成
以F、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の非晶質膜の材料は、シリコンアルコキシド、リ
ン酸およびチタンアルコキシドを使用したS i 02
−P2O3−T io2系の非晶質材料である。
ン酸およびチタンアルコキシドを使用したS i 02
−P2O3−T io2系の非晶質材料である。
シリコンアルコキシドとしては、シリコンメトキシド[
S i (OCH3) 4] 、シリコンエトキシド
[S i (OC2H5) 4 ] 、シリコンイソプ
ロポキシド[S i (0−i soC。
S i (OCH3) 4] 、シリコンエトキシド
[S i (OC2H5) 4 ] 、シリコンイソプ
ロポキシド[S i (0−i soC。
07)4]等を使用することができる。
また、リン酸としては、正リン酸(H3POL)または
ヒロリン酸(H4P2O7)を使用することができる。
ヒロリン酸(H4P2O7)を使用することができる。
また、チタンアルコキシドとしては、チタンイソプロポ
キシド[Ti (0−isoC3H7)4]、チタンn
−ブトキシド[Ti(On C4Hs ) 4 ]等を
使用することができる。
キシド[Ti (0−isoC3H7)4]、チタンn
−ブトキシド[Ti(On C4Hs ) 4 ]等を
使用することができる。
これらシリコンアルコキシド、リン酸およびチタンアル
コキシドを所望の最終組成となるようなモル比にて、所
定の溶媒に溶解し、加水分解し、これを塗設し乾燥して
非晶質膜とする。
コキシドを所望の最終組成となるようなモル比にて、所
定の溶媒に溶解し、加水分解し、これを塗設し乾燥して
非晶質膜とする。
用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパ
ツール、ブタノール等のアルコール系を用いる。 濃度
は上記各原料化合物の総計が20〜60%程度となるよ
うにすればよい。
ツール、ブタノール等のアルコール系を用いる。 濃度
は上記各原料化合物の総計が20〜60%程度となるよ
うにすればよい。
より具体的には、シリコンアルコキシドとアルコール、
リン酸と水、チタンアルコキシドとアルコールとを混合
して用いればよい。 加水分解は、通常常温にて溶液を
攪拌して行えばよい。
リン酸と水、チタンアルコキシドとアルコールとを混合
して用いればよい。 加水分解は、通常常温にて溶液を
攪拌して行えばよい。
この場合、チタンアルコキシドに対して安定化剤を用い
ることもできる。
ることもできる。
この加水分解によって、通常はゾル状のネットワークが
形成される。
形成される。
次いで、所定の基板上にこれを塗設する。
9、45には、ディッピング法やスピンコート法を用い
ればよい。
ればよい。
このような−液塗布にかえ、二液塗布を行うこともでき
る。 二液塗布により、より安定な成膜が可能となる。
る。 二液塗布により、より安定な成膜が可能となる。
二ft塗布では、シリコンアルコキシドにメチルアルコ
ール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチル
アルコール等のアルコールを添加して攪拌し、さらに正
リン酸(t’t 3po4)またはビロリン酸(H4P
2O7)および純水を加え、通常、常温にて攪拌して加
水分解を行い溶液工を得る。
ール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチル
アルコール等のアルコールを添加して攪拌し、さらに正
リン酸(t’t 3po4)またはビロリン酸(H4P
2O7)および純水を加え、通常、常温にて攪拌して加
水分解を行い溶液工を得る。
これにより、5i−P結合をもつゾル状のネットワーク
が形成される。
が形成される。
この場合、シリコンアルコキシド1モルに対し、アルコ
ールは5〜10モル程度、リン酸は0.5〜7モル程度
、純水は4〜10モル程度添加することが好ましい。
ールは5〜10モル程度、リン酸は0.5〜7モル程度
、純水は4〜10モル程度添加することが好ましい。
他方、チタンアルコキシドにプロピルアルコール、ブチ
ルアルコール等のアルコールを添加して溶液■を得る。
ルアルコール等のアルコールを添加して溶液■を得る。
この場合、上記のように安定化剤を加えることもできる
。
。
次に、基板上にこれら溶液工および溶液■を用いて塗布
を行う。
を行う。
この場合の塗布は前記の一液塗布として、これら溶液を
塗布直前に混合して行うこともできるが、より好ましく
は固溶液の塗布を別々に行う二液塗布を用いる。
塗布直前に混合して行うこともできるが、より好ましく
は固溶液の塗布を別々に行う二液塗布を用いる。
塗布の順序には特に制限はないが、成膜性からすると溶
液Iの塗布を先にすることが好ましい。
液Iの塗布を先にすることが好ましい。
この場合の塗布もスピンコート法やディッピング法を用
いればよい。
いればよい。
その後乾燥を行う。 乾燥は、200℃以下、より好ま
しくは120〜150℃で10〜30分程度行えばよい
。
しくは120〜150℃で10〜30分程度行えばよい
。
乾燥時の雰囲気には特に−1限はない。
本発明では、このように低い温度の乾燥で良好な非晶質
膜が得られるものであり、焼成は必要としない。
膜が得られるものであり、焼成は必要としない。
乾燥膜厚は、一般に1〜5μm程度とする。
この場合、−液塗布および二液塗布とも、これら塗布を
繰り返す多層塗りとしてもよい。
繰り返す多層塗りとしてもよい。
また、二液塗布においては、乾燥は、上記溶液工、■の
塗布後に行う。 多層塗りの場合は、乾燥を各回ごとに
行っても、最終段階で行ってもよい。
塗布後に行う。 多層塗りの場合は、乾燥を各回ごとに
行っても、最終段階で行ってもよい。
なお、前記の二液塗布を行い、これを乾燥すると膜厚方
向に組成の均一なきわめて均質な膜ができる。
向に組成の均一なきわめて均質な膜ができる。
なお、基板の材質には、特に制限はない。
この場合、本発明の非晶質材料の薄膜を形成後、基板か
ら分離して使用する場合には、基板はガラス、プラスチ
ック等が好ましく、また、非晶質材料を基板とともに使
用する場合は、その使用目的に応じた基板を選定すれば
よい。
ら分離して使用する場合には、基板はガラス、プラスチ
ック等が好ましく、また、非晶質材料を基板とともに使
用する場合は、その使用目的に応じた基板を選定すれば
よい。
感湿材料として用いる場合には、アルミナ等のセラミッ
クやガラスなどの基板上に、厚膜法、薄膜法等により電
極を形成したものを基板とすればよい。
クやガラスなどの基板上に、厚膜法、薄膜法等により電
極を形成したものを基板とすればよい。
このようにして得られる膜は、非晶質状態にある。
そして、Sl 02 、 P205 、 T 102
から形成され、その酸素量は、実質的に化学量論的な量
である。
から形成され、その酸素量は、実質的に化学量論的な量
である。
さらに、5i−P、Ti−Pの結合も銭察されるもので
ある。
ある。
また、本発明の非晶質膜の組成としては、5in230
〜90%モル、p2o5s〜60モル%、TiO25〜
40モル%であることが好ましい。
〜90%モル、p2o5s〜60モル%、TiO25〜
40モル%であることが好ましい。
上記範囲に対し、SiO2過剰となると、感湿特性が鋭
敏でなくなり、逆に5in2が少なくなると成膜性に問
題がある。 P2O5過剰となると疎水性が劣化し、逆
にP2O5が少なくなると感湿特性が鋭敏でなくなる。
敏でなくなり、逆に5in2が少なくなると成膜性に問
題がある。 P2O5過剰となると疎水性が劣化し、逆
にP2O5が少なくなると感湿特性が鋭敏でなくなる。
なお、本発明の非晶質膜は、前記したように基板上に設
層したものであってもよく、また基板から剥離したもの
であってもよい。
層したものであってもよく、また基板から剥離したもの
であってもよい。
このような非晶11 Pb&は、感湿素子用感湿膜や各
種表面改質膜等として使用できる。
種表面改質膜等として使用できる。
■ 発明の具体的作用効果
本発明の非晶質膜はシリコンアルコキシド、リン酸およ
びチタンアルコキシドを使用したS 102− P 2
06 T 102系のものである。 そして、シリコ
ンアルコキシドとリン酸とチタンアルコキシドの加水分
解塗膜であり、焼成を必要とせず乾燥はきわめて低い温
度にて短時間で行うことができる。
びチタンアルコキシドを使用したS 102− P 2
06 T 102系のものである。 そして、シリコ
ンアルコキシドとリン酸とチタンアルコキシドの加水分
解塗膜であり、焼成を必要とせず乾燥はきわめて低い温
度にて短時間で行うことができる。
また、感湿素子として、湿度変化に対する電気抵抗の変
化中が大きく、かつ、電気抵抗が従来より大巾に低下し
たものとなる。
化中が大きく、かつ、電気抵抗が従来より大巾に低下し
たものとなる。
さらに、経時劣化および、湿度と電気抵抗との間のビス
テリシスがほとんどないきわめて安定な非晶・質膜であ
る。
テリシスがほとんどないきわめて安定な非晶・質膜であ
る。
■ 発明の具体的実施例
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例1
第1図に示されるように、アルミナ絶縁基板1上にRu
b2系ペーストにて0.5mm間隔で10対のくし形電
極2をスクリーン印刷し、ざらにリート線4の取り付は
部分は銀電極3をスクリーン印刷し焼付けを行った。
b2系ペーストにて0.5mm間隔で10対のくし形電
極2をスクリーン印刷し、ざらにリート線4の取り付は
部分は銀電極3をスクリーン印刷し焼付けを行った。
次に、シリコンエトキシド[5i(QC2H5)4]1
モルに対し、メチルアルコール6モルを加え攪拌し、次
に純水5モルと正リン酸(H3po4)o、’tモルを
加え攪拌して加水分解を生じさせ、溶液工を調製し、ゾ
ル状のネットワークを形成した。
モルに対し、メチルアルコール6モルを加え攪拌し、次
に純水5モルと正リン酸(H3po4)o、’tモルを
加え攪拌して加水分解を生じさせ、溶液工を調製し、ゾ
ル状のネットワークを形成した。
また、チタンイソプロポキシド[Ti(0−isoC3
Ht )4 ] 1モルをイソプロピルアルコールで2
0倍に希釈し、溶液■を調製した。
Ht )4 ] 1モルをイソプロピルアルコールで2
0倍に希釈し、溶液■を調製した。
この溶液工および■を用いて、基板1上に溶液工、■の
順で塗布し、SiO258モル%、P2O525モル%
、TiO217モル%のS 1o2−P2O5−Tie
2系非晶質薄膜5を形成し、感湿素子を作製した。
順で塗布し、SiO258モル%、P2O525モル%
、TiO217モル%のS 1o2−P2O5−Tie
2系非晶質薄膜5を形成し、感湿素子を作製した。
塗布はスピンコート法により行い、乾燥条件は150℃
で10分であった。
で10分であった。
また、乾燥後の薄膜の厚さは2μmであった。
また、化学分析の結果、各酸化物は化学量論組成を有し
、EPMA、IR,X−線回折分析では5i−P、Ti
−Pの結合が確認された。
、EPMA、IR,X−線回折分析では5i−P、Ti
−Pの結合が確認された。
さらに、膜は膜厚方向に均質な組成を有していた。
この感湿素子について、下記の測定を行った。
(1)IV、IKIIzの交流印加電圧における相対湿
度の変化に対する電気抵抗値の変化を測定する。 雰囲
気温度は25℃および50℃とした。
度の変化に対する電気抵抗値の変化を測定する。 雰囲
気温度は25℃および50℃とした。
′ 結果を第2図に示す。
(2)tv、iにIlzの交流印加電圧において、相対
湿度60%、80%とした場合の電気抵抗値の経時変化
を測定する。 雰囲気温度は25℃とした。
湿度60%、80%とした場合の電気抵抗値の経時変化
を測定する。 雰囲気温度は25℃とした。
結果を第3図に示す。
第2図および第3図に示される結果より、本発明の非晶
質材料は相対湿度の変化に対し、電気抵抗値が103〜
105Ωときわめて低い領域で大きな変化を示し、かつ
経時安定性に優れていることが明らかである。
質材料は相対湿度の変化に対し、電気抵抗値が103〜
105Ωときわめて低い領域で大きな変化を示し、かつ
経時安定性に優れていることが明らかである。
このような特性は、Sin、30〜90モル%、220
55〜60モル%、TiO25〜40モル%で同等に実
現した。
55〜60モル%、TiO25〜40モル%で同等に実
現した。
第1図は、本発明の非晶質材料を用いた感湿素子の1例
を示す透視斜視図である。 第2図は、第1図に示される感湿素子の電気抵抗値の相
対湿度依存性と温度依存性を示す線図である。 第3図は、第1図に示される感湿素子の電気抵抗値の経
時安定性を示す線図である。 符号の説明 1・・・アルミナ絶縁基板、 2・−くし形電極、 3・−銀電極、 4・・・リード線、 5=−S i O,−P2O,、−T i O2系非晶
質1膜 FIG、1 FIG、2 0 20 40 60 80 10OR,H
,<%)
を示す透視斜視図である。 第2図は、第1図に示される感湿素子の電気抵抗値の相
対湿度依存性と温度依存性を示す線図である。 第3図は、第1図に示される感湿素子の電気抵抗値の経
時安定性を示す線図である。 符号の説明 1・・・アルミナ絶縁基板、 2・−くし形電極、 3・−銀電極、 4・・・リード線、 5=−S i O,−P2O,、−T i O2系非晶
質1膜 FIG、1 FIG、2 0 20 40 60 80 10OR,H
,<%)
Claims (7)
- (1)SiO_2、P_2O_5およびTiO_2を含
有することを特徴とする非晶質膜。 - (2)含有量がSiO_230〜90モル%、P_2O
_55〜60モル%、TiO_25〜40モル%である
特許請求の範囲第1項に記載の非晶質膜。 - (3)シリコンアルコキド、リン酸およひチタンアルコ
キシドの加水分解塗膜である特許請求の範囲第1項また
は第2項に記載の非晶質膜。 - (4)シリコンアルコキシド、リン酸およびチタンアル
コキシドの加水分解物溶液を塗設後乾燥し、SiO_2
、P_2O_5およびTiO_2を含有する非晶質膜を
得ることを特徴とする非晶質膜の製造方法。 - (5)乾燥が200℃以下で行われる特許請求の範囲第
4項に記載の非晶質膜の製造方法。 - (6)シリコンアルコキシド、リン酸、アルコールおよ
び水を用いた加水分解物溶液を塗布し、次いでチタンア
ルコキシドのアルコール溶液を塗布し、これを乾燥する
ことを特徴とする特許請求の範囲第4項または第5項に
記載の非晶質膜の製造方法。 - (7)塗布がディッピングまたはスピンコートである特
許請求の範囲第4項ないし第6項のいずれかに記載の非
晶質膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61189762A JPS6345802A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 非晶質膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61189762A JPS6345802A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 非晶質膜およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6345802A true JPS6345802A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16246753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61189762A Pending JPS6345802A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 非晶質膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6345802A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01217252A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 湿度センサ |
JPH03238349A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Koroido Res:Kk | 湿度センサー |
-
1986
- 1986-08-13 JP JP61189762A patent/JPS6345802A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01217252A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 湿度センサ |
JPH03238349A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Koroido Res:Kk | 湿度センサー |
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