JPS6345733Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6345733Y2 JPS6345733Y2 JP18333182U JP18333182U JPS6345733Y2 JP S6345733 Y2 JPS6345733 Y2 JP S6345733Y2 JP 18333182 U JP18333182 U JP 18333182U JP 18333182 U JP18333182 U JP 18333182U JP S6345733 Y2 JPS6345733 Y2 JP S6345733Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- ion source
- field emission
- emission type
- extraction electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は電界放射型イオン源の長寿命化に関
する。
する。
近年、半導体分野において素子の微細化、高集
積化が著しく進み、最小線幅が1ミクロンメート
ル以下の素子の製造方法が盛んに研究されてい
る。そこでサブミクロン素子を製造するキー。テ
クノロジーとしてマイクロイオンビーム技術が注
目を集めている。そのマイクロイオンビーム装置
を実用化する上で電界放射型イオン源が必要であ
り、その長寿命化は重要な課題である。
積化が著しく進み、最小線幅が1ミクロンメート
ル以下の素子の製造方法が盛んに研究されてい
る。そこでサブミクロン素子を製造するキー。テ
クノロジーとしてマイクロイオンビーム技術が注
目を集めている。そのマイクロイオンビーム装置
を実用化する上で電界放射型イオン源が必要であ
り、その長寿命化は重要な課題である。
液体金属をイオン化材料とする電界放射型イオ
ン源において、イオン源の寿命は、(1)液体金属の
消耗、(2)引出し電極、あるいはカソードからのス
パツタ金属によるアノード、引出し電極間の絶縁
の劣化、の二つの要因によつて決定される。
ン源において、イオン源の寿命は、(1)液体金属の
消耗、(2)引出し電極、あるいはカソードからのス
パツタ金属によるアノード、引出し電極間の絶縁
の劣化、の二つの要因によつて決定される。
要因(1)については、液体金属を貯蔵するリザー
バの容量を大きくすることで解決する。例えば液
体金属としてガリウムを使用する場合、0.1グラ
ムをイオン化に利用できる容量のリザーバを使用
すれば、イオン放出電流10マイクロアンペアとし
て4000時間近い寿命が期待できる。さらに必要と
あればより大容量のリザーバを使用することがで
きる。
バの容量を大きくすることで解決する。例えば液
体金属としてガリウムを使用する場合、0.1グラ
ムをイオン化に利用できる容量のリザーバを使用
すれば、イオン放出電流10マイクロアンペアとし
て4000時間近い寿命が期待できる。さらに必要と
あればより大容量のリザーバを使用することがで
きる。
ところがリザーバを大きくしたのみでは、前述
の要因(2)による寿命が問題となる。本考案はこの
問題を解決し、もつて電界放射型イオン源の長寿
命化を実現するものである。
の要因(2)による寿命が問題となる。本考案はこの
問題を解決し、もつて電界放射型イオン源の長寿
命化を実現するものである。
以下、この考案の一実施例を図により説明す
る。第1図は、従来の電界放射型イオン源の例を
示す。図中、アノード1は、液体金属2を貯蔵す
るリザーバ3と、そのリザーバ3を貫通するエミ
ツタ・ニードル4とからなり、アノード1の先
端、すなわちエミツタ。ニードルの先端は、曲率
半径が0.1〜数ミクロン程度になつており、リザ
ーバ3から供給される液体金属がコーン状に表面
をおおつている。リザーバ3はヒーター(図示せ
ず)によつて加熱され、液体金属を液状に保つよ
うになつている。アノード1と引出し電極5との
間に数キロボルトの高電圧を印加すると、アノー
ド1の先端からイオンが放射される。放射される
イオンビームの広がり全角は30〜60゜程度である。
る。第1図は、従来の電界放射型イオン源の例を
示す。図中、アノード1は、液体金属2を貯蔵す
るリザーバ3と、そのリザーバ3を貫通するエミ
ツタ・ニードル4とからなり、アノード1の先
端、すなわちエミツタ。ニードルの先端は、曲率
半径が0.1〜数ミクロン程度になつており、リザ
ーバ3から供給される液体金属がコーン状に表面
をおおつている。リザーバ3はヒーター(図示せ
ず)によつて加熱され、液体金属を液状に保つよ
うになつている。アノード1と引出し電極5との
間に数キロボルトの高電圧を印加すると、アノー
ド1の先端からイオンが放射される。放射される
イオンビームの広がり全角は30〜60゜程度である。
アノード3とカソード6との間には加速電圧が
印加される。従つてアノード先端から放射された
イオンビームは、大部分がカソード6、及び引出
し電極5を衝撃する。すると電極金属、及び電極
表面に付着した液体金属がスパツタされ、アノー
ド1と引出し電極5とを絶縁する絶縁板7上に付
着する。この金属付着膜8が導電性を持つ厚さに
達すると、絶縁板の有効沿面距離が非常に小さく
なり、アノード1と引出し電極5との間に高圧を
印加できなくなつて寿命となる。
印加される。従つてアノード先端から放射された
イオンビームは、大部分がカソード6、及び引出
し電極5を衝撃する。すると電極金属、及び電極
表面に付着した液体金属がスパツタされ、アノー
ド1と引出し電極5とを絶縁する絶縁板7上に付
着する。この金属付着膜8が導電性を持つ厚さに
達すると、絶縁板の有効沿面距離が非常に小さく
なり、アノード1と引出し電極5との間に高圧を
印加できなくなつて寿命となる。
第2図は、この問題を解決する本考案の一実施
例である。アノード1の先端に近い位置にシール
ド板9を設けることにより、絶縁板7上に金属膜
が付着するのを防止することができる。従つて絶
縁が劣化しないので長寿命を実現することができ
る。
例である。アノード1の先端に近い位置にシール
ド板9を設けることにより、絶縁板7上に金属膜
が付着するのを防止することができる。従つて絶
縁が劣化しないので長寿命を実現することができ
る。
以上詳述したように、本考案によれば電界放射
型イオン源の寿命要因を解決することができ、も
つて、長時間連続使用できるマイクロイオンビー
ム装置の実用化に貢献するものである。
型イオン源の寿命要因を解決することができ、も
つて、長時間連続使用できるマイクロイオンビー
ム装置の実用化に貢献するものである。
第1図は、従来の電界放射型イオン源の断面
図、第2図は、本考案の一実施例を示す電界放射
型イオン源である。 1はアノード、2は液体金属、3はリザーバ、
4はエミツタニードル、5は引出し電極、6はカ
ソード、8は金属付着膜である。
図、第2図は、本考案の一実施例を示す電界放射
型イオン源である。 1はアノード、2は液体金属、3はリザーバ、
4はエミツタニードル、5は引出し電極、6はカ
ソード、8は金属付着膜である。
Claims (1)
- 絶縁板上に取付けられたアノードと、それをと
り囲む引出し電極と、カソードとからなる電界放
射型イオン源において、引出し電極あるいはカソ
ードからスパツタされる金属が絶縁板に付着する
のを防止するように、アノードにシールド板を設
けたことを特徴とする電界放射型イオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18333182U JPS5986654U (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 電界放射型イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18333182U JPS5986654U (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 電界放射型イオン源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5986654U JPS5986654U (ja) | 1984-06-12 |
JPS6345733Y2 true JPS6345733Y2 (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=30396794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18333182U Granted JPS5986654U (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 電界放射型イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5986654U (ja) |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP18333182U patent/JPS5986654U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5986654U (ja) | 1984-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6019656A (en) | Method of fabricating a field emission device by using carbon nano-tubes | |
KR100362377B1 (ko) | 탄소 나노 튜브를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100314094B1 (ko) | 전기 영동법을 이용한 카본나노튜브 필드 에미터의 제조 방법 | |
JPH04502229A (ja) | 切替式陽極電界放出装置 | |
JPH05205612A (ja) | 電界放出電子デバイスおよびその製造方法 | |
JP3999276B2 (ja) | 電荷散逸型電界放射デバイス | |
JPH10116555A (ja) | 電子管 | |
US20050116214A1 (en) | Back-gated field emission electron source | |
JP2000285795A (ja) | 電子放出源およびその製造方法ならびにディスプレイ装置 | |
US3154711A (en) | Electron beam focusing by means of contact differences of potential | |
JP3961045B2 (ja) | フラットパネル表示装置用の新規な電界放出素子 | |
KR100453397B1 (ko) | 개선된전계방출장치 | |
US5804909A (en) | Edge emission field emission device | |
JP2004119019A (ja) | 電子放出素子 | |
JPS6345733Y2 (ja) | ||
JPH02220337A (ja) | 電界放出型冷陰極 | |
JPH0278132A (ja) | 電子銃及び該銃を備えた電子管 | |
JPS6345734Y2 (ja) | ||
KR100274865B1 (ko) | 전계방사형 음극 및 그 제조방법 | |
JP4074704B2 (ja) | 蒸着源及び蒸着装置 | |
JPH1196893A (ja) | 電子放出素子およびその製造方法、および画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2007123274A (ja) | スペーサおよびスペーサを備える電子放出ディスプレイ | |
US3717503A (en) | Method of constructing a vapor deposited bi-potential cathode | |
JP2001023506A (ja) | 電子放出源およびその製造方法ならびにディスプレイ装置 | |
JP4217933B2 (ja) | 電子放出源及びその製造方法、並びにその電子放出源を用いたディスプレイ装置 |