JPS6345284A - セファロスポリン系抗生物質の精製法 - Google Patents
セファロスポリン系抗生物質の精製法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/54—Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、セファロスポリン化合物の精製法、殊に溶媒
を含有する固状のセファロスポリン化合物の脱溶媒化法
に関する。
を含有する固状のセファロスポリン化合物の脱溶媒化法
に関する。
従来技術及び発明が解決しようとする問題点セファロス
ポリン化合物の製造過程においてはしばしば各種の有機
溶媒(例えばテトラヒドロフラン、アセトニトリル、ア
セトン等)が使用されるが、医薬品の特性上、製品とし
て仕上げるまでに残存する有機溶媒をほぼ完全に除去し
なければならない。
ポリン化合物の製造過程においてはしばしば各種の有機
溶媒(例えばテトラヒドロフラン、アセトニトリル、ア
セトン等)が使用されるが、医薬品の特性上、製品とし
て仕上げるまでに残存する有機溶媒をほぼ完全に除去し
なければならない。
医薬品の工業的脱溶媒法としては医薬品が通常熱的に不
安定なことから比較的低温(通常20から50℃)下で
の真空脱溶媒法や乾燥気体による気流脱溶媒法が一般的
に用いられている。
安定なことから比較的低温(通常20から50℃)下で
の真空脱溶媒法や乾燥気体による気流脱溶媒法が一般的
に用いられている。
しかしながらセファロスポリン化合物は一般に有機溶媒
と強い親和性を示すため、これらの方法は脱溶媒化が不
十分となる、あるいはセファロスポリン化合物の分解が
生ずるなどの欠点を有している。
と強い親和性を示すため、これらの方法は脱溶媒化が不
十分となる、あるいはセファロスポリン化合物の分解が
生ずるなどの欠点を有している。
又減圧下に水蒸気流と接触させる方法(特開昭55−1
02585)や常圧下適当な温度および湿度に調整され
た加湿気体と接触させる方法など、有機溶媒を水と置換
することにより脱溶媒する方法(以後加湿脱溶媒法と称
する)が知られている。
02585)や常圧下適当な温度および湿度に調整され
た加湿気体と接触させる方法など、有機溶媒を水と置換
することにより脱溶媒する方法(以後加湿脱溶媒法と称
する)が知られている。
しかしながらセファロスポリン化合物に加湿脱溶媒法を
適用する場合、長時間高湿度の雰囲気に放置するために
吸湿して飴状化したり、比較的低温下でも一部分解を生
ずることがある。即ち加19脱溶媒法において脱溶媒を
効率よ(進めるfこめには脱溶媒操作中セファロスポリ
ン化合物の含水率をかなり高く維持する必要があり、ま
た操作時間も多くの場合必要になる脱溶媒後の乾燥を含
めるとかなりの長時間にならざるを得ず(一般的にはセ
ファロスポリン化合物の含水率か5から15%に達する
のを許容し、温度20から40℃、操作時間10から3
0時間の条件で脱溶媒、乾燥を連続して行なう)、この
ような条件の下ではセファロスポリン化合物は飴状化し
たり、許容限度を越える分解が起るなど著しい品質劣化
を来たす。特に工業的規模で加湿脱溶媒を実施する場合
、粉体層内の含水率や温度にばらつきを生じ易く、部分
的に含水率や温度が高くなった所で飴状化などの変質が
起りがちである。このため湿潤状態で不安定な物質に対
して加湿脱溶媒法を適用するのは困難である。
適用する場合、長時間高湿度の雰囲気に放置するために
吸湿して飴状化したり、比較的低温下でも一部分解を生
ずることがある。即ち加19脱溶媒法において脱溶媒を
効率よ(進めるfこめには脱溶媒操作中セファロスポリ
ン化合物の含水率をかなり高く維持する必要があり、ま
た操作時間も多くの場合必要になる脱溶媒後の乾燥を含
めるとかなりの長時間にならざるを得ず(一般的にはセ
ファロスポリン化合物の含水率か5から15%に達する
のを許容し、温度20から40℃、操作時間10から3
0時間の条件で脱溶媒、乾燥を連続して行なう)、この
ような条件の下ではセファロスポリン化合物は飴状化し
たり、許容限度を越える分解が起るなど著しい品質劣化
を来たす。特に工業的規模で加湿脱溶媒を実施する場合
、粉体層内の含水率や温度にばらつきを生じ易く、部分
的に含水率や温度が高くなった所で飴状化などの変質が
起りがちである。このため湿潤状態で不安定な物質に対
して加湿脱溶媒法を適用するのは困難である。
問題点を解決するための手段
本発明者らはこのような問題を克服すべくセファロスポ
リン化合物の精製法、殊に脱溶媒法に関し種々検討の結
果、意外にも温度および圧力に関し超臨界状聾にある二
酸化炭素を固状(例えば結晶または粉末状)のセファロ
スポリン化合物に通すことにより乾燥状聾で効率よく有
機溶媒を抽出除去し得ることを見い出し本発明を完成す
るに至った。
リン化合物の精製法、殊に脱溶媒法に関し種々検討の結
果、意外にも温度および圧力に関し超臨界状聾にある二
酸化炭素を固状(例えば結晶または粉末状)のセファロ
スポリン化合物に通すことにより乾燥状聾で効率よく有
機溶媒を抽出除去し得ることを見い出し本発明を完成す
るに至った。
即ち、本発明は有機溶媒を含有する固状のセファロスポ
リン化合物を超臨界二酸化炭素で脱溶媒することを特徴
とするセファロスポリン化合物の精製法に関する。
リン化合物を超臨界二酸化炭素で脱溶媒することを特徴
とするセファロスポリン化合物の精製法に関する。
本発明の方法に上れば有機溶媒と親和性の強いセファロ
スポリン化合物に対して加湿することなく脱溶媒が可能
であり、又水による分解を受は易い、或いは吸湿して容
易に飴状化するようなセファロスポリン化合物に対して
し何ら問題なく本性を適用することができる。
スポリン化合物に対して加湿することなく脱溶媒が可能
であり、又水による分解を受は易い、或いは吸湿して容
易に飴状化するようなセファロスポリン化合物に対して
し何ら問題なく本性を適用することができる。
本発明方法は加湿脱溶媒法で必要とする脱溶媒後の乾燥
工程を行わないので乾燥期間中の品質劣化を防止し得る
とともに生産性を向上させることができろ。以上の説明
のように本発明の方法は加湿脱溶媒法の適用が困難な場
合に最も効果的に適用される。
工程を行わないので乾燥期間中の品質劣化を防止し得る
とともに生産性を向上させることができろ。以上の説明
のように本発明の方法は加湿脱溶媒法の適用が困難な場
合に最も効果的に適用される。
本発明方法は抽出器に固状のセファロスポリン化合物を
充填しこれに超臨界二酸化炭素を連続的にまたは断続的
に通過させ、超臨界二酸化炭素で固状のセファロスポリ
ン化合物に含まれる溶媒を抽出することにより行なわれ
る。本発明に用いられる抽出器は耐圧容器であり通常温
度調節機構を有する。耐圧性能としては二酸化炭素の臨
界圧カフ5.3kg/am”(絶対圧力)以上の圧力に
耐えることが必要であるが通常約100から5Hkg/
c+n”である。抽出器の形状は特に限定されないがガ
ス出入口ノズル、固状のセファロスポリン化合物を充填
取り出しのためのノズルまたは蓋を宵する竪型円筒槽が
好ましい。また抽出器内には固状のセファロスポリン化
合物を保持する機構が必要であるが固状のセファロスポ
リン化合物の粒度、腐蝕性、仕込み。
充填しこれに超臨界二酸化炭素を連続的にまたは断続的
に通過させ、超臨界二酸化炭素で固状のセファロスポリ
ン化合物に含まれる溶媒を抽出することにより行なわれ
る。本発明に用いられる抽出器は耐圧容器であり通常温
度調節機構を有する。耐圧性能としては二酸化炭素の臨
界圧カフ5.3kg/am”(絶対圧力)以上の圧力に
耐えることが必要であるが通常約100から5Hkg/
c+n”である。抽出器の形状は特に限定されないがガ
ス出入口ノズル、固状のセファロスポリン化合物を充填
取り出しのためのノズルまたは蓋を宵する竪型円筒槽が
好ましい。また抽出器内には固状のセファロスポリン化
合物を保持する機構が必要であるが固状のセファロスポ
リン化合物の粒度、腐蝕性、仕込み。
取り出しの操作性、設備の経済性の観点から種々の型式
のものを選定しうる。例えば槽底部に目皿を設け、ろ布
や金属網(例、ステンレス製)を張って保持する方法、
多孔性焼結金属(例、ステンレス)やセラミック製フィ
ルターを設置する方法、底部に金Z ili!l (例
、ステンレス製)やろ布を張った円筒容器に固状のセフ
ァロスポリン化合物を充填しこれを抽出器内に装着する
方法などから目的に応じて最適な方式を選定し得る。
のものを選定しうる。例えば槽底部に目皿を設け、ろ布
や金属網(例、ステンレス製)を張って保持する方法、
多孔性焼結金属(例、ステンレス)やセラミック製フィ
ルターを設置する方法、底部に金Z ili!l (例
、ステンレス製)やろ布を張った円筒容器に固状のセフ
ァロスポリン化合物を充填しこれを抽出器内に装着する
方法などから目的に応じて最適な方式を選定し得る。
本発明の方法で用いられる装置の内置も簡単な装置の例
を第1図及び第2図に示す。
を第1図及び第2図に示す。
第1図は、二酸化炭素ボンベの上部からガス状の二酸化
炭素を供給する例、第2図は、二酸化炭素ボンベの底部
から直接液化二酸化炭素を供給する例を示す。
炭素を供給する例、第2図は、二酸化炭素ボンベの底部
から直接液化二酸化炭素を供給する例を示す。
第1図、第2図においては超臨界二酸化炭素を抽出器l
上部から下方へ流しているがこの逆でも構わない。この
場合は粉末状のセファロスポリン化合物のロスをなくし
また排気系の配管や弁の閉塞を防止するために容器内上
部または容器出口真近にフィルターを設置するのが好ま
しい。
上部から下方へ流しているがこの逆でも構わない。この
場合は粉末状のセファロスポリン化合物のロスをなくし
また排気系の配管や弁の閉塞を防止するために容器内上
部または容器出口真近にフィルターを設置するのが好ま
しい。
本発明方法で用いられる超臨界二酸化炭素とは、臨界温
度31 、1 ℃及び臨界圧カフ5Jkg/cm’(絶
対圧力)以上の状態にある二酸化炭素を意味する。
度31 、1 ℃及び臨界圧カフ5Jkg/cm’(絶
対圧力)以上の状態にある二酸化炭素を意味する。
本発明方法で用いられる超臨界二酸化炭素は、二酸化炭
素の臨界温度31.1℃以上であればよいが、温度の制
御性、セファロスポリン化合物の熱安定性などの点から
35から50℃程度が好ましい。
素の臨界温度31.1℃以上であればよいが、温度の制
御性、セファロスポリン化合物の熱安定性などの点から
35から50℃程度が好ましい。
又超臨界二酸化炭素の圧力は二酸化炭素の臨界圧カフ5
.3kg/Cm’(絶対圧力)以上であればよいが、圧
力の制御性、経済性などの観点から80から300kg
/cm”(絶対圧力)程度が好ましい。また超臨界二酸
化炭素の流量は、特に制限はないが、通常固状のセファ
ロスポリン化合物1kg当り0.5から50 kg/時
間程度が適当である。
.3kg/Cm’(絶対圧力)以上であればよいが、圧
力の制御性、経済性などの観点から80から300kg
/cm”(絶対圧力)程度が好ましい。また超臨界二酸
化炭素の流量は、特に制限はないが、通常固状のセファ
ロスポリン化合物1kg当り0.5から50 kg/時
間程度が適当である。
また超臨界二酸化炭素を加湿して使用したり、あらかじ
め固状のセファロスポリン化合物の含湿度を調整した上
で脱溶媒を行なうなど従来の加湿脱溶媒法と同様の条件
をとることも出来る。例えば超臨界二酸化炭素に対して
約0.1から5%CW/W%)の水蒸気を含有させ1こ
り、固状のセファロスポリン化合物に乾燥後のセファロ
スポリン化合物得1の5から50%(1/i%)の水分
を含湿させ超臨界二酸化炭素で脱溶媒化を行なってもよ
い。
め固状のセファロスポリン化合物の含湿度を調整した上
で脱溶媒を行なうなど従来の加湿脱溶媒法と同様の条件
をとることも出来る。例えば超臨界二酸化炭素に対して
約0.1から5%CW/W%)の水蒸気を含有させ1こ
り、固状のセファロスポリン化合物に乾燥後のセファロ
スポリン化合物得1の5から50%(1/i%)の水分
を含湿させ超臨界二酸化炭素で脱溶媒化を行なってもよ
い。
本発明方法で用いられる固状のセファロスポリン化合物
とは、溶媒を含有する固状(結晶状、粉末状)のセファ
ロスポリン化合物を意味する。ここにおいて固状のセフ
ァロスポリン化合物に含有される溶媒としては、セファ
ロスポリン化合物製造に際し一般的に使用される有機溶
媒1例えばメチルアルコール、エチルアルコール、n−
プロピルアルコール、イソプロピルアルコールなどの低
級アルコール類、ジエチルエーテル、イソプロピルエー
テル、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチルなどの炭素数1から3の脂
肪酸エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン類、ジクロルメタン、
ジクロルエタン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロ
ゲン化炭化水素類、石油ベンジン、石油エーテル、n−
ヘキサン、ノクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素類、ベ
ンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、
アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル類が
あげられる。
とは、溶媒を含有する固状(結晶状、粉末状)のセファ
ロスポリン化合物を意味する。ここにおいて固状のセフ
ァロスポリン化合物に含有される溶媒としては、セファ
ロスポリン化合物製造に際し一般的に使用される有機溶
媒1例えばメチルアルコール、エチルアルコール、n−
プロピルアルコール、イソプロピルアルコールなどの低
級アルコール類、ジエチルエーテル、イソプロピルエー
テル、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチルなどの炭素数1から3の脂
肪酸エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン類、ジクロルメタン、
ジクロルエタン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロ
ゲン化炭化水素類、石油ベンジン、石油エーテル、n−
ヘキサン、ノクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素類、ベ
ンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、
アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル類が
あげられる。
本発明方法によれば、固状のセファロスポリン化合物か
ら上記の溶媒を容易にかつ効率良く脱溶媒化することが
でき、又固状のセファロスポリン化合物が複数の溶媒を
含有する場合、これらの溶媒は同時に脱溶媒することが
できる。固状のセファロスポリン化合物は、あらかじめ
粉砕して粉末状とした後月いるのが好ましい。
ら上記の溶媒を容易にかつ効率良く脱溶媒化することが
でき、又固状のセファロスポリン化合物が複数の溶媒を
含有する場合、これらの溶媒は同時に脱溶媒することが
できる。固状のセファロスポリン化合物は、あらかじめ
粉砕して粉末状とした後月いるのが好ましい。
本方法で用いられる固状のセファロスポリン化合物は第
1世代〜第4世代のセファロスポリン化合物のいずれで
あってもよい。好ましいセファロスポリン化合物を具体
的に示せば、例えば−紋穴[式中、R1はアシル基、R
7は水素原子、アルコキシメチル基、アルキルチオメチ
ル基、アシルオキンメチル基、カルバモイルオキシメチ
ル基、アルケニル基、複素環メチル基または複素環チオ
メチル基、R5は水素原子又はエステル残基、R4は水
素原子またはメチル基、Zは酸素原子または硫黄原子を
示すコで表わされる化合物またはその塩である。
1世代〜第4世代のセファロスポリン化合物のいずれで
あってもよい。好ましいセファロスポリン化合物を具体
的に示せば、例えば−紋穴[式中、R1はアシル基、R
7は水素原子、アルコキシメチル基、アルキルチオメチ
ル基、アシルオキンメチル基、カルバモイルオキシメチ
ル基、アルケニル基、複素環メチル基または複素環チオ
メチル基、R5は水素原子又はエステル残基、R4は水
素原子またはメチル基、Zは酸素原子または硫黄原子を
示すコで表わされる化合物またはその塩である。
上記においてR,で示されるアシル基としては、有機カ
ルボン酸から誘導されるアシル基で、例えば一般にペニ
シリン誘導体の6位及びセファロスポリン誘導体の7位
に置換されているアノルアミノ基を構成するアシル基か
用いられる。
ルボン酸から誘導されるアシル基で、例えば一般にペニ
シリン誘導体の6位及びセファロスポリン誘導体の7位
に置換されているアノルアミノ基を構成するアシル基か
用いられる。
上記の有機カルボン酸としては、例えば直鎖。
分枝状もしくは環状の、飽和もしくは不飽和の炭素鎖中
に酸素原子もしくは硫黄原子が介在し又は介在しない脂
肪族カルボン酸:及びこれらのn脂肪族カルボン酸が酸
素原子もしくは硫黄原子を介して、または介さずに芳香
族炭素水素残基もしくは複素環基と結合した芳香脂肪族
カルボン酸、方谷族オキノ脂肪族カルボン酸、芳香族チ
オ脂肪族カルボン酸、複素環置換脂肪族カルボン酸、複
素環オキシ脂肪族カルボン酸、複素環チオ脂肪族カルホ
ン酸:ならびに芳香族カルボン酸;複素環カルボン酸等
の有機カルボン酸が用いられる。
に酸素原子もしくは硫黄原子が介在し又は介在しない脂
肪族カルボン酸:及びこれらのn脂肪族カルボン酸が酸
素原子もしくは硫黄原子を介して、または介さずに芳香
族炭素水素残基もしくは複素環基と結合した芳香脂肪族
カルボン酸、方谷族オキノ脂肪族カルボン酸、芳香族チ
オ脂肪族カルボン酸、複素環置換脂肪族カルボン酸、複
素環オキシ脂肪族カルボン酸、複素環チオ脂肪族カルホ
ン酸:ならびに芳香族カルボン酸;複素環カルボン酸等
の有機カルボン酸が用いられる。
ここで脂肪族カルボン酸としては、ぎ酸、酢酸。
プロピオン酸、ブタン酸、イソブタン酸、ペンタン酸、
イソペンタン酸、ピバリン酸、ヘキサン酸、ンクロヘキ
サン酸、アクリル酸、クロトン酸、シクロペンタン酢酸
。シクロヘキサン酢酸、シクロへブタン酢酸、シクロヘ
キサンプロピオン酸、シクロヘキセン酢酸、シクロへキ
サジエン酢酸、メトキシ酢酸。
イソペンタン酸、ピバリン酸、ヘキサン酸、ンクロヘキ
サン酸、アクリル酸、クロトン酸、シクロペンタン酢酸
。シクロヘキサン酢酸、シクロへブタン酢酸、シクロヘ
キサンプロピオン酸、シクロヘキセン酢酸、シクロへキ
サジエン酢酸、メトキシ酢酸。
シクロへキンルオキシ酢酸、メヂルチオ酢酸等が用いら
れる。
れる。
また上記の有機カルボン酸における芳香族炭化水素残基
及び芳香族基としてはフェニル、ナフチル、トリル、キ
シリル、メシチル、クメニル等が用いられ、さらに上記
の有機カルボン酸における複素環基としては、例えばフ
ラン、チオフェン、ピロール、ピラゾール、イミダゾー
ル、トリアゾール、チアゾール、イソチアゾール、2−
イミノチアゾリン。
及び芳香族基としてはフェニル、ナフチル、トリル、キ
シリル、メシチル、クメニル等が用いられ、さらに上記
の有機カルボン酸における複素環基としては、例えばフ
ラン、チオフェン、ピロール、ピラゾール、イミダゾー
ル、トリアゾール、チアゾール、イソチアゾール、2−
イミノチアゾリン。
2−才キソチアゾリン、メチレン−1,3−ジチエタン
、2.3−ジヒドロ−1,4−オキサチイイン。
、2.3−ジヒドロ−1,4−オキサチイイン。
1.4−ジチアンナフタレン、ジヒドロ−1,3−ジチ
イン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアノアゾー
ル、オキサジアゾール、チアトリアゾール。
イン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアノアゾー
ル、オキサジアゾール、チアトリアゾール。
オキサトリアゾール、テトラゾール、ピリジン、ピラジ
ン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾチオフェン、ベン
ゾフラン、インドール、イミダゾール、ベンズイミダゾ
ール、ベンゾチアジアゾール、ヘンズオキサゾール、プ
リン、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリ
ジン、キノキサリン、キナゾリン。
ン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾチオフェン、ベン
ゾフラン、インドール、イミダゾール、ベンズイミダゾ
ール、ベンゾチアジアゾール、ヘンズオキサゾール、プ
リン、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリ
ジン、キノキサリン、キナゾリン。
ピロリジン、イミダプリジン、ピペリジン、ピペラジン
等のへテロ原子を環中に1個以上含む、飽和らしくは不
飽和の単環らしくは多環の複素環化合物の残基が用いら
れる。
等のへテロ原子を環中に1個以上含む、飽和らしくは不
飽和の単環らしくは多環の複素環化合物の残基が用いら
れる。
これらの有機カルボン酸を構成する脂肪族基、芳香族炭
化水素残基及び複素環基は例えばハロゲン、ヒドロキシ
ル括、スルホ括、メルカプト基、カルボキンル基、アル
キル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基、ア
ルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ンアノ基、アル
カノイル基、アリール置換アルカノイル基、アリールカ
ルボニル基、アルキルスルホニルアミノ基、アルカノイ
ルオキン基、アリール基置換アルカノイルオキシ基、ア
リールカルポニルオキン基、ヒドロキシイミノ基、アル
コキシイミノ基、アルカノイルオキシイミノ基、オキソ
基、チオキソ基、ウレイド基、カルバモイル基、アミジ
ノ基、ホルミル基等の適当な置換基を任意の位置に1個
以上有していてもよく、これらの置換分のうちカルボキ
シル基及びアミノ基は後記する通常セファロスポリン、
ペニシリン及びペプチドの化学の分野で用いられる適当
な保護基でそれぞれ保護されていてもよい。
化水素残基及び複素環基は例えばハロゲン、ヒドロキシ
ル括、スルホ括、メルカプト基、カルボキンル基、アル
キル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基、ア
ルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ンアノ基、アル
カノイル基、アリール置換アルカノイル基、アリールカ
ルボニル基、アルキルスルホニルアミノ基、アルカノイ
ルオキン基、アリール基置換アルカノイルオキシ基、ア
リールカルポニルオキン基、ヒドロキシイミノ基、アル
コキシイミノ基、アルカノイルオキシイミノ基、オキソ
基、チオキソ基、ウレイド基、カルバモイル基、アミジ
ノ基、ホルミル基等の適当な置換基を任意の位置に1個
以上有していてもよく、これらの置換分のうちカルボキ
シル基及びアミノ基は後記する通常セファロスポリン、
ペニシリン及びペプチドの化学の分野で用いられる適当
な保護基でそれぞれ保護されていてもよい。
上記において、アルキル基、アルキルチオ基におけるア
ルキル基、アルキルアミノ基におけるアルキル基、ジア
ルキルアミノ基におけるアルキル基、アルキルスルボニ
ルアミノ基におけるアルキル基としては、例えばメチル
、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、
イソブチル、 5ec−ブチル、t−ブチル、1−エチ
ルプロピル、2−エチルプロピル、n−ペンデル、1.
1−ジメチルプロピル。
ルキル基、アルキルアミノ基におけるアルキル基、ジア
ルキルアミノ基におけるアルキル基、アルキルスルボニ
ルアミノ基におけるアルキル基としては、例えばメチル
、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、
イソブチル、 5ec−ブチル、t−ブチル、1−エチ
ルプロピル、2−エチルプロピル、n−ペンデル、1.
1−ジメチルプロピル。
1.2−ジメヂルブロピル、2.2−ジメヂルブロピル
などの炭素数1から6の直鎖もしくは分岐状のアルキル
基が用いられ、アルコキシ基、アルコキンイミノ基にお
けるアルコキン基としては、例えばメトキシ、エトキシ
、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、イ
ソブトキシ、t−ブトキシ。
などの炭素数1から6の直鎖もしくは分岐状のアルキル
基が用いられ、アルコキシ基、アルコキンイミノ基にお
けるアルコキン基としては、例えばメトキシ、エトキシ
、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、イ
ソブトキシ、t−ブトキシ。
n−ペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ネオペンチ
ルオキシ、n−へキノルオキシ等の炭素数1から6の直
鎖もしくは分岐状のアルコキシ基が用いられ、アルカノ
イル基、アリール基置換アルカノイル基におけるアルカ
ノイル基、アルカノイルオキシ基におけるアルカノイル
基、アリール基置換アルカノイルオキシ基におけるアル
カノイル基、アルカノイルオキシイミノ基におけるアル
カノイル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル
。
ルオキシ、n−へキノルオキシ等の炭素数1から6の直
鎖もしくは分岐状のアルコキシ基が用いられ、アルカノ
イル基、アリール基置換アルカノイル基におけるアルカ
ノイル基、アルカノイルオキシ基におけるアルカノイル
基、アリール基置換アルカノイルオキシ基におけるアル
カノイル基、アルカノイルオキシイミノ基におけるアル
カノイル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル
。
ブヂリル、n−ペンタノイル、n−ヘキサノイル、n−
ヘプタノイル等の炭素数2から7のアルカノイル基が用
いられ、アリール基置換アルカノイル基におけるアリー
ル基、アリールカルボニル基におけるアリール基、アリ
ール基置換アルカノイルオキシ法におけるアリール基、
了り−ルカルボニルオキシ基におけるアリール基として
は、例えばフェニル、ナフチル、トリル、キシリル、メ
シチル等が用いられる。
ヘプタノイル等の炭素数2から7のアルカノイル基が用
いられ、アリール基置換アルカノイル基におけるアリー
ル基、アリールカルボニル基におけるアリール基、アリ
ール基置換アルカノイルオキシ法におけるアリール基、
了り−ルカルボニルオキシ基におけるアリール基として
は、例えばフェニル、ナフチル、トリル、キシリル、メ
シチル等が用いられる。
さらに上記のRoで示されるアシル基としては、ペプチ
ド化学で使用される脱離容易なアミノ基の保護基、例え
ばtert−ブトキシカルボニル、1so−ボルニルオ
キシカルボニル等のアルコキシカルボニル基、例えばベ
ンジルオキシカルボニル、p−ニトロペンジルオキン力
ルボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル等の
アラルキルオキシカルボニル基等が用いられる他、リュ
ー・エフ・ダブリュー・マコミー(JJ、1.McOm
ie)編の刊行物ビブロテクティブ・グループス・イン
・オーガニック・ケミストリー(Protective
Groups in OrganicCheIlis
try)”:プレヌム・プレス(Plenum Pre
ss)。
ド化学で使用される脱離容易なアミノ基の保護基、例え
ばtert−ブトキシカルボニル、1so−ボルニルオ
キシカルボニル等のアルコキシカルボニル基、例えばベ
ンジルオキシカルボニル、p−ニトロペンジルオキン力
ルボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル等の
アラルキルオキシカルボニル基等が用いられる他、リュ
ー・エフ・ダブリュー・マコミー(JJ、1.McOm
ie)編の刊行物ビブロテクティブ・グループス・イン
・オーガニック・ケミストリー(Protective
Groups in OrganicCheIlis
try)”:プレヌム・プレス(Plenum Pre
ss)。
ニューヨーク(N、Y、)、 1973年]の第2章に
リュー・ダブリュー・バートン(J、!、Barton
)によって記載されている脱離容易なアミノ基の保護基
も上記のアシル基として用いることができる。
リュー・ダブリュー・バートン(J、!、Barton
)によって記載されている脱離容易なアミノ基の保護基
も上記のアシル基として用いることができる。
上記アシル基のうち好ましくは、R1が式R5−R8−
Co−[式中、R6は置換基を有していてもよい複素環
基、R,はアルキレン基または式を有していてもよいア
ルキル基を示す)で表わされる基を示す]て表わされる
基、まfこは式 [式中、R7は置換基を有していてもよいアルカノイル
オキシ基を示す]で表わされる基である。
Co−[式中、R6は置換基を有していてもよい複素環
基、R,はアルキレン基または式を有していてもよいア
ルキル基を示す)で表わされる基を示す]て表わされる
基、まfこは式 [式中、R7は置換基を有していてもよいアルカノイル
オキシ基を示す]で表わされる基である。
R6で示される置換基を有していてらよい複素環基にお
ける複素環基としては1個の窒素原子。
ける複素環基としては1個の窒素原子。
硫黄原子または酸素原子を含む5員複素環基であってさ
らに1個の窒素原子を含みあるいは含まないものが用い
られる。この複素環基の具体例としては、例えば、2−
チアゾリル、4−デアゾリル、5−チアゾリル、2−チ
エニル、3−チエニル、2−フリル、3−フリルなどが
用いられる。この複素環基における置換基としては、前
述のアシル基の定義における有機カルボン酸を構成する
脂肪族基、芳香族炭化水素残基及複素環基上の置換基と
同様のものが用いられ、このうちアミノ基が特に好まし
い。
らに1個の窒素原子を含みあるいは含まないものが用い
られる。この複素環基の具体例としては、例えば、2−
チアゾリル、4−デアゾリル、5−チアゾリル、2−チ
エニル、3−チエニル、2−フリル、3−フリルなどが
用いられる。この複素環基における置換基としては、前
述のアシル基の定義における有機カルボン酸を構成する
脂肪族基、芳香族炭化水素残基及複素環基上の置換基と
同様のものが用いられ、このうちアミノ基が特に好まし
い。
R6で示されるアルキレン基としては、たとえばメチレ
ン、ジメチルメチレン、エチルメチレン。
ン、ジメチルメチレン、エチルメチレン。
エチレン、メチルエチレンなどの炭素数1から3のアル
キレン基が用いられる。
キレン基が用いられる。
Ra’で示される置換基を有していてもよいアルキル基
におけるアルキル基としては、例えばメチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル。
におけるアルキル基としては、例えばメチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル。
イソブチル、5ec−ブチル、t−ブチル、1−エチル
プロピル、2−エチルプロピル、n−ペンチル、l。
プロピル、2−エチルプロピル、n−ペンチル、l。
■−ツメチルプロピル、1.2−ジメチルプロピル。
2.2−ツメチルプロピルなどの炭素数Iから6の直鎖
もしくは分枝状のアルキル基が用いられ、これらは例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n−プロ
ポキシカルボニル、t−ブトキシカルボニル、n−へキ
シルオキシカルボニル等の炭素数1から6のアルコキシ
カルボニル基で1ないし2個置換されていてもよい。
もしくは分枝状のアルキル基が用いられ、これらは例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n−プロ
ポキシカルボニル、t−ブトキシカルボニル、n−へキ
シルオキシカルボニル等の炭素数1から6のアルコキシ
カルボニル基で1ないし2個置換されていてもよい。
アンチ−配置のいずれの立体配置もとることができるが
、特にンンー配置が好ましい。
、特にンンー配置が好ましい。
R9で示される置換基を有していてもよいアルカノイル
オキシ基におけろアルカノイルオキシ基としては、例え
ば、アセトキシ、プロピオニルオキシ、n−ブチリルオ
キシ、n−ペンタノイルオキノ。
オキシ基におけろアルカノイルオキシ基としては、例え
ば、アセトキシ、プロピオニルオキシ、n−ブチリルオ
キシ、n−ペンタノイルオキノ。
イソベンタノイルオキン、n−ヘキサノイルオキシ。
イソヘキザノイルオキノ、n−ヘプタノイルオキノ等の
炭素数2から7のアルカノイルオキシ基が用いられ、こ
れらは前述したアシル基の定義における有機カルボン酸
を構成する脂肪族基、芳香族炭化水素残基及び複索環基
上の置換基と同様の置換基を有していてもよい。これら
の置換基のうち、特にアミノ基が好ましい。
炭素数2から7のアルカノイルオキシ基が用いられ、こ
れらは前述したアシル基の定義における有機カルボン酸
を構成する脂肪族基、芳香族炭化水素残基及び複索環基
上の置換基と同様の置換基を有していてもよい。これら
の置換基のうち、特にアミノ基が好ましい。
特に好ましくはR1が式
[式中、Q、はアルキル基1式−CHIC0OQ2でC
Hs 表わされろ基または式 −〇−COOQ、で表 H3 わされる基(式中−COOQ tはエステル残基ヒされ
ていてもよいカルボキシル基を示す)を示す]で表わさ
れろ基である。
Hs 表わされろ基または式 −〇−COOQ、で表 H3 わされる基(式中−COOQ tはエステル残基ヒされ
ていてもよいカルボキシル基を示す)を示す]で表わさ
れろ基である。
Qlで示されるアルキル基は、例え(iメチル、エヂル
、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イ゛ノブ
チル、5ec−ブチル、t−ブチル等の直鎖もしく(よ
分岐状の炭素数1から4のアルキル基力く用0られる。
、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イ゛ノブ
チル、5ec−ブチル、t−ブチル等の直鎖もしく(よ
分岐状の炭素数1から4のアルキル基力く用0られる。
式−〇 〇 〇 Q tで表わされる基、又(上式CI
−13 C−COOQ ! で表わされる基(こお;する翫 H3 −COOQ tはエステル化されてし)てらよ0カルボ
キンル基を示し、Q、で示されるエステル残基としては
、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル
、n−ブチル、イソブチル、5eC−ブチル。
−13 C−COOQ ! で表わされる基(こお;する翫 H3 −COOQ tはエステル化されてし)てらよ0カルボ
キンル基を示し、Q、で示されるエステル残基としては
、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル
、n−ブチル、イソブチル、5eC−ブチル。
t−ブチル等の直鎖又は分枝状の炭素数l力Aら4のア
ルキル基、ベンジル、フェネチル、ト1ノチル等の炭素
数7から19のアラルキル基が用いられる。
ルキル基、ベンジル、フェネチル、ト1ノチル等の炭素
数7から19のアラルキル基が用いられる。
R1で示されろアシルオキシメチル基のアシル基はR3
で示されろアシル基と同様のものが用いられる。
で示されろアシル基と同様のものが用いられる。
R1で示される複素環メチル基、複素環チオメチル基に
おける複素環基としては、たとえば1個の硫黄原子、窒
素原子または酸素原子を含む5ないし6員複素環基、2
から4glの窒素原子を含む5ないし6員複素環基、1
ないし2@の窒素原子および1gの硫黄原子または酸素
原子を含む5ないし6員複素環基等が用いられる。
おける複素環基としては、たとえば1個の硫黄原子、窒
素原子または酸素原子を含む5ないし6員複素環基、2
から4glの窒素原子を含む5ないし6員複素環基、1
ないし2@の窒素原子および1gの硫黄原子または酸素
原子を含む5ないし6員複素環基等が用いられる。
該複素環基をさらに具体的に示せば、たとえばトラゾリ
ル、I H−1,2,3−トリアゾリルれる。
ル、I H−1,2,3−トリアゾリルれる。
これらの複素環基は2個以下の窒素原子を含む6員環基
、ベンゼン環または1個の硫黄原子を含む5員環基と縮
合していてもよく、又任意の置換基で1〜3個置換され
ていてもよい。任意の置換基としては具体的には、例え
ばメチル、エチル、n−プロピルなどの炭素数1から6
のアルキル基、例えばメトキンカルボニル、エトキンカ
ルボニル等のエステル化されたカルボキシ基、ヒドロキ
シ。
、ベンゼン環または1個の硫黄原子を含む5員環基と縮
合していてもよく、又任意の置換基で1〜3個置換され
ていてもよい。任意の置換基としては具体的には、例え
ばメチル、エチル、n−プロピルなどの炭素数1から6
のアルキル基、例えばメトキンカルボニル、エトキンカ
ルボニル等のエステル化されたカルボキシ基、ヒドロキ
シ。
カルボキン、例えばジメチルアミノ等(炭素数1から6
)アルキルアミノ基1例えばピバロイルオキシメトキシ
カルボニル等の炭素数2から7のアルカノイルオキシ置
換炭素数1から6のアルコキンカルボニル、スルホ等で
置換された炭素数1から6のアルキル基、例えば塩素、
臭素等のハロゲン、メルカプト基、ヒドロキシ基、アミ
ノ基、例えばメヂルチオ、エヂルチオなどの炭素数1か
ら6のアルキルチオ基、例えばメトキシ、エトキシなど
の炭素数1から6のアルコキシ基等の置換基が用いられ
る。またピリダノニル基、ピリジル基の窒素原子はオキ
シド化されていてもよい。R2で示されるアルコキンメ
チル基としては、例えばメトキシメチル、エトキシメチ
ル、プロポキシメチルなどの炭素数1から6のアルコキ
シメチル基が用しAられ、アルキルチオメチル基として
は、例えばメチルチオメチル、エチルチオメチル、プロ
ピルチオメチルなどの炭素数1から6のアルキルチオメ
チル基が用いられ、アルケニル基としては、ビニル。
)アルキルアミノ基1例えばピバロイルオキシメトキシ
カルボニル等の炭素数2から7のアルカノイルオキシ置
換炭素数1から6のアルコキンカルボニル、スルホ等で
置換された炭素数1から6のアルキル基、例えば塩素、
臭素等のハロゲン、メルカプト基、ヒドロキシ基、アミ
ノ基、例えばメヂルチオ、エヂルチオなどの炭素数1か
ら6のアルキルチオ基、例えばメトキシ、エトキシなど
の炭素数1から6のアルコキシ基等の置換基が用いられ
る。またピリダノニル基、ピリジル基の窒素原子はオキ
シド化されていてもよい。R2で示されるアルコキンメ
チル基としては、例えばメトキシメチル、エトキシメチ
ル、プロポキシメチルなどの炭素数1から6のアルコキ
シメチル基が用しAられ、アルキルチオメチル基として
は、例えばメチルチオメチル、エチルチオメチル、プロ
ピルチオメチルなどの炭素数1から6のアルキルチオメ
チル基が用いられ、アルケニル基としては、ビニル。
アリル、l−ブテニル等の炭素数2から4のアルケニル
基が用いられる。
基が用いられる。
R5で示されるエステル残基としては、例えば[式中、
Xは水素原子またはアルキル基、Yは水素原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基またはフェニ
ル基を示す]で表わされる基、さらに例えばメトキシメ
チル、エトキンメチル、イソプロポキシメチル等のアル
コキシメチル基、例えばl−メトキシエチル、l−エト
キシエチル等の1−アルコキシエチル基、例えばメチル
チオメチル、エチルチオメチル、1so−プロピルチオ
メチル等のアルキルチオメチル基、tert −ブチル
、2.2.2−)ジクロロエチル。ベンジル、p−メト
キシベンジル、p−ニトロベンジル、l・リチル、ベン
ズヒドリル、ビス(p−メトキシフェニル)メチル、フ
ェナシル。2−メチルチオエチル、トリメチルンリル、
ジメヂルシリル、フタリジル、(2−オキソ−5−メチ
ル−1,3−)オキプレン−4−イル)メチル等が用い
られる他、リュー・エフ・ダブリュー・マコミー(J、
F、頁、McOmie)Wの刊行物ビプロテクティブ・
グループス・イン・オーガニック・ケミストリー(Pr
otective Groups inOrganic
Chemistry)”ブレヌム・プレス(Plen
umPress)、ニューヨーク(N、Y、X1973
年)]の第5章にイ・ハスラム(E、IIaslam)
によって記載されている上記以外の脱離容易なカルボキ
シル基の保護基もエステル残基として使用し得る。Xで
示されろアルキル基としては、例えばメチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル
、5ec−ブチル、t−ブチル、1−エチルプロピル、
2−エヂルプロピル、n−ペンチル、1.1−ツメチル
プロピル、1.2−ジメチルプロピルなどの炭素数lか
ら6の直鎖もしくは分枝状のアルキル基、シクロペンチ
ル、フクロヘキシル。シクロヘプチルなどの炭素数5か
ら7のシクロアルキル基が用いられる。
Xは水素原子またはアルキル基、Yは水素原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基またはフェニ
ル基を示す]で表わされる基、さらに例えばメトキシメ
チル、エトキンメチル、イソプロポキシメチル等のアル
コキシメチル基、例えばl−メトキシエチル、l−エト
キシエチル等の1−アルコキシエチル基、例えばメチル
チオメチル、エチルチオメチル、1so−プロピルチオ
メチル等のアルキルチオメチル基、tert −ブチル
、2.2.2−)ジクロロエチル。ベンジル、p−メト
キシベンジル、p−ニトロベンジル、l・リチル、ベン
ズヒドリル、ビス(p−メトキシフェニル)メチル、フ
ェナシル。2−メチルチオエチル、トリメチルンリル、
ジメヂルシリル、フタリジル、(2−オキソ−5−メチ
ル−1,3−)オキプレン−4−イル)メチル等が用い
られる他、リュー・エフ・ダブリュー・マコミー(J、
F、頁、McOmie)Wの刊行物ビプロテクティブ・
グループス・イン・オーガニック・ケミストリー(Pr
otective Groups inOrganic
Chemistry)”ブレヌム・プレス(Plen
umPress)、ニューヨーク(N、Y、X1973
年)]の第5章にイ・ハスラム(E、IIaslam)
によって記載されている上記以外の脱離容易なカルボキ
シル基の保護基もエステル残基として使用し得る。Xで
示されろアルキル基としては、例えばメチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル
、5ec−ブチル、t−ブチル、1−エチルプロピル、
2−エヂルプロピル、n−ペンチル、1.1−ツメチル
プロピル、1.2−ジメチルプロピルなどの炭素数lか
ら6の直鎖もしくは分枝状のアルキル基、シクロペンチ
ル、フクロヘキシル。シクロヘプチルなどの炭素数5か
ら7のシクロアルキル基が用いられる。
Yによって示されるアルキル基としては、例えばメチル
、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、
イソブチル、5ec−ブチル、t−ブチル、1−エチル
プロピル、2−エチルプロピル、ペンチル。
、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、
イソブチル、5ec−ブチル、t−ブチル、1−エチル
プロピル、2−エチルプロピル、ペンチル。
1.1−ジメチルプロピル、1.2−ジメチルプロピル
、2.2−ツメチルプロピル、l−ブチルプロピル、2
−ブチルプロピル、3−メチルブチル、1゜1.2−ト
リメチルプロピル、l、2.2−トリメデルプロピル、
2−メチルブチル、1,1.2.2−テトラメチルプロ
ピル、l、1−ジエチルプロピル。
、2.2−ツメチルプロピル、l−ブチルプロピル、2
−ブチルプロピル、3−メチルブチル、1゜1.2−ト
リメチルプロピル、l、2.2−トリメデルプロピル、
2−メチルブチル、1,1.2.2−テトラメチルプロ
ピル、l、1−ジエチルプロピル。
ヘキシル、ヘブチル、l−プロピルブチル、オクチル、
1.1−ジエチル−2−メチルプロピル、ノニル、l−
ブチルペンチル、1.1−ジエチル−2,2−ジメチル
プロピル、デシル、1−へキンルへブチル等の炭素数1
から13の直鎖ししくは分枝状のアルキル基、例えばシ
クロプロピル、シクロブチル、ンクロペンチル、ンクロ
ヘキシル、シクロヘプヂル、シクロオクチル、ンクロノ
ニル、シクロデノル、ンクロウンデシル、シクロドデシ
ル等の炭素数3から12の飽和単環状脂環式アルキル基
、例えば、ビンクロ[2,2,1]へブチル、ビシクロ
[3゜2.1]オクチル、ビシクロ[3,3,11ノニ
ル、アダマントル等の炭素数4から12の架橋構造を有
する脂環式アルキル基が用いられる。
1.1−ジエチル−2−メチルプロピル、ノニル、l−
ブチルペンチル、1.1−ジエチル−2,2−ジメチル
プロピル、デシル、1−へキンルへブチル等の炭素数1
から13の直鎖ししくは分枝状のアルキル基、例えばシ
クロプロピル、シクロブチル、ンクロペンチル、ンクロ
ヘキシル、シクロヘプヂル、シクロオクチル、ンクロノ
ニル、シクロデノル、ンクロウンデシル、シクロドデシ
ル等の炭素数3から12の飽和単環状脂環式アルキル基
、例えば、ビンクロ[2,2,1]へブチル、ビシクロ
[3゜2.1]オクチル、ビシクロ[3,3,11ノニ
ル、アダマントル等の炭素数4から12の架橋構造を有
する脂環式アルキル基が用いられる。
さらにYで示される炭素数1から13の直鎖もしくは分
枝状のアルキル基は上記したシクロアルキル基、アルコ
キシカルボニル基(例えばメトキンカルボニル、エトキ
シカルボニル、n−プロポキシカルボニル、イソプロポ
キシカルボニル等の実素数1から3の直鎖ししくは分岐
状アルコキンカルボニル基)またはフェニル基等で1な
いし31周置換されていてもよい。
枝状のアルキル基は上記したシクロアルキル基、アルコ
キシカルボニル基(例えばメトキンカルボニル、エトキ
シカルボニル、n−プロポキシカルボニル、イソプロポ
キシカルボニル等の実素数1から3の直鎖ししくは分岐
状アルコキンカルボニル基)またはフェニル基等で1な
いし31周置換されていてもよい。
Yで示されろアルコキノ基としては、例え:2メトキノ
、エトキシ、n−プロポキン、イソプロポキノ。
、エトキシ、n−プロポキン、イソプロポキノ。
n−ブトキシ、イソブトキシ、5ec−ブトキン、t−
ブトキソ、n−ベンチルオキン、2.2−ノメチルプロ
ボキシ、l−メチルブトキシ、2−メチルブトキシ。
ブトキソ、n−ベンチルオキン、2.2−ノメチルプロ
ボキシ、l−メチルブトキシ、2−メチルブトキシ。
3−メチルブトキシ、l−エチルプロポキシ、n−ヘキ
ンルオキシ、■−メチルペンチルオキシ、2−メチルペ
ンチルオキシ、3−メチルペンチルオキシ、4−メチル
ペンチルオキシ、l−エチルブトキシ、2−エチルブト
キシ、3−エチルブトキン、n−へブチルオキシ。l−
メチルへキンルオキシ、2−メチルへキンルオキシ、3
−メチルへキシルオキン、4−メヂルヘキシルオキシ、
5−メチルへキシルオキン、l−エチルペンチルオキシ
、2−エチルペンチルオキシ、3−エチルペンチルオキ
シ、4−エヂルペンヂルオキシ、1−プロピルブトキシ
等の炭素数1から7の直鎖もしくは分枝状のアルコキン
基、例えばシクロプロポキシ、シクロブトキン、シクロ
ペンチルオキシ、シクロへキシルオキシ。
ンルオキシ、■−メチルペンチルオキシ、2−メチルペ
ンチルオキシ、3−メチルペンチルオキシ、4−メチル
ペンチルオキシ、l−エチルブトキシ、2−エチルブト
キシ、3−エチルブトキン、n−へブチルオキシ。l−
メチルへキンルオキシ、2−メチルへキンルオキシ、3
−メチルへキシルオキン、4−メヂルヘキシルオキシ、
5−メチルへキシルオキン、l−エチルペンチルオキシ
、2−エチルペンチルオキシ、3−エチルペンチルオキ
シ、4−エヂルペンヂルオキシ、1−プロピルブトキシ
等の炭素数1から7の直鎖もしくは分枝状のアルコキン
基、例えばシクロプロポキシ、シクロブトキン、シクロ
ペンチルオキシ、シクロへキシルオキシ。
シクロヘプチルオキシ、シクロオクチルオキシ、シクロ
ノニルオキシ、シクロデシルオキシ、シクロウンデシル
オキシ、シクロドデシルオキシ等の炭素数3から12の
飽和単環状脂環式アルコキシ基、例えばビンクロ[2,
2,1]へブチルオキシ、ビシクロ[3,2,1]オク
ヂルオキシ、ビンクロ[3,3゜1]ノニルオキシ、ア
ダマンチルオキシ等の炭素数4から12の架g!構造を
有する脂環式アルコキシ基が用いられる。
ノニルオキシ、シクロデシルオキシ、シクロウンデシル
オキシ、シクロドデシルオキシ等の炭素数3から12の
飽和単環状脂環式アルコキシ基、例えばビンクロ[2,
2,1]へブチルオキシ、ビシクロ[3,2,1]オク
ヂルオキシ、ビンクロ[3,3゜1]ノニルオキシ、ア
ダマンチルオキシ等の炭素数4から12の架g!構造を
有する脂環式アルコキシ基が用いられる。
Yで示される環状(シクロ)アルコキシ基は上記した直
鎖もしくは分枝状アルキル基で置換されていてもよく、
又Yで示される直鎖もしくは分岐状アルコキシ基は上記
した脂環式アルキル基で置換されていてもよい。
鎖もしくは分枝状アルキル基で置換されていてもよく、
又Yで示される直鎖もしくは分岐状アルコキシ基は上記
した脂環式アルキル基で置換されていてもよい。
Yで示されるアルケニルオキシ基としては、例えばビニ
ルオキシ、アリルオキシ、l−プロペニルオキシ、l−
メチル−1−プロペニルオキシ、2−メチル−1−プロ
ペニルオキシ、l−ブテニルオキシ、2−ブテニルオキ
ン、3−ブテニルオキシ。
ルオキシ、アリルオキシ、l−プロペニルオキシ、l−
メチル−1−プロペニルオキシ、2−メチル−1−プロ
ペニルオキシ、l−ブテニルオキシ、2−ブテニルオキ
ン、3−ブテニルオキシ。
l−メチル−1−ブテニルオキシ、2−メチル−1−ブ
テニルオキシ、3−メチル−1−ブテニルオキシ、l−
メチル−2−ブテニルオキシ、2−メチル−2−ブテニ
ルオキシ、3−メチル−2−ブテニルオキシ、l−メチ
ル−3−ブテニルオキシ。
テニルオキシ、3−メチル−1−ブテニルオキシ、l−
メチル−2−ブテニルオキシ、2−メチル−2−ブテニ
ルオキシ、3−メチル−2−ブテニルオキシ、l−メチ
ル−3−ブテニルオキシ。
2−メチル−3−ブテニルオキシ、3−メチル−3−ブ
テニルオキシ、1−ペンテニルオキシ、2−ペンテニル
オキシ、3−ペンテニルオキシ、4−ペンテニルオキシ
、1−メチル−1−ペンテニルオキシ、2−メチル−4
−ヘキセニルオキシ、3−メチル−4−へキセニルオキ
シ、4−メチル−4−へキセニルオキシ、5−メチル−
4−へキセニルオキシ、1.3−ブタンジェニルオキシ
、1.6−へブタンジェニルオキシ等の不飽和結合を1
ないし3個有していてもよい炭素数2から7の直鎖また
は分枝状のアルケニルオキシ基が用いられる。
テニルオキシ、1−ペンテニルオキシ、2−ペンテニル
オキシ、3−ペンテニルオキシ、4−ペンテニルオキシ
、1−メチル−1−ペンテニルオキシ、2−メチル−4
−ヘキセニルオキシ、3−メチル−4−へキセニルオキ
シ、4−メチル−4−へキセニルオキシ、5−メチル−
4−へキセニルオキシ、1.3−ブタンジェニルオキシ
、1.6−へブタンジェニルオキシ等の不飽和結合を1
ないし3個有していてもよい炭素数2から7の直鎖また
は分枝状のアルケニルオキシ基が用いられる。
上記一般式[+]のうち、最も好ましくは、R。
が2−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセチル、
R1が1−(2−ジメチルアミノエチル)−1H−テト
ラゾール−5−イルチオメチル基、R5が式 −CH−0−C−Y [式中の記号は前記と同;11 O 意義を示す]で表わされる基、R4が水素原子、Zが硫
黄原子である。特に式 −CH−0−C−Y で示される基のうちXがO メチルM、Yがシクロへキシルオキシ基が好ましい。一
般式[1コで表わされる化合物をさらに具体的に示せば
下記の通りである。
R1が1−(2−ジメチルアミノエチル)−1H−テト
ラゾール−5−イルチオメチル基、R5が式 −CH−0−C−Y [式中の記号は前記と同;11 O 意義を示す]で表わされる基、R4が水素原子、Zが硫
黄原子である。特に式 −CH−0−C−Y で示される基のうちXがO メチルM、Yがシクロへキシルオキシ基が好ましい。一
般式[1コで表わされる化合物をさらに具体的に示せば
下記の通りである。
(以 下 余 白)
本発明に用いられろセファロスポリン化合物の分子中に
スルホ基、カルボキシル基等の酸性基が含まれている場
合、自体公知の方法により医薬上許容される塩の形にし
て用いてもよく、たとえばナトリウム、カリウム等のア
ルカリ金属、例えばマグネンウム、カルンウム等のアル
カリ土類金属等の無毒性カチオン、たとえばアルギニン
、オルニチン、リジン、ヒスチジン等の塩基性アミノ酸
、たとえばN−メヂルグルカミン、ノエタノールアミン
、トリエタノールアミン、トリスヒドロキシメチルアミ
ノメタンなどのポリヒドロキシアルキルアミン等との塩
基塩を形成さ仕て用いてもよい。又セファ【1スポリン
化合物の分子中にアミノ基が含まれている場合には、例
えば塩酸、硫酸、リン酸などの無機酸、例えばマレイン
酸、酢酸、クエン酸。
スルホ基、カルボキシル基等の酸性基が含まれている場
合、自体公知の方法により医薬上許容される塩の形にし
て用いてもよく、たとえばナトリウム、カリウム等のア
ルカリ金属、例えばマグネンウム、カルンウム等のアル
カリ土類金属等の無毒性カチオン、たとえばアルギニン
、オルニチン、リジン、ヒスチジン等の塩基性アミノ酸
、たとえばN−メヂルグルカミン、ノエタノールアミン
、トリエタノールアミン、トリスヒドロキシメチルアミ
ノメタンなどのポリヒドロキシアルキルアミン等との塩
基塩を形成さ仕て用いてもよい。又セファ【1スポリン
化合物の分子中にアミノ基が含まれている場合には、例
えば塩酸、硫酸、リン酸などの無機酸、例えばマレイン
酸、酢酸、クエン酸。
コハク酸、洒石酸、リンゴ酸、マロン酸、フマル酸。
安息呑酸、マンデル酸、アスコルビン酸、メタンスルホ
ン酸等の有機酸等ペニシリンあるいはセファロスポリン
の分野で医薬的に許容しうる塩を形成する酸として知ら
れている酸との酸付加塩とじて用いてら良い。
ン酸等の有機酸等ペニシリンあるいはセファロスポリン
の分野で医薬的に許容しうる塩を形成する酸として知ら
れている酸との酸付加塩とじて用いてら良い。
固状のセファロスポリン化合物を脱溶媒化し、溶媒を含
有した超臨界二酸化炭素は、自体公知の方法、例えば活
性炭などの吸着剤で溶媒を吸岩分離する方法等により超
臨界二酸化炭素から溶媒を分離したのち、再び本発明方
法の原料用二酸化炭素として用いることらできる。
有した超臨界二酸化炭素は、自体公知の方法、例えば活
性炭などの吸着剤で溶媒を吸岩分離する方法等により超
臨界二酸化炭素から溶媒を分離したのち、再び本発明方
法の原料用二酸化炭素として用いることらできる。
本発明方法により脱溶媒化され精製されたセファロスポ
リン化合物は抗菌剤として自体公知の方法により人また
は哺乳動物の感染症の治療及び予防のために用いられる
。
リン化合物は抗菌剤として自体公知の方法により人また
は哺乳動物の感染症の治療及び予防のために用いられる
。
原料の固状のセファロスポリン化合物は自体公知の方法
で製造されろ。
で製造されろ。
例えば特開昭55−79393に記載の方法や特開昭5
3−21192.特開昭57−77690、特開昭58
−189186.時開59−89691、特開昭59−
190995.特開昭59−225191、特開昭59
−225192.特開昭59−225193.特開昭6
0−38387.特開昭59−190995.特開昭6
0−67482゜特開昭60−64987.特開昭60
−218394、特開昭60−224693.特開昭6
0−2゜39490等に記載の方法によりセファロスポ
リン化合物を得たのち、有機溶媒のガスを含有する不活
性ガス(例、空気、窒素)を通ずるか、有機溶媒で洗浄
することにより製造される。
3−21192.特開昭57−77690、特開昭58
−189186.時開59−89691、特開昭59−
190995.特開昭59−225191、特開昭59
−225192.特開昭59−225193.特開昭6
0−38387.特開昭59−190995.特開昭6
0−67482゜特開昭60−64987.特開昭60
−218394、特開昭60−224693.特開昭6
0−2゜39490等に記載の方法によりセファロスポ
リン化合物を得たのち、有機溶媒のガスを含有する不活
性ガス(例、空気、窒素)を通ずるか、有機溶媒で洗浄
することにより製造される。
発明の効果
本発明方法は、固状のセファロスポリン化合物を分解1
重合さけることなく安定に効率良(脱溶媒ずろことがで
きろ。脱溶媒化された固状のセファロスポリン化合物の
溶媒含有率は極めて低く(通常0.05買/頁%以下に
することかできる)、しかも得られろセファロスポリン
化合物は力価の減少もなく、高純度、高品質であり、工
業用脱溶媒化法として題めて有用である。
重合さけることなく安定に効率良(脱溶媒ずろことがで
きろ。脱溶媒化された固状のセファロスポリン化合物の
溶媒含有率は極めて低く(通常0.05買/頁%以下に
することかできる)、しかも得られろセファロスポリン
化合物は力価の減少もなく、高純度、高品質であり、工
業用脱溶媒化法として題めて有用である。
以下に参考例、実施例及び比較例をあげて本発明方法を
詳述する。なお参考例、実施例、比較例で用いられる%
は特記のない限り重量%を示す。
詳述する。なお参考例、実施例、比較例で用いられる%
は特記のない限り重量%を示す。
参考例1
(a)1−クロロエチル シクロヘキシルカーボネート
の製造 シクロヘキサノール18.3g、ピリジン14.5g、
塩化メチレン300威溶液を、−78℃に冷却し、攪拌
下、これに1−クロロエチルクロロホーメート20dを
10分で滴下した。滴下後冷浴を外し、室温で16時間
攪拌した後、飽和食塩水300M1で3回洗浄した。つ
いで無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去す
ると、無色油状物として表記化合物33. tg(収率
88%)が得られた。bploo 〜113℃15〜6
mmHg (b)1−ヨードエチル シクロへキシルカーボネート
の製造 上記(a)で得られたl−クロロエチル シクロへキシ
ルカーボネート16.5g、ヨウ化ナトリウム50gの
アセトニトリル500d溶液を70℃で45分間かきま
ぜた後、減圧濃縮し、得られた残渣をエーテルで抽出し
た。抽出液を合わせ溶媒を減圧留去すると表記化合物が
淡黄色油状物として得られた。
の製造 シクロヘキサノール18.3g、ピリジン14.5g、
塩化メチレン300威溶液を、−78℃に冷却し、攪拌
下、これに1−クロロエチルクロロホーメート20dを
10分で滴下した。滴下後冷浴を外し、室温で16時間
攪拌した後、飽和食塩水300M1で3回洗浄した。つ
いで無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去す
ると、無色油状物として表記化合物33. tg(収率
88%)が得られた。bploo 〜113℃15〜6
mmHg (b)1−ヨードエチル シクロへキシルカーボネート
の製造 上記(a)で得られたl−クロロエチル シクロへキシ
ルカーボネート16.5g、ヨウ化ナトリウム50gの
アセトニトリル500d溶液を70℃で45分間かきま
ぜた後、減圧濃縮し、得られた残渣をエーテルで抽出し
た。抽出液を合わせ溶媒を減圧留去すると表記化合物が
淡黄色油状物として得られた。
N M R(CD 3 CN 、 ′r M S (外
部標準))δ:0.7〜2.3(lOIl、m)、 2
.18(311,d、J=611z)、 4.1〜4.
9(IH。
部標準))δ:0.7〜2.3(lOIl、m)、 2
.18(311,d、J=611z)、 4.1〜4.
9(IH。
m)、 6.67(ill、q、J=611z)(c)
l−(シクロへキシルオキシカルボニルオキシ)エ
チル 7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル
)アセトアミトコ−3−[[[1−(2−ジメチルアミ
ノエチル)−18−テトラゾール−5−イルコチオコメ
チルコセフー3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸
塩の製造 7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセ
トアミド]−3−[[[1−(2−ジメチルアミノエチ
ル)−1H−テトラゾール−5−イルコチオ]メヂル]
セフー3−エム−4−カルボン酸カリウム36gをジメ
チルホルムアミド3017に溶解し、水冷攪拌下、この
溶液に上記(b)で得られた1−ヨードエチル シクロ
へキシルカーボネートのジメチルホルムアミド溶液50
−を−気に加え、5分間攪拌した。反応液を氷で冷却し
た20%食塩水1.512と酢酸エチル1.5Qの混液
中に注いだ。有機層を分取し、飽和食塩水1.5Qで2
回洗浄後、IN塩酸400dで抽出した。この抽出液を
ダイヤイオ:zMCl”f、l、CHP20P(75〜
150u、EHII。
l−(シクロへキシルオキシカルボニルオキシ)エ
チル 7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル
)アセトアミトコ−3−[[[1−(2−ジメチルアミ
ノエチル)−18−テトラゾール−5−イルコチオコメ
チルコセフー3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸
塩の製造 7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセ
トアミド]−3−[[[1−(2−ジメチルアミノエチ
ル)−1H−テトラゾール−5−イルコチオ]メヂル]
セフー3−エム−4−カルボン酸カリウム36gをジメ
チルホルムアミド3017に溶解し、水冷攪拌下、この
溶液に上記(b)で得られた1−ヨードエチル シクロ
へキシルカーボネートのジメチルホルムアミド溶液50
−を−気に加え、5分間攪拌した。反応液を氷で冷却し
た20%食塩水1.512と酢酸エチル1.5Qの混液
中に注いだ。有機層を分取し、飽和食塩水1.5Qで2
回洗浄後、IN塩酸400dで抽出した。この抽出液を
ダイヤイオ:zMCl”f、l、CHP20P(75〜
150u、EHII。
成工業製)を用いるカラムクロマトグラフィに付し、O
,OIN塩酸、ついで20V/V%アセトニトリル10
.OIN塩酸で溶出した。目的化合物を含む溶出画分を
集め、減圧濃縮後、凍結乾燥すると無色粉末として1−
(シクロへキシルオキシカルボニルオキシ)エチル 7
β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセト
アミド]−3−[[[1−(2−ジメチルアミノエチル
)−18−テトラゾール−5−イルコチオ]メチルコセ
フー3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸塩9.6
gが得られた。
,OIN塩酸、ついで20V/V%アセトニトリル10
.OIN塩酸で溶出した。目的化合物を含む溶出画分を
集め、減圧濃縮後、凍結乾燥すると無色粉末として1−
(シクロへキシルオキシカルボニルオキシ)エチル 7
β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセト
アミド]−3−[[[1−(2−ジメチルアミノエチル
)−18−テトラゾール−5−イルコチオ]メチルコセ
フー3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸塩9.6
gが得られた。
I RvKBram−’−178G、 175Q、 1
68Q、 1620゜ax 得られた化合物の4gを下部にろ過板を有するガラス容
器に入れ、アセトン30−を加えて攪拌により十分懸濁
させた後真空ろ過を行なって1−(シクロへキシルオキ
シカルボニルオキシ)エチル7β−[2−(2−アミノ
チアゾール−4−イル)アセトアミトコ−3−[[[1
−(2−ジメチルアミノエチル)−1H−テトラゾール
−5−イル]チオコメデル]セフー3−エム−4−カル
ボキシレート・2塩酸塩を分離した。引き続き乾燥空気
(温度25°C1相対湿度5.1%)を30分毎に攪拌
を行ないながら7時間通気しく空気流ff1lo07,
1/分)脱溶媒を行なった。アセトン含m・3.2%(
ガスクロマトグラフィーにより測定)、1−(シクロへ
キシルオキシカルボニルオキシ)エチル 7β−[2−
(2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミトコ−
3−4[[1−(2−ジメチルアミノエチル) −11
−1−テトラゾール−5−イル]チオ〕メチル]セフー
3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸塩の含i99
.3%(高速液体クロマトグラフィにより測定)。
68Q、 1620゜ax 得られた化合物の4gを下部にろ過板を有するガラス容
器に入れ、アセトン30−を加えて攪拌により十分懸濁
させた後真空ろ過を行なって1−(シクロへキシルオキ
シカルボニルオキシ)エチル7β−[2−(2−アミノ
チアゾール−4−イル)アセトアミトコ−3−[[[1
−(2−ジメチルアミノエチル)−1H−テトラゾール
−5−イル]チオコメデル]セフー3−エム−4−カル
ボキシレート・2塩酸塩を分離した。引き続き乾燥空気
(温度25°C1相対湿度5.1%)を30分毎に攪拌
を行ないながら7時間通気しく空気流ff1lo07,
1/分)脱溶媒を行なった。アセトン含m・3.2%(
ガスクロマトグラフィーにより測定)、1−(シクロへ
キシルオキシカルボニルオキシ)エチル 7β−[2−
(2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミトコ−
3−4[[1−(2−ジメチルアミノエチル) −11
−1−テトラゾール−5−イル]チオ〕メチル]セフー
3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸塩の含i99
.3%(高速液体クロマトグラフィにより測定)。
1−(シクロへキシルオキシカルボニルオキシ)エチル
7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)ア
セトアミド]−3−[[CI−(2−ジメチルアミノエ
チル)−1H−テトラゾール−5−イル]チオコメチル
]セフー3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸塩の
加水分解体 7β−[2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)アセトアミド]−3−[[[1−(2−ジメチ
ルアミノエチル)−1)(−テトラゾール−5−イル]
チオ]メチル]セフー3−エム−4−カルボン酸・2塩
酸塩(以下加水分解生成体と称することもある)の含量
:0.2%(脱水。
7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)ア
セトアミド]−3−[[CI−(2−ジメチルアミノエ
チル)−1H−テトラゾール−5−イル]チオコメチル
]セフー3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸塩の
加水分解体 7β−[2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)アセトアミド]−3−[[[1−(2−ジメチ
ルアミノエチル)−1)(−テトラゾール−5−イル]
チオ]メチル]セフー3−エム−4−カルボン酸・2塩
酸塩(以下加水分解生成体と称することもある)の含量
:0.2%(脱水。
脱溶媒物換算、高速液体クロマトグラフィーにより測定
)であった。
)であった。
参考例2
参考例1において得られたアセトン3.2%を含有する
1−(シクロへキシルオキシカルボニルオキシ)エチル
7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)ア
セトアミド]−3−[[[1−(2−ツメチルアミノエ
チル)−18−テトラゾール−5−イル]チオ]メチル
コセフー3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸塩
5gをグラスフィルターに入れ、室温下イソプロピルア
ルコール、n−ヘキサン l:l混液中にバブリングさ
せた空気を2時間通気してイソプロピルアルコールとn
−ヘキサンを吸着させた。
1−(シクロへキシルオキシカルボニルオキシ)エチル
7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)ア
セトアミド]−3−[[[1−(2−ツメチルアミノエ
チル)−18−テトラゾール−5−イル]チオ]メチル
コセフー3−エム−4−カルボキシレート・2塩酸塩
5gをグラスフィルターに入れ、室温下イソプロピルア
ルコール、n−ヘキサン l:l混液中にバブリングさ
せた空気を2時間通気してイソプロピルアルコールとn
−ヘキサンを吸着させた。
定量分析の結果、アセトン含ffl:3.2%、イソプ
ロピルアルコール含ffl:0.6%、n−ヘキサン含
量:0゜05%(脱水、脱溶媒物話卒、ガスクロマトグ
ラフィーにより測定)であった。
ロピルアルコール含ffl:0.6%、n−ヘキサン含
量:0゜05%(脱水、脱溶媒物話卒、ガスクロマトグ
ラフィーにより測定)であった。
参考例3
7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセ
トアミド]−3−[[[1−(2−ジメチルアミノエチ
ル)−1H−テトラゾール−5−イル]チオ〕メヂル]
セフー3−エム−4−カルボン酸・2塩酸塩 5gをグ
ラスフィルターに入れ室温下酢酸エチル中にバブリング
させた空気を1時間通気して酢酸エチルを吸着させた。
トアミド]−3−[[[1−(2−ジメチルアミノエチ
ル)−1H−テトラゾール−5−イル]チオ〕メヂル]
セフー3−エム−4−カルボン酸・2塩酸塩 5gをグ
ラスフィルターに入れ室温下酢酸エチル中にバブリング
させた空気を1時間通気して酢酸エチルを吸着させた。
定量分析の結果、酢酸エチルの金遣は0.12%(脱水
、脱溶媒物基準、ガスクロマトグラフィーにより測定)
であった。
、脱溶媒物基準、ガスクロマトグラフィーにより測定)
であった。
参考例4
7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−(
Z)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−[1,
2,3−チアジアゾール−5−イルーチオメチル]セフ
ー3−エム−4−カルボン酸ナトリウム5gをエタノー
ル20屁に!P、’Rrさせた後グラスフィルターで真
空ろ過し、次いでこの結晶をメタノール20M1で洗浄
した。洗浄後直ちに結晶に乾燥空気を30分間通気後分
析したところメタノール含ffi:1.7%、エタノー
ル含ffi:1.4%(脱水、脱溶媒物基県、ガスクロ
マトグラフィーにより測定)であった。
Z)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−[1,
2,3−チアジアゾール−5−イルーチオメチル]セフ
ー3−エム−4−カルボン酸ナトリウム5gをエタノー
ル20屁に!P、’Rrさせた後グラスフィルターで真
空ろ過し、次いでこの結晶をメタノール20M1で洗浄
した。洗浄後直ちに結晶に乾燥空気を30分間通気後分
析したところメタノール含ffi:1.7%、エタノー
ル含ffi:1.4%(脱水、脱溶媒物基県、ガスクロ
マトグラフィーにより測定)であった。
実施例
実施例!
アセトン3.2%を含有する粉末状の1−(シクロへキ
シルオキシカルボニルオキシ)エチル 7β−[2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3
−[[[1−(2−ジメチルアミノエチル)−1H−テ
トラゾール−5−イル]チオ]メチルコセフー3−エム
−4−カルボキンレート・2塩酸塩(以後化合物−1と
称する)20gを直径14mm、高さ3001の下部に
ろ過板を有する竪型円筒容器に充填し、容器外温と流体
人口温度を35℃に、容器内圧力を150kg/cm”
に調節しながら、二酸化炭素を容器上部から下方へ粉体
層を通して流しく流ffi:0.8f2/分、標準状態
換算)アセトンの抽出除去を行なった。5時間経過後二
酸化炭素の流れを止め、装置の圧力を常圧に戻して内容
物を取り出し定量分析したところ残存アセトン含量は0
.05%以下(ガスクロマトグラフィーにより測定、以
下の実施例、比較例においても同じ)に減少していた。
シルオキシカルボニルオキシ)エチル 7β−[2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−3
−[[[1−(2−ジメチルアミノエチル)−1H−テ
トラゾール−5−イル]チオ]メチルコセフー3−エム
−4−カルボキンレート・2塩酸塩(以後化合物−1と
称する)20gを直径14mm、高さ3001の下部に
ろ過板を有する竪型円筒容器に充填し、容器外温と流体
人口温度を35℃に、容器内圧力を150kg/cm”
に調節しながら、二酸化炭素を容器上部から下方へ粉体
層を通して流しく流ffi:0.8f2/分、標準状態
換算)アセトンの抽出除去を行なった。5時間経過後二
酸化炭素の流れを止め、装置の圧力を常圧に戻して内容
物を取り出し定量分析したところ残存アセトン含量は0
.05%以下(ガスクロマトグラフィーにより測定、以
下の実施例、比較例においても同じ)に減少していた。
また加水分解生成体の増加は認められず、化合物−1の
含量は99.2%であった(高速液体クロマトグラフィ
ーにより測定)。また飴状溶融体の生成も全く認められ
なかった(目視観察)。
含量は99.2%であった(高速液体クロマトグラフィ
ーにより測定)。また飴状溶融体の生成も全く認められ
なかった(目視観察)。
実施例2
アセトン4.1%、イソプロピルアルコール0.6%。
n−ヘキサン0.05%を含有する粉末状の化合物=1
5gを実施例1の竪型円筒容器に充填し温度35°C
0圧力150kg/Cm” 、二酸化炭素流mO,’t
a1分(標♀状態換算値)の条件下で5時間溶媒の抽出
除去を行なった後内容物を取り出し定量分析したところ
アセトン0.005%以下、イソプロピルアルコール0
005%以下、n−ヘキサンo、ooos%以下にそれ
ぞれ減少していた。
5gを実施例1の竪型円筒容器に充填し温度35°C
0圧力150kg/Cm” 、二酸化炭素流mO,’t
a1分(標♀状態換算値)の条件下で5時間溶媒の抽出
除去を行なった後内容物を取り出し定量分析したところ
アセトン0.005%以下、イソプロピルアルコール0
005%以下、n−ヘキサンo、ooos%以下にそれ
ぞれ減少していた。
実施例3
酢酸エチル0.12%を含有する粉末状の7β−[2−
(2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−
3−[[[1−(2−ツメチルアミノエチル)−1H−
テトラゾール−5−イル]チオコメチル]セフー3−エ
ム−4−カルボン酸・2塩酸塩5gを実施例1の竪型円
筒容器に充填し実施例2と同一の条件下で5時間溶媒の
抽出除去を行なった結果、酢酸エチルの含有量はo、o
oos%以下に減少していた。
(2−アミノチアゾール−4−イル)アセトアミド]−
3−[[[1−(2−ツメチルアミノエチル)−1H−
テトラゾール−5−イル]チオコメチル]セフー3−エ
ム−4−カルボン酸・2塩酸塩5gを実施例1の竪型円
筒容器に充填し実施例2と同一の条件下で5時間溶媒の
抽出除去を行なった結果、酢酸エチルの含有量はo、o
oos%以下に減少していた。
実施例4
メタノール1.7%、エタノール1.4%を含有する粉
末状の7β〜[2−(2−アミノデアゾール−4−イル
)−(Z)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−
[1,2,3−チアジアゾール−5−イルーチオメチル
コセフー3−エム−4−カルボン酸ナトリウム5gを実
施例1の竪型円筒容器に充填し実施例2と同一の条件下
で5時間溶媒の抽出除去を行なった結果、メタノール、
エタノールともに含有量は0,05%以下に減少してい
た。
末状の7β〜[2−(2−アミノデアゾール−4−イル
)−(Z)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−
[1,2,3−チアジアゾール−5−イルーチオメチル
コセフー3−エム−4−カルボン酸ナトリウム5gを実
施例1の竪型円筒容器に充填し実施例2と同一の条件下
で5時間溶媒の抽出除去を行なった結果、メタノール、
エタノールともに含有量は0,05%以下に減少してい
た。
アセトン32%を含量する粉末状の化合物−1について
従来法による脱溶媒を行ない以下の結果を得た。
従来法による脱溶媒を行ない以下の結果を得た。
比較例1
真空脱溶媒法
化合物−1を厚さ約5mmになるようにシャーレに入れ
、こりシャーレを実験用加熱真空乾燥器に納め60℃、
2〜3 Torrの条件下で真空脱溶媒を行なった結果
、2時間経過後アセトン含量は1.2%に低下したがそ
の後は脱溶媒は進行せず6時間経過後ら1.2%のまま
であった。
、こりシャーレを実験用加熱真空乾燥器に納め60℃、
2〜3 Torrの条件下で真空脱溶媒を行なった結果
、2時間経過後アセトン含量は1.2%に低下したがそ
の後は脱溶媒は進行せず6時間経過後ら1.2%のまま
であった。
比較例2
気流脱溶媒法
化合物−150gを直径70mmの下部ろ過板付容器に
入れ(粉末高さ約3cm)、下部ろ過板を通して粉体層
に乾燥空気(相対湿度5.1%)を流し脱溶媒を行なっ
た(流量1.5(/m1n)。空気温度を2506に調
節しながら4時間脱溶媒を行なったがアセトン含量は2
.9%であり、更に空気温度を60℃に上げ2時間脱溶
媒したところアセトン含量は1.2%に低下した。しか
しながらその後は空気温度60℃で6時間経過後もアセ
トン含mは12%のままであった。
入れ(粉末高さ約3cm)、下部ろ過板を通して粉体層
に乾燥空気(相対湿度5.1%)を流し脱溶媒を行なっ
た(流量1.5(/m1n)。空気温度を2506に調
節しながら4時間脱溶媒を行なったがアセトン含量は2
.9%であり、更に空気温度を60℃に上げ2時間脱溶
媒したところアセトン含量は1.2%に低下した。しか
しながらその後は空気温度60℃で6時間経過後もアセ
トン含mは12%のままであった。
比較例3
加湿脱溶媒法
化合物−135gを下部にろ過板を有する直径4cmの
円筒容器に充填し30分間毎に攪拌を行ないながら温度
25℃、相対湿度80℃の加湿空気を下部ろ過板を通し
て粉体層に流し脱溶媒を行なった(流量lQZ分)。ア
セトン含量は6時間経過後0.8%になり10時間後に
は0,05%以下に減少した。しかし含水率が初期値0
.9%から10時間後8.5%に増加しており、部分的
に飴状の溶融体の生成が観察された。直に乾燥工程に入
り、乾燥空気流量112/分、温度25℃で5時間1次
に温度を40℃まで上げ更に5時間1会計 10時間通
気乾燥を行なった。乾燥後内容物を取り出し、先の加湿
脱溶媒で飴状化した部分より変化した小塊を篩過により
分離し重量を測定した結果、小塊の生成率は6.2%で
あった。この小塊分部のアセトン含量は0.05%以下
になっていたが脱溶媒操作io、2%であった加水分解
生成体が1.7%に増加しており品質劣化が顕著であっ
た。またその他の部分についてもアセトン含量は005
%以下であったが加水分解生成体が0.7%に増加して
おり品質劣化は明らかであった。
円筒容器に充填し30分間毎に攪拌を行ないながら温度
25℃、相対湿度80℃の加湿空気を下部ろ過板を通し
て粉体層に流し脱溶媒を行なった(流量lQZ分)。ア
セトン含量は6時間経過後0.8%になり10時間後に
は0,05%以下に減少した。しかし含水率が初期値0
.9%から10時間後8.5%に増加しており、部分的
に飴状の溶融体の生成が観察された。直に乾燥工程に入
り、乾燥空気流量112/分、温度25℃で5時間1次
に温度を40℃まで上げ更に5時間1会計 10時間通
気乾燥を行なった。乾燥後内容物を取り出し、先の加湿
脱溶媒で飴状化した部分より変化した小塊を篩過により
分離し重量を測定した結果、小塊の生成率は6.2%で
あった。この小塊分部のアセトン含量は0.05%以下
になっていたが脱溶媒操作io、2%であった加水分解
生成体が1.7%に増加しており品質劣化が顕著であっ
た。またその他の部分についてもアセトン含量は005
%以下であったが加水分解生成体が0.7%に増加して
おり品質劣化は明らかであった。
第1図、第2図は本発明の固状のセファロスポリン化合
物の精製を行なう最も簡単な装置を示す。 l・・抽出器 5・・・加熱器2・・二酸化
炭素ボンベ 6・・圧力調節弁3・・凝縮器 4・・高圧定量ポンプ 第1図 二酸化炭素ボンベ2から供給される二酸化炭素は1疑縮
器3で液化され、高圧定債ポンプ4て加圧液送されろ。 さらに加熱器5で所定の温度まで加熱され超臨界二酸化
炭素にされた後、固状のセファロスポリン化合物があら
かじめ充填されている抽出器lに入る。超臨界二酸化炭
素は固状のセファロスポリン化合物と接触して残存溶媒
を抽出した後、圧力調節弁6を通して廃棄される。 第2図 二酸化炭素ボンベ2から直接液化二酸化炭素が供給され
、高圧定量ポンプ4で加圧液送後加熱器5で超臨界二酸
化炭素にされる。以下、第1図と同様。
物の精製を行なう最も簡単な装置を示す。 l・・抽出器 5・・・加熱器2・・二酸化
炭素ボンベ 6・・圧力調節弁3・・凝縮器 4・・高圧定量ポンプ 第1図 二酸化炭素ボンベ2から供給される二酸化炭素は1疑縮
器3で液化され、高圧定債ポンプ4て加圧液送されろ。 さらに加熱器5で所定の温度まで加熱され超臨界二酸化
炭素にされた後、固状のセファロスポリン化合物があら
かじめ充填されている抽出器lに入る。超臨界二酸化炭
素は固状のセファロスポリン化合物と接触して残存溶媒
を抽出した後、圧力調節弁6を通して廃棄される。 第2図 二酸化炭素ボンベ2から直接液化二酸化炭素が供給され
、高圧定量ポンプ4で加圧液送後加熱器5で超臨界二酸
化炭素にされる。以下、第1図と同様。
Claims (1)
- 有機溶媒を含有する固状のセファロスポリン化合物を超
臨界二酸化炭素で脱溶媒することを特徴とするセファロ
スポリン化合物の精製法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8750486 | 1986-04-15 | ||
JP61-87504 | 1986-04-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6345284A true JPS6345284A (ja) | 1988-02-26 |
JPH07121951B2 JPH07121951B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=13916812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62085949A Expired - Lifetime JPH07121951B2 (ja) | 1986-04-15 | 1987-04-08 | セファロスポリン系抗生物質の精製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07121951B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002051381A1 (fr) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Substance poreuse et son procede de fabrication |
EP1227100A4 (en) * | 1999-09-30 | 2003-03-05 | Otsuka Kagaku Kk | CRYSTALS OBTAINED FROM A 3-CEPHEME DERIVATIVE AND METHOD OF PREPARATION |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP62085949A patent/JPH07121951B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1227100A4 (en) * | 1999-09-30 | 2003-03-05 | Otsuka Kagaku Kk | CRYSTALS OBTAINED FROM A 3-CEPHEME DERIVATIVE AND METHOD OF PREPARATION |
EP1447406A1 (en) * | 1999-09-30 | 2004-08-18 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | 3-Cephem derivative crystal |
WO2002051381A1 (fr) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Substance poreuse et son procede de fabrication |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07121951B2 (ja) | 1995-12-25 |
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