JPS6338267A - ＧａＡｓ太陽電池とその製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ太陽電池とその製造方法Info
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- JPS6338267A JPS6338267A JP61181346A JP18134686A JPS6338267A JP S6338267 A JPS6338267 A JP S6338267A JP 61181346 A JP61181346 A JP 61181346A JP 18134686 A JP18134686 A JP 18134686A JP S6338267 A JPS6338267 A JP S6338267A
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- Japan
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- gaas
- solar cell
- film
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野Ｊ
本発明は、Ｓｉ基板上にＧ ａ Ａ ｓ薄膜を形成して
なるＧａＡｓ太陽電池、及びその製造方法に関するもの
である。
なるＧａＡｓ太陽電池、及びその製造方法に関するもの
である。
「従来の技術」
ＧａＡｓ太陽電池は、各種太陽電池の中で最も高い交換
効率を示す。しかし、実用的な面から見ると、材料コス
トが高いため、汎用性のある太陽電池としては、ＧａＡ
ｓ太陽電池はＳｉ太陽電池に劣る。また、宇宙用（衛星
用）太陽電池として見たとき、ＧａＡｓ太陽電池は、Ｓ
ｉ太陽電池に比べ優れた耐放射線性を示すものの、Ｇａ
ＡｓとＳｉとの比重の違いから重量が２倍以上大きくな
ってしまい、単位重量当たりの出力で比較した場合、や
はりＳｉ太陽電池がＧａＡｓ太陽電池に優る。
効率を示す。しかし、実用的な面から見ると、材料コス
トが高いため、汎用性のある太陽電池としては、ＧａＡ
ｓ太陽電池はＳｉ太陽電池に劣る。また、宇宙用（衛星
用）太陽電池として見たとき、ＧａＡｓ太陽電池は、Ｓ
ｉ太陽電池に比べ優れた耐放射線性を示すものの、Ｇａ
ＡｓとＳｉとの比重の違いから重量が２倍以上大きくな
ってしまい、単位重量当たりの出力で比較した場合、や
はりＳｉ太陽電池がＧａＡｓ太陽電池に優る。
ＧａＡｓ太陽電池の特徴は、太陽電池として動作する活
性層が約５７ｚｍと非常に薄いことである。
性層が約５７ｚｍと非常に薄いことである。
したがって、ＧａＡｓ太陽電池として優れた特徴を生か
すため、Ｓｉを基板としてその」二にＧａＡｓ薄膜を形
成して太陽電池とする試みが種々なされている。このよ
うにすれば、材料費の低減及び重量の問題が一挙に解決
するからである。
すため、Ｓｉを基板としてその」二にＧａＡｓ薄膜を形
成して太陽電池とする試みが種々なされている。このよ
うにすれば、材料費の低減及び重量の問題が一挙に解決
するからである。
しかしながら、ＧａＡｓと８１とは４％格子定数か冗な
るのに加え、熱膨張係数が約２倍異なる。
るのに加え、熱膨張係数が約２倍異なる。
このため、８１基板」−に直接Ｇ ａ Ａ ｓの良質な
膜を形成することは困ｉｔである。したか−、て、Ｇａ
Ａｓと性質か比較的類貝してぃろＧ（！をｊ：４−８ｉ
上にコートし、その後にＧａＡｓを形成する方法か多く
とられている。
膜を形成することは困ｉｔである。したか−、て、Ｇａ
Ａｓと性質か比較的類貝してぃろＧ（！をｊ：４−８ｉ
上にコートし、その後にＧａＡｓを形成する方法か多く
とられている。
しかし、大量生産か可能なＭＯＣＶＩ）（（１゛機金属
気相成長）法では、まオＧ（・を他の装置たとえば蒸着
装置によりＳ ｉ ］＋に仮１−に形成し、ごれを大気
中に取り出した後、Ｍ ＯＣＶ ＋）装置に導入してＧ
ａＡ ｓ模を形成オろ必要があり、＝１ストの解決に
は結び付かない。
気相成長）法では、まオＧ（・を他の装置たとえば蒸着
装置によりＳ ｉ ］＋に仮１−に形成し、ごれを大気
中に取り出した後、Ｍ ＯＣＶ ＋）装置に導入してＧ
ａＡ ｓ模を形成オろ必要があり、＝１ストの解決に
は結び付かない。
また、Ｓｉ基板Ｉ−に直接ＧａＡｓを形成する方法ら勿
論行なわれているが、（ｘａΔｓｏｌΦの１９さが３７
１ｍを越えると、熱膨張係数のＸ′５“４によりクラッ
クがＧａＡｓ膜内に導入されろ１．−クラックが導入さ
れろと、クラ・！りに取り囲まれた領域が電気的に乙機
械的にら孤立した領域となり、）しによ−、て誘起され
た電流を外部に取り出４〜ごとができ４−１いゎゆる死
領域となり、変換効率が５％〜７％と非常に低い乙のと
なっていた。また、３μｍ以内の膜厚では太陽電池とし
て動作するのに十分な膜質を得ることは不ｉｉＪ能であ
った。このことは、ＧｅをコートしたＳｉ基板を用いた
場合にもそのまま当てはまるといえる。
論行なわれているが、（ｘａΔｓｏｌΦの１９さが３７
１ｍを越えると、熱膨張係数のＸ′５“４によりクラッ
クがＧａＡｓ膜内に導入されろ１．−クラックが導入さ
れろと、クラ・！りに取り囲まれた領域が電気的に乙機
械的にら孤立した領域となり、）しによ−、て誘起され
た電流を外部に取り出４〜ごとができ４−１いゎゆる死
領域となり、変換効率が５％〜７％と非常に低い乙のと
なっていた。また、３μｍ以内の膜厚では太陽電池とし
て動作するのに十分な膜質を得ることは不ｉｉＪ能であ
った。このことは、ＧｅをコートしたＳｉ基板を用いた
場合にもそのまま当てはまるといえる。
［発明が解決しようとする問題点−１
このように従来のＧａＡｓ太陽電池は、膜厚を増大させ
て膜質を向−４−させようとすると、クラックが導入さ
れて、結局、変換効率が低下してしまうという問題があ
った。
て膜質を向−４−させようとすると、クラックが導入さ
れて、結局、変換効率が低下してしまうという問題があ
った。
本発明（ｊ、膜質向」―のための膜厚増大に伴うクラッ
ク導入の点を解決した、高品質ＧａＡｓ太陽電池及びそ
の製造方法を提供することを目的とするものである。
ク導入の点を解決した、高品質ＧａＡｓ太陽電池及びそ
の製造方法を提供することを目的とするものである。
「問題点を解決するための手段Ｊ
本発明の太陽電池は、Ｓｉ基板状に成長させられている
ＧａＡｓ薄膜内に、冷却により自然発生したクラックが
あり、しかもそのクラックを覆うように上層のＧａＡｓ
が成長さ仕られていることを特徴としている。。
ＧａＡｓ薄膜内に、冷却により自然発生したクラックが
あり、しかもそのクラックを覆うように上層のＧａＡｓ
が成長さ仕られていることを特徴としている。。
また、本発明の太陽電池の製造方法は、Ｓｉ括板トにＧ
ａＡｓ薄膜を成長さＵろ際、途中で成長を中断して成長
温度から室温まで冷却し２、それにＪ、すＧａＡｓ薄膜
内にクランクを積極的に導入し、その後再び成長温度ま
て加熱してにａΔＳ薄膜を成長させ、この操作を繰り返
しながら（＋ ａΔＳ薄膜を成長さ仕るようにしだらの
である。
ａＡｓ薄膜を成長さＵろ際、途中で成長を中断して成長
温度から室温まで冷却し２、それにＪ、すＧａＡｓ薄膜
内にクランクを積極的に導入し、その後再び成長温度ま
て加熱してにａΔＳ薄膜を成長させ、この操作を繰り返
しながら（＋ ａΔＳ薄膜を成長さ仕るようにしだらの
である。
［作用Ｊ
ＧａＡｓ薄膜内に導入されたクラックの１−には、クラ
ックを覆うように上層のＧａＡｓ膜が成長さ仕られてい
るので、−上層のＧａＡｓ＠によりタラツクが埋められ
、クランクに取り囲Ｊ：れた領域が機械的にも電気的に
も周囲の領域と接続される。
ックを覆うように上層のＧａＡｓ膜が成長さ仕られてい
るので、−上層のＧａＡｓ＠によりタラツクが埋められ
、クランクに取り囲Ｊ：れた領域が機械的にも電気的に
も周囲の領域と接続される。
従来技術では、膜質は、（Ｊ ａ Ａ ｓ膜厚の増大と
と乙に向」ニすることは知られていたらのの、膜厚の増
大に伴ってクラックの発生が顕粁になるため、ＧａＡｓ
の膜厚をあまり大きくてき４゛、３７１ｍ以内に制限し
、その中て膜質向にを図っていた。しかし、本発明は、
それらの制限にご／、Ｅ 、ｔ）らず任０の厚さにまで
厚みを増大し膜質向」二を実現できろ。
と乙に向」ニすることは知られていたらのの、膜厚の増
大に伴ってクラックの発生が顕粁になるため、ＧａＡｓ
の膜厚をあまり大きくてき４゛、３７１ｍ以内に制限し
、その中て膜質向にを図っていた。しかし、本発明は、
それらの制限にご／、Ｅ 、ｔ）らず任０の厚さにまで
厚みを増大し膜質向」二を実現できろ。
「実施例」
以丁、本発明の詳細な説明する。
第１図は実施例の太陽電池の断面図である。図中１（Ｊ
：Ｓｂ、０３の反射防止膜、２はＡｕ−Ｚｎ電極、３は
ｐＧａＡｓＧａＡｓキャラはＡ Ｉｏ、ｓＧ ａｏ、ｚ
Ａ Ｓ窓層、５はｐ−ＧａＡｓ、 ６はｎＧ ａＡ ｓ
、 ７はｎΔＩ ｎ 、 ６ Ｇ ａ ｏ 、 ２ Ａ
Ｓバックザーフェス層、８はｎ−ＧａＡｓバッファ層
、９はＧａＡｓ低温成長層、１０はｎ−５ｉ塙板、１１
はＡｕ電極である。
：Ｓｂ、０３の反射防止膜、２はＡｕ−Ｚｎ電極、３は
ｐＧａＡｓＧａＡｓキャラはＡ Ｉｏ、ｓＧ ａｏ、ｚ
Ａ Ｓ窓層、５はｐ−ＧａＡｓ、 ６はｎＧ ａＡ ｓ
、 ７はｎΔＩ ｎ 、 ６ Ｇ ａ ｏ 、 ２ Ａ
Ｓバックザーフェス層、８はｎ−ＧａＡｓバッファ層
、９はＧａＡｓ低温成長層、１０はｎ−５ｉ塙板、１１
はＡｕ電極である。
この中のＧａＡｓ層内には、冷却により自然発生したク
ラックがあり、しかもこのクラックを覆うように」二層
のＧａＡｓ層が成長させられている。
ラックがあり、しかもこのクラックを覆うように」二層
のＧａＡｓ層が成長させられている。
この太陽電池は、次のように作製した。
過酸化水素水と硫酸の混液（４：］）とフッ酸の希薄水
溶液とでエツチングしたｎ形のＳｉ基板１０をＭＯＣＶ
Ｄ装置内に導入し、Ｇ ａＡ ｓ薄膜のＳｉ基板１０Ｊ
−への成長を行なった。最初にＨ、気流中で約９００℃
に加熱し、Ｓｉ基板１０上の酸化膜の除去を行なう。こ
の後、既知の二段階成長法（特開昭ｅ＋−２Ｇ２１６）
にｊ、すＧ ａＡＳ膜を形成する。たたし、今の場合、
第１図１、二示・１゛人陽電池構迅とするためＳ ｃを
ドーパントと１．て用いている。このＳ ｅ ｔ’−プ
層の厚さを５７７ｍとなる。１、うに成長させた後、成
長を中断し、試料を室温まで冷却オろ。
溶液とでエツチングしたｎ形のＳｉ基板１０をＭＯＣＶ
Ｄ装置内に導入し、Ｇ ａＡ ｓ薄膜のＳｉ基板１０Ｊ
−への成長を行なった。最初にＨ、気流中で約９００℃
に加熱し、Ｓｉ基板１０上の酸化膜の除去を行なう。こ
の後、既知の二段階成長法（特開昭ｅ＋−２Ｇ２１６）
にｊ、すＧ ａＡＳ膜を形成する。たたし、今の場合、
第１図１、二示・１゛人陽電池構迅とするためＳ ｃを
ドーパントと１．て用いている。このＳ ｅ ｔ’−プ
層の厚さを５７７ｍとなる。１、うに成長させた後、成
長を中断し、試料を室温まで冷却オろ。
このことにより基板のＳｉとＧ ａＡＳ膜の熱膨張係数
の差異によりＧａＡｓ膜内には多数のタラ・ツクが導入
されろ。これを再び成長温度の７００℃に昇温し、太陽
電池のバ・・ｌり→ノ゛−フｊ−スとなるＳｅドープの
Ａ ＩＧ ａＡ ｓを約０．５７１ｍ成長さＵた。ごの
ΔＩＧａＡｓＪ：に太陽電池の活性層ｎ−ｎ−ＧａＡｓ
。
の差異によりＧａＡｓ膜内には多数のタラ・ツクが導入
されろ。これを再び成長温度の７００℃に昇温し、太陽
電池のバ・・ｌり→ノ゛−フｊ−スとなるＳｅドープの
Ａ ＩＧ ａＡ ｓを約０．５７１ｍ成長さＵた。ごの
ΔＩＧａＡｓＪ：に太陽電池の活性層ｎ−ｎ−ＧａＡｓ
。
ｐ ＧａＡｓ−ｐ−ＡＩＧａＡｓ（窓層）−ｐＧａ
Ａｓ（キャップ層）をこの順に形成４゛ろ。１ｌ−ｎ−
ＧａＡｓ層の厚さは約４７１ｍ、 ｐ−ＧＲＡＳ層ｉ」
［ｌ 、 ３ Ｂ−０。
Ａｓ（キャップ層）をこの順に形成４゛ろ。１ｌ−ｎ−
ＧａＡｓ層の厚さは約４７１ｍ、 ｐ−ＧＲＡＳ層ｉ」
［ｌ 、 ３ Ｂ−０。
９μｍ、窓層のｐ−ＡＩＧａＡｓ層は３００人、ギヤ＝
／プ層のｐＧａＡｓ層はＯ、：（Ｂ ｍ、と１．でいろ
３．この間、２回の成１÷中断をｉ−ｒない、温度を室
ｌ！！よでＦげている。こ−１１−て得ノニＧａ、〜ｓ
ｌトがの膜ｔＴ ｔ、＋ ｐ″Ｉさか約１０μｍある
〕こめ、中！、（１ン１こよろしのをγて含んだ再結合
中心の密度は１０’／ｃｍ２となり、３μｍ程度のクラ
ックの入らないものに比較して、１〜２桁減少している
。このため、太陽電池特性としてら変換効率１５％を越
えろものが得られるに至っ）こ。
／プ層のｐＧａＡｓ層はＯ、：（Ｂ ｍ、と１．でいろ
３．この間、２回の成１÷中断をｉ−ｒない、温度を室
ｌ！！よでＦげている。こ−１１−て得ノニＧａ、〜ｓ
ｌトがの膜ｔＴ ｔ、＋ ｐ″Ｉさか約１０μｍある
〕こめ、中！、（１ン１こよろしのをγて含んだ再結合
中心の密度は１０’／ｃｍ２となり、３μｍ程度のクラ
ックの入らないものに比較して、１〜２桁減少している
。このため、太陽電池特性としてら変換効率１５％を越
えろものが得られるに至っ）こ。
この成長中断法の効果としては、故意に（予め人為的な
操作により）クラックを自然発生させ、クラックの入っ
たＧａＡｓ膜」−に新たなＧａＡｓ膜を成長さｕｌこれ
を繰り返し行なっているため、クラックが埋まり、クラ
ックで取り囲まれた孤立領域が電気的にも機械的にも周
囲と接続されろことになる。したが−で、成長を中断し
、室温まで温度を下げることなく約１０μｍの膜厚とな
るように成長を続けて作成した太陽電池（クラックに取
り囲まれた領域が電気的にも機械的にも孤立した領域と
なり、光に、Ｊ−って誘起された電流を外部に取り出す
ことかでき１゛、いわゆる死領域となり、効率は５％〜
７％と非常に低いものとな１）でいる。）に比較し非常
に高い変換効率が得られるようになっノこ。
操作により）クラックを自然発生させ、クラックの入っ
たＧａＡｓ膜」−に新たなＧａＡｓ膜を成長さｕｌこれ
を繰り返し行なっているため、クラックが埋まり、クラ
ックで取り囲まれた孤立領域が電気的にも機械的にも周
囲と接続されろことになる。したが−で、成長を中断し
、室温まで温度を下げることなく約１０μｍの膜厚とな
るように成長を続けて作成した太陽電池（クラックに取
り囲まれた領域が電気的にも機械的にも孤立した領域と
なり、光に、Ｊ−って誘起された電流を外部に取り出す
ことかでき１゛、いわゆる死領域となり、効率は５％〜
７％と非常に低いものとな１）でいる。）に比較し非常
に高い変換効率が得られるようになっノこ。
また、クラックが導入されない３μｍ以ドの膜厚で成長
を中断することなく作製した同じ構造の太陽電池（第１
図でＧａＡｓバッファ層を除いたらの）ではＧａＡｓ膜
中に約１０Ｉｌ／ｃｍ’の再結合中心が（Ｙ在し２、太
陽電池として開放電圧（Ｖ（１Ｇ）が約ＯＩボルト近く
変換効率は高々１２％と成長中断法を用いて作製した太
陽電池特性には及ばなか−た。
を中断することなく作製した同じ構造の太陽電池（第１
図でＧａＡｓバッファ層を除いたらの）ではＧａＡｓ膜
中に約１０Ｉｌ／ｃｍ’の再結合中心が（Ｙ在し２、太
陽電池として開放電圧（Ｖ（１Ｇ）が約ＯＩボルト近く
変換効率は高々１２％と成長中断法を用いて作製した太
陽電池特性には及ばなか−た。
５ｉｎ＝のＧａＡｓ膜の厚さが３μｍの太陽電池と、本
発明による成長中断法で得た９μｍの）７さを持つセル
の太陽電池特性の比較を表１に示した。
発明による成長中断法で得た９μｍの）７さを持つセル
の太陽電池特性の比較を表１に示した。
表１
（接合深さは共に３７ｔｍとしている。）「発明のｌＪ
Ｊ果」 以上説明したように、本発明の太陽電池はＧａＡｓ膜内
にクラックがあろらのの、このクラックに囲まれた領域
が死領域となっていないため、膜厚を増大させて膜質の
向−１，を図ろごとかでき、高い変換効率を得ることが
できる。また、本発明の製造方法は、ＧａＡｓ薄膜の成
長中断及び再開を繰り返し行なうことにより上記の太陽
電池を作るので、簡単かつ確実に高品質の太陽電池を得
ることができる。
Ｊ果」 以上説明したように、本発明の太陽電池はＧａＡｓ膜内
にクラックがあろらのの、このクラックに囲まれた領域
が死領域となっていないため、膜厚を増大させて膜質の
向−１，を図ろごとかでき、高い変換効率を得ることが
できる。また、本発明の製造方法は、ＧａＡｓ薄膜の成
長中断及び再開を繰り返し行なうことにより上記の太陽
電池を作るので、簡単かつ確実に高品質の太陽電池を得
ることができる。
第１図は本発明の太陽電池の一実施例の断面構造図であ
る。 １ ・・Ｓｂ、０３の反射防止膜、２・・・・Ａｕ−Ｚ
ｎ電極、３ ・・ −ｐ ＧａＡｓキャップ層、４−−
Ａ ｌｏ、ｏＧ ａｏ、。 Ａｓ窓層、５−− ｐ −Ｇ ａＡｓ、６ ・ ｎＧａ
Ａｓ、７−− ｎ Ａ ］ｏ、ａＧ ａｏ、ｚＡ Ｓバ
ックザーフェス層、８・・ ｎ−ＧａＡｓバッファ層、
９・ ・・・Ｇ ａＡ ｓ低温成長層、１０・・・・・
・ｎ−Ｓｉ基板、１１・・・・・Ａｕ電極。
る。 １ ・・Ｓｂ、０３の反射防止膜、２・・・・Ａｕ−Ｚ
ｎ電極、３ ・・ −ｐ ＧａＡｓキャップ層、４−−
Ａ ｌｏ、ｏＧ ａｏ、。 Ａｓ窓層、５−− ｐ −Ｇ ａＡｓ、６ ・ ｎＧａ
Ａｓ、７−− ｎ Ａ ］ｏ、ａＧ ａｏ、ｚＡ Ｓバ
ックザーフェス層、８・・ ｎ−ＧａＡｓバッファ層、
９・ ・・・Ｇ ａＡ ｓ低温成長層、１０・・・・・
・ｎ−Ｓｉ基板、１１・・・・・Ａｕ電極。
Claims (2)
- （１）Ｓｉ基板上にＧａＡｓ薄膜が形成された太陽電池
において、ＧａＡｓ薄膜内には、冷却により自然発生し
たクラックがあり、しかもそのクラックを覆うように上
層のＧａＡｓ膜が成長させられていることを特徴とする
ＧａＡｓ太陽電池。 - （２）Ｓｉ基板上にＧａＡｓ薄膜を成長させる際、途中
で成長を中断して成長温度から室温まで冷却し、それに
よりＧａＡｓ薄膜内にクラックを導入し、その後再び成
長温度まで加熱してＧａＡｓ薄膜を成長させ、この操作
を繰り返しながらＧａＡｓ薄膜を成長させることを特徴
とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181346A JPS6338267A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | ＧａＡｓ太陽電池とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181346A JPS6338267A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | ＧａＡｓ太陽電池とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6338267A true JPS6338267A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16099096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61181346A Pending JPS6338267A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | ＧａＡｓ太陽電池とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6338267A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296278A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| JPH05326996A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH05326995A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2001127326A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-05-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基板及びその製造方法、並びに、この半導体基板を用いた太陽電池及びその製造方法 |
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1986
- 1986-08-01 JP JP61181346A patent/JPS6338267A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296278A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| JPH05326996A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH05326995A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2001127326A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-05-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基板及びその製造方法、並びに、この半導体基板を用いた太陽電池及びその製造方法 |
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