JPS6334625B2 - - Google Patents
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- JPS6334625B2 JPS6334625B2 JP58196277A JP19627783A JPS6334625B2 JP S6334625 B2 JPS6334625 B2 JP S6334625B2 JP 58196277 A JP58196277 A JP 58196277A JP 19627783 A JP19627783 A JP 19627783A JP S6334625 B2 JPS6334625 B2 JP S6334625B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
- H01L2023/4025—Base discrete devices, e.g. presspack, disc-type transistors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2023/4087—Mounting accessories, interposers, clamping or screwing parts
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体素子のためのアセンブリお
よびヒートシンクに関するものである。
よびヒートシンクに関するものである。
半導体素子のための圧接型アセンブリは例えば
米国特許第3447118号のスタツク・アセンブリお
よび第4313128号のアセンブリのように従来から
周知である。
米国特許第3447118号のスタツク・アセンブリお
よび第4313128号のアセンブリのように従来から
周知である。
前者のアセンブリはアセンブリとして働くだけ
でヒートシンクとしては機能しない。
でヒートシンクとしては機能しない。
後者のアセンブリは構造がむしろ複雑でかつこ
の発明のように3つの側面から冷却できない。
の発明のように3つの側面から冷却できない。
米国特許第4047197号は従来周知のアセンブリ
のうちの代表的な例である。そのようなアセンブ
リでは、金属製の台を有するプラスチツク・ハウ
ジング中に半導体素子が収容される。冷却は台の
1つの側面沿いだけに行われ得る。更に、半導体
素子はハウジング内のコンタクトへ圧接ではなく
てろう着で行われるので簡単に解体できない。
のうちの代表的な例である。そのようなアセンブ
リでは、金属製の台を有するプラスチツク・ハウ
ジング中に半導体素子が収容される。冷却は台の
1つの側面沿いだけに行われ得る。更に、半導体
素子はハウジング内のコンタクトへ圧接ではなく
てろう着で行われるので簡単に解体できない。
この発明の目的は、半導体ウエーハの冷却を改
善することである。
善することである。
この発明は、その広い意味で、円形の断面を有
して半導体ウエーハおよび圧接手段を受け入れる
ための空洞を形成する金属体と、前記空洞内に配
置された複数個の金属製円筒状部材と、これらの
円筒状部材および前記半導体ウエーハを前記金属
体から電気的に絶縁するための絶縁体と、前記半
導体ウエーハと電気的接触をなすための回路装置
とを備え、前記半導体ウエーハは前記空洞内で隣
接する円筒状部材間に配置され、前記圧接手段は
前記隣接する円筒状部材と電気的かつ熱的に伝導
関係に前記半導体ウエーハを保持する半導体モジ
ユラ・アセンブリにある。
して半導体ウエーハおよび圧接手段を受け入れる
ための空洞を形成する金属体と、前記空洞内に配
置された複数個の金属製円筒状部材と、これらの
円筒状部材および前記半導体ウエーハを前記金属
体から電気的に絶縁するための絶縁体と、前記半
導体ウエーハと電気的接触をなすための回路装置
とを備え、前記半導体ウエーハは前記空洞内で隣
接する円筒状部材間に配置され、前記圧接手段は
前記隣接する円筒状部材と電気的かつ熱的に伝導
関係に前記半導体ウエーハを保持する半導体モジ
ユラ・アセンブリにある。
この発明は、頂面(その中央部は頂面に対して
凹面状をしている)、底面および2つの端面を有
する金属製台部材と、頂面、底面(その中央部は
底面に対して凹面状をしている)および2つの端
面を有する金属製ほろ部材と、前記ほろ部材が前
記台部材の上に置かれる時に前記台部材の頂面の
凹面状部分と前記ほろ部材の底面の凹面状部分と
が空洞を形成し、この空洞が円形の断面を有して
前記台部材および前記ほろ部材の端面間に延び、
更に、前記空洞内に配置された複数個の金属製円
筒状部材と、前記空洞内で隣接する円筒状部材間
に配置された半導体ウエーハと、前記隣接する円
筒状部材と電気的かつ熱的に伝導関係で前記半導
体ウエーハを保持する圧接手段と、前記円筒状部
材および前記半導体ウエーハを前記台部材および
前記ほろ部材から電気的に絶縁するための手段
と、前記円筒状部材を介して前記半導体ウエーハ
と電気的接触をなすための手段とを備えた半導体
モジユラ・アセンブリ兼ヒートシンクに向けられ
る。
凹面状をしている)、底面および2つの端面を有
する金属製台部材と、頂面、底面(その中央部は
底面に対して凹面状をしている)および2つの端
面を有する金属製ほろ部材と、前記ほろ部材が前
記台部材の上に置かれる時に前記台部材の頂面の
凹面状部分と前記ほろ部材の底面の凹面状部分と
が空洞を形成し、この空洞が円形の断面を有して
前記台部材および前記ほろ部材の端面間に延び、
更に、前記空洞内に配置された複数個の金属製円
筒状部材と、前記空洞内で隣接する円筒状部材間
に配置された半導体ウエーハと、前記隣接する円
筒状部材と電気的かつ熱的に伝導関係で前記半導
体ウエーハを保持する圧接手段と、前記円筒状部
材および前記半導体ウエーハを前記台部材および
前記ほろ部材から電気的に絶縁するための手段
と、前記円筒状部材を介して前記半導体ウエーハ
と電気的接触をなすための手段とを備えた半導体
モジユラ・アセンブリ兼ヒートシンクに向けられ
る。
この発明の電力用半導体モジユラ・アセンブリ
は、収容した半導体ウエーハを電気的に絶縁する
と共に半導体ウエーハからケースまで熱的伝導路
を提供し、従つて普通のアセンブリ兼ヒートシン
ク中に複雑な回路を装架しかつ冷却するための手
段を提供する。
は、収容した半導体ウエーハを電気的に絶縁する
と共に半導体ウエーハからケースまで熱的伝導路
を提供し、従つて普通のアセンブリ兼ヒートシン
ク中に複雑な回路を装架しかつ冷却するための手
段を提供する。
使用した半導体ウエーハすなわち半導体ヒユー
ジヨン(fusions)はサイリスタ、トランジスタ、
整流器またはそれらの組合わせ用のもので良い。
ジヨン(fusions)はサイリスタ、トランジスタ、
整流器またはそれらの組合わせ用のもので良い。
この発明の性質を良く理解するには、以下の詳
しい説明および図面を参照されたい。
しい説明および図面を参照されたい。
台部材10(第1図)
第1図は、この発明を具体化した電力用半導体
のためのアセンブリ兼ヒートシンクの台部材10
を示す。
のためのアセンブリ兼ヒートシンクの台部材10
を示す。
この台部材10は、底面12並びにこの底面1
2と垂直である第1の垂直縁部14および第2の
垂直縁部16を有する。第2の垂直縁部16は、
底面12と事実上平行である水平ステツプ部分1
8だけ第1の垂直縁部14から離れている。
2と垂直である第1の垂直縁部14および第2の
垂直縁部16を有する。第2の垂直縁部16は、
底面12と事実上平行である水平ステツプ部分1
8だけ第1の垂直縁部14から離れている。
台部材10の頂面20は、第2の垂直縁部16
から内へ延びる2つの水平縁部22およびこれら
の水平縁部22間に延びて凹面状に湾曲した部分
24から成る。水平縁部22は水平ステツプ部分
18および底面12と事実上平行している。
から内へ延びる2つの水平縁部22およびこれら
の水平縁部22間に延びて凹面状に湾曲した部分
24から成る。水平縁部22は水平ステツプ部分
18および底面12と事実上平行している。
一連の外側溝126および内側溝26は湾曲部
分24に形成されてこの湾曲部分24の全長を横
切つて延びる。内側溝26の数は2個からアセン
ブリ兼ヒートリンクに含まれた半導体ウエーハす
なわち半導体ヒユージヨンの数と通常等しい必要
な数まで変えることができる。内側溝26および
外側溝126の機能については後で説明する。
分24に形成されてこの湾曲部分24の全長を横
切つて延びる。内側溝26の数は2個からアセン
ブリ兼ヒートリンクに含まれた半導体ウエーハす
なわち半導体ヒユージヨンの数と通常等しい必要
な数まで変えることができる。内側溝26および
外側溝126の機能については後で説明する。
台部材10は2つの端面28および30を有す
る。台部材10は、水平ステツプ部分18から底
面12まで台部材10の全長に亘つて延び、台部
材10を母線バー、別なヒートシンク部材などへ
装架するための複数個の孔32を有する。第1図
にはこれらの孔32を4個示すが、その数は機能
さえ達するならば重要でないことを理解された
い。孔32の物理的な位置も、機能さえ達するな
らば、重要でない。
る。台部材10は、水平ステツプ部分18から底
面12まで台部材10の全長に亘つて延び、台部
材10を母線バー、別なヒートシンク部材などへ
装架するための複数個の孔32を有する。第1図
にはこれらの孔32を4個示すが、その数は機能
さえ達するならば重要でないことを理解された
い。孔32の物理的な位置も、機能さえ達するな
らば、重要でない。
別な複数個の孔34は、頂面20の水平縁部2
2から台部材10の中へ延びる。これらの孔34
にはネジをきることが望ましい。6個の孔34を
図示したが、何個でも良い。孔34の物理的位置
は後述する機能が果されるかぎり重要でない。
2から台部材10の中へ延びる。これらの孔34
にはネジをきることが望ましい。6個の孔34を
図示したが、何個でも良い。孔34の物理的位置
は後述する機能が果されるかぎり重要でない。
台部材10はその全てが金属望ましくはアルミ
ニウムで作られるが、銅、鋼、陽極酸化したアル
ミニウム、ニツケル被覆した鋼などのように電力
用半導体ウエーハから後述する放熱をさせるもの
なら良い。全金属製の台部材10を使用すると、
金属と或る種の他の材料例えば金属と樹脂から成
る台部材よりも放熱が良くなる。
ニウムで作られるが、銅、鋼、陽極酸化したアル
ミニウム、ニツケル被覆した鋼などのように電力
用半導体ウエーハから後述する放熱をさせるもの
なら良い。全金属製の台部材10を使用すると、
金属と或る種の他の材料例えば金属と樹脂から成
る台部材よりも放熱が良くなる。
ほろ部材36(第2図)
第2図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンク
のほろ部材36を示す。
のほろ部材36を示す。
このほろ部材36は頂面38、垂直縁部40底
面42および端面43を有する。
面42および端面43を有する。
2つの垂直縁部40間でその各々から内へ延び
る底面42は、第1の水平部分44、垂直部分4
6、第2の水平部分48および2つの第2の水平
部分48間に延びる凹面状に湾曲した部分50か
ら成る。
る底面42は、第1の水平部分44、垂直部分4
6、第2の水平部分48および2つの第2の水平
部分48間に延びる凹面状に湾曲した部分50か
ら成る。
第1の水平部分44、第2の水平部分48およ
び頂面38は事実上平行である。
び頂面38は事実上平行である。
湾曲部分50は、台部材10の湾曲部分24と
同一半径を有する円の一部でありかつ端面43間
に延びる。湾曲部分50は、台部材10の湾曲部
分24を延長することによつて形成される円と一
致する。
同一半径を有する円の一部でありかつ端面43間
に延びる。湾曲部分50は、台部材10の湾曲部
分24を延長することによつて形成される円と一
致する。
台部材10の湾曲部分24とほろ部材36の湾
曲部分50とは、台部材10とほろ部材36が一
緒にされる時に円形断面の孔を形成する。この円
形断面の孔は端面間に延びる。
曲部分50とは、台部材10とほろ部材36が一
緒にされる時に円形断面の孔を形成する。この円
形断面の孔は端面間に延びる。
ほろ部材36は第1複数個例えば6個の孔52
を有し、これらの孔52はほろ部材36を貫通し
て延びかつ台部材10とほろ部材36が一緒にさ
れる時に台部材10にあけた孔34と垂直方向で
そろう。孔52はほろ部材36にさら穴をあけて
作られる。
を有し、これらの孔52はほろ部材36を貫通し
て延びかつ台部材10とほろ部材36が一緒にさ
れる時に台部材10にあけた孔34と垂直方向で
そろう。孔52はほろ部材36にさら穴をあけて
作られる。
ほろ部材36は第2複数個例えば4個の孔54
を有し、これらの孔54はほろ部材36を貫通し
て延びかつ台部材10とほろ部材36が一緒にさ
れる時に台部材10にあけた孔32と垂直方向で
そろう。
を有し、これらの孔54はほろ部材36を貫通し
て延びかつ台部材10とほろ部材36が一緒にさ
れる時に台部材10にあけた孔32と垂直方向で
そろう。
孔54はほろ部材36にさら穴をあけて作ら
れ、このさら穴部分58はほろ部材36の垂直縁
部40の一部沿いに露出される。
れ、このさら穴部分58はほろ部材36の垂直縁
部40の一部沿いに露出される。
ほろ部材36の孔52の数が台部材10の孔3
4の数に一致し、孔54の数が孔32の数に一致
することは明らかである。
4の数に一致し、孔54の数が孔32の数に一致
することは明らかである。
第3複数個例えば3個の孔60は、事実上円形
であり、ほろ部材36を貫通して延びる。孔60
は事実上等間隔にあけられ、それらの中心は頂面
38の中心軸(端面43間に延びる)上にある。
であり、ほろ部材36を貫通して延びる。孔60
は事実上等間隔にあけられ、それらの中心は頂面
38の中心軸(端面43間に延びる)上にある。
ほろ部材36の底面42の湾曲部分50には複
数個の溝(図示しない)がある。底面42の溝の
数は台部材10の頂面20の湾曲部分24におけ
る内側溝26および外側溝126の数に等しく、
これらの溝はほろ部材36と台部材10が一緒に
される時に連続して円を形成するように垂直方向
で整列させられる。
数個の溝(図示しない)がある。底面42の溝の
数は台部材10の頂面20の湾曲部分24におけ
る内側溝26および外側溝126の数に等しく、
これらの溝はほろ部材36と台部材10が一緒に
される時に連続して円を形成するように垂直方向
で整列させられる。
ほろ部材36は金属望ましくは台部材10と同
じ金属で作られる。
じ金属で作られる。
台部材10とほろ部材36の両方に金属望まし
くは陽極酸化したアルミニウムを使用すると、ア
センブリ兼ヒートシンク内に収容された半導体ウ
エーハからの放熱を確実に良くしかつアセンブリ
兼ヒートシンク自体をその側面または底面沿いに
或はこれらの面のうちの3面全部沿いに他の部材
へ接続させてアセンブリ兼ヒートシンクから熱を
出させる。
くは陽極酸化したアルミニウムを使用すると、ア
センブリ兼ヒートシンク内に収容された半導体ウ
エーハからの放熱を確実に良くしかつアセンブリ
兼ヒートシンク自体をその側面または底面沿いに
或はこれらの面のうちの3面全部沿いに他の部材
へ接続させてアセンブリ兼ヒートシンクから熱を
出させる。
台部材10およびほろ部材36をそれぞれの端
面間で測定したような長さは同じである。
面間で測定したような長さは同じである。
円筒状部材(第3図および第4図)
第3図、第4図は、この発明のアセンブリ兼ヒ
ートシンクの一部を構成する円筒状部材すなわち
スラグ62のそれぞれ正面図、頂面図である。
ートシンクの一部を構成する円筒状部材すなわち
スラグ62のそれぞれ正面図、頂面図である。
円筒状部材62は、例えば銅で作つた固い金属
部材でありかつ例えば電気分解したニツケルのよ
うな別な金属でメツキされ得る。
部材でありかつ例えば電気分解したニツケルのよ
うな別な金属でメツキされ得る。
円筒状部材62は前面64および後面66を有
する。これらの各々は延長部分すなわちコンタク
ト面68,70をそれぞれ有する。
する。これらの各々は延長部分すなわちコンタク
ト面68,70をそれぞれ有する。
前面64と後面66の間に延びる縁部72があ
る。
る。
円筒状の第1の孔74は縁部72の大体真中に
設けられ、縁部72の表面から円筒状部材62の
内部へ所定距離だけ垂直に延びる。孔74はさら
穴部分76を有し、このさら穴部分76は縁部7
2と交叉して肩部78を形成する。
設けられ、縁部72の表面から円筒状部材62の
内部へ所定距離だけ垂直に延びる。孔74はさら
穴部分76を有し、このさら穴部分76は縁部7
2と交叉して肩部78を形成する。
第2の相対的に小さい孔80は、肩部78から
円筒状部材62の中へ垂直に延び、第3の孔82
と交叉して終る。第3の孔82は前面64の延長
部分すなわちコンタクト面68から円筒状部材6
2の中へ延びる。第3の孔82は前面64のコン
タクト面68の中心に設けられかつ第2の孔80
と直角に交叉することが望ましい。
円筒状部材62の中へ垂直に延び、第3の孔82
と交叉して終る。第3の孔82は前面64の延長
部分すなわちコンタクト面68から円筒状部材6
2の中へ延びる。第3の孔82は前面64のコン
タクト面68の中心に設けられかつ第2の孔80
と直角に交叉することが望ましい。
キー溝84は縁部72から切り出されかつ第1
の孔74と交叉する。
の孔74と交叉する。
円筒状部材62の直径“d”は、円筒状部材6
2が台部材10、ほろ部材36のそれぞれ湾曲部
分24,50と適合するようなものである。
2が台部材10、ほろ部材36のそれぞれ湾曲部
分24,50と適合するようなものである。
端部材86(第5図および第6図)
第5図、第6図は金属製の端部材すなわち保持
部材86のそれぞれ側断面図、正面図である。端
部材86は例えばアルミニウム、銅または鋼のよ
うな任意適当な金属で作ることができかつ錫メツ
キした鋼が望ましい。
部材86のそれぞれ側断面図、正面図である。端
部材86は例えばアルミニウム、銅または鋼のよ
うな任意適当な金属で作ることができかつ錫メツ
キした鋼が望ましい。
端部材86の直径“d”は、端部材86のリム
88が台部材10の外側溝126およびほろ部材
36の垂直に整列した溝にはまるようなものであ
る。端部材86、面92の中央に配設されたリン
グ状ニツプル90を有する。端部材86、面92
とリム88の間に延びる肩部94を有する。
88が台部材10の外側溝126およびほろ部材
36の垂直に整列した溝にはまるようなものであ
る。端部材86、面92の中央に配設されたリン
グ状ニツプル90を有する。端部材86、面92
とリム88の間に延びる肩部94を有する。
座金96(第7図)
第7図は、例えばマイカまたは適当な樹脂含浸
フアイバのような電気的に絶縁性の材料で作つた
座金96を示す。
フアイバのような電気的に絶縁性の材料で作つた
座金96を示す。
スラスト座金(第8図)
第8図は、例えば鋼で作つたベルビル
(Belleville)座金98のようなスラスト座金を示
す。
(Belleville)座金98のようなスラスト座金を示
す。
絶縁円板100(第9図)
第9図は、例えばマイカで作つた電気的に絶縁
性の円板100を示す。この絶縁円板100は、
円筒状部材62のコンタクト面68または70よ
りも大きいが、端部材86の直径“d”よりも小
さい直径を有する。
性の円板100を示す。この絶縁円板100は、
円筒状部材62のコンタクト面68または70よ
りも大きいが、端部材86の直径“d”よりも小
さい直径を有する。
誘電シート130(第10図)
第10図は、フアイバ例えばガラス・フアイバ
で強化したシリコン・ゴム・シート或はフアイ
バ、充填材などで強化しても良いししなくても良
いテトラフルオロエチレン、ポリテトラフルオロ
エチレンまたはトリフルオロクロロエチレンのシ
ートのような電気的に絶縁性の材料で作つた誘電
シート130を示す。
で強化したシリコン・ゴム・シート或はフアイ
バ、充填材などで強化しても良いししなくても良
いテトラフルオロエチレン、ポリテトラフルオロ
エチレンまたはトリフルオロクロロエチレンのシ
ートのような電気的に絶縁性の材料で作つた誘電
シート130を示す。
この誘電シート130は、外側溝126間の距
離に等しい長さ“L”を有し、また円筒状部材6
2を完全に囲むような幅“W”を有する。誘電シ
ート130の切り出した部分132は円筒状部材
62の第1の孔74のまわりに適合する。誘電シ
ート130は第11図では所定位置にある。
離に等しい長さ“L”を有し、また円筒状部材6
2を完全に囲むような幅“W”を有する。誘電シ
ート130の切り出した部分132は円筒状部材
62の第1の孔74のまわりに適合する。誘電シ
ート130は第11図では所定位置にある。
一部組立てたアセンブリ兼ヒートシンク(第11
図) 第11図はこの発明の一部組立てたアセンブリ
兼ヒートシンクを示す。
図) 第11図はこの発明の一部組立てたアセンブリ
兼ヒートシンクを示す。
絶縁性の座金96は端部材86のニツプル90
のまわりに配置された。2枚以上のベルビル座金
98は座金96の上または周囲に配置される。端
部材86のリム88は台部材10の一方の外側溝
126の中に挿入され、端部材86のニツプル側
は内を向いている、すなわち他方の外側溝126
に面している。
のまわりに配置された。2枚以上のベルビル座金
98は座金96の上または周囲に配置される。端
部材86のリム88は台部材10の一方の外側溝
126の中に挿入され、端部材86のニツプル側
は内を向いている、すなわち他方の外側溝126
に面している。
絶縁円板100はベルビル座金98に接触して
挿入される。誘電シート130は台部材10の湾
曲部分24に配置され、その中心軸134は湾曲
部分24の中心軸に沿つて延びかつ切り出した部
分132は大体垂直方向に延びる。誘電シート1
30は外側溝126間に延びる。第1の円筒状部
材62は台部材10の湾曲部分24中の誘電シー
ト130上に置かれ、そのコンタクト面が絶縁円
板100に接触する。
挿入される。誘電シート130は台部材10の湾
曲部分24に配置され、その中心軸134は湾曲
部分24の中心軸に沿つて延びかつ切り出した部
分132は大体垂直方向に延びる。誘電シート1
30は外側溝126間に延びる。第1の円筒状部
材62は台部材10の湾曲部分24中の誘電シー
ト130上に置かれ、そのコンタクト面が絶縁円
板100に接触する。
例えばサイリスタ用ウエーハすなわちヒユージ
ヨン102のような半導体ウエーハすなわち半導
体ヒユージヨンは、第1の円筒状部材62のコン
タクト面68と物理的かつ電気的に接触して位置
決めされる。アセンブリ兼ヒートシンクをサイリ
スタに関して説明するが、もちろんトランジス
タ、整流器またはそれらの組合わせにも使用でき
る。
ヨン102のような半導体ウエーハすなわち半導
体ヒユージヨンは、第1の円筒状部材62のコン
タクト面68と物理的かつ電気的に接触して位置
決めされる。アセンブリ兼ヒートシンクをサイリ
スタに関して説明するが、もちろんトランジス
タ、整流器またはそれらの組合わせにも使用でき
る。
誘電シート130で覆われる内側溝26には、
アセンブリ兼ヒートシンクのクレープ抵抗を増す
ために例えばRTVシリコン樹脂が充填される。
アセンブリ兼ヒートシンクのクレープ抵抗を増す
ために例えばRTVシリコン樹脂が充填される。
第1のゲート・コンタクト(図示しない)は第
1の円筒状部材62の第3の孔82中に先に挿入
され、第1のゲート・コンタクトと電気的に接触
する導線104は第1の円筒状部材62の第2の
孔80に通される。
1の円筒状部材62の第3の孔82中に先に挿入
され、第1のゲート・コンタクトと電気的に接触
する導線104は第1の円筒状部材62の第2の
孔80に通される。
第2の円筒状部材62は台部材10の湾曲部分
24に挿入され、そのコンタクト面70はサイリ
スタ用ウエーハ102と物理的かつ電気的に接触
する。
24に挿入され、そのコンタクト面70はサイリ
スタ用ウエーハ102と物理的かつ電気的に接触
する。
第2のゲート・コンタクト(図示しない)は第
2の円筒状部材62の第3の孔82の中に挿入さ
れ、第2のゲート・コンタクトと電気的に接触す
る導線204は第2の円筒状部材62の第2の孔
80に通される。
2の円筒状部材62の第3の孔82の中に挿入さ
れ、第2のゲート・コンタクトと電気的に接触す
る導線204は第2の円筒状部材62の第2の孔
80に通される。
別なサイリスタ用ウエーハ202が挿入され、
そのゲート領域は第2のゲート・コンタクトと電
気的かつ物理的に接触しそしてそのエミツタ領域
は第2の円筒状部材62のコンタクト面68と電
気的かつ物理的に接触する。
そのゲート領域は第2のゲート・コンタクトと電
気的かつ物理的に接触しそしてそのエミツタ領域
は第2の円筒状部材62のコンタクト面68と電
気的かつ物理的に接触する。
第3の円筒状部材62が台部材10の湾曲部分
24に挿入され、そのコンタクト面68は別なサ
イリスタ用ウエーハ202と物理的かつ電気的に
接触する。
24に挿入され、そのコンタクト面68は別なサ
イリスタ用ウエーハ202と物理的かつ電気的に
接触する。
サーミスタ(図示しない)を第3の円筒状部材
62の第3の孔82に挿入しても良く、導線30
4はサーミスタと電気的に接触しかつ第3の円筒
状部材62の第2の孔80を通して直立してい
る。
62の第3の孔82に挿入しても良く、導線30
4はサーミスタと電気的に接触しかつ第3の円筒
状部材62の第2の孔80を通して直立してい
る。
他方の端部材86は座金96、ベルビル座金9
8および絶縁円板100と一緒に上述したように
組立てられ、端部材86のリム88は外側溝12
6へ挿入される。
8および絶縁円板100と一緒に上述したように
組立てられ、端部材86のリム88は外側溝12
6へ挿入される。
複数個のベルビル座金98は2個の端部材86
と一緒に使用され、サイリスタ用ウエーハと円筒
状部材62の電気的接触を確実にするのに充分な
圧接を行うことができる。
と一緒に使用され、サイリスタ用ウエーハと円筒
状部材62の電気的接触を確実にするのに充分な
圧接を行うことができる。
実例では、上述したアセンブリは治具の中に通
常運び入れられ、その後台部材10中で位置決め
される。誘電シート130は円筒状部材および半
導体ウエーハを台部材10から電気的に絶縁す
る。
常運び入れられ、その後台部材10中で位置決め
される。誘電シート130は円筒状部材および半
導体ウエーハを台部材10から電気的に絶縁す
る。
アセンブリ兼ヒートシンク(第12図)
第12図において、誘電シート130は円筒状
部材62のまわりに配置され、ほろ部材36は台
部材10の上に置かれかつ両者はほろ部材の孔5
2および台部材の孔34を通して挿入したボルト
106によつて接合される。台部材10の孔34
にはボルトを受け入れるためにねじがきつてあ
る。ベルビル座金108はほろ部材36を台部材
10へしつかりと締め付けるために使用され得
る。ほろ部材36を台部材10へ緊着する際に絶
縁座金110も使用される。ねじ或は他のばね型
固着具もほろ部材36を台部材10へ緊着するた
めに使用され得る。
部材62のまわりに配置され、ほろ部材36は台
部材10の上に置かれかつ両者はほろ部材の孔5
2および台部材の孔34を通して挿入したボルト
106によつて接合される。台部材10の孔34
にはボルトを受け入れるためにねじがきつてあ
る。ベルビル座金108はほろ部材36を台部材
10へしつかりと締め付けるために使用され得
る。ほろ部材36を台部材10へ緊着する際に絶
縁座金110も使用される。ねじ或は他のばね型
固着具もほろ部材36を台部材10へ緊着するた
めに使用され得る。
誘電シート130は円筒状部材62の頂部のま
わりに置かれ、これによりほろ部材36から円筒
状部材62を電気的に絶縁する。
わりに置かれ、これによりほろ部材36から円筒
状部材62を電気的に絶縁する。
ほろ部材および台部材からサイリスタ用ウエー
ハをそして周囲からほろ部材および台部材を更に
確実に電気的に絶縁するために、ほろ部材および
台部材の内面および外面は、テトラフルオロエチ
レンが含浸された陽極酸化アルミニウムであるハ
ードコート(hardcoat)または別な絶縁体とな
る絶縁材料で被覆されることができる。
ハをそして周囲からほろ部材および台部材を更に
確実に電気的に絶縁するために、ほろ部材および
台部材の内面および外面は、テトラフルオロエチ
レンが含浸された陽極酸化アルミニウムであるハ
ードコート(hardcoat)または別な絶縁体とな
る絶縁材料で被覆されることができる。
台部材10の頂面の垂直部分および水平部分を
ほろ部材36の底面の垂直部分および水平部分と
一致させると、どんな漏れ電流に対しても回り道
を作る。その上、確実にシールして漏れ電流を防
ぐために、表面にRTU化合物、エポキシまたは
他のそのような化合物を被覆することができる。
ほろ部材36の底面の垂直部分および水平部分と
一致させると、どんな漏れ電流に対しても回り道
を作る。その上、確実にシールして漏れ電流を防
ぐために、表面にRTU化合物、エポキシまたは
他のそのような化合物を被覆することができる。
プラグ112は例えば銅、アルミニウムおよび
ニツケルメツキした銅のような導電性金属で作ら
れる。プラグ112は大きい部分114、小さい
部分116および肩部118を有する。プラグ1
12の肩部118から頂面122まで延びるキー
溝120がある。頂面122から肩部118近く
まで延びる中央孔124がある。この中央孔12
4にはねじがきつてある。
ニツケルメツキした銅のような導電性金属で作ら
れる。プラグ112は大きい部分114、小さい
部分116および肩部118を有する。プラグ1
12の肩部118から頂面122まで延びるキー
溝120がある。頂面122から肩部118近く
まで延びる中央孔124がある。この中央孔12
4にはねじがきつてある。
肩部118が第1の孔74のまわりのさら穴部
分76と接触するように、大きい部分114の長
さに大体等しい深さまでプラグ112は円筒状部
材62の第1の孔74の中に押圧、挿入される。
分76と接触するように、大きい部分114の長
さに大体等しい深さまでプラグ112は円筒状部
材62の第1の孔74の中に押圧、挿入される。
導線104,204および304はキー溝12
0の中に引つぱり込まれる。
0の中に引つぱり込まれる。
プラグ112は一方のサイリスタ用ウエーハの
ためのアノード・エミツタ導線および他方のサイ
リスタ用ウエーハのためのカソード・エミツタ導
線である。2枚のサイリスタ用ウエーハは電気的
に直列接続されている。
ためのアノード・エミツタ導線および他方のサイ
リスタ用ウエーハのためのカソード・エミツタ導
線である。2枚のサイリスタ用ウエーハは電気的
に直列接続されている。
電気的絶縁ポスト126(これにはその全長の
一部にねじ128がきつてあり、このねじ128
はプラグ112の孔124のねじに整合する)は
各プラグ112にねじ込まれる。
一部にねじ128がきつてあり、このねじ128
はプラグ112の孔124のねじに整合する)は
各プラグ112にねじ込まれる。
接続ポスト126の付加的な長さおよび円筒状
部材62が回転できることは、アセンブリ兼ヒー
トシンク内のサイリスタ用ウエーハ102に電気
的接触をさせる際に融通性を持たせる。
部材62が回転できることは、アセンブリ兼ヒー
トシンク内のサイリスタ用ウエーハ102に電気
的接触をさせる際に融通性を持たせる。
絶縁材料で作つたプリント配線基板140はほ
ろ部材36の頂面38上に置かれてこれと接合さ
れる。プリント配線基板140は例えばエポキシ
接着剤のような適当な接着剤で頂面38へ接合す
ることができる。
ろ部材36の頂面38上に置かれてこれと接合さ
れる。プリント配線基板140は例えばエポキシ
接着剤のような適当な接着剤で頂面38へ接合す
ることができる。
プリント配線基板140は3つの孔142を有
し、これらの孔142はほろ部材36の孔60と
重畳し、両方の孔にプラグ112が入る。プリン
ト配線基板140は孔54の上方に切り出した部
分143を有する。
し、これらの孔142はほろ部材36の孔60と
重畳し、両方の孔にプラグ112が入る。プリン
ト配線基板140は孔54の上方に切り出した部
分143を有する。
プリント配線基板140はその表面146に金
属化した導電路144を有して、アセンブリ兼ヒ
ートシンク内のサイリスタ用ウエーハのゲート領
域およびサーミスタとの電気的接触を容易にす
る。
属化した導電路144を有して、アセンブリ兼ヒ
ートシンク内のサイリスタ用ウエーハのゲート領
域およびサーミスタとの電気的接触を容易にす
る。
コンタクト部材148は導電路144へ被着さ
れてプリント配線基板140と外部部材または電
源装置との電気的接続をさせる。
れてプリント配線基板140と外部部材または電
源装置との電気的接続をさせる。
この発明のアセンブリ兼ヒートシンクと一緒に
使用するのに特に適したウエーハすなわちヒユー
ジヨンは米国特許第4235645号および第4329707号
に開示されている。
使用するのに特に適したウエーハすなわちヒユー
ジヨンは米国特許第4235645号および第4329707号
に開示されている。
ハーメチツクシールした環境を必要としない他
の型式のパツシベートしたウエーハすなわちヒユ
ージヨンはこの発明のアセンブリ兼ヒートシンク
に使用するのに適することにも注目されたい。
の型式のパツシベートしたウエーハすなわちヒユ
ージヨンはこの発明のアセンブリ兼ヒートシンク
に使用するのに適することにも注目されたい。
この発明のアセンブリ兼ヒートシンクは、ベル
ビル座金または他の適当なスラスト型座金が圧接
を行う圧接構造であることに注目されたい。
ビル座金または他の適当なスラスト型座金が圧接
を行う圧接構造であることに注目されたい。
アセンブリ兼ヒートシンクはウエーハすなわち
ヒユージヨンの交換のために容易に解体できるこ
とに注目されたい。
ヒユージヨンの交換のために容易に解体できるこ
とに注目されたい。
この発明は、圧接構造のため組立作業性や放熱
に優れている。
に優れている。
第1図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンク
の台部材の斜視図、第2図はこの発明のアセンブ
リ兼ヒートシンクのほろ部材の斜視図、第3図、
第4図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクの
円筒状部材のそれぞれ正面図、頂面図、第5図、
第6図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクの
端部材のそれぞれ側断面図、正面図、第7図はこ
の発明のアセンブリ兼ヒートシンクで使用した座
金の正面図、第8図はこの発明のアセンブリ兼ヒ
ートシンクで使用したスラスト座金の正面図、第
9図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクに使
用するのに適した絶縁円板の正面図、第10図は
この発明のアセンブリ兼ヒートシンクに使用する
のに適した誘電シートの頂面図、第11図は一部
組立てたアセンブリ兼ヒートシンクの斜視図、第
12図はプリント配線基板を頂面に配置したこの
発明のアセンブリ兼ヒートシンクの斜視図であ
る。 10……台部材、20……頂面、12……底
面、28と30……端面、36……ほろ部材、3
8……頂面、42……底面、43……端面、10
6……ボルト、102と202……サイリスタ用
ウエーハ、62……円筒状部材、130……誘電
シート、98と108……ベルビル座金、74…
…円筒状部材の第1の孔、112……プラグ、1
24……プラグの孔、126……接続ポスト、1
40……プリント配線基板である。
の台部材の斜視図、第2図はこの発明のアセンブ
リ兼ヒートシンクのほろ部材の斜視図、第3図、
第4図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクの
円筒状部材のそれぞれ正面図、頂面図、第5図、
第6図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクの
端部材のそれぞれ側断面図、正面図、第7図はこ
の発明のアセンブリ兼ヒートシンクで使用した座
金の正面図、第8図はこの発明のアセンブリ兼ヒ
ートシンクで使用したスラスト座金の正面図、第
9図はこの発明のアセンブリ兼ヒートシンクに使
用するのに適した絶縁円板の正面図、第10図は
この発明のアセンブリ兼ヒートシンクに使用する
のに適した誘電シートの頂面図、第11図は一部
組立てたアセンブリ兼ヒートシンクの斜視図、第
12図はプリント配線基板を頂面に配置したこの
発明のアセンブリ兼ヒートシンクの斜視図であ
る。 10……台部材、20……頂面、12……底
面、28と30……端面、36……ほろ部材、3
8……頂面、42……底面、43……端面、10
6……ボルト、102と202……サイリスタ用
ウエーハ、62……円筒状部材、130……誘電
シート、98と108……ベルビル座金、74…
…円筒状部材の第1の孔、112……プラグ、1
24……プラグの孔、126……接続ポスト、1
40……プリント配線基板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 円形の断面を有して半導体ウエーハおよび圧
接手段を受け入れるための空洞を形成する金属体
と、前記空洞内に配置された複数個の金属製円筒
状部材と、これらの円筒状部材および前記半導体
ウエーハを前記金属体から電気的に絶縁するため
の絶縁体と、前記半導体ウエーハと電気的接触を
なすための回路装置とを備え、前記半導体ウエー
ハは前記空洞内で隣接する円筒状部材間に配置さ
れ、前記圧接手段は前記隣接する円筒状部材と電
気的かつ熱的に伝導関係に前記半導体ウエーハを
保持する半導体モジユラ・アセンブリ。 2 圧接手段はスラスト座金から成る特許請求の
範囲第1項記載の半導体モジユラ・アセンブリ。 3 半導体ウエーハと電気的接触をなすための回
路装置は、円筒状部材の孔にプレスはめ込みされ
た導電性のプラグと、このプラグの孔の中にある
導電性のポストと、金属体の一部を形成する金属
製ほろ部材の頂面に被着されたプリント配線基板
とから成る特許請求の範囲第1項記載の半導体モ
ジユラ・アセンブリ。 4 金属体は金属製台部材および金属製ほろ部材
から成り、前記台部材は頂面、底面および2つの
端面を有し、前記ほろ部材は頂面、底面および2
つの端面を有し、前記台部材の頂面の中央部は前
記頂面に対して凹面状であり、前記ほろ部材の底
面の中央部は前記底面に対して凹面状であり、こ
れにより前記ほろ部材が前記台部材の上に置かれ
てボルトで留められる時に、前記台部材と前記ほ
ろ部材の凹面状部分は前記台部材および前記ほろ
部材の端面間で空洞を形成する特許請求の範囲第
1項ないし第3項のいずれか記載の半導体モジユ
ラ・アセンブリ。 5 ほろ部材および台部材の凹面の各壁は各端面
の近くで溝を形成し、前記ほろ部材が前記台部材
の上に置かれる時に前記ほろ部材の底面の溝は前
記台部材の頂面の溝と垂直方向で整列する特許請
求の範囲第4項記載の半導体モジユラ・アセンブ
リ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US436104 | 1982-10-22 | ||
US06/436,104 US4518983A (en) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | Assembly-heat sink for semiconductor devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5994443A JPS5994443A (ja) | 1984-05-31 |
JPS6334625B2 true JPS6334625B2 (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=23731127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58196277A Granted JPS5994443A (ja) | 1982-10-22 | 1983-10-21 | 半導体モジユラ・アセンブリ |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
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