JPS6041734Y2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、電極体および放熱板を兼ねる半導体素子取付
板の取付穴に、絶縁ブッシングを介してスタッド型半導
体素子のスタッドねじを挿し込み、ナツト締めにより該
半導体素子の該取付板に絶縁構造で取付けた構造の半導
体装置に関する。

このように、スタッド型半導体素子を絶縁構造で取付板
に取付けることは、倍電圧整流回路、または高電圧整流
用として複数個の半導体素子を直列接続構造とする場合
に必要とされる。

すなわち、２個の半導体素子、例えば整流ダイオードで
倍圧整流回路を構成する場合、低圧側の整流ダイオード
は、電極体を放熱板を兼ねる半導体素子取付板に直接取
付けられ、高圧側の整流ダ不オードは、取付板に絶縁構
造で取付けなければならない。

これを従来の半導体装置を示す第１図で更に説明すると
、１１は低圧側の半導体素子（本例では整流ダイオード
）であり、取付板１に平座金５、ばね座金６、ナツト７
で直接取付けられるが、高圧側の半導体素子１２は、絶
縁板３、ステアタイト製のブッシング２を介して、さら
に、平座金５、ばね座金６、ナツト７でもって、取付板
１に絶縁構造で取付けられる。

それから、高圧側半導体素子１２のアノード側に設けら
れた接続用端子４と底圧側半導体素子１１のカソードと
が導線８でもって接続される。

ここでブッシング２および絶縁板３について述べると、
取付板１を放熱板として使うので、絶縁板３は薄く熱伝
導のよいものを使う。

例えば、０．１ｔ〜０．２を程度のマイカ板とかマイラ
ー板を使う。

そして、半導体素子１２のスタッドねじ１２ｂをナツト
７で完全に締めつけるには、ブッシング２の凸部の高さ
を若干低めに余裕をもたせるために空間９が生じ、この
空間９を通して半導体素子１２の取付板１との間の絶縁
が破れ易かった。

特に湿気が浸入した場合には絶縁低下は著しい。

これに対し、絶縁板３の内周にブッシング２の先端をは
め込ませることも考えられるが、絶縁板３は前述の如く
極めて薄いのではめ合せによる隔離効果は全く期待でき
ない。

本考案の目的は、上記のような従来の半導体素子取付部
の耐圧不良を改善した半導体装置を提供することである
。

本考案の半導体装置は、半導体素子取付穴にあけられた
取付板と、この取付板の上側と下側から前記取付穴に挿
し込まれて、嵌合する一対の凸状絶縁ブッシングと、前
記凸状絶縁ブッシングに設けられた中心穴にスタッドね
じが通されてナツト締めで取付けられたスタッド型半導
体素子とを含んて構成される。

本考案によれば、スタッド型半導体素子を取付板から絶
縁するための凸状絶縁ブッシングの互いの嵌合状態によ
りスタッド型半導体素子のスタッド台座の底面およびス
タッドねじは間隙なしに完全に取付板から隔離されて、
絶縁低下などが起らなくされた半導体装置が得られる。

つぎに第２図により本考案の一実施例を説明する。

第２図において、第１図の従来例と比較すると、本考案
では、取付板１の上側と下側からそれぞれはめ込まれて
、半導体素子（本例では整流ダイオード）１２のスタッ
ドねじ１２ｂがともに通る凸状の上側凸状絶縁ブッシン
グ１３と下側凸状絶縁ブッシング１４は、取付穴１５の
中で、例えは下側ブッシング１４の内周に上側ブッシン
グ１３の外周が間隙なしにちつちりと重なった嵌合状態
に組合されている。

なお、上側ブッシング１３は半導体素子１２の発熱を取
付板１に能率よく伝導させるために、特に熱伝導性のよ
いシリコンゴム、アルミナ磁器、エポキシなどの成製品
が用いられている。

このような本考案の半導体装置は、一対の凸状絶縁ブッ
シング１３と１４が取付穴１５の中で嵌合されているの
で、半導体素子１２のスタッド台座１２ａの底面および
スタッドねじ１２ｂは取付板１から凸状絶縁ブッシング
１３と１４により完全に隔離されたことになる。

よって、半導体素子１２から取付板１に直接抜ける空間
はなくなり、絶縁耐圧は第１図の従来例に比べて格段に
改善される。

従来、高耐圧を得るには、第１図のような従来の絶縁方
式では不可能で、そのため、半導体素子１２を直接取付
けた取付板１を低圧側の半導体素子から絶縁分離する方
法をとるより他なかったが、本考案の取付構造により、
取付板分離のための部品点数の増加、取付スペースの増
加などの不経済が解消された。

なお、上記実施例では半導体素子としてスタッド型整流
ダイオードを例にとって述べたが、スタッド型のサイリ
スタ、トランジスタなどについても本考案は適用可能で
あることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体装置を示す断面図、第２図は本考
案の一実施例を示す断面図である。 １・・・・・・取付板、７・・・・・・ナツト、１１．
１２・・曲スタッド型半導体素子、１２ａ・・・・・・
スタッド台座、１２ｂ・・・・・・スタッドねじ、１３
．１４・・・・・・一対の凸状絶縁ブッシング、１５・
・・・・・半導体素子取付穴。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. スタッドネジを有するスタッド型半導体素子と、取付穴
   を有する取付板と、夫々が貫通孔が設けられた突起部を
   有する第１および第２の絶縁ブッシングとを有し、前記
   第２の絶縁ブッシングの突起部は前記取付板の一生面か
   ら前記取付穴に挿入されていると共に同突起部の高さは
   前記取付穴から飛び出さないように設定されており、前
   記第１の絶縁ブッシングの突起部は前記取付板の他の主
   面から前記第２の絶縁ブッシングの突起部の貫通孔に挿
   入されて前記第１の絶縁ブッシングの突起部の外周壁は
   前記第２の絶縁ブッシングの突起部の内周壁に接触して
   おり、前記第１の絶縁ブッシングの突起部の高さは前記
   第２の絶縁ブッシングの突起部の貫通孔から飛び出さな
   いように設定されており、前記半導体素子の前記スタッ
   ドネジは前記第１の絶縁ブッシング側から同絶縁ブッシ
   ングの突起部の貫通孔に挿入され、かつ前記第２の絶縁
   ブッシング側においてナツトにより締めつけられている
   ことを特徴とする半導体装置。