JPS6333842A - 化合物半導体ウエハのスクライブ方法 - Google Patents
化合物半導体ウエハのスクライブ方法Info
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- JPS6333842A JPS6333842A JP61177317A JP17731786A JPS6333842A JP S6333842 A JPS6333842 A JP S6333842A JP 61177317 A JP61177317 A JP 61177317A JP 17731786 A JP17731786 A JP 17731786A JP S6333842 A JPS6333842 A JP S6333842A
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Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、化合物半導体ウェハのスクライブ方法に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
半導体ウェハのスクライブは、ウェハから角形チップを
作製するときに用いられる加工方法であるが、化合物半
導体ウェハの場合はダイヤモンドでウェハの端に傷をつ
け、作業者が両手で折って角形チップを作る、手作業に
よる方法が用いられていた。
作製するときに用いられる加工方法であるが、化合物半
導体ウェハの場合はダイヤモンドでウェハの端に傷をつ
け、作業者が両手で折って角形チップを作る、手作業に
よる方法が用いられていた。
［発明が解決しようとする問題点〕
シリコンウェハにスクライブを適用するとぎは、カッタ
装置を用いて殆／ｖど自動的に行なわれるが、化合物半
導体ウェハの場合は劈開性があるため簡単にはスクライ
ブすることができず、上述したように作業者が手作業で
行なっていた。したがって歩留りが悪く加工精度も劣っ
ていた。
装置を用いて殆／ｖど自動的に行なわれるが、化合物半
導体ウェハの場合は劈開性があるため簡単にはスクライ
ブすることができず、上述したように作業者が手作業で
行なっていた。したがって歩留りが悪く加工精度も劣っ
ていた。
本発明の目的は、歩留りおよび加工精度を向上すること
のできる化合物半導体ウェハのスクライブ方法を提供す
ることにある。
のできる化合物半導体ウェハのスクライブ方法を提供す
ることにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、化合物半導体ウェハの劈開方向に沿って線状
に局部的な温度変化を与えると同時に押圧を加えて前記
線状の部分より劈開してスクライブを行なうことを特徴
とし、半自動的な方法によリスクライブが行なえるよう
にして目的の達成を計ったものである。
に局部的な温度変化を与えると同時に押圧を加えて前記
線状の部分より劈開してスクライブを行なうことを特徴
とし、半自動的な方法によリスクライブが行なえるよう
にして目的の達成を計ったものである。
［作 用Ｊ
本発明の化合物半導体ウェハのスクライブ方法では、ウ
ェハの！３３間方向にコテ状の工具を当て、ウェハを線
状に例えば加熱し、同時に押圧を加えて割れ易い状態と
して作業を行っているので、手作業の場合に比べ、歩留
りの低下やウェハ粉末を吸引する不安全作業が解消され
る。
ェハの！３３間方向にコテ状の工具を当て、ウェハを線
状に例えば加熱し、同時に押圧を加えて割れ易い状態と
して作業を行っているので、手作業の場合に比べ、歩留
りの低下やウェハ粉末を吸引する不安全作業が解消され
る。
［実 施 例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の化合物半導体ウェハのスクライブ方法
を実現する一実施例の説明図、第２図は第１図に示す方
法で得られたウェハの分割図、第３図はウェハ分割方法
の説明図である。
を実現する一実施例の説明図、第２図は第１図に示す方
法で得られたウェハの分割図、第３図はウェハ分割方法
の説明図である。
各図において、１はウェハ、２はコテ状の工具で、ウェ
ハ１を加熱する。３．３′はスクライブにより二分割さ
れたウェハである。、４はウェハ１を設置する加工台、
５は加工台４に刻まれた溝部分である。
ハ１を加熱する。３．３′はスクライブにより二分割さ
れたウェハである。、４はウェハ１を設置する加工台、
５は加工台４に刻まれた溝部分である。
この実施例のウェハのスクライブ方法で（：１、第１図
に示すように化合物半導体ウェハ１にウェハ１の劈開方
向に沿ってコテ状工具２を当て、局部的に１００℃以上
に加熱し、さらに数十グラム／ｃｍの抑圧を与えて第２
図の３．３′で示すようにウェハ１を分割している。
に示すように化合物半導体ウェハ１にウェハ１の劈開方
向に沿ってコテ状工具２を当て、局部的に１００℃以上
に加熱し、さらに数十グラム／ｃｍの抑圧を与えて第２
図の３．３′で示すようにウェハ１を分割している。
この場合ウェハ１が例えばＧａＡｓの場合ならば、銅に
より悪影響をうけるので、工具２には銅系統以外の金属
を用いる。
より悪影響をうけるので、工具２には銅系統以外の金属
を用いる。
また加熱温度は設定値に設定された後は一定に制御され
る。
る。
次にウェハ１を分割する場合は第３図に示寸ようにウェ
ハ１を加工台４に載せ分割面を溝５に当て、上方より工
具２で押すことにより容易に分割することができる。
ハ１を加工台４に載せ分割面を溝５に当て、上方より工
具２で押すことにより容易に分割することができる。
以上、本実施例の方法を用いることにより、従来の手作
業に比べ、ウェハの微粉が作業者に付着したり吸入され
るような危険がなくなり、半自動的にスクライブ作業を
行なうことができるので、歩留りおよび加工精度を向上
することができる。
業に比べ、ウェハの微粉が作業者に付着したり吸入され
るような危険がなくなり、半自動的にスクライブ作業を
行なうことができるので、歩留りおよび加工精度を向上
することができる。
なお、この実施例ではウェハ１を局部的に加熱して分割
する場合について述べたが、ウェハ１を局部的に冷却す
るかあるいは加熱、冷却の繰返しを与えても同様の効果
が１与られる。
する場合について述べたが、ウェハ１を局部的に冷却す
るかあるいは加熱、冷却の繰返しを与えても同様の効果
が１与られる。
し発明の効果］
本発明によれば、歩留りおよび加工精度が向上する化合
物半導体ウェハのスクライブ方法を提供することができ
る。
物半導体ウェハのスクライブ方法を提供することができ
る。
第１図は本発明の化合物半導体ウェハのスクライブ方法
を実施する一実施例の説明図、第２図は第１図に示す方
法で得られたウェハの分割図、第３図はウェハを分割す
る場合の説明図である。 １：ウ エ ハ、 ２：工 具、 ３．３′ 二分割ウェハ、 ４：ウェハ加工台、 ５：溝。 井２ 囚 ２・・１工え
を実施する一実施例の説明図、第２図は第１図に示す方
法で得られたウェハの分割図、第３図はウェハを分割す
る場合の説明図である。 １：ウ エ ハ、 ２：工 具、 ３．３′ 二分割ウェハ、 ４：ウェハ加工台、 ５：溝。 井２ 囚 ２・・１工え
Claims (2)
- （１）化合物半導体ウェハの劈開方向に沿って線状に局
部的な温度変化を与えると同時に押圧を加えて前記線状
の部分より劈開して角スクライブを行なうことを特徴と
する化合物半導体ウェハのスクライブ方法。 - （２）前記線状の部分の局部的な温度変化が、加熱、冷
却、および加熱、冷却の繰返しのいずれかの方法で与え
られる特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体ウェハ
のスクライブ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61177317A JPS6333842A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 化合物半導体ウエハのスクライブ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61177317A JPS6333842A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 化合物半導体ウエハのスクライブ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333842A true JPS6333842A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=16028868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61177317A Pending JPS6333842A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 化合物半導体ウエハのスクライブ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333842A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0588681A1 (en) * | 1992-08-31 | 1994-03-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for cutting a wafer hard to cut |
| JP2015084349A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ブレイク装置 |
| JP2017128137A (ja) * | 2017-04-24 | 2017-07-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ブレイク装置 |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP61177317A patent/JPS6333842A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0588681A1 (en) * | 1992-08-31 | 1994-03-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for cutting a wafer hard to cut |
| JP2015084349A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ブレイク装置 |
| JP2017128137A (ja) * | 2017-04-24 | 2017-07-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ブレイク装置 |
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