JPS6230394A - 半導体レ−ザ−組立装置 - Google Patents

半導体レ−ザ−組立装置

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JPS6230394A
JPS6230394A JP17041085A JP17041085A JPS6230394A JP S6230394 A JPS6230394 A JP S6230394A JP 17041085 A JP17041085 A JP 17041085A JP 17041085 A JP17041085 A JP 17041085A JP S6230394 A JPS6230394 A JP S6230394A
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JP
Japan
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work
workpiece
heating block
semiconductor laser
holder
Prior art date
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Application number
JP17041085A
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JPH0446475B2 (ja
Inventor
Masashi Nishizaki
西崎 雅士
Mamoru Okanishi
岡西 守
Hisaaki Kojima
小島 久彰
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS6230394A publication Critical patent/JPS6230394A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体レーザー組立装置、%に半導体レーザ
ーダイオードの組立工程で最も重要なレーザーペレット
をダイボンドするワークの固定構造に関するものである
〈発明の概要〉 半導体レーザー組立装置において、レーザーペレットの
ダイボンド工程は、レーザーペレットを正確にワークの
基準面に対してダイボンドを・けなう必要がある。本発
明は、ダイボンド工程時にワークを加熱するための加熱
ブロックを利用して、加熱ブロクつてワークの位置決め
用部位を形成し、ワンタッチでワークを位置決め固定す
るものである0 〈従来の技術〉 半導体レーザーダイオードのレーザー光は、その性格上
、完成品の組立基準に対してレーザー光の放射方向に高
い精度がされる。従って、レーザーペレットのダイボン
ド工程において、コレットに吸着されたペレットが正確
に位置が出ていることも重要であるが、ワーク側の固定
も正確である必要がある。
従来、手動によりワークを固定し、コレン1−の端面を
ワークのダイボンド面に押し付け、コレットの跡を付け
、その形状によって低い部分を上げ、コレットの端面に
対してダイボンド面が水平になるように、数回同じこと
を行なっている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 以上、従来の半導体レーザー組立装置は、最も重要なダ
イボンド工程の一部が手動で、装置の自動化の妨げ、l
!:なっているとともに、この工程に時間を要し、また
作業者によりバラツキが生じて均一に高い精度を得るこ
とは困難であった。
本発明は、自動ダイボンドを可能とし、かつ放射方向に
高い精度が得られる半導体レーザー組立装置を提供する
ことを目的とする。
〈問題点を解決するだめの手段〉 通常、ダイボンド工程時、加熱ブロックをワークに押し
当てワークを加熱するが、本発明はこの加熱ブロックを
利用し、加熱ブロックにワークの位置決め用部位を形成
している。
〈作 用〉 上記の構造により、ワークを加熱するため、ワークに加
熱ブロックを押し当てたとき、同時にワークも位置決め
して固定されることとなり、ワンタッチでコレットの端
面に対してダイボンド面が水平になるようにできる。
〈実施例〉 以下第1図乃至第3図に従って本発明の一実施例を説明
する。
第1図において、ワーク(リング)Iは他部から自動供
給されたものであって、ホルダー2のガイドピン3.3
により保持され、ワーク1のxy軸平面に対するX軸方
向の位置合せが行なわれるOワークIを加熱する加熱ブ
ロック4はワークIに対向してそのy軸方向に配置固定
されておシ、ここには後述するワークIの位置決め用部
位として2つの基準面4A、4Bが形成されている。
まず、ワーク1を保持したホルダー1は、第1図の矢印
Qのように、加熱ブロック4に対してやや下方から移動
して、ワーク1のダイボンド面1aの両サイドにある加
工面1b、Ibが加熱ブロック4の基準面4Aに押し当
てられる。すなわち、これが第2図の状態であって、ダ
イボンド面1aと同一加工面である両サイドの加工面1
b、lbを利用して、いわゆるワークlの1水平出し“
が行なわれる。
次に、第2図の矢印のように、ホルダー2をy軸方向に
そのまま移動する。すると、第3図のように、これも精
度よく加工されているワーク1の上端面1cが加熱ブロ
ック4の基準面4Bに押し当てられることとなり、ワー
ク1の11垂直出し“が行なわれる。そして同時に、ワ
ーク1のxy軸平面におけるy軸方向の位置合せも行な
われる。
上記によって、ワークIのダイボンド面1aはxy軸方
向の所定の位置に配置されると七もに、加熱ブロック4
の基準面4A、4Bによってレーザーペレットを吸着す
るコレット端面が水平となり、レーザーペレットは正確
にワーク1の基準面にダイボンドされる。そして、この
ダイボンド時、位置合せした加熱ブロック4がそのまま
ワーク1の加熱手段として使用され、一連工程の自動化
装置を可能にする。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、自動化を実現して、精度
の高い放射方向が得られる有用な半導体レーザー装置が
提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明の一実施例における組立装置
それぞれ異なる状態時を示す斜視図である0 1・・・ワーク、2・・ホルダー、4・・・加ネ、イブ
ロック、4A、4B・・・基準面。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体レーザーペレットをダイボンドするワーク、
    該ワークを保持するホルダー、該ホルダーに保持された
    前記ワークを加熱する加熱ブロックを備え、前記加熱ブ
    ロックに前記ホルダーに保持されたワークの位置決め用
    部位を形成してなることを特徴とする半導体レーザー組
    立装置。
JP17041085A 1985-07-31 1985-07-31 半導体レ−ザ−組立装置 Granted JPS6230394A (ja)

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JP17041085A JPS6230394A (ja) 1985-07-31 1985-07-31 半導体レ−ザ−組立装置

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JPS6230394A true JPS6230394A (ja) 1987-02-09
JPH0446475B2 JPH0446475B2 (ja) 1992-07-30

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5481082A (en) * 1993-07-19 1996-01-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method for die bonding semiconductor element
US8633515B2 (en) 2005-12-16 2014-01-21 Freescale Semiconductor, Inc. Transistors with immersed contacts
CN112713497A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 潍坊华光光电子有限公司 一种半导体激光器用模条固定载具

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5481082A (en) * 1993-07-19 1996-01-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method for die bonding semiconductor element
US8633515B2 (en) 2005-12-16 2014-01-21 Freescale Semiconductor, Inc. Transistors with immersed contacts
CN112713497A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 潍坊华光光电子有限公司 一种半导体激光器用模条固定载具

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JPH0446475B2 (ja) 1992-07-30

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