JPS6333648A - 表面状態検査装置 - Google Patents
表面状態検査装置Info
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- JPS6333648A JPS6333648A JP61175682A JP17568286A JPS6333648A JP S6333648 A JPS6333648 A JP S6333648A JP 61175682 A JP61175682 A JP 61175682A JP 17568286 A JP17568286 A JP 17568286A JP S6333648 A JPS6333648 A JP S6333648A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、表面状態検査装置に関し、特に半導体製造装
置で使用される回路パターンが形成されているレチクル
やフォトマスク等の透明性基板上に回路パターン以外の
異物、例えば不透光性のゴミ等を検出する際に好適な表
面状態検査装置に関する。
置で使用される回路パターンが形成されているレチクル
やフォトマスク等の透明性基板上に回路パターン以外の
異物、例えば不透光性のゴミ等を検出する際に好適な表
面状態検査装置に関する。
[従来の技術]
一般にIC製造工程においては、レチクルまたはフォト
マスク等の透明性基板上に形成されている露光用の回路
パターンを半導体焼付は装置(ステッパまたはマスクア
ライナ)によりレジストが塗布されたウニ八面上に転写
して製造している。
マスク等の透明性基板上に形成されている露光用の回路
パターンを半導体焼付は装置(ステッパまたはマスクア
ライナ)によりレジストが塗布されたウニ八面上に転写
して製造している。
この転写する際、基板面上にゴミ等の異物が存在すると
異物も同時に転写されてしまい、IC製造の歩留りを低
下させる原因となってくる。
異物も同時に転写されてしまい、IC製造の歩留りを低
下させる原因となってくる。
特にレチクルを使用し、ステップアンドリピート法によ
り繰り返してクエへ面上に同一回路パターンを?X数焼
付ける場合、レチクル面上の1個の異物がウニ八全面に
焼付けられてしまいIC製造の歩留りを大ぎく低下させ
る原因となってくる。
り繰り返してクエへ面上に同一回路パターンを?X数焼
付ける場合、レチクル面上の1個の異物がウニ八全面に
焼付けられてしまいIC製造の歩留りを大ぎく低下させ
る原因となってくる。
そのため、IC製造過程においては基板上の異物の存在
を検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検
査方法が提案されている0例えば第7図は異物が等友釣
に光を散乱する性質を利用する方法の一例である。同図
においては、走査用ミラー11とレンズ12を介してレ
ーザ10からの光束をミラー13の出し入れにより光路
を切り換えて、2つのミラー14あるいは25により各
々基板15の表面あるいは裏面に入射させる。そして、
走査用ミラー11を回転若しくは振動させて基板15上
を走査している。さらに基板15からの直接の反射光お
よび透過光の光路から離れた位置に複数の受光部!6.
17.18を設け、これら複数の受光部16.17゜1
8からの出力信号を用いて基板15上の異物の存在を検
出している。
を検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検
査方法が提案されている0例えば第7図は異物が等友釣
に光を散乱する性質を利用する方法の一例である。同図
においては、走査用ミラー11とレンズ12を介してレ
ーザ10からの光束をミラー13の出し入れにより光路
を切り換えて、2つのミラー14あるいは25により各
々基板15の表面あるいは裏面に入射させる。そして、
走査用ミラー11を回転若しくは振動させて基板15上
を走査している。さらに基板15からの直接の反射光お
よび透過光の光路から離れた位置に複数の受光部!6.
17.18を設け、これら複数の受光部16.17゜1
8からの出力信号を用いて基板15上の異物の存在を検
出している。
すなわち、回路パターンからの回折光は方向性が強いた
め各受光部からの出力値は異なるが、異物に光束が入射
すると、入射光束は等友釣に散乱されるため複数の受光
部からの出力値が各々等しくなってくる。したがって、
このときの出力値を比較することにより異物の存在を検
出している。
め各受光部からの出力値は異なるが、異物に光束が入射
すると、入射光束は等友釣に散乱されるため複数の受光
部からの出力値が各々等しくなってくる。したがって、
このときの出力値を比較することにより異物の存在を検
出している。
ma図は異物が入射光束の偏光特性を乱す性質を利用す
る方法の一例である。同図において、偏光子19、走査
用ミラー11そしてレンズ12を介してレーザlOから
の光束を所定の偏光状態の光束とし、ミラー13の出し
入れにより光路を切り換え、2つのミラー14あるいは
25により各々基板15の表面あるいは裏面に入射させ
て走査用ミラー11により基板15上を走査している。
る方法の一例である。同図において、偏光子19、走査
用ミラー11そしてレンズ12を介してレーザlOから
の光束を所定の偏光状態の光束とし、ミラー13の出し
入れにより光路を切り換え、2つのミラー14あるいは
25により各々基板15の表面あるいは裏面に入射させ
て走査用ミラー11により基板15上を走査している。
また、基板15からの直接の反射光および透過光の光路
から離れた位置に各々検光子20.22を前方に配置し
た2つの受光部21.23を設けている。そして回路パ
ターンからの回折光と異物からの散乱光との偏光比率の
違いから生ずる受光量の差を2つの受光部21.23よ
り検出し、これにより基板lS上の回路パターンと異物
とを弁別している。
から離れた位置に各々検光子20.22を前方に配置し
た2つの受光部21.23を設けている。そして回路パ
ターンからの回折光と異物からの散乱光との偏光比率の
違いから生ずる受光量の差を2つの受光部21.23よ
り検出し、これにより基板lS上の回路パターンと異物
とを弁別している。
これらの異物検査装置において、異物の付着している位
置が回路パターン中の遮光部上であるか、露光光透過部
上であるかが分れば極めて好都合である。なぜなら、同
じように回路パターン中にある異物でも露光光束がクロ
ムその他のパターンで遮光される領域にある異物は焼付
に際し実害を及ぼさないから、正確にその位置に異物が
あると分ればレチクルを取り出して洗浄する必要がなく
なるからである。これは、工程上の大きな利点となる。
置が回路パターン中の遮光部上であるか、露光光透過部
上であるかが分れば極めて好都合である。なぜなら、同
じように回路パターン中にある異物でも露光光束がクロ
ムその他のパターンで遮光される領域にある異物は焼付
に際し実害を及ぼさないから、正確にその位置に異物が
あると分ればレチクルを取り出して洗浄する必要がなく
なるからである。これは、工程上の大きな利点となる。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、これらの従来方式では、クロム(C「)
または酸化クロム(CrO□)等でバターニングされた
レチクル面上において、パターン遮光部上に付着してい
る異物と同じ面上の硝子素通し部分(光透過部分)上に
付着している異物とを分別することができないという共
通の問題があった。このような分別機能を有する異物検
査装置は、未だ実現していない。
または酸化クロム(CrO□)等でバターニングされた
レチクル面上において、パターン遮光部上に付着してい
る異物と同じ面上の硝子素通し部分(光透過部分)上に
付着している異物とを分別することができないという共
通の問題があった。このような分別機能を有する異物検
査装置は、未だ実現していない。
本発明の目的は、上述従来例における問題点に鑑み、レ
チクルのバターニング領域の、パターン遮光部上に付着
している異物と同じ面上の光透過部分上に付着している
異物とを分別することのでとる表面状態検査装置を提供
することを目的とする。
チクルのバターニング領域の、パターン遮光部上に付着
している異物と同じ面上の光透過部分上に付着している
異物とを分別することのでとる表面状態検査装置を提供
することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明による表面状態検査装置では、前述の目的を達成
するために、遮光材料でバターニングされた透明性基板
を光ビームで走査して該基板からの走査光の反射散乱光
を検出することにより該基板上の異物を検出するに際し
、基板の片面から上記光ビームを走査するとともに基板
からの直接反射光および透過光以外の光、つまり散乱光
を基板の両面で検出し、この両面での検出結果に基づき
異物の有無、および異物が有るときはその異物が遮光部
と透光部とのいずれの部分上に位置しているかを判別す
るようにしている。
するために、遮光材料でバターニングされた透明性基板
を光ビームで走査して該基板からの走査光の反射散乱光
を検出することにより該基板上の異物を検出するに際し
、基板の片面から上記光ビームを走査するとともに基板
からの直接反射光および透過光以外の光、つまり散乱光
を基板の両面で検出し、この両面での検出結果に基づき
異物の有無、および異物が有るときはその異物が遮光部
と透光部とのいずれの部分上に位置しているかを判別す
るようにしている。
[作用]
本発明の表面状態検査装置においては、異物が光走査さ
れた際、基板の光走査面側では異物の位置にかかわらず
異物からの散乱光が検出される。
れた際、基板の光走査面側では異物の位置にかかわらず
異物からの散乱光が検出される。
一方、走査面と反対の側では透光部上の異物からの散乱
光は検出されるが、遮光部上の異物からの散乱光は遮光
部で遮られて検出されない。したがって、基板の両面で
異物からの散乱光が検出されれば、これは透光部上の異
物と判定し、一方、基板の光走査面側でだけ検出された
ときは異物が遮光部上に付着しているものと判定するこ
とができる。
光は検出されるが、遮光部上の異物からの散乱光は遮光
部で遮られて検出されない。したがって、基板の両面で
異物からの散乱光が検出されれば、これは透光部上の異
物と判定し、一方、基板の光走査面側でだけ検出された
ときは異物が遮光部上に付着しているものと判定するこ
とができる。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す説明図である。同図
において、15はレチクルで、硝子板にクロム等による
遮光パターンでバターニングしである。また、不図示の
レーザビーム入射系およびステージの移動機構、すなわ
ちパターン面の検査のためにパターン面側からビームを
入射し、走査する機構は、第7図とのものと共通である
。ここでPD、は、第7図の受光素子16.17.18
のうちの一つを代表して図示したものである。PD、は
本発明の特徴とする第2の光電素子で、基板に対して走
査面(ここでは、パターン面)と反対側の空間のレーザ
ビームの直接透過光を受光せずにパターン面の面上の異
物散乱光を受光する位置に配置しである。
において、15はレチクルで、硝子板にクロム等による
遮光パターンでバターニングしである。また、不図示の
レーザビーム入射系およびステージの移動機構、すなわ
ちパターン面の検査のためにパターン面側からビームを
入射し、走査する機構は、第7図とのものと共通である
。ここでPD、は、第7図の受光素子16.17.18
のうちの一つを代表して図示したものである。PD、は
本発明の特徴とする第2の光電素子で、基板に対して走
査面(ここでは、パターン面)と反対側の空間のレーザ
ビームの直接透過光を受光せずにパターン面の面上の異
物散乱光を受光する位置に配置しである。
光学系に関して、第1図の装置の特徴とする所は、受光
素子PD、 、PD2の設は方にある。つまり、パター
ン面側(図中で下面)から入射されるビームLiに対し
、パターン面上での直接反射光LRや直接透過光LTの
来ない位置に、しかも、パターン面側とブランク面側に
またがって各々、受光素子PD、、PD2を設けたこと
である。
素子PD、 、PD2の設は方にある。つまり、パター
ン面側(図中で下面)から入射されるビームLiに対し
、パターン面上での直接反射光LRや直接透過光LTの
来ない位置に、しかも、パターン面側とブランク面側に
またがって各々、受光素子PD、、PD2を設けたこと
である。
以上の構成において、第1図(a)に示すように、パタ
ーン遮光部上に付着した異物Aにビームが当たると、そ
の散乱光は受光素子PD、で受光され、受光素子PD、
から検出信号が出力される。しかし、受光素子PD2に
対する異物Aからの散乱光はパターンが遮光するため、
受光素子PD2では受光されない。
ーン遮光部上に付着した異物Aにビームが当たると、そ
の散乱光は受光素子PD、で受光され、受光素子PD、
から検出信号が出力される。しかし、受光素子PD2に
対する異物Aからの散乱光はパターンが遮光するため、
受光素子PD2では受光されない。
これに対し、第1図(b)のようにステージ(不図示)
が移動し、硝子素通し部分上の異物已にビームが当たる
と、その散乱光は受光素子PD、およびPD2の両方に
受光され、受光素子PD、およびPD2の双方から検出
信号が出力される。
が移動し、硝子素通し部分上の異物已にビームが当たる
と、その散乱光は受光素子PD、およびPD2の両方に
受光され、受光素子PD、およびPD2の双方から検出
信号が出力される。
以上の原理によフて、受光素子PD、とPD。
の出力の論理積をとると、下表に示すように、異物Aと
異物Bを弁別することができる。
異物Bを弁別することができる。
第1表
なお、第1図の実施例において、検出系PDIとして第
8図の検光子20.22と受光部21.23で構成され
るものを用いることも可能である。すなわち、この実施
例は、レーザビームの入射系およびステージの移動機構
として、第7図または第8図に示すように、パターン面
の検査のためにパターン面側からビームを入射し、走査
する機構を有する各種の装置に適用が可能である。
8図の検光子20.22と受光部21.23で構成され
るものを用いることも可能である。すなわち、この実施
例は、レーザビームの入射系およびステージの移動機構
として、第7図または第8図に示すように、パターン面
の検査のためにパターン面側からビームを入射し、走査
する機構を有する各種の装置に適用が可能である。
第2図は、以上の信号処理を行なうための回路構成例を
示すブロック図である。同図において、受光素子PD、
およびPD2の出力は、それぞれアンプ41および42
で増幅された後、コンパレータ43および44に人力さ
れ、基準電圧V reflおよびV ref2と比較さ
れ、2値化される。各コンパレータ43および44から
出力される2値化信号(0または1)は、アンド回路4
5の2つの入力端子のそれぞねに供給され、アンド回路
45ではこれらの入力に応じた論理積信号(第1表)を
出力する。この出力は、例えば図示しない制御回路に供
給され、論理積信号が1であれば異物表示を行なったり
、警報を発するために用いられる。
示すブロック図である。同図において、受光素子PD、
およびPD2の出力は、それぞれアンプ41および42
で増幅された後、コンパレータ43および44に人力さ
れ、基準電圧V reflおよびV ref2と比較さ
れ、2値化される。各コンパレータ43および44から
出力される2値化信号(0または1)は、アンド回路4
5の2つの入力端子のそれぞねに供給され、アンド回路
45ではこれらの入力に応じた論理積信号(第1表)を
出力する。この出力は、例えば図示しない制御回路に供
給され、論理積信号が1であれば異物表示を行なったり
、警報を発するために用いられる。
第3図は第2の実施例を示す。この装置は、第1図の検
出原理を本発明者等が先に提案した異物検査装置に適用
したものである。この検査装置では、パターン(第3図
中、レチクル上面側)と異物の分離精度を上げるため、
レーザビームを、第4図(a)に示すように、レチクル
の縦横方向(図中vv’方向、LL’方向)に対し所定
の角度βだけ捩った方向(図中oO′方向)の斜め上方
から入射(入射角α。)して点B、からB2の方向へ走
査させるようにしである。そして、第4図(b)に示す
ように、この入射面内で入射側に戻フてくる異物散乱光
(レチクルに対する受光角α2)のみを選択的に受光す
るという構成をとっている。
出原理を本発明者等が先に提案した異物検査装置に適用
したものである。この検査装置では、パターン(第3図
中、レチクル上面側)と異物の分離精度を上げるため、
レーザビームを、第4図(a)に示すように、レチクル
の縦横方向(図中vv’方向、LL’方向)に対し所定
の角度βだけ捩った方向(図中oO′方向)の斜め上方
から入射(入射角α。)して点B、からB2の方向へ走
査させるようにしである。そして、第4図(b)に示す
ように、この入射面内で入射側に戻フてくる異物散乱光
(レチクルに対する受光角α2)のみを選択的に受光す
るという構成をとっている。
第3図において、50はレーザ走査用のポリゴンミラー
、51〜53はそれぞれ投光光学系、第1の受光光学系
および第2の受光光学系を構成するレンズである。
、51〜53はそれぞれ投光光学系、第1の受光光学系
および第2の受光光学系を構成するレンズである。
第4図(a)はこの方式の原理を示したものである。レ
チクルを真上からみている。同図において、レチクル上
の回路パターンは、その縦横方向(vv’方向、LL’
方向)が支配的であるため、それらのパターンにレーザ
ビームが当たると、パターン回折光はその直角方向であ
るLL’方向あるいは、■V′方向に進む。そこで、レ
チクルに対し、光学系を、例えばβ=15°捩り、この
方向への異物の戻り散乱光だけを受光するようにしてパ
ターン回折光の入射を極力減少させている。
チクルを真上からみている。同図において、レチクル上
の回路パターンは、その縦横方向(vv’方向、LL’
方向)が支配的であるため、それらのパターンにレーザ
ビームが当たると、パターン回折光はその直角方向であ
るLL’方向あるいは、■V′方向に進む。そこで、レ
チクルに対し、光学系を、例えばβ=15°捩り、この
方向への異物の戻り散乱光だけを受光するようにしてパ
ターン回折光の入射を極力減少させている。
第3図では、本発明の効果をもたらすために、ビームの
透過側に第2の受光光学系53と光電素子PD、を設け
である。
透過側に第2の受光光学系53と光電素子PD、を設け
である。
第5図は第3の実施例を示す。この装置は、第1図にお
いて防塵用ペリクル付レチクルを用いた場合の応用例で
ある。レチクルの両側にペリクルP RLl、 P
RL、が貼られている場合、入射ビームの光路上でペリ
クルと交差する位置に異物CやDがあると、やはり、散
乱光を発する。パターン面上の異物のみを検出したいと
きは、レンズ60とこのレンズ60による結像面上に視
野絞りFSを設けて入射ビームがパターン面上に当たる
位置だけを覗くようにすればよい。
いて防塵用ペリクル付レチクルを用いた場合の応用例で
ある。レチクルの両側にペリクルP RLl、 P
RL、が貼られている場合、入射ビームの光路上でペリ
クルと交差する位置に異物CやDがあると、やはり、散
乱光を発する。パターン面上の異物のみを検出したいと
きは、レンズ60とこのレンズ60による結像面上に視
野絞りFSを設けて入射ビームがパターン面上に当たる
位置だけを覗くようにすればよい。
第6図は、第1図において、入射ビームの方向をレチク
ルに垂直にした例を示す。動作は、第1図の装置と同様
である。
ルに垂直にした例を示す。動作は、第1図の装置と同様
である。
[発明の効果]
以上説明してきたように、本発明によると、バターニン
グされた透明性基板の一面、例えばレチクルのパターン
面に対し、そのパターン面側からビームを入射させ、レ
チクルの入射側と透過側の両空間内でその直接の反射光
、あるいは、透過光を受光せずパターン面上の異物散乱
光を受光する位置に光電素子を備え、その出力同志を比
較するようにしているため、 l)−回の面走査で、その時刻毎にパターン遮光部上に
ある異物と、硝子部分上にある異物とを弁別して検知で
きる。そのうち、パターン遮光部上にある異物は焼付け
ても回路の特性に影習しないため、その分レチクルの洗
浄の頭重を少なくできる、 2)工程の無駄を除けるために、半導体製造の全工程を
含めたスループットを高められる、という効果が得られ
る。
グされた透明性基板の一面、例えばレチクルのパターン
面に対し、そのパターン面側からビームを入射させ、レ
チクルの入射側と透過側の両空間内でその直接の反射光
、あるいは、透過光を受光せずパターン面上の異物散乱
光を受光する位置に光電素子を備え、その出力同志を比
較するようにしているため、 l)−回の面走査で、その時刻毎にパターン遮光部上に
ある異物と、硝子部分上にある異物とを弁別して検知で
きる。そのうち、パターン遮光部上にある異物は焼付け
ても回路の特性に影習しないため、その分レチクルの洗
浄の頭重を少なくできる、 2)工程の無駄を除けるために、半導体製造の全工程を
含めたスループットを高められる、という効果が得られ
る。
第1図は、本発明の第1実施例に係る光学系の説明図、
第2図は、異物位置検出系のブロック回路図、第3図は
、本発明の第2実施例に係る光学系を示す斜視図、 第4図は、上記第2実施例における走査および散乱光の
光路説明図、 第5図は、本発明の第3実施例に係る光学系を示す斜視
図、 第6図は、本発明の第4実施例に係る光学系の説明図、
そして 第7図と第8図は、それぞれ従来例の光学系を示す斜視
図である。 PD+ 、 16.17.18:第1の光電素子、PD
2:第2の光電素子、 A、B、C,D+異物、 10:レーザ、 11:走査用ミラー、 12:レンズ、 13.14.25:ミラー、 15ニレチクル。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也第2
図 賠6 図(G) gpo・ 第6図(b)
、本発明の第2実施例に係る光学系を示す斜視図、 第4図は、上記第2実施例における走査および散乱光の
光路説明図、 第5図は、本発明の第3実施例に係る光学系を示す斜視
図、 第6図は、本発明の第4実施例に係る光学系の説明図、
そして 第7図と第8図は、それぞれ従来例の光学系を示す斜視
図である。 PD+ 、 16.17.18:第1の光電素子、PD
2:第2の光電素子、 A、B、C,D+異物、 10:レーザ、 11:走査用ミラー、 12:レンズ、 13.14.25:ミラー、 15ニレチクル。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也第2
図 賠6 図(G) gpo・ 第6図(b)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、遮光材料でパターニングされた透明性基板の表面を
光ビームで走査し、該基板に付着した異物による上記ビ
ームの散乱光を検出することにより該透明性基板の表面
状態を検査する装置であって、該基板の上記光ビームが
入射する側の面を第1面、反対側の面を第2面として、
該基板に対して第1面側の空間で該ビームの直接反射光
は受光せずに上記散乱光を受光する位置に配設した第1
の光電素子と、上記第2面側の空間で上記ビームの直接
透過光は受光せずに上記散乱光を受光する位置に配設し
た第2の光電素子と、これら第1および第2の光電素子
の出力を比較することにより上記異物が基板の遮光部と
透明部とのいずれにあるかを弁別する手段とを備えたこ
とを特徴とする表面状態検査装置。 2、前記第1面が、遮光パターンを形成した面である特
許請求の範囲第1項記載の表面状態検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17568286A JPH0629860B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 表面状態検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17568286A JPH0629860B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 表面状態検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6333648A true JPS6333648A (ja) | 1988-02-13 |
JPH0629860B2 JPH0629860B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=16000392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17568286A Expired - Fee Related JPH0629860B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 表面状態検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0629860B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02227643A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-10 | Canon Inc | 表面状態検査装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
JPS5862543A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 欠陥検査装置 |
JPS5965428A (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-13 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP17568286A patent/JPH0629860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
JPS5862543A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 欠陥検査装置 |
JPS5965428A (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-13 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02227643A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-10 | Canon Inc | 表面状態検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0629860B2 (ja) | 1994-04-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |