JPS62188949A - 表面状態測定装置 - Google Patents

表面状態測定装置

Info

Publication number
JPS62188949A
JPS62188949A JP61030362A JP3036286A JPS62188949A JP S62188949 A JPS62188949 A JP S62188949A JP 61030362 A JP61030362 A JP 61030362A JP 3036286 A JP3036286 A JP 3036286A JP S62188949 A JPS62188949 A JP S62188949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
foreign matter
measured
detection means
measurement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61030362A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiichi Murakami
栄一 村上
Michio Kono
道生 河野
Akiyoshi Suzuki
章義 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP61030362A priority Critical patent/JPS62188949A/ja
Publication of JPS62188949A publication Critical patent/JPS62188949A/ja
Priority to US07/348,177 priority patent/US4886975A/en
Priority to US07/406,090 priority patent/US5017798A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は表面状態測定装置に関し、特に半導体製造装置
で使用される回路パターンが形成されてにペリクル保護
膜を装着したときのペリクル保護膜面上に、例えば不透
過性のゴミ等の異物が付着していたときに、この異物を
精度良く検出する表面状態測定装置に関するものである
、(従来の技術) 一般にIC製造工程においてはレチクル又はフォトマス
ク等の基板上に形成されている露光用の回路パターンを
半導体焼付は装置(ステッパー又はマスクアライナ−)
によりレジストが塗布されたウニ八面上に転写して製造
している。
この際、基板面上にゴミ等の異物が存在すると転写する
際、異物も同時に転写されてしまいIC製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。
その為IC製造工程においては基板上の異物の存在を検
出するのが不可欠となっており、従来より種々の検査方
法が提案されている。例えば第2図は異物が等友釣に光
を散乱する性質を利用する方法の一例である。
同図においては走査用ミラー11とレンズ12を介して
レーザー10からの光束をハーフミラ−13によ92つ
に分け、2つのミラー14.15により各々基板18の
表面と裏面に入射させ、走査用ミラー11を回転若しく
は振動させて基板18上を走査している。そして基板1
8からの直接の反射光及び透過光の光路から離れた位置
に基板18の表面と裏面に焦点を合わせた2つの受光部
16.17を設け、これら2つの受光部16.17から
の出力信号を用いて基板1B上の異物の存在を検出して
いる。
即ち放物に光束か入射すると入射光束は等方向に散乱さ
れる。この為、一方の面に放物が存在していると、その
面に焦点を合わせた受光部からの出力は犬きくなる。従
って、このときの2つの受光部からの出力値を比較する
ことにより異物の存在を検出している。
しかしながら、この方法は基板の表面と裏面の各々の方
向から走査する必要があり、又基板にペリクル保護膜を
装着したときはペリクル面にも異物が付着する場合があ
り、この場合どの面に異物が付着しているのが検出しな
ければならず、走査用の光束を各々の被検出面に焦点合
わせなして緑り返して測定する必要があった。
又第3図に示すように走査用の光束3oがペリクル保護
IQ31の粋32に当ったときは粋32から散乱光束か
多く発生し、異物の検出粒度を低下させる欠点かあった
更に受光部で用いる光学系には基板全面からの微少な散
乱光束を受光しなければならない為、広画角でしかも大
口径であることが要求され、受光手段全体か大型化する
傾向があった。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は基板にペリクル保護膜を装着し、被検出面の数
が増加しても1回の走査でどの面に異物が存在している
のか容易にしかも高鯖度に測定することのできる簡易な
構成の表面状態測定装置の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段) 光源からの光束を積層している複数の測定面に入射させ
、前記測定面から生じる散乱光束を前記測定面毎に焦点
を合わした複数の検出手段により検出することにより、
前記複数の測定面の表面状態を測定したことである。
この他、本発明の特徴は実施例において記載されている
(実施例) 第1図は本発明の一実施例の光学系の概略図である。同
図において1は不図示の光源であるレーザーからの光束
であり、同じく不図示のポリゴンミラー等の走査手段に
より紙面に垂直方向を走査している。2はレチクル等の
測定物である基板で2a、 2bは各々基板2の表面と
裏面である。3,4は各々基板2を保護する為のペリク
ル保護膜であり、これらの各面2a、 2b、 3.4
は測定面となっている。58〜5dは各々複数のセルフ
ォックレンズを一次元方向に配置した光学部材であり、
各々の光学部材58〜5dは各々測定面3 、2b、 
2a、 4に焦点を合わしている。6a〜6dは各々光
学部材58〜5dを介した各測定面と共役な位置近傍に
配置した視野絞り、78〜7dは各々の視野絞り68〜
6dを通過した光束を受光器88〜8dに導光する為の
ライトガイドである。
本実施例における光学部材5a、視野絞り6a、ライト
ガイド7a、受光器8aは1つの検出手段Aの一部を構
成している。他の光学部材5b〜5d、視野絞り6b〜
6d、ライトガイド7b〜7d、受光器8b〜8dにつ
いても同時に各々検出手段B、C,Dの一部を構成して
いる。
本実施例では光束を各測定面に対し斜め上方から入射さ
せ各測定面を通過させている。そしてこのときペリクル
保護膜の枠に当たらないようにしている。
今仮りに測定面2b上にゴミ等の異物Pが存在している
とする。そうすると光束1が異物Pに当たると異物から
は等方向に散乱光が生じる。このとき検出手段Bは測定
面Bに焦点が合わされている為に光学部材5bは散乱光
束を効率的に集光する。
この結果、受光器8bからの出力は増大する。
一方、他の検出手段A、C,Dは測定面2bとはディフ
ォーカス状態にあり、しかも各々の光学部材5a、 5
c、 5dの測定面と共役の位置近傍には視野絞り6a
、 6c、 6dが配置されているので測定面2b上の
異物Pからの散乱光束は視野絞り6a、 6c、 6d
によって遮光される。この結果、受光器8a、 8c、
 8dからの出力は変化しない。
本実施例ではこのときの4つの受光器88〜8dからの
出力信号を利用して測定面上の異物の存在を検出してい
る。
又仮りに光束がへりクル保護膜の粋に当っても視野絞り
により特定の領域以外からの光束を遮光し、測定面から
の散乱光束のみを受光するようにしているので常に高精
度の測定が可能となっている。
更に光学部材58〜5dを光束の走査方向と一致させ、
−次元方向に配置したセルフォックレンズより構成し、
集光部の小型化を図りつつ、効率的に測定面上の異物か
らの散乱光束を集光している。
尚、本実施例において光学部材をセルフォックレンズの
代わりにシリンドルカルレンズやバーレンズ等より構成
しても良い。
本実施例において走査用の光束を1つの測定面例えば基
板2の表面2aに集光するように入射させた場合、他の
測定面ではディフォーカス状態となる。しかしながら一
般にペリクル面上若しくは基板2の裏面2bで問題とな
る異物は基板2の表面2a上の異物に比べて大きい。従
って各測定面毎に集光して縁り返して測定しなくても良
好なる検出粒度が容易に得られる。
尚第1図では光束を測定面に対し、斜め上方から入射さ
せているが、第4図に示すように測定面に対し、光束4
1を垂直に入射させ、複数の検出手段42、43.44
.45を斜め上方に配置しても同様に本発明の目的を達
成することができる。
(発明の効果) 本発明によれば複数の測定面に対して複数の検出手段を
前述の如く配置することにより、1回の走査でどの面に
異物が存在しているのか容易にしかも高精度に測定する
ことのできる簡易な構成の表面状態測定装置を達成する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の光学系の概略図、第4図は
本発明の他の実施例の一部分の説明図、第2図、第3図
は各々従来の表面状態測定装置の説明図である。図中1
は光束、2は基板、3.4は各々ペリクル保護膜、58
〜5dは光学部材、6a〜6dは視野絞り、7a〜7d
はライトガイド、8a〜8dは受光器である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源からの光束を積層している複数の測定面に入
    射させ、前記測定面から生じる散乱光束を前記測定面毎
    に焦点を合わした複数の検出手段により検出することに
    より、前記複数の測定面の表面状態を測定したことを特
    徴とする表面状態測定装置。
  2. (2)前記検出手段は一次元方向に集光力を有する光学
    部材を有していることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の表面状態測定装置。
  3. (3)前記検出手段は前記測定面と共役な面近傍に視野
    絞りを有していることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の表面状態測定装置。
JP61030362A 1986-02-14 1986-02-14 表面状態測定装置 Pending JPS62188949A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61030362A JPS62188949A (ja) 1986-02-14 1986-02-14 表面状態測定装置
US07/348,177 US4886975A (en) 1986-02-14 1989-05-02 Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces
US07/406,090 US5017798A (en) 1986-02-14 1989-09-12 Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61030362A JPS62188949A (ja) 1986-02-14 1986-02-14 表面状態測定装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62188949A true JPS62188949A (ja) 1987-08-18

Family

ID=12301751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61030362A Pending JPS62188949A (ja) 1986-02-14 1986-02-14 表面状態測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62188949A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02186248A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Canon Inc 表面状態検査装置
US4999511A (en) * 1989-03-15 1991-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Surface state inspecting device for inspecting the state of parallel first and second surfaces
JP2016118519A (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 レーザーテック株式会社 検査装置、及び検査方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02186248A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Canon Inc 表面状態検査装置
US4999511A (en) * 1989-03-15 1991-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Surface state inspecting device for inspecting the state of parallel first and second surfaces
JP2016118519A (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 レーザーテック株式会社 検査装置、及び検査方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4669875A (en) Foreign particle detecting method and apparatus
JP3259331B2 (ja) 表面状態検査装置
JPS6333834A (ja) 表面状態検査装置
JP3101290B2 (ja) 表面状態検査装置、露光装置、及び表面状態検査方法
JPH075115A (ja) 表面状態検査装置
JPS62188949A (ja) 表面状態測定装置
JPH0256626B2 (ja)
EP0019941B1 (en) Reduction projection aligner system
JPH0511257B2 (ja)
JPS62274248A (ja) 表面状態測定装置
CN105807571A (zh) 一种光刻机用调焦调平系统及其调焦调平方法
JPH0462457A (ja) 表面状態検査装置
JPS62274247A (ja) 表面状態測定装置
JPH0621877B2 (ja) 表面状態測定装置
JPH046898B2 (ja)
JPH02186248A (ja) 表面状態検査装置
JPH0247541A (ja) 表面状態測定装置
JP2565274B2 (ja) 高さ測定装置
JP3158538B2 (ja) 基板表面の光学的検査装置及び方法
JP2903842B2 (ja) 間隔検出方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH0621876B2 (ja) 表面状態測定装置
JPH0227811B2 (ja)
JP2692965B2 (ja) 位置検出装置
JPH04145311A (ja) 高さ測定装置
JPS62188944A (ja) 表面状態測定装置