JPS6332948A - ウエ−ハ・ステ−ジ - Google Patents

ウエ−ハ・ステ−ジ

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Publication number
JPS6332948A
JPS6332948A JP61176066A JP17606686A JPS6332948A JP S6332948 A JPS6332948 A JP S6332948A JP 61176066 A JP61176066 A JP 61176066A JP 17606686 A JP17606686 A JP 17606686A JP S6332948 A JPS6332948 A JP S6332948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
speed
magnetic force
wafer stage
positioning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61176066A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0558663B2 (ja
Inventor
Junichi Naganami
純一 長南
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NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
Priority to JP61176066A priority Critical patent/JPS6332948A/ja
Publication of JPS6332948A publication Critical patent/JPS6332948A/ja
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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造のフォトリソグラフィ工程で使用
されるステップ・アンド・リピート式露光装置及び露光
中に、ステージが完全停止する必要のある露光vi、t
に使用される、位置決め用ウェーハ・ステージに関する
ものである。
〔従来の技術〕
従来のステップ・アンド・リピート式等の露光装置のウ
ェーハ・ステージは、ステージ摺動面に、V形及びフラ
ット形のニードルベアリング等を用い、ステージ駆動に
、送りネジを使用し、電気的な、サーボ制御回路によっ
て、モータを駆動し、ステージ位置決めを行なっている
。また、ウェーハ・ステージの移動速度の高速化に伴な
い、ステージの軽量化が進められている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
位置決め用ウェーハ・ステージは、ウェーハ処理枚数向
上の為に、ステージ速度の高速化がなされ、それに伴い
ステージの軽量化が進められている。
その反面、ステージ重量が軽くなりすぎると、極低速に
おけるミクロン単位の位置決めにおいて、駆動モーター
の回転慣性力による、ステージハンチング等によシ、目
標座標への追い込み時間が長くなったり、停止後のステ
ージのふらつき等によシ、位置決め精度が低下する。
さらに、ステージ駆動に送りネジを使用してい為、ネジ
のかみ合い部に必らずバックラッシユが発生する。この
パラクララシー量は、使用中に増加する傾向があり、適
正バラクララシー量を越えると、ステージ位置の移動信
号出力以上にステージがオーバーランしたり、逆に移動
量が少なすぎたシして、ステージが目標位置に対して、
行きすぎ、戻シすぎという、ハンチング現象を起こす。
従って位置決め時間が長くなったシ、位置合わせが不能
という状態が生じる。
また、位置決めと1!元のシーケンスにおいて、露光直
前で、ある任意の時間でしか、位置決めを確認しない方
式の場合バックラッシュによシ、ステージが露光動作中
に動いたシ、動いたステージをサーボ制御回路により、
目標位置に合わせ込もうとする際に、ステージがふらつ
くことで、位置合わせ精度が低下する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によればウェーハ・ステージの移動部とベース部
の各々の内部に電磁石等の磁力を生じさせる物体を内蔵
し、ステージの速度に応じて、磁力を調整し、見かけ上
のステージ重量を可変することにより、ステージ位置決
め精度の向上及び目標座標への追い込み時間の短縮が可
能となる。さらに、位置決め完了後にステージの動きを
磁力により、固定することにより、バックラッシュ及び
サーボ制御の追い込みによる位置決め後のステージのふ
らつきを無くすることが出来る。
〔実施例〕
次に略図を参照して本発明の詳細な説明する。
従来の一般的なウェーハ・ステージの構造は、第3図に
示す様に、ニードル・ベアリング2を介して、送夛ネジ
5で駆動される。
これに対し本発明では、第1図、第2図に示す様に、ス
テージの移動部3とベース部1の各々に磁力を発生する
物体8,9を内蔵しているのが特徴である。すなわちス
テージ送シ速度に対応して、磁力を可変(吸着方向及び
反発方向)することより見かけ上、ステージ重量が変化
したことに相当する。
従って、高速移動時は浮力を与えることで、摺動抵抗を
大幅に減少することとともに、極低速又は低速時は吸引
させることで、ステージを重くすることが可能となる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、磁力によりステージ重量を見かけ上、
可変することが可能となシ、高速かつ、高n度の位置決
め用ウェーハステージに要求される条件を満足する。
さらに、位置決め後に、ある一定時間、ステージを磁力
で固定出来る為、送シネジのバックラッシュ及びバキュ
ーム吸着によるウェーハ・ステージのふらつきと固定時
のズレを皆無に出来る。また、送りネジ駆動用モータの
回転慣性力によるステージのハンチングも皆無に出来る
。また、浮力を働かすことによ)、摺動抵抗が大幅に減
少され、より高速度でPJA勤することが可能になる。
以上により、ウェーハ・ステージの高速化・高精度化に
大きな効果が有る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の高性能ウェーハ・ステージの構造例で
第2図はその正面図、第3図は従来のウェーハ・ステー
ジである。 1・・・・・・ステージ・ベース、2・・・・・・ニー
ドル嗜ベアリング、3・・・・・・移動ステージ、4・
・・、・・雌ネジ、5・・・・・・送りネジ(雄ネジ)
、6・・・・・・フレキシグル・ジヨイント、7・・・
・・・モーター、8・・・・・・移動ステージ1141
jal力発生体、9・・・・・・ステージ・ベース側磁
力発生体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ステージに磁力発生体を内蔵させ、ステージ速度の変化
    に応じて、ステージ間の磁力を可変あるいは極性反転す
    ることを特徴とするウェーハ・ステージ。
JP61176066A 1986-07-25 1986-07-25 ウエ−ハ・ステ−ジ Granted JPS6332948A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61176066A JPS6332948A (ja) 1986-07-25 1986-07-25 ウエ−ハ・ステ−ジ

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JP61176066A JPS6332948A (ja) 1986-07-25 1986-07-25 ウエ−ハ・ステ−ジ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6332948A true JPS6332948A (ja) 1988-02-12
JPH0558663B2 JPH0558663B2 (ja) 1993-08-27

Family

ID=16007118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61176066A Granted JPS6332948A (ja) 1986-07-25 1986-07-25 ウエ−ハ・ステ−ジ

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JP (1) JPS6332948A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11130251A (ja) * 1997-10-24 1999-05-18 Sharp Corp 基板搬送装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11130251A (ja) * 1997-10-24 1999-05-18 Sharp Corp 基板搬送装置

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Publication number Publication date
JPH0558663B2 (ja) 1993-08-27

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