JPS6331794A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光ディスク等に用いられる光学的情報記録媒
体に関するもので、特に近赤外領域の波長の光に対し高
い吸収を示す記録層を具える光学的情報記録媒体に関す
るものである。

（従来の技術） 光学的情報記録媒体（以下、記録媒体と略称することも
ある。）とは例えば半導体レーザ等の光源を用いて情報
を記録再生するもののことで、光ディスク等に用いられ
良く知られており、高密度の記録が出来ることさらに情
報の検索が極めて簡単なことから、情報化時代のファイ
リングシステムの一つとして期待されているものである
。

このような記録媒体はガラス或いは樹脂等の基板上側に
情報を記録再生するため記録層を具えているものである
。この記録層に求められる特性としては記録を行わせる
光線の波長に対して大きな吸収を示すことが挙げられる
。又、この光線を得るための光源としては小型でかつ実
用的な半導体レーザが好適である。

近年、この半導体レーザの発展は目覚ましいものがあり
、これを応用して各種の記録装置等が開発されている。

光ディスクもその開発製品の一つと云えるが、このよう
な記録装置には、比較的高出力のものが人手し易い、発
振波長が８３０ｎｍ付近の半導体レーザが用いられてい
る。従って、上述した記録媒体の記録層を、８３Ｏｎｍ
付近の波長において薄い膜厚でより大きな吸収を示す材
料を以って構成することが望ましい。このような材料と
してはフタロシアニン化合物が注目されており、例えば
特開昭５９−１１２９２号公報にはチタニウムフタロシ
アニンを記録層の材料として構成した記録媒体が開示さ
れている。

又、記録媒体の記録層として考えた場合、この記録層に
ヘキサデカフルオロフタロシアニン銅やヘキサデカフル
オロフタロシアニン亜鉛等のようなフタロシアニン化合
物のへキサデカフルオロ置換体の薄膜を用いると有効で
あることが特開昭５８−５６８９２号公報に開示されて
いる。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、ヘキサデカフルオロフタロシアー　ニン
亜鉛を記録層として構成された記録媒体であっても従来
のものは上述したような８３０ｎｍ付近の波長で発振す
る半導体レーザからの出力光に対しては有効な吸収を示
さないという問題点があった。具体的に説明すると、こ
の発明の発明者の実験によれば、記録層形成のための基
板加熱温度を室温程度としこの基板上に形成したヘキサ
デカフルオロフタロシアニンの蒸着膜を以って構成した
記録層の吸収スペクトルの最大吸収波長は６５２ｎｍで
あり、上述した８３０ｎｍの波長付近では有効な吸収を
示さなかった（詳細は後述する）。

従って、この発明の目的は、上述した問題点を解決し、
ヘキサデカフルオロフタロシアニンを含む層を記録層と
した光学的情報記録媒体であっても、８３Ｏｎｍ付近の
波長において有効な吸収を示すような記録媒体を提供す
ることにある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明によれば、基板上
側に記録層を具える光学的情報記録媒体において、前述
の記録層をヘキサデカフルオロフタロシアニン亜鉛を含
みかつ加熱処理された層とすることを特徴とする。

又、この発明の実施に当り、前述の加熱処理を前述の記
録層の吸収スペクトルの最大吸収波長が８００ｎｍ以上
となるように行うのが好適である。

尚、記録層の層厚は、光源として用いる半導体レーザの
出力光の大小、又、記録媒体に要求される記録感度、コ
ントラスト等により変更されるものであるが、一般には
約１００〜約５ｏｏｏｏ人好ましくは約３００〜約５０
００人程度のものが良い。

又、基板の材料としてはガラス又はポリカーボネート、
ポリメタクリル酸メチル若しくはポリ塩化ビニル等の樹
脂のように従来から用いられているものを使用すること
が出来る。

又、必要に応じ記録層の上に保護層或いは反射層を設け
ても良い。

（作用） このような構成によれば、後述する実験結果からも明ら
かなようにヘキサデカフルオロフタロシアニン亜鉛を含
み加熱処理された層を記録層として有する記録媒体の吸
収スペクトルの最大吸収波長は、熱処理を行わなかった
場合のものの最大吸収波長より長波長な値を示すことが
分る。さらに、その値は適切な熱処理を行うことによっ
て８００ｎｍ以上の値を示す。

従って、この発明の光学的情報記録媒体は８３０ｎｍ付
近の波長の光に対しても記録媒体としての機能が得られ
るような吸収を示す。

又、フッ素置換のされた物質は分子間力が弱いため、例
えば従来よりも弱い出力の半導体レーザで記録媒体の所
望とする部分を除去できるものと思われる。

（実施例） 以下、この発明の光学的情報記録媒体についての一実施
例について説明する。

しかしながら、以下に述べるこの発明の実施例はこの発
明の範囲内の好ましい数値的条件、配置条件及び使用装
置条件で説明しであるが、これらは単なる例示にすぎず
、この発明はこれらの条件にのみ限定されるものでない
こと明らかである。

尚、この発明の光学的情報記録媒体は基板上側にヘキサ
デカフルオロフタロシアニン亜鉛を含む記録層を具えた
ものであるが、以下の実施例を、記録層をヘキサデカフ
ルオロフタロシアニン亜鉛の蒸着膜を以って構成した例
で説明する。

匿紋胴」 先ず、トリクレン蒸気で洗浄を行ったガラス基板（例え
ば、コーニング社製７０５９）を用意し、このガラス基
板を真空蒸着装置の蒸発源から例えば１８ｃｍ１［ｌれ
た、装置内の所定位置に設置した。又、真空蒸着装置に
備わるアルミするつぼ中に１７．６ｍｇの量のへキサデ
カフルオロフタロシアニン亜鉛を入れ、真空度を４Ｘ１
０−６Ｔｏｒｒとし、るつぼ温度を４３０〜４８０℃の
温度とし、基板加熱温度を室温として、抵抗加熱蒸着法
によってガラス基板上にヘキサデカフルオロフタロシア
ニン亜鉛の蒸着膜を形成した。このようにして形成した
蒸着膜の膜厚は５００人であった。

次に、日立（株）製自記式分光光度計Ｕ−３４００を用
い、このヘキサデカフルオロフタロシアニン亜鉛蒸着膜
の可視吸収スペクトルを測定したところ、最大吸収波長
（え３．Ｘ）が６５２ｎｍであフた。この測定結果の詳
細を縦軸に透過率（％）をとり横軸に波長（ｎｍ）をと
り第２図に示した。

犬直■ユ 比較例１で作製され吸収ベクトルの測定を終了した試料
に対しオーブンを用い大気雰囲気中で１５０℃の温度で
１２時間の条件の熱処理を行った。その後、この試料の
蒸着膜の可視吸収スペクトルを比較例１と同様にして測
定したところ、最大吸収波長が８１５ｎｍであった。こ
の測定結果の詳細を縦軸に透過率（％）をとり横軸に波
長（ｎｍ）をとり第１図に示した。

上述した比較例１及び実施例１の実験結果を比較するこ
とで理解出来るように、この場合、蒸着膜形成後に行っ
た１５０℃、１２時間の加熱処理によって、ヘキサデカ
フルオロフタロシアニン亜鉛の配向性が変化するものと
思われ、吸収スペクトルの最大吸収波長が８００ｎｍ以
上にシフトすることが明らかとなった。

尚、加熱処理を同様なオーブンを用い８０℃の温度で２
時間の条件で行った場合では吸収スペクトルの長波長側
へのシフトは観測されなかった。

嵐紋ｆｌｕ 比較例１と同様な条件で記録媒体を形成した後、この記
録媒体の反射スペクトルを測定した。

この測定結果の詳細を縦軸に透過率（％）をとり横軸に
波長（ｎｍ）をとり第３図に示した。

火五更ユ 比較例２で作製され吸収スペクトルの測定を終了した試
料に対し実施例１と同様な条件で熱処理を行った。その
後、この試料の蒸着膜の反射スペクトルを比較例２と同
様にして測定した。この測定結果の詳細を縦軸に透過率
（％）をとり横軸に波長（ｎｍ）をとり第４図に示した
。

上述した実施例２及び比較例２の実験結果を比較するこ
とで理解出来るように、加熱処理を施す前は波長７０５
ｎｍにあったピークが加熱処理によって波長８３０ｎｍ
にシフトすることが分かった。

側考舅 フタロシアニン環がフッ素置換されていないフタロシア
ニン亜鉛（関東化学製）の蒸着膜をガラス基板上に比較
例１と同様な条件で形成して参考例の記録媒体を得た。

その後、この蒸着膜の可視吸収スペクトルを比較例１と
同様にして測定したところ顕著なピークが二つ観測され
た。この測定結果の詳細を縦軸に透過率（％）をとり横
軸に波長（ｎｍ）をとり第５図に示した。第一のピーク
は波長が６２４ｎｍ、透過率が３３％のものであり、第
二のピークは波長が７０８ｎｍ、透過率４４％のもので
あった。

次に、この参考例の記録媒体に対し実施例１と同様な条
件で熱処理を行った。その後、この試料の蒸着膜の可視
吸収スペクトルを比較例１と同様にして測定したところ
加熱処理する前とほぼ同様な波長付近に顕著なピークが
それぞれ観測された。この測定結果の詳細を縦軸に透過
率（％）をとり横軸に波長（ｎｍ）をとり第６図に示し
た。

第一のピークは波長が６２２ｎｍ、透過率が３４％のも
のであり、第二のピークは波長が７１１ｎｍ、透過率４
５％のものであった。

この参考例の実験結果から理解出来るように、フタロシ
アニン環がフッ素置換されていないフタロシアニン亜鉛
の蒸着膜の場合では、加熱処理の航後でスペクトルは実
質的にはなんら変化しないことが明らかとなった。

このように、加熱処理によって記録層の吸収波長が長波
長側ヘシフトする現象はへキサデカフルオロフタロシア
ニン亜鉛固有の特性と考えられる。このため、上述した
実施例で説明したような、記録層をヘキサデカフルオロ
フタロシアニン亜鉛蒸着膜を以って構成し、かつ、この
蒸着膜が加熱処理されているものであると、この記録層
を具える記録媒体は記録感度に優れかつ発振波長が８３
０ｎｍ付近の半導体レーザに用いて好適なものとなる。

尚、この実施例の説明を、記録層をヘキサデカフルオロ
フタロシアニン亜鉛の蒸着膜を以って構成した例で行っ
たが、この発明はこの実施例のみに限定されるものでは
ない。

この発明に係る記録層を他の好適な方法例えば、電子ビ
ーム蒸着法、スパッタリング法、スピナー法等によって
形成した場合であっても、これによって得たヘキサデカ
フルオロフタロシアニン亜鉛を含む層に加熱処理を行っ
て成る記録媒体は実施例と同様な効果を期待することが
出来る。

又、この発明において、ヘキサデカフルオロフタロシア
ニン亜鉛を含む層の吸収スペクトルの最大吸収波長を長
波長側にシフトさせるような加熱処理条件は上述した実
施例の方法及び温度にのみ限定されるものではないこと
明らかである。

例えば、熱処理を、蒸着終了後で真空蒸着装置の真空破
壊を行う前にこの蒸着膜に対し装置内部に設けたヒータ
ーによって行っても良いし、蒸着中に基板を加熱するこ
とによって行っても良い。

又、熱処理温度については、用いる装置等に従って適切
な値に変更できること明らかである。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の光学的
情報記録媒体は、その記録層をヘキサデカフルオロフタ
ロシアニン亜鉛を含みかつ加熱処理された層としである
。このような構成とすることによって、ヘキサデカフル
オロフタロシアニン亜鉛を含む層からなる記録層であっ
ても、従来得ることが出来なかった波長８３０ｎｍ付近
に実用的な吸収を示す記録媒体となり、これがため、所
望とする光学的情報記録媒体を提供することが出来る。

又、加熱処理は特に高価な装置を必要とせずに行うこと
が出来るので、製造する立場から見た場合もこの発明の
工業的価値は大きなものと云える。

【図面の簡単な説明】

第１図は第２図の特性を示したヘキサデカフルオロフタ
ロシアニン亜鉛蒸着膜に対して加熱処理を施した後の蒸
着膜（実施例１）の可視吸収スペクトルを示す特性曲線
図、 第２図は加熱処理のされていないヘキサデカフルオロフ
タロシアニン亜鉛蒸着＠（比較例りの可視吸収スペクト
ルを示す特性曲線図、第３図は加熱処理のされていない
ヘキサデカフルオロフタロシアニン亜鉛蒸着膜（比較例
２）の反射スペクトルを示す特性曲線図、 第４図は第３図の特性を示したヘキサデカフルオロフタ
ロシアニン亜鉛蒸着膜に対して加熱処理を施した後の蒸
着膜（実施例２）の反射スペクトルを示す特性曲線図、 第５図は加熱処理のされていないフタロシアニン亜鉛蒸
着膜（参考例）の可視吸収スペクトルを示す特性曲線図
、 第６図は第５図の特性を示したフタロシアニン亜鉛蒸着
膜に対して加熱処理を施した後の蒸着膜（参考例）の可
視吸収スペクトルを示す特性曲線図である。 特許出願人　　　沖電気工業株式会社 流　表　（ｎｍ） 寅方巨イテ’Ｉ／の言Ｚｇｔｒ某イ峯の可イ見ロ乱収又
ベクトル１示１７１１曲碌図第１図 濠　＆　（ｎ！ｎ＞ 丘ヒ較例／１７）’Ｒｇ粂ダ茎イネの町キ！０皮η又又
ペフトル１示１１今４１鮨（緊図第２図 預憾碑　ま 手続ネ甫正１１ 昭和６２年５月６日

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上側に記録層を具える光学的情報記録媒体に
   おいて、 前記記録層をヘキサデカフルオロフタロシアニン亜鉛を
   含みかつ加熱処理された層とすることを特徴とする光学
   的情報記録媒体。
2. （２）前記加熱処理を前記記録層の吸収スペクトルの最
   大吸収波長が８００ｎｍ以上となるように行って成るこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報
   記録媒体。