JPS6331386Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6331386Y2 JPS6331386Y2 JP2117982U JP2117982U JPS6331386Y2 JP S6331386 Y2 JPS6331386 Y2 JP S6331386Y2 JP 2117982 U JP2117982 U JP 2117982U JP 2117982 U JP2117982 U JP 2117982U JP S6331386 Y2 JPS6331386 Y2 JP S6331386Y2
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- Japan
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- dielectric layer
- film
- aluminum
- lead wire
- film capacitor
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本考案はフイルムコンデンサに関し、その目的
とするところは、信頼性の高い小型高性能のフイ
ルムコンデンサを提供することにある。 電子部品の小型化に伴い、コンデンサもフイル
ムの薄膜化、金属蒸着技術により大幅に小さくな
つてきたが、フイルムコンデンサの市場では、よ
り小さく安価な高容量、高耐圧のものが望まれて
いる。 第１図は従来のフイルムコンデンサの構成を示
したものであり、このコンデンサはアルミニウム
箔１に誘電体層２を塗布し、更にこの上にアルミ
ニウムを蒸着したものを短冊状にスリツトし、こ
れをあらかじめ半田を付けた２本のリード線４，
４′の間にはさみ、加熱接着したものである。こ
の従来のフイルムコンデンサにおいては、リード
線４，４′を加熱接着する際、誘電体層２にクリ
ープが生じるため、高温放置、高温電圧負荷時に
絶縁抵抗が低下する欠点があつた。 本考案はこのような従来の欠点を除去したもの
で、その特徴とするところは、半田付け部の誘電
体層の層厚を他の部分よりも厚くすることにあ
り、本考案によれば、コンデンサ自体を大きくす
ることなく、リード線半田付け時や高温雰囲気放
置時のクリープによる絶縁抵抗の劣化を防止する
ことが可能となる。 以下、図面を参照して本考案のフイルムコンデ
ンサについて詳細に説明する。なお図中、第１図
と同一機能を有する部分には同一番号を付す。 本考案においては、第２図に示すようにアルミ
ニウム箔１に誘電体層５をリード線４の半田付け
部だけ厚くなるように塗布し、この上に電極のア
ルミニウム３を均一に蒸着したものに、リード線
４を半田付けすることにより、大きさをほとんど
変化させることなく耐圧を高くするとともに、半
田付け時に誘電体層に生じるクリープの影響を防
止し、高温時における絶縁抵抗の安定化を図るこ
とができる。また、本考案においては、第３図に
示すようにアルミニウム蒸着膜６もリード線半田
付け部に相当する部分だけ厚くすることにより、
吸湿時の電食による影響を少なくし、半田付け部
の安定を図ることができる。 以下に本考案の実施例を示す。 （実施例 １） 誘電体層を2μ塗布したアルミニウム箔に、リ
ード線半田付け部の幅１cmだけ誘電体のポリフエ
ニレンオキシドを厚く塗布したものにアルミニウ
ムを均一に蒸着した。これを10cm×0.5cmの大き
さに切り出し、リード線を半田付けした後、外装
を施してフイルムコンデンサを完成した。次に、
このフイルムコンデンサを20個用意し、寿命試験
を行なつた。 第１表には、得られたフイルムコンデンサの85
℃、DC37.5V電圧負荷時における絶縁抵抗の変
化を示す。また、第２表には125℃、DC37.5V電
圧負荷時における絶縁抵抗の変化を示し、第３表
には125℃、DC70V電圧負荷時における絶縁抵抗
の変化を示す。なお、第１，２，３表の各参考例
は、誘電体層を2μ均一に形成し、更にこの上に
アルミニウム蒸着膜も全体に均一に形成したもの
である。 上記各表から明らかのように、本考案のフイル
ムコンデンサは、1000時間経過した後も絶縁抵抗
が変化なく、優れた特性を示している。
とするところは、信頼性の高い小型高性能のフイ
ルムコンデンサを提供することにある。 電子部品の小型化に伴い、コンデンサもフイル
ムの薄膜化、金属蒸着技術により大幅に小さくな
つてきたが、フイルムコンデンサの市場では、よ
り小さく安価な高容量、高耐圧のものが望まれて
いる。 第１図は従来のフイルムコンデンサの構成を示
したものであり、このコンデンサはアルミニウム
箔１に誘電体層２を塗布し、更にこの上にアルミ
ニウムを蒸着したものを短冊状にスリツトし、こ
れをあらかじめ半田を付けた２本のリード線４，
４′の間にはさみ、加熱接着したものである。こ
の従来のフイルムコンデンサにおいては、リード
線４，４′を加熱接着する際、誘電体層２にクリ
ープが生じるため、高温放置、高温電圧負荷時に
絶縁抵抗が低下する欠点があつた。 本考案はこのような従来の欠点を除去したもの
で、その特徴とするところは、半田付け部の誘電
体層の層厚を他の部分よりも厚くすることにあ
り、本考案によれば、コンデンサ自体を大きくす
ることなく、リード線半田付け時や高温雰囲気放
置時のクリープによる絶縁抵抗の劣化を防止する
ことが可能となる。 以下、図面を参照して本考案のフイルムコンデ
ンサについて詳細に説明する。なお図中、第１図
と同一機能を有する部分には同一番号を付す。 本考案においては、第２図に示すようにアルミ
ニウム箔１に誘電体層５をリード線４の半田付け
部だけ厚くなるように塗布し、この上に電極のア
ルミニウム３を均一に蒸着したものに、リード線
４を半田付けすることにより、大きさをほとんど
変化させることなく耐圧を高くするとともに、半
田付け時に誘電体層に生じるクリープの影響を防
止し、高温時における絶縁抵抗の安定化を図るこ
とができる。また、本考案においては、第３図に
示すようにアルミニウム蒸着膜６もリード線半田
付け部に相当する部分だけ厚くすることにより、
吸湿時の電食による影響を少なくし、半田付け部
の安定を図ることができる。 以下に本考案の実施例を示す。 （実施例 １） 誘電体層を2μ塗布したアルミニウム箔に、リ
ード線半田付け部の幅１cmだけ誘電体のポリフエ
ニレンオキシドを厚く塗布したものにアルミニウ
ムを均一に蒸着した。これを10cm×0.5cmの大き
さに切り出し、リード線を半田付けした後、外装
を施してフイルムコンデンサを完成した。次に、
このフイルムコンデンサを20個用意し、寿命試験
を行なつた。 第１表には、得られたフイルムコンデンサの85
℃、DC37.5V電圧負荷時における絶縁抵抗の変
化を示す。また、第２表には125℃、DC37.5V電
圧負荷時における絶縁抵抗の変化を示し、第３表
には125℃、DC70V電圧負荷時における絶縁抵抗
の変化を示す。なお、第１，２，３表の各参考例
は、誘電体層を2μ均一に形成し、更にこの上に
アルミニウム蒸着膜も全体に均一に形成したもの
である。 上記各表から明らかのように、本考案のフイル
ムコンデンサは、1000時間経過した後も絶縁抵抗
が変化なく、優れた特性を示している。
【表】
【表】
【表】
（実施例 ２）
実施例１と同様の誘電体層、アルミニウム蒸着
膜を設けたアルミニウム箔で、誘電体層を厚くし
た幅１cmだけにアルミニウムを再蒸着してこの部
分の蒸着膜を厚くしたものを用意し、これを10cm
×0.5cmの大きさに切り出し、リード線を半田付
けした後、外装を施してフイルムコンデンサを完
成した。このフイルムコンデンサを20個用意し、
40℃95％湿度中のDC37.5V、60℃95％湿度中の
DC50V負荷の寿命試験を行なつた。1000時間後
の結果を第４表に示す。なお、参考例は誘電体層
円2μ厚に均一に形成し、更にこの上にアルミニ
ウム蒸着膜を均に形成したものである。 第４表から明らかなように、本考案のフイルム
コンデンサは1000時間が経過した後も容量ぬけが
なく、優れた特性を示している。
膜を設けたアルミニウム箔で、誘電体層を厚くし
た幅１cmだけにアルミニウムを再蒸着してこの部
分の蒸着膜を厚くしたものを用意し、これを10cm
×0.5cmの大きさに切り出し、リード線を半田付
けした後、外装を施してフイルムコンデンサを完
成した。このフイルムコンデンサを20個用意し、
40℃95％湿度中のDC37.5V、60℃95％湿度中の
DC50V負荷の寿命試験を行なつた。1000時間後
の結果を第４表に示す。なお、参考例は誘電体層
円2μ厚に均一に形成し、更にこの上にアルミニ
ウム蒸着膜を均に形成したものである。 第４表から明らかなように、本考案のフイルム
コンデンサは1000時間が経過した後も容量ぬけが
なく、優れた特性を示している。
【表】
以上の説明から明らかなように、本考案は誘電
体層をリード線半田付け部だけ他の部分よりも厚
くしたものであり、本考案によれば、形状を大き
くすることなく、耐熱性、耐湿性に優れたフイル
ムコンデンサが得られるため、その実用上の価値
は多大である。
体層をリード線半田付け部だけ他の部分よりも厚
くしたものであり、本考案によれば、形状を大き
くすることなく、耐熱性、耐湿性に優れたフイル
ムコンデンサが得られるため、その実用上の価値
は多大である。
第１図はフイルムコンデンサの従来例を示す斜
視図、第２図および第３図は本考案の各実施例を
示すフイルムコンデンサの斜視図である。 １……アルミニウム箔、２，５……誘電体層、
３，６……アルミニウム蒸着膜、４，４′……リ
ード線。
視図、第２図および第３図は本考案の各実施例を
示すフイルムコンデンサの斜視図である。 １……アルミニウム箔、２，５……誘電体層、
３，６……アルミニウム蒸着膜、４，４′……リ
ード線。
Claims (1)
- アルミニウム箔上に誘電体層およびアルミニウ
ム蒸着膜をこの順序に形成し、前記アルミニウム
箔およびアルミニウム蒸着膜にリード線を半田付
けすると共に、前記誘電体層におけるリード線の
半田付け部の層厚を他の部分よりも厚くしたこと
を特徴とするフイルムコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117982U JPS58124937U (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | フイルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117982U JPS58124937U (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | フイルムコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124937U JPS58124937U (ja) | 1983-08-25 |
| JPS6331386Y2 true JPS6331386Y2 (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=30033310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117982U Granted JPS58124937U (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | フイルムコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124937U (ja) |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP2117982U patent/JPS58124937U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58124937U (ja) | 1983-08-25 |
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