JPS63311776A - 光信号検出装置 - Google Patents
光信号検出装置Info
- Publication number
- JPS63311776A JPS63311776A JP62147642A JP14764287A JPS63311776A JP S63311776 A JPS63311776 A JP S63311776A JP 62147642 A JP62147642 A JP 62147642A JP 14764287 A JP14764287 A JP 14764287A JP S63311776 A JPS63311776 A JP S63311776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- package
- optical signal
- chip resistor
- series
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光信号を電気信号に変換する装置、特に同一
パッケージ内に受光用のフォトダイオードに直列にチッ
プ抵抗を配線させることによシ光信号を電圧信号として
取出すことが可能な光信号検出装置に関する。
パッケージ内に受光用のフォトダイオードに直列にチッ
プ抵抗を配線させることによシ光信号を電圧信号として
取出すことが可能な光信号検出装置に関する。
従来、この種の光信号検出装置は、受光用フォトダイオ
ードに入射された光信号を光電流信号として取出し、こ
の光電流信号を外付は抵抗や後段のｉ −ｖ変換回路を
用いて、電圧信号に変換していた。
ードに入射された光信号を光電流信号として取出し、こ
の光電流信号を外付は抵抗や後段のｉ −ｖ変換回路を
用いて、電圧信号に変換していた。
上述した従来の光信号検出装置は、単にパッケージにフ
ォトダイオードを入れただけで、光信号は光電流信号と
して取出し、これに外付抵抗等でｉ −ｖ変換を行ない
信号を検出【７ていた。パルス検出の場合、応答速度は
もち論フォトダイオードやパッケージの容量にもよるが
、外付部の容量は無視出来ず、本来の内部能力ではなく
、外付部の容量で検出能力は決まり、大きく能力が低下
する欠点がある。また、外部容量によるため、部品の位
置配線等によシ、その検出能力は大きく左右されてしま
うため、検出値の再現性に乏しい、という欠点がある。
ォトダイオードを入れただけで、光信号は光電流信号と
して取出し、これに外付抵抗等でｉ −ｖ変換を行ない
信号を検出【７ていた。パルス検出の場合、応答速度は
もち論フォトダイオードやパッケージの容量にもよるが
、外付部の容量は無視出来ず、本来の内部能力ではなく
、外付部の容量で検出能力は決まり、大きく能力が低下
する欠点がある。また、外部容量によるため、部品の位
置配線等によシ、その検出能力は大きく左右されてしま
うため、検出値の再現性に乏しい、という欠点がある。
上記問題点に対し本発明の光信号検出装置は、光信号を
入射させる入射窓を有するパッケージ内に、前記入射窓
を通して入射する光信号を受光するフォトダイオードと
これに直列接続のチップ抵抗とを配線基板上に取付けた
直列素子を封入し、さらに、前記フォトダイオードの両
端および前記チップ抵抗の直列接続点の反対側の端子を
それぞれ前記パッケージの外部に引出している。
入射させる入射窓を有するパッケージ内に、前記入射窓
を通して入射する光信号を受光するフォトダイオードと
これに直列接続のチップ抵抗とを配線基板上に取付けた
直列素子を封入し、さらに、前記フォトダイオードの両
端および前記チップ抵抗の直列接続点の反対側の端子を
それぞれ前記パッケージの外部に引出している。
つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。第１図にお
いて、パッケージ４は、その内部に配線基板１が絶縁で
固定されている。また、配線基板１上に取付けられたフ
ォトダイオード２の受光部に入射する光信号の通る入射
窓５を有する。さらに、フォトダイオード２は、同じく
基板１上取付けられているチップ抵抗３と基板配線によ
シ直列に接続されている。
いて、パッケージ４は、その内部に配線基板１が絶縁で
固定されている。また、配線基板１上に取付けられたフ
ォトダイオード２の受光部に入射する光信号の通る入射
窓５を有する。さらに、フォトダイオード２は、同じく
基板１上取付けられているチップ抵抗３と基板配線によ
シ直列に接続されている。
しかして、第２図の動作説明の等価回路図にも示されて
いるように、バイアス電源７の接続されるフォトダイオ
ードとチップ抵抗の直列素子の両端端子および直列接続
点は、パッケージ４の外部端子６ａ、６ｂ、６ｃに引出
し配線されている。したがって、第２図のように、バイ
アス電源７から端子５ａ 、５ｂを通じてフォトダイオ
ード２に逆方向電圧が印加され、パッケージ４０入射窓
５を通して入射しフォトダイオード２の受光部に入射し
た光信号は光電流となシ、同じパッケージ内の直列チッ
プ抵抗３によ多信号電圧に変換され、パッケージの外部
端子６ｃ、６ｂ間に検出される。この電圧は、５Ｖのバ
イアス電源で、５０Ωのチップ抵抗を用いた場合、光入
射１ｍＷ時に約７ｍＶｐ−ｐになる。
いるように、バイアス電源７の接続されるフォトダイオ
ードとチップ抵抗の直列素子の両端端子および直列接続
点は、パッケージ４の外部端子６ａ、６ｂ、６ｃに引出
し配線されている。したがって、第２図のように、バイ
アス電源７から端子５ａ 、５ｂを通じてフォトダイオ
ード２に逆方向電圧が印加され、パッケージ４０入射窓
５を通して入射しフォトダイオード２の受光部に入射し
た光信号は光電流となシ、同じパッケージ内の直列チッ
プ抵抗３によ多信号電圧に変換され、パッケージの外部
端子６ｃ、６ｂ間に検出される。この電圧は、５Ｖのバ
イアス電源で、５０Ωのチップ抵抗を用いた場合、光入
射１ｍＷ時に約７ｍＶｐ−ｐになる。
第３図は本発明の実施例２の断面図である。パッケージ
８は、前段外周部にネジ部が作られていて、実装はこれ
によシ行なわれる。また、フォトダイオード２へのバイ
アス電源用と信号の取出し用に、バイアス電源用に端子
１０、信号の取出し用にコネクタ９が設けられている。
８は、前段外周部にネジ部が作られていて、実装はこれ
によシ行なわれる。また、フォトダイオード２へのバイ
アス電源用と信号の取出し用に、バイアス電源用に端子
１０、信号の取出し用にコネクタ９が設けられている。
この実施例では、直接信号を外部ケーブルに取出すこと
が出来、外部回路が不用になり、検出能力が安定化する
利点がある。
が出来、外部回路が不用になり、検出能力が安定化する
利点がある。
以上説明したように本発明の光信号検出装置では、フォ
トダイオードとこれに直列にチップ抵抗を同一パッケー
ジ中に取付ることによシ、外部回路の影響を低減出来、
光パルス検出能力を向上出来る効果がある。
トダイオードとこれに直列にチップ抵抗を同一パッケー
ジ中に取付ることによシ、外部回路の影響を低減出来、
光パルス検出能力を向上出来る効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図の
実施例の動作を説明するための等価回路図、第３図は本
発明の実施例２の断面図である。 １・・・・・・配線基板、２・・・・・・フォトダイオ
ード、３・・・・・・チップ抵抗、４，８・・・・・・
パッケージ、５・・・・・・光信号入射窓、６ａ 、
６ｂ 、 ６ｃ・・・・・・パッケージ外部端子、７・
・・・・・バイアス電源、９・・・・・・接続コネクタ
、１０・・・・・・バイアス＠原端子。 、＄Ｅ１ 回 等２回 第 ３ 回
実施例の動作を説明するための等価回路図、第３図は本
発明の実施例２の断面図である。 １・・・・・・配線基板、２・・・・・・フォトダイオ
ード、３・・・・・・チップ抵抗、４，８・・・・・・
パッケージ、５・・・・・・光信号入射窓、６ａ 、
６ｂ 、 ６ｃ・・・・・・パッケージ外部端子、７・
・・・・・バイアス電源、９・・・・・・接続コネクタ
、１０・・・・・・バイアス＠原端子。 、＄Ｅ１ 回 等２回 第 ３ 回
Claims (1)
- フォトダイオードとチップ抵抗が直列接続で配線基板に
取付けられてなる直列素子が、前記フォトダイオードの
受光部に入射する入射光線の通る入射窓を有するパッケ
ージ内に封じられ、さらに前記直列素子の両端および直
列接続点が、前記パッケージの外部端子またはコネクタ
などへ引出されていることを特徴とする光信号検出装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62147642A JPS63311776A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 光信号検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62147642A JPS63311776A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 光信号検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63311776A true JPS63311776A (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=15434952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62147642A Pending JPS63311776A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 光信号検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63311776A (ja) |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP62147642A patent/JPS63311776A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5115124A (en) | Semiconductor photosensor having unitary construction | |
| US20010013573A1 (en) | Photosensor-amplifier device | |
| EP0975025A4 (en) | DEVICE WITH INTEGRATED PHOTOELECTRIC CONVERSION CIRCUIT | |
| JPS63311776A (ja) | 光信号検出装置 | |
| JPS63187669A (ja) | 光電気集積回路 | |
| JPH09321597A (ja) | 反射型フォトセンサ | |
| JPS63124458A (ja) | 受光素子 | |
| JPH02137275A (ja) | ホトカプラ | |
| CN110649012A (zh) | 系统级封装结构和电子设备 | |
| JPH06104460A (ja) | 光検出装置 | |
| JPH051791Y2 (ja) | ||
| JP3177287B2 (ja) | 受光モジュ−ル | |
| JP3696094B2 (ja) | 受光モジュ−ル | |
| JPS6192840U (ja) | ||
| JPS60177685A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS636883A (ja) | 小型化ホトカプラ | |
| JPS62202566A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH0730132A (ja) | 受光モジュールの構造 | |
| JPH04120774A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0396055U (ja) | ||
| JPH0528827Y2 (ja) | ||
| JPH0651000Y2 (ja) | モールド型ホトダイオード | |
| JPH09181339A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH02156742A (ja) | 受光装置 | |
| JP2002250656A (ja) | 照度センサモジュール |