JPS62202566A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPS62202566A JPS62202566A JP61044787A JP4478786A JPS62202566A JP S62202566 A JPS62202566 A JP S62202566A JP 61044787 A JP61044787 A JP 61044787A JP 4478786 A JP4478786 A JP 4478786A JP S62202566 A JPS62202566 A JP S62202566A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving sensor
- photo detection
- logarithmic
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体受光装置に係り、特に複数個の受光セン
サを有する半導体受光装置に関する。
サを有する半導体受光装置に関する。
［従来技術］
光学的信号を電気的信号として取り出す半導体受光装置
は受光センサと信号−処理回路とからなるが、大別して
次に示す二つの構成が取られている。
は受光センサと信号−処理回路とからなるが、大別して
次に示す二つの構成が取られている。
すなわち、比較的面積の大きい弔−の受光センサ部と信
号処理回路部とを同一半導体基板上に形成する構成と、
分割された複数個の受光センサ部を一つ又は複数の半導
体ノ＾板上に形成し、各受光センサ部に対応する信号処
理回路部を他の半導体基板上に形成し、各基板をワイヤ
ポンディング等で接続する構成である。
号処理回路部とを同一半導体基板上に形成する構成と、
分割された複数個の受光センサ部を一つ又は複数の半導
体ノ＾板上に形成し、各受光センサ部に対応する信号処
理回路部を他の半導体基板上に形成し、各基板をワイヤ
ポンディング等で接続する構成である。
［発ＩＩＩが解決しようとする問題点］しかしながら、
＃者の構成は受光センナ部の検出面の異なる位置に入る
光学的信号が平均化されて検出されるので、検出面の異
なる位置に同時に照射される異なる２つの光学的信号を
同時に検出することが困難であり、検出面の一部分に光
学的信号が入った場合にも外光の影響を受けやすい問題
点がある。また後者の構成は、半導体基板の数が増える
ので実装面積が増え、さらにポンディング部分から信号
電流が漏洩し、感度の低下が生じる問題点があった。
＃者の構成は受光センナ部の検出面の異なる位置に入る
光学的信号が平均化されて検出されるので、検出面の異
なる位置に同時に照射される異なる２つの光学的信号を
同時に検出することが困難であり、検出面の一部分に光
学的信号が入った場合にも外光の影響を受けやすい問題
点がある。また後者の構成は、半導体基板の数が増える
ので実装面積が増え、さらにポンディング部分から信号
電流が漏洩し、感度の低下が生じる問題点があった。
［ＩＦ１題点を解決するための手段］
上記の問題点は、光学的信号を電気的信号に変換する複
数個の受光センナと、各受光センサごとに前記電気的信
号の信号処理をする信号処理回路とを設け、それらを同
一半導体基板上に形成したことを特徴とする本発明の半
導体受光装置によって解決される。ここで、複数の受光
センサとは一つの受光センサ部を複数個に分割して形成
した複数の受光センサ領域又は複数の受光センサ部をい
うものとする。
数個の受光センナと、各受光センサごとに前記電気的信
号の信号処理をする信号処理回路とを設け、それらを同
一半導体基板上に形成したことを特徴とする本発明の半
導体受光装置によって解決される。ここで、複数の受光
センサとは一つの受光センサ部を複数個に分割して形成
した複数の受光センサ領域又は複数の受光センサ部をい
うものとする。
［作用］
本発明は一つの受光センサ部を複数個に分割又は複数個
の受光センサ部を分離して配置したことにより、各受光
センサ領域又は受光センサ部で光学的信号を検出し、高
感度な検出特性を可能なものとし、且つ受光センサ部と
その信号処理回路部とを同一半導体基板りに形成したこ
とにより、実装密度を向トさせるものである。
の受光センサ部を分離して配置したことにより、各受光
センサ領域又は受光センサ部で光学的信号を検出し、高
感度な検出特性を可能なものとし、且つ受光センサ部と
その信号処理回路部とを同一半導体基板りに形成したこ
とにより、実装密度を向トさせるものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の半導体受光装置の第１実施例の配置図
である。
である。
第２図は上記実施例の信号処理回路部のブロック図であ
る。
る。
第１図において、ｌは半導体基板であり、２は半導体基
板に設けられた受光センサ部で、例えばフォトダイオー
ド、フォトトランジスタである。
板に設けられた受光センサ部で、例えばフォトダイオー
ド、フォトトランジスタである。
受光センサ部２は５つの受光センサ領域３〜７からなる
。これらの受光センサ領域３〜７は、第２図に示すよう
に、オプアンプ８１〜８５とログダイオード９１〜９５
とからなるログアンプ１４＋〜１４５にｊｌｉｂｌ、さ
れる。第２図において、光の照射によって受光センサ領
域３〜７に発生した光起電流はログダイオード９１〜９
５によって電流−電圧変換される。ログアンプ１４＋〜
１４５の出力はマルチプレクサｌＯに接続され。
。これらの受光センサ領域３〜７は、第２図に示すよう
に、オプアンプ８１〜８５とログダイオード９１〜９５
とからなるログアンプ１４＋〜１４５にｊｌｉｂｌ、さ
れる。第２図において、光の照射によって受光センサ領
域３〜７に発生した光起電流はログダイオード９１〜９
５によって電流−電圧変換される。ログアンプ１４＋〜
１４５の出力はマルチプレクサｌＯに接続され。
デコーダ１２からの信号に応じて、前記マルチプレクサ
１０はチャンネルを選択し、選択されたログアンプの出
力はバッファアンプ１１へ伝えられる。１３はログダイ
オードの暗電流補償用のダイオード、１５は出力電圧レ
ベルを設定する基準電流源である。上記実施例において
は、受光センサ部は５つの受光センサ領域に分割される
ために、各受光センサ領域に入る光学的信号を個々に検
出することができ、且つ信号の検出精度を向上させるこ
とができる。
１０はチャンネルを選択し、選択されたログアンプの出
力はバッファアンプ１１へ伝えられる。１３はログダイ
オードの暗電流補償用のダイオード、１５は出力電圧レ
ベルを設定する基準電流源である。上記実施例において
は、受光センサ部は５つの受光センサ領域に分割される
ために、各受光センサ領域に入る光学的信号を個々に検
出することができ、且つ信号の検出精度を向上させるこ
とができる。
上記受光センサ領域の分割数、形状は任意に設定するこ
とが可能である。
とが可能である。
第３図は本発明の半導体受光装置の第２実施例の配置図
である。
である。
第４図は上記実施例の信号処理回路部のブロック図であ
る。
る。
第３図において、２０は半導体基板であり。
２１．２２は半導体基板に設けられた受光センサ部であ
り、半導体基板２０トの異なる領域に分離して配置され
る。第４図に示すように、受光センナ部２１．２２は、
電流−電圧変換用の抵抗２４１．２４２が接続されたオ
プアンプ２３１ 。
り、半導体基板２０トの異なる領域に分離して配置され
る。第４図に示すように、受光センナ部２１．２２は、
電流−電圧変換用の抵抗２４１．２４２が接続されたオ
プアンプ２３１ 。
２３２の入力端子に接続される。光の照射によって受光
センナ部２１．２２に発生した光起電流は抵抗２４１．
２４２によって電流−電圧変換される。オプアンプ２３
＋ 、２３２の出力は差動増幅用オプアンプ２５に接
続され、２つのオプアンプ２３１ ．２３２からの出力
電圧の差を増幅する。
センナ部２１．２２に発生した光起電流は抵抗２４１．
２４２によって電流−電圧変換される。オプアンプ２３
＋ 、２３２の出力は差動増幅用オプアンプ２５に接
続され、２つのオプアンプ２３１ ．２３２からの出力
電圧の差を増幅する。
を記実施例においては、受光センサ部は２つに分離して
配置され、異なる位への光学的信号を個々に検出するこ
とが可能である。２つの受光センサ部間に上記差動増幅
用オフアンプ２５等の信号処理回路を配置させ、実装密
度を向上させることができる。
配置され、異なる位への光学的信号を個々に検出するこ
とが可能である。２つの受光センサ部間に上記差動増幅
用オフアンプ２５等の信号処理回路を配置させ、実装密
度を向上させることができる。
上記受光センサ部の数、形状は任、αに設定することが
可能である。
可能である。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によれば、一つの受
光センサ部を複数個に分割又は複数個の受光センサ部を
分離して配置したことにより、各受光センサ領域又は受
光センサ部で光学的信号を検出し、高感度な検出特性を
得ることができ、且つ受光センサ部とこの受光センサ部
の信号処理回路部とを同一半導体基板上に形成したこと
により、実装密度を向上させ、小型で、製造コストの低
い、半導体受光装置を提供することができる。
光センサ部を複数個に分割又は複数個の受光センサ部を
分離して配置したことにより、各受光センサ領域又は受
光センサ部で光学的信号を検出し、高感度な検出特性を
得ることができ、且つ受光センサ部とこの受光センサ部
の信号処理回路部とを同一半導体基板上に形成したこと
により、実装密度を向上させ、小型で、製造コストの低
い、半導体受光装置を提供することができる。
第１図は本発明の半導体受光装置の第１実施例の配置図
である。 第２図は第１実施例の信号処理回路部のブロック図であ
る。 第３図は本発明の半導体受光装置の第２実施例の配置図
である。 第４図は第２実施例の信号処理回路部のブロック図であ
る。 ｌ、２０・・・・・半導体基板 ３Ｎ７．１１．１１．受光センサ領域 ２１．２２・・・・・受光センサ部 ９Ｉ〜９５ ・・・会・ログダイオード８１〜８５ 。 ２３、．２３． ・・・・番オブアンプ２４１．２４
７ ―拳・・・抵抗 １４１〜１４５ ・・・・・ログアンプ代理人 弁
理士 山 下 穣 子 弟３図
である。 第２図は第１実施例の信号処理回路部のブロック図であ
る。 第３図は本発明の半導体受光装置の第２実施例の配置図
である。 第４図は第２実施例の信号処理回路部のブロック図であ
る。 ｌ、２０・・・・・半導体基板 ３Ｎ７．１１．１１．受光センサ領域 ２１．２２・・・・・受光センサ部 ９Ｉ〜９５ ・・・会・ログダイオード８１〜８５ 。 ２３、．２３． ・・・・番オブアンプ２４１．２４
７ ―拳・・・抵抗 １４１〜１４５ ・・・・・ログアンプ代理人 弁
理士 山 下 穣 子 弟３図
Claims (1)
- 光学的信号を電気的信号に変換する複数個の受光センサ
と、各受光センサごとに前記電気的信号の信号処理をす
る信号処理回路とを設け、それらを同一半導体基板上に
形成したことを特徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044787A JPS62202566A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体受光装置 |
| DE19873706252 DE3706252A1 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-26 | Halbleiterfotosensor |
| US07/666,458 US5115124A (en) | 1986-02-08 | 1991-03-05 | Semiconductor photosensor having unitary construction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044787A JPS62202566A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202566A true JPS62202566A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12701118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61044787A Pending JPS62202566A (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-28 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202566A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446722U (ja) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | ||
| WO2001015348A1 (fr) * | 1999-08-25 | 2001-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Recepteur optique, support et agencement |
| JP2004273680A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 出力選択機能を有する受光増幅装置および光ディスク再生装置 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61044787A patent/JPS62202566A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446722U (ja) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | ||
| JPH0520991Y2 (ja) * | 1987-09-17 | 1993-05-31 | ||
| WO2001015348A1 (fr) * | 1999-08-25 | 2001-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Recepteur optique, support et agencement |
| US6858830B2 (en) | 1999-08-25 | 2005-02-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical receiver apparatus and holding apparatus and arranging method thereof |
| JP2004273680A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 出力選択機能を有する受光増幅装置および光ディスク再生装置 |
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