JPH0549053B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0549053B2 JPH0549053B2 JP61044788A JP4478886A JPH0549053B2 JP H0549053 B2 JPH0549053 B2 JP H0549053B2 JP 61044788 A JP61044788 A JP 61044788A JP 4478886 A JP4478886 A JP 4478886A JP H0549053 B2 JPH0549053 B2 JP H0549053B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multiplexer
- light receiving
- log
- decoder
- receiving sensor
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は測光装置に係り、特に受光センサとし
て半導体受光素子を用いる測光装置に関する。
て半導体受光素子を用いる測光装置に関する。
［従来技術］
従来の測光装置は、受光用センサとして、出力
が大きく増幅器等を設ける必要がない、製造コス
トが低い等の点から光導電性素子を用いることが
多い。すなわち、光の照射によつて光導電性素子
の導電率が変化し、その変化を電流あるいは電圧
に変換し、信号処理を行つて測光を行うものであ
る。
が大きく増幅器等を設ける必要がない、製造コス
トが低い等の点から光導電性素子を用いることが
多い。すなわち、光の照射によつて光導電性素子
の導電率が変化し、その変化を電流あるいは電圧
に変換し、信号処理を行つて測光を行うものであ
る。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、光導電性素子は感度が悪く、低
照度領域では、0.1〜１（1ux）が測定限界である。
また受光センサ部が比較的大きい面積を必要とす
る為に、微小スポツト例えば数百μｍ程度のスポ
ツト領域の照度を測定することは、感度あるいは
SN比が低下してしまうことから測光が困難であ
る。
照度領域では、0.1〜１（1ux）が測定限界である。
また受光センサ部が比較的大きい面積を必要とす
る為に、微小スポツト例えば数百μｍ程度のスポ
ツト領域の照度を測定することは、感度あるいは
SN比が低下してしまうことから測光が困難であ
る。
［問題点を解決するための手段］
上記の問題点は、光電変換を行なう受光センサ
部が入力端子に接続されたログアンプの複数と、
該複数のログアンプの出力端子に接続されたマル
チプレクサと、該マルチプレクサを制御するデコ
ーダと、が同一半導体基板に一体的に形成されて
いることを特徴とする本発明の測光装置により解
決される。
部が入力端子に接続されたログアンプの複数と、
該複数のログアンプの出力端子に接続されたマル
チプレクサと、該マルチプレクサを制御するデコ
ーダと、が同一半導体基板に一体的に形成されて
いることを特徴とする本発明の測光装置により解
決される。
［作用］
本発明は受光センサとして半導体受光素子を用
い、且つ受光センサ部と信号処理回路部とを同一
半導体基板に形成したことにより、低照度領域の
光が検出可能となり、又受光センサ部を微小な面
積に形成することが可能となるので、微小領域に
照射される光学的信号も検出可能となる。
い、且つ受光センサ部と信号処理回路部とを同一
半導体基板に形成したことにより、低照度領域の
光が検出可能となり、又受光センサ部を微小な面
積に形成することが可能となるので、微小領域に
照射される光学的信号も検出可能となる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を用いて受詳細に
説明する。
説明する。
本発明の測光装置の実施例として照度計につい
て説明する。
て説明する。
第１図は第１例の照度計の受光部の配置図であ
る。
る。
第２図は第１例の照度計の駆動回路のブロツク
図である。
図である。
第１図において、１は半導体基板、２は半導体
基板１に設けられた受光用センサ部をなす半導体
受光素子で、ここではフオトダイオードである。
４はログダイオード、３はオプアンプである。ロ
グダイオード４はオプアンプ３の反転入力端子及
び出力に接続され、ログアンプ１６を構成する。
フオトダイオード２はオプアンプ３の入力端子に
接続される。
基板１に設けられた受光用センサ部をなす半導体
受光素子で、ここではフオトダイオードである。
４はログダイオード、３はオプアンプである。ロ
グダイオード４はオプアンプ３の反転入力端子及
び出力に接続され、ログアンプ１６を構成する。
フオトダイオード２はオプアンプ３の入力端子に
接続される。
第２図に示すように、フオトダイオード２への
光の照射によつて発生した光起電流はログダイオ
ード４により、電流−電圧変換されてログアンプ
１６から出力される。出力レベルは基準電圧源１
０によつて設定される。この時、フオトダイオー
ドと処理回路が同一半導体基板上に形成されてい
るので、光の照射によつて発生した光起電流は漏
洩することなく、すべてログダイオード４に流れ
込む。従つて感度は向上し、0.0001（1ux）程度ま
で容易に測定できる。また受光センサ部は大きな
面積を必要とせず、数百μｍ角程度で十分であ
る。ログアンプ１６からの出力は、Ａ／Ｄ変換器
５によりデジタル出力に変換され、CPU６で演
算され、デコーダ７に出力される。デコーダ７の
出力はドライバー８と接続され、ドライバー８に
よつて駆動される表示素子９によつて入射光量が
表示される。
光の照射によつて発生した光起電流はログダイオ
ード４により、電流−電圧変換されてログアンプ
１６から出力される。出力レベルは基準電圧源１
０によつて設定される。この時、フオトダイオー
ドと処理回路が同一半導体基板上に形成されてい
るので、光の照射によつて発生した光起電流は漏
洩することなく、すべてログダイオード４に流れ
込む。従つて感度は向上し、0.0001（1ux）程度ま
で容易に測定できる。また受光センサ部は大きな
面積を必要とせず、数百μｍ角程度で十分であ
る。ログアンプ１６からの出力は、Ａ／Ｄ変換器
５によりデジタル出力に変換され、CPU６で演
算され、デコーダ７に出力される。デコーダ７の
出力はドライバー８と接続され、ドライバー８に
よつて駆動される表示素子９によつて入射光量が
表示される。
第３図は第２例の照度形の受光部の配置図であ
る。
る。
第４図は第２例の照度計の駆動回路のブロツク
図である。
図である。
なお、本第２例は上記第１例の受光センサ部を
２つ設けた場合の例であり、第１図、第２図と同
一部材については同一符号を付して説明を省略す
る。
２つ設けた場合の例であり、第１図、第２図と同
一部材については同一符号を付して説明を省略す
る。
第３図において、フオトダイオード１１，１２
が半導体基板１に並設して設けられる。１３はマ
ルチプレクサ、１４はデコーダである。
が半導体基板１に並設して設けられる。１３はマ
ルチプレクサ、１４はデコーダである。
第４図に示すように、フオトダイオード１１，
１２への光の照射によつて発生した光起電流はロ
グダイオード４1，４2及びオプアンプ３1，３2か
らなるログアンプ１６1，１６2を通して、マルチ
プレクサ１３に出力される。マルチプレクサ１３
は、デコーダ１４から送られるチヤンネル選択信
号により制御され、必要とするチヤンネルが選択
される。チヤンネル選択信号は、CPU６からデ
コーダ１４から送られる制御信号によつて制御さ
れる。その他の動作については、前述した第１例
と同じであるので説明を省略する。なお受光セン
サの数は任意に設定することができ、また受光セ
ンサの形状も自由に選択することができる。
１２への光の照射によつて発生した光起電流はロ
グダイオード４1，４2及びオプアンプ３1，３2か
らなるログアンプ１６1，１６2を通して、マルチ
プレクサ１３に出力される。マルチプレクサ１３
は、デコーダ１４から送られるチヤンネル選択信
号により制御され、必要とするチヤンネルが選択
される。チヤンネル選択信号は、CPU６からデ
コーダ１４から送られる制御信号によつて制御さ
れる。その他の動作については、前述した第１例
と同じであるので説明を省略する。なお受光セン
サの数は任意に設定することができ、また受光セ
ンサの形状も自由に選択することができる。
本例の照度計は、２点の照度測定を行うことが
可能な照度計の例であるが、半導体基板に増えた
フオトダイオード、信号処理回路を形成すること
ができるので、照度計をコンパクトに設計するこ
とができる。本例の照度計はカメラ等の評価測光
計等に応用することができる。
可能な照度計の例であるが、半導体基板に増えた
フオトダイオード、信号処理回路を形成すること
ができるので、照度計をコンパクトに設計するこ
とができる。本例の照度計はカメラ等の評価測光
計等に応用することができる。
次に第１図に示した受光部の他の利用例につい
て説明する。
て説明する。
第５図は露出計の駆動回路の一例のブロツク図
である。
である。
基本構成はほぼ第２図に示した照度計の駆動回
路と同じなので、異同部分についてのみ説明を行
う。
路と同じなので、異同部分についてのみ説明を行
う。
第５図において、Ａ／Ｄ変換器５によりデジタ
ル出力に変換された信号は、CPU６に入力され
る。一方入力装置１５からEV値等の情報の電圧
信号がCPU６に入力され、この電圧信号と入射
光量に対応する前記Ａ／Ｄ変換器５から出力され
た信号とを比較し、その差信号をデコーダ７に出
力する。
ル出力に変換された信号は、CPU６に入力され
る。一方入力装置１５からEV値等の情報の電圧
信号がCPU６に入力され、この電圧信号と入射
光量に対応する前記Ａ／Ｄ変換器５から出力され
た信号とを比較し、その差信号をデコーダ７に出
力する。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明の測光装置
によれば、受光センサとして半導体受光素子を用
い、且つ受光センサ部と信号処理回路部とを同一
半導体基体に形成したことにより、低照度領域の
光が検出可能となり、又受光センサ部を微小な面
積に形成することが可能となるので、微小領域に
照射される光学的信号も検出可能となる。また受
光センサ部を複数個設ける場合にも、半導体基板
に、増えたフオトダイオード、信号処理回路を形
成することができるので、測光装置をコンパクト
に設計することができる。
によれば、受光センサとして半導体受光素子を用
い、且つ受光センサ部と信号処理回路部とを同一
半導体基体に形成したことにより、低照度領域の
光が検出可能となり、又受光センサ部を微小な面
積に形成することが可能となるので、微小領域に
照射される光学的信号も検出可能となる。また受
光センサ部を複数個設ける場合にも、半導体基板
に、増えたフオトダイオード、信号処理回路を形
成することができるので、測光装置をコンパクト
に設計することができる。
第１図は第１例の照度計の受光部の配置図であ
る。第２図は第１例の照度計の駆動回路のブロツ
ク図である。第３図は第２例の照度計の受光部の
配置図である。第４図は第２例の照度計の駆動回
路のブロツク図である。第５図は露出計の駆動回
路の一例のブロツク図である。 １……半導体基板、２，１１，１２……フオト
ダイオード、３，３1，３2……オプアンプ、４，
４1，４2……ログダイオード、５……Ａ／Ｄ変換
器、６……CPU、７……デコーダ、８……ドラ
イバー、９……表示素子、１０……基準電圧源。
る。第２図は第１例の照度計の駆動回路のブロツ
ク図である。第３図は第２例の照度計の受光部の
配置図である。第４図は第２例の照度計の駆動回
路のブロツク図である。第５図は露出計の駆動回
路の一例のブロツク図である。 １……半導体基板、２，１１，１２……フオト
ダイオード、３，３1，３2……オプアンプ、４，
４1，４2……ログダイオード、５……Ａ／Ｄ変換
器、６……CPU、７……デコーダ、８……ドラ
イバー、９……表示素子、１０……基準電圧源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光電変換を行なう受光センサ部が入力端子に
接続されたログアンプの複数と、該複数のログア
ンプの出力端子に接続されたマルチプレクサと、
該マルチプレクサを制御するデコーダと、が同一
半導体基板に一体的に形成されていることを特徴
とする測光装置。 ２ 光電変換を行なう受光センサ部が入力端子に
接続されたログアンプの複数と、該複数のログア
ンプの出力端子に接続されたマルチプレクサと、
該マルチプレクサを制御するデコーダと、 該マルチプレクサにより選択された前記ログア
ンプの出力をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器と該
Ａ／Ｄ変換器からのデジタル出力を演算する
CPUとを有する駆動回路と、を具備し、 前記受光センサ部と前記ログアンプと前記マル
チプレクサと前記デコーダとが同一半導体基板に
一体的に設けられていることを特徴とする測光装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044788A JPS62201326A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 測光装置 |
| DE19873706252 DE3706252A1 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-26 | Halbleiterfotosensor |
| US07/666,458 US5115124A (en) | 1986-02-08 | 1991-03-05 | Semiconductor photosensor having unitary construction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044788A JPS62201326A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 測光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62201326A JPS62201326A (ja) | 1987-09-05 |
| JPH0549053B2 true JPH0549053B2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=12701144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61044788A Granted JPS62201326A (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-28 | 測光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62201326A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273680A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 出力選択機能を有する受光増幅装置および光ディスク再生装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570724A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-28 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Photometry unit having a number of photo detectors |
| JPS5735369A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5846071A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-17 | Nippon Tokushu Noyaku Seizo Kk | 置換フエニルスルホニルウレア誘導体、その中間体、それらの製法、及び除草剤 |
| JPS6235234B2 (ja) * | 1981-09-17 | 1987-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235234U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-02 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61044788A patent/JPS62201326A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570724A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-28 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Photometry unit having a number of photo detectors |
| JPS5735369A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5846071A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-17 | Nippon Tokushu Noyaku Seizo Kk | 置換フエニルスルホニルウレア誘導体、その中間体、それらの製法、及び除草剤 |
| JPS6235234B2 (ja) * | 1981-09-17 | 1987-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62201326A (ja) | 1987-09-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |