JPS62201326A - 測光装置 - Google Patents
測光装置Info
- Publication number
- JPS62201326A JPS62201326A JP61044788A JP4478886A JPS62201326A JP S62201326 A JPS62201326 A JP S62201326A JP 61044788 A JP61044788 A JP 61044788A JP 4478886 A JP4478886 A JP 4478886A JP S62201326 A JPS62201326 A JP S62201326A
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- light
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- light receiving
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は側光装置に係り、特に受光センサとして゛ト導
体受光素子を用いる測光装置に関する。
体受光素子を用いる測光装置に関する。
［従来技術］
従来の測光装置は、受光用センサとして、出力が大きく
増幅器等を設ける必要がない、製造コストが低い等の点
から光導電性素子を用いることが多い。すなわち、光の
照射によって光導電性素子の導電率が変化し、その変化
を電流あるいは−し圧に変換し、信号処理を行って１ｕ
ｌｌ光を行うものである。
増幅器等を設ける必要がない、製造コストが低い等の点
から光導電性素子を用いることが多い。すなわち、光の
照射によって光導電性素子の導電率が変化し、その変化
を電流あるいは−し圧に変換し、信号処理を行って１ｕ
ｌｌ光を行うものである。
［発明が解決しようとする問題点１
しかしながら、光導電性素子は感度が悪く、低照度領域
では、０．１〜１（ｌｕｘ）が測定限界である。また受
光センサ部が比較的大きい面積を必要とする為に、微小
スポット例えば数百ｐｍ程度のスポット領域の照度を測
定することは、感度あるいはＳＮ比が低下してしまうこ
とから測光が困難である。
では、０．１〜１（ｌｕｘ）が測定限界である。また受
光センサ部が比較的大きい面積を必要とする為に、微小
スポット例えば数百ｐｍ程度のスポット領域の照度を測
定することは、感度あるいはＳＮ比が低下してしまうこ
とから測光が困難である。
［問題点を解決するための手段］
Ｌ記の問題点は、光学的信号を電気的信号に変換する受
光センナ部と、該受光センサ部に対応して前記電気重信
ｔＪ−の信号処理をする信号処理回路部とを設け、それ
らを同一゛ト導体基板に形成したことを特徴とする本発
明の測光装置によって解決される。
光センナ部と、該受光センサ部に対応して前記電気重信
ｔＪ−の信号処理をする信号処理回路部とを設け、それ
らを同一゛ト導体基板に形成したことを特徴とする本発
明の測光装置によって解決される。
［作用］
本発明は受光センナとして゛ｈ導体受光素了−を用い、
１［つ受光センサ部と信シ）処理回路部とを同一半導体
基板に形成したことにより、低照度領域の光が検出ＩＩ
）能となり、又受光センサ部を微小な面積に形成するこ
とが可能となるので、微小領域に照射される光学的信号
も検出ＩＩｆ能となる。
１［つ受光センサ部と信シ）処理回路部とを同一半導体
基板に形成したことにより、低照度領域の光が検出ＩＩ
）能となり、又受光センサ部を微小な面積に形成するこ
とが可能となるので、微小領域に照射される光学的信号
も検出ＩＩｆ能となる。
［実施例］
以Ｆ、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
本発明の測光装置の実施例として照度計について説明す
る。
る。
第１．１では第１例の照度計の受光部の配を図である。
第２図は第１例の照度計の駆動回路のブロック図である
。
。
第１図において、ｌは半導体基板、２は゛ト導体ノ、（
板１に設けられた受光用センサ部をなす半導体受光素子
で、ここではフォトダイオードである。
板１に設けられた受光用センサ部をなす半導体受光素子
で、ここではフォトダイオードである。
４はログダイオード、３はオプアンプである。ログダイ
オード４はオプアンプ３の反転入力端子及び出力に接続
され、ログアンプ１６を構成する。
オード４はオプアンプ３の反転入力端子及び出力に接続
され、ログアンプ１６を構成する。
フォトダイオード２はオブアンプ３の入力端子に接続さ
れる。
れる。
第２図に示すように、フォトタイオード２への光の照射
によって発生した光起電流はログダイオード４により、
電流−゛重圧変換されてログアンプ１６から出力される
。出力レベルは基準電圧源１０によって設定される。こ
の時、フォトダイオードと処理回路が同一半導体基板上
に形成されているので、光の照射によって発生した光起
電流は漏洩することなく、すべてログダイオード４に流
れ込む。従って感度は向りし、ｏ、ｏｏｏｉ （ｌｕｘ
）程度までは容易に測定できる。また受光センサ部は大
きな面積を必要とせず、数百ルｍ角程度で十分である。
によって発生した光起電流はログダイオード４により、
電流−゛重圧変換されてログアンプ１６から出力される
。出力レベルは基準電圧源１０によって設定される。こ
の時、フォトダイオードと処理回路が同一半導体基板上
に形成されているので、光の照射によって発生した光起
電流は漏洩することなく、すべてログダイオード４に流
れ込む。従って感度は向りし、ｏ、ｏｏｏｉ （ｌｕｘ
）程度までは容易に測定できる。また受光センサ部は大
きな面積を必要とせず、数百ルｍ角程度で十分である。
ログアンプ１６かもの出力は、Ａ／Ｄ変換器５によりデ
ジタル出力に変換され、ＣＰＵ６で演算され、デコーダ
７に出力される。デコーダ７の出力はドライバー８と接
続され、ドライバー８によって駆動される表示素子９に
よって入射光呈が表示される。
ジタル出力に変換され、ＣＰＵ６で演算され、デコーダ
７に出力される。デコーダ７の出力はドライバー８と接
続され、ドライバー８によって駆動される表示素子９に
よって入射光呈が表示される。
第３図は第２例の照度計の受光部の配置図である。
第４図は第２例の照度計の駆動回路のブロック図である
。
。
なお、本第２例は上記第１例の受光センサ部を２つ設け
た場合の例であり、第１図、第２図と同一・部材につい
ては同一符号を付して説明を省略する。
た場合の例であり、第１図、第２図と同一・部材につい
ては同一符号を付して説明を省略する。
第３図において、フォトダイオード１１゜１２が半導体
基板１に並設して設けられる。
基板１に並設して設けられる。
１３はマルチプレクサ、１４はデコーダである。
第４図に示すように、フォトダイオード１１゜１２への
光の照射によって発生した光起電流はログダイオード４
１．４２及びオブアンブ３１ 。
光の照射によって発生した光起電流はログダイオード４
１．４２及びオブアンブ３１ 。
３２からなるログアンプ１６１，１６２を通して、マル
チプレクサ１３に出力される。マルチプレクサ１３は、
デコーダ１４がら送られるチャンネル選択信号により制
御され、必要とするチャンネルが選択される。チャンネ
ル選択信号は。
チプレクサ１３に出力される。マルチプレクサ１３は、
デコーダ１４がら送られるチャンネル選択信号により制
御され、必要とするチャンネルが選択される。チャンネ
ル選択信号は。
ＣＰＵ６からデコーダ１４がら送られる制御信号によっ
て制御される。その他の動作については、前述した第１
例と同じであるので説明を省略する。なお受光センサの
数は任意に設定することができ、また受光センサの形状
も自由に選択することができる。
て制御される。その他の動作については、前述した第１
例と同じであるので説明を省略する。なお受光センサの
数は任意に設定することができ、また受光センサの形状
も自由に選択することができる。
本例の照度計は、２点の照度測定を行うことがｎｆ能な
照度計の例であるが、半導体基板に増えたフォトダイオ
ード、信号処理回路を形成することができるので、照度
計をコンパクトに設計することができる０本例の照度計
はカメラ等の評価測光１：１等に応用することができる
。
照度計の例であるが、半導体基板に増えたフォトダイオ
ード、信号処理回路を形成することができるので、照度
計をコンパクトに設計することができる０本例の照度計
はカメラ等の評価測光１：１等に応用することができる
。
次に第１図に示した受光部の他の利用例について説明す
る。
る。
第５図は露出計の駆動回路の一例のブロック図である。
ノ１（本構成はほぼ第２図に示した照度計の駆動回路と
同じなので、異同部分についてのみ説明を行う。
同じなので、異同部分についてのみ説明を行う。
第５図において、Ａ／Ｄ変換器５によりデジタル出力に
変換された信号は、ＣＰＵ６に人力される。一方入力装
置１５からＥＶ値等の情報の電圧上１；がＣＰＵ６に人
力され、この電圧信号と入射光景１１゛に対応する前記
Ａ／Ｄ変換器５かも出力された信号とを比較し、その差
信りをデコーダ７に出力する。
変換された信号は、ＣＰＵ６に人力される。一方入力装
置１５からＥＶ値等の情報の電圧上１；がＣＰＵ６に人
力され、この電圧信号と入射光景１１゛に対応する前記
Ａ／Ｄ変換器５かも出力された信号とを比較し、その差
信りをデコーダ７に出力する。
「発１月の効果］
以り詳細に説明したように、本発明の測光装置によれば
、受光センサとして半導体受光素子を用い、■つ受光セ
ンサ部と信号処理回路部とを同一半導体）、’；板に形
成したことにより、低照度領域の光が検出回旋となり、
又受光センサ部を微小な面晴に形成することがｉ’ｊＴ
（ｂとなるので、微小領域に照射される光学的信号も
検出可能となる。また受光センサ部を複数個設ける場合
にも、半導体基板に、増えたフォトダイオード、信号処
理回路を形成することができるので、測光装置をコンパ
クトに設計することができる。
、受光センサとして半導体受光素子を用い、■つ受光セ
ンサ部と信号処理回路部とを同一半導体）、’；板に形
成したことにより、低照度領域の光が検出回旋となり、
又受光センサ部を微小な面晴に形成することがｉ’ｊＴ
（ｂとなるので、微小領域に照射される光学的信号も
検出可能となる。また受光センサ部を複数個設ける場合
にも、半導体基板に、増えたフォトダイオード、信号処
理回路を形成することができるので、測光装置をコンパ
クトに設計することができる。
第１図は第１例の照度計の受光部の配置図である。
第２図は第１例の照度計の駆動回路のブロック図である
。 第３図は第２例の照度計の受光部の配置２１図である。 第４図は第２例の照度計の駆動回路のブロフク図である
。 第５図は露出計の駆動回路の一例のブロック図である。 ｌ・・・・・・半導体）＾板 ２．１１．１２壷・・フォトダイオード３．３＋、３２
・・φオプアンプ ４．４１．４２ 参〇・ログダイオード５・・・・・
・Ａ／Ｄ変換器 ６−−−−−−ＣＰＵ ７・・・・・・デコーダ ８・書・拳・拳ドライバー ９・・・・・・表示素子
。 第３図は第２例の照度計の受光部の配置２１図である。 第４図は第２例の照度計の駆動回路のブロフク図である
。 第５図は露出計の駆動回路の一例のブロック図である。 ｌ・・・・・・半導体）＾板 ２．１１．１２壷・・フォトダイオード３．３＋、３２
・・φオプアンプ ４．４１．４２ 参〇・ログダイオード５・・・・・
・Ａ／Ｄ変換器 ６−−−−−−ＣＰＵ ７・・・・・・デコーダ ８・書・拳・拳ドライバー ９・・・・・・表示素子
Claims (1)
- 光学的信号を電気的信号に変換する受光センサ部と、該
受光センサ部に対応して前記電気的信号の信号処理をす
る信号処理回路部とを設け、それらを同一半導体基板に
形成したことを特徴とする測光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044788A JPS62201326A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 測光装置 |
| DE19873706252 DE3706252A1 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-26 | Halbleiterfotosensor |
| US07/666,458 US5115124A (en) | 1986-02-08 | 1991-03-05 | Semiconductor photosensor having unitary construction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044788A JPS62201326A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 測光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62201326A true JPS62201326A (ja) | 1987-09-05 |
| JPH0549053B2 JPH0549053B2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=12701144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61044788A Granted JPS62201326A (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-28 | 測光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62201326A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273680A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 出力選択機能を有する受光増幅装置および光ディスク再生装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570724A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-28 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Photometry unit having a number of photo detectors |
| JPS5735369A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5846071A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-17 | Nippon Tokushu Noyaku Seizo Kk | 置換フエニルスルホニルウレア誘導体、その中間体、それらの製法、及び除草剤 |
| JPS6235234U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-02 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848391A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | 松下電器産業株式会社 | 高周波加熱装置 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61044788A patent/JPS62201326A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570724A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-28 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Photometry unit having a number of photo detectors |
| JPS5735369A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5846071A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-17 | Nippon Tokushu Noyaku Seizo Kk | 置換フエニルスルホニルウレア誘導体、その中間体、それらの製法、及び除草剤 |
| JPS6235234U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-02 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273680A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 出力選択機能を有する受光増幅装置および光ディスク再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0549053B2 (ja) | 1993-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |