JP3279175B2 - 赤外線検出装置 - Google Patents

赤外線検出装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、人体等の赤外線を
放射する物体の移動方向や移動速度を検出する赤外線検
出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、赤外線を放射する人体等の物体の
移動方向や移動速度を検出しようとした場合、複数の赤
外線検出装置を用い、各赤外線検出装置の出力の変化に
基づいて検出するようにしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな赤外線による人体検出の方法では、複数の赤外線検
出装置が必要となり、構成部品の点数が多くなるため、
高価になるとともに、小型化が困難になるという問題が
あった。
【0004】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、構成部品が少なく、か
つ小型化ができ、人体等の物体の移動方向や移動速度の
検出を可能とした赤外線検出装置を提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
半導体基板上で互いに熱的に絶縁され1列に配置するよ
うに形成された4つの薄膜上に、同一温度で同一抵抗値
を有するサーミスタを各々形成することにより赤外線受
光素子を構成するとともに、赤外線集光レンズにより4
つの検知領域からの赤外線を対応するサーミスタ上に集
光するようにし、信号処理回路にてサーミスタの抵抗値
の変化を検出することにより各検知領域での物体の移動
方向や移動速度を検出するようにした赤外線検出装置で
あって、前記4つのサーミスタでブリッジ回路を形成
し、該ブリッジ回路の対角に位置するサーミスタを隣接
する薄膜上に形成するとともに、前記ブリッジ回路の中
間電位の差分を検出する差動増幅器を具備し、前記信号
処理回路では、前記差動増幅器の出力信号に基づき、各
検知領域での物体の移動方向や移動速度を検出するよう
にしたことを特徴とするものである。
【0006】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、前記検知領域を一定の方向に4分割し、前
記信号処理回路では、前記差動増幅器の出力信号の信号
波形に基づき、各検知領域での物体の移動方向や移動速
度を検出するようにしたことを特徴とするものである。
【0007】請求項3記載の発明は、請求項1又は請求
項2記載の発明において、前記4つの薄膜が1列に配置
されてなる薄膜列を2列配置するとともに、一定の方向
に4分割した検知領域を、さらに、前記一定の方向に対
して垂直方向に2分割し、2組の4分割の領域からなる
8つの領域とし、前記信号処理回路では、各4分割され
た検知領域に対応する前記差動増幅器の出力信号の信号
波形及び出力比に基づき、各検知領域での物体の移動方
向や移動速度を検出するようにしたことを特徴とするも
のである。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図1は、本発明の実施の形態
の一例に係る赤外線検出素子の概略構成を示す平面及び
X−Yにおける断面の模式図であり、図2は同上の赤外
線検出素子を用いた赤外線検出装置の概略構成を示す回
路図である。1a〜1dは赤外線により抵抗値が変化す
るサーミスタであり、各々同一温度で同一抵抗値を有す
るように設定されている。各サーミスタ1a〜1dは、
半導体基板2に形成された互いに熱的に絶縁された4つ
の薄膜2a〜2d上に形成され、赤外線検出素子1を構
成する。
【0009】ここで、薄膜2a〜2dは、半導体基板2
上に互いに熱的に絶縁され一定方向に1列に4つに分割
配置されるように形成される。サーミスタ1a〜1d
は、図2に示すようなブリッジ回路となるように配線3
により接続される。つまり、サーミスタ1a〜1dの
内、互いに隣接するもの同志であるサーミスタ1aとサ
ーミスタ1b及びサーミスタ1cとサーミス1dとがブ
リッジ回路の対角に位置するように接続される。なお、
4a〜4dは接続端子である。
【0010】Eは電源であり、接続端子4a、4d間に
電圧を印加するものである。5は差動増幅器であり、接
続端子4b、4c間の電圧差を検出して出力する。6は
信号処理回路であり、差動増幅器5から出力される差動
信号出力を取り込んで、抵抗値の変化のあったサーミス
タ1a〜1dを検出し、以下に示す如く物体の移動方向
や移動速度を求めるものである。
【0011】つまり、通常は、ブリッジ回路の抵抗値の
バランスはとれている。しかし、薄膜2a(サーミスタ
1a)または薄膜2b(サーミスタ1b)に赤外線が入
射すると、サーミスタ1aまたはサーミスタ1bの温度
が上がり、例えば、サーミスタとしてNTCサーミスタ
を使用した場合には、その抵抗値が下がる。このような
状態になると、ブリッジ回路のバランスが崩れ、差動増
幅器5の出力がマイナス電圧として出力される。また、
薄膜2a(サーミスタ1a)及び薄膜2b(サーミスタ
1b)に赤外線が入射すると、サーミスタ1a及びサー
ミスタ1bの温度が上がり、その抵抗値が下がる。この
ような状態になると、ブリッジ回路のバランスが崩れ、
差動増幅器5の出力が薄膜2a(サーミスタ1a)また
は薄膜2b(サーミスタ1b)の一方に赤外線が入射し
た場合の2倍のマイナス電圧として出力される。次に、
薄膜2c(サーミスタ1c)または薄膜2d(サーミス
タ1d)に赤外線が入射すると、サーミスタ1cまたは
サーミスタ1dの温度が上がり、例えば、サーミスタと
してNTCサーミスタを使用した場合には、その抵抗値
が下がる。このような状態になると、ブリッジ回路のバ
ランスが崩れ、差動増幅器5の出力がプラス電圧として
出力される。また、薄膜2c(サーミスタ1c)及び薄
膜2d(サーミスタ1d)に赤外線が入射すると、サー
ミスタ1c及びサーミスタ1dの温度が上がり、その抵
抗値が下がる。このような状態になると、ブリッジ回路
のバランスが崩れ、差動増幅器5の出力が薄膜2c(サ
ーミスタ1c)または薄膜2d(サーミスタ1d)の一
方に赤外線が入射した場合の2倍のプラス電圧として出
力される。
【0012】このように、半導体基板2上のどの薄膜2
a〜2dに赤外線が入射するかにより、差動増幅器5の
出力が変化するのである。
【0013】図3は赤外線検出素子1を構成する各サー
ミスタ1a〜1dと検知領域7a〜7dとの対応関係を
示す模式図である。検知領域7a〜7dは順に一列に並
び、隣合う検知領域が少し重なるように配置される。各
検知領域7a〜7d内に存在する人体等の物体から放射
される赤外線は、検知領域7a〜7dに対応して配置さ
れた赤外線集光レンズ8a〜8dにより、サーミスタ1
a〜1dに集光されるようになっている。例えば、検知
領域7a内に存在する人体から放射される赤外線は赤外
線集光レンズ8aによりサーミスタ1aに集光されるの
である。
【0014】次に、本実施形態の動作を説明する。今、
図4に示すように、本実施形態の赤外線検出装置10を
天井等に設置し、人体9が検知領域7aから検知領域7
dの方向に移動する場合を考える。赤外線集光レンズ8
a〜8dにより、半導体基板2上の薄膜2a〜2dに赤
外線が順次入射し、サーミスタ1a〜1dの温度が順次
上昇していき、その結果、差動増幅器5の信号強度出力
は信号波形S0のようになる。信号処理回路6では、信
号波形S0を取り込んで、信号波形S0の周期を読み取
ることにより、人体9が検知領域7a〜7d内を移動し
た時間が求まり、この移動時間から移動速度を求めるこ
とができる。また、人体9が検知領域7a〜7d内を逆
方向に移動した場合には、信号波形S0は反転したもの
となることにより、移動方向も求めることができるので
ある。
【0015】図5は本発明の他の実施形態に係る赤外線
検出素子の概略構成を示す平面及びX−Yにおける断面
を示す模式図である。本実施形態は、上述の実施形態の
赤外線検出素子を平行に2列配置し、赤外線検出素子1
1としたものである。つまり、赤外線検出素子11は、
半導体基板12上に薄膜列12a〜12d及び薄膜列1
2a〜12dとは平行に配列された薄膜列12e〜12
hが形成され、これらの各薄膜にサーミスタ11a〜1
1d及びサーミスタ11e〜11hが形成され、これら
が配線13により接続端子14a〜14fと接続されて
なるのである。電源(図示せず)は接続端子14b、1
4e間に印加し、接続端子14a、14f間の差動信号
及び接続端子14c、14d間の差動信号を検出するの
である。ここで、各サーミスタ11a〜11d及びサー
ミスタ11e〜11hに対応する検知領域を、4つの薄
膜列12a〜12d及び薄膜列12e〜12hの配列方
向の検知領域17a〜17dと、前記配列方向とは垂直
方向の検知領域21a、21bとする。各検知領域17
a〜17d及び検知領域21a、21bは、隣合う検知
領域の一部が重なり合うように配置される。ここで、検
知領域17a−21aの赤外線を赤外線集光レンズ(図
示せず)により薄膜12aに集光させ、検知領域17b
−21aの赤外線を赤外線集光レンズ(図示せず)によ
り薄膜12bに集光させ、検知領域17c−21aの赤
外線を赤外線集光レンズ(図示せず)により薄膜12c
に集光させ、検知領域17d−21aの赤外線を赤外線
集光レンズ(図示せず)により薄膜12dに集光させ、
検知領域17a−21bの赤外線を赤外線集光レンズ
(図示せず)により薄膜12eに集光させ、検知領域1
7b−21bの赤外線を赤外線集光レンズ(図示せず)
により薄膜12fに集光させ、検知領域17c−21b
の赤外線を赤外線集光レンズ(図示せず)により薄膜1
2gに集光させ、検知領域17d−21bの赤外線を赤
外線集光レンズ(図示せず)により薄膜12hに集光さ
せるようにしている。
【0016】次に、本実施形態の動作を説明する。今、
図6に示すように、本実施形態の赤外線検出装置20を
天井等に設置し、人体9が検知領域17aから検知領域
17dの方向、かつ検知領域21aから検知領域21b
の方向に移動する場合を考える。接続端子14a、14
f間の差動信号は信号波形S1となり、接続端子14
c、14d間の差動信号は信号波形S2のようになる。
信号処理回路6では、信号波形S1、S2を取り込ん
で、信号波形S1、S2の周期により、人体9の水平方
向の移動速度を求め、信号強度の比により垂直方向の移
動速度を求める。このように、2つの差動信号により、
人体9の2次元的な移動方向や移動速度を求めることが
できるのである。
【0017】
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明によ
れば、半導体基板上で互いに熱的に絶縁され1列に配置
するように形成された4つの薄膜上に、同一温度で同一
抵抗値を有するサーミスタを各々形成することにより赤
外線受光素子を構成するとともに、赤外線集光レンズに
より4つの検知領域からの赤外線を対応するサーミスタ
上に集光するようにし、信号処理回路にてサーミスタの
抵抗値の変化を検出することにより各検知領域での物体
の移動方向や移動速度を検出するようにした赤外線検出
装置であって、4つのサーミスタでブリッジ回路を形成
し、ブリッジ回路の対角に位置するサーミスタを隣接す
る薄膜上に形成するとともに、ブリッジ回路の中間電位
の差分を検出する差動増幅器を具備し、信号処理回路で
は、差動増幅器の出力信号に基づき、各検知領域での物
体の移動方向や移動速度を検出するようにしたので、赤
外線を放射する人体等の物体の移動方向や移動速度を検
出しようとした場合、複数の赤外線検出装置を用いる必
要がなくなり、1つの赤外線検出装置により検出できる
ようになり、構成部品が少なく、かつ小型化ができ、人
体等の物体の移動方向や移動速度の検出を可能とした赤
外線検出装置が提供できた。
【0018】請求項2記載の発明によれば、請求項1記
載の発明において、検知領域を一定の方向に4分割し、
信号処理回路では、差動増幅器の出力信号の信号波形に
基づき、各検知領域での物体の移動方向や移動速度を検
出するようにしたので、物体の1次元的な移動方向や移
動速度を求めることができる。
【0019】請求項3記載の発明によれば、請求項1又
は請求項2記載の発明において、前記4つの薄膜が1列
に配置されてなる薄膜列を2列配置するとともに、一定
の方向に4分割した検知領域を、さらに、一定の方向に
対して垂直方向に2分割し、2組の4分割の領域からな
る8つの領域とし、信号処理回路では、各4分割された
検知領域に対応する差動増幅器の出力信号の信号波形及
び出力比に基づき、各検知領域での物体の移動方向や移
動速度を検出するようにしたので、物体の2次元的な移
動方向や移動速度を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例に係る赤外線検出素
子の概略構成を示す平面及びX−Yにおける断面の模式
図である。
【図2】同上の赤外線検出素子を使用した赤外線検出装
置の概略構成を示す回路図である。
【図3】同上に係る各サーミスタと検知領域との対応関
係を示す模式図である。
【図4】同上の動作説明図である。
【図5】本発明の他の実施の形態の一例に係る赤外線検
出素子の概略構成を示す平面及びX−Yにおける断面の
模式図である。
【図6】同上の動作説明図である。
【符号の説明】
1、11 赤外線検出素子 1a〜1d、11a〜11h サーミスタ 2、12 半導体基板 2a〜2d、12a〜12h 薄膜 E 電源 3、13 配線 4a〜4d、14a〜14f 接続端子 5 差動増幅器 6 信号処理回路 7a〜7d、21a、21b 検知領域 8a〜8d 赤外線集光レンズ 9 人体 10、20 赤外線検出装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G01V 8/14 G01V 9/04 C 8/20 Q (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01J 1/02 G01J 1/42 G01J 5/02 G01J 5/20 - 5/24 G01V 9/04 G01P 3/36 - 3/38 G01P 13/02 G01B 11/00 G08B 13/19 - 13/191

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板上で互いに熱的に絶縁され1
    列に配置するように形成された4つの薄膜上に、同一温
    度で同一抵抗値を有するサーミスタを各々形成すること
    により赤外線受光素子を構成するとともに、赤外線集光
    レンズにより4つの検知領域からの赤外線を対応するサ
    ーミスタ上に集光するようにし、信号処理回路にてサー
    ミスタの抵抗値の変化を検出することにより各検知領域
    での物体の移動方向や移動速度を検出するようにした赤
    外線検出装置であって、前記4つのサーミスタでブリッ
    ジ回路を形成し、該ブリッジ回路の対角に位置するサー
    ミスタを隣接する薄膜上に形成するとともに、前記ブリ
    ッジ回路の中間電位の差分を検出する差動増幅器を具備
    し、前記信号処理回路では、前記差動増幅器の出力信号
    に基づき、各検知領域での物体の移動方向や移動速度を
    検出するようにしたことを特徴とする赤外線検出装置。
  2. 【請求項2】 前記検知領域を一定の方向に4分割し、
    前記信号処理回路では、前記差動増幅器の出力信号の信
    号波形に基づき、各検知領域での物体の移動方向や移動
    速度を検出するようにしたことを特徴とする請求項1記
    載の赤外線検出装置。
  3. 【請求項3】 前記4つの薄膜が1列に配置されてなる
    薄膜列を2列配置するとともに、一定の方向に4分割し
    た検知領域を、さらに、前記一定の方向に対して垂直方
    向に2分割し、2組の4分割の領域からなる8つの領域
    とし、前記信号処理回路では、各4分割された検知領域
    に対応する前記差動増幅器の出力信号の信号波形及び出
    力比に基づき、各検知領域での物体の移動方向や移動速
    度を検出するようにしたことを特徴とする請求項1又は
    請求項2記載の赤外線検出装置。
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