JPS636883A - 小型化ホトカプラ - Google Patents
小型化ホトカプラInfo
- Publication number
- JPS636883A JPS636883A JP61150784A JP15078486A JPS636883A JP S636883 A JPS636883 A JP S636883A JP 61150784 A JP61150784 A JP 61150784A JP 15078486 A JP15078486 A JP 15078486A JP S636883 A JPS636883 A JP S636883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- light
- photodetector
- light emitting
- photocoupler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はハイブリッドIC及び高密度実装に搭載される
小型化ホトカプラに関する。
小型化ホトカプラに関する。
従来、この種の小型化ホトカプラは一般に第2図に示す
ような構造を有する。第2図は従来の一例を示す縦断面
図である。第2図において、ホトカブラは基板に取付け
られる取付面(裏面)とこの反対面をなす表面とを有す
る白色系樹脂4が内部に透明樹脂3を充満させて本体を
構成する。発光素子1および受光素子2は透明樹脂3の
中でそれぞれの電気回路を引出す電気回路引出導板(以
後リードフレームという)9に装着される。
ような構造を有する。第2図は従来の一例を示す縦断面
図である。第2図において、ホトカブラは基板に取付け
られる取付面(裏面)とこの反対面をなす表面とを有す
る白色系樹脂4が内部に透明樹脂3を充満させて本体を
構成する。発光素子1および受光素子2は透明樹脂3の
中でそれぞれの電気回路を引出す電気回路引出導板(以
後リードフレームという)9に装着される。
リードフレーム9は白色系樹脂4を貫通し、外部では取
付面に添った端部を有し、また内部では裏面側の内面に
添って発光素子1および受光素子2の装着部を有する。
付面に添った端部を有し、また内部では裏面側の内面に
添って発光素子1および受光素子2の装着部を有する。
発光素子1および受光素子2はリードフレーム9の表面
側に装着され、発光素子1の発する光が透明樹脂3と白
色系樹脂4との境界面で反射して受光素子2に到達する
。
側に装着され、発光素子1の発する光が透明樹脂3と白
色系樹脂4との境界面で反射して受光素子2に到達する
。
〔発明が解決しようとする問題点1
上述した従来の小型化ホトカプラは発光素子及び受光素
子がリードフレームの表面側に装着され、外来光の影響
で受光素子に光電流が流れる恐れがあるので、実装され
たあとに黒色系の樹脂コーテングの製造工程が必要にな
るという問題点があった。
子がリードフレームの表面側に装着され、外来光の影響
で受光素子に光電流が流れる恐れがあるので、実装され
たあとに黒色系の樹脂コーテングの製造工程が必要にな
るという問題点があった。
本発明の目的は上記問題点を解決した小型化ホトカプラ
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の小型化ホトカプラは、取付面を裏面この反対側
を表面とするとき、裏面側に発光素子および受光素子の
それぞれを装着した電気回路引出導板(リードフレーム
)を有する。
を表面とするとき、裏面側に発光素子および受光素子の
それぞれを装着した電気回路引出導板(リードフレーム
)を有する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第112]は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
符号1は発光素子、符号2は受光素子、符号3は透明樹
脂、符号4は白色系樹脂、また符号5は電気回路引出導
板(以下リードフレーム)で構成されている。
脂、符号4は白色系樹脂、また符号5は電気回路引出導
板(以下リードフレーム)で構成されている。
リードフレーム5の素子装着部分はホトカブラの基板取
付面を裏面としたときホトカブラの表面側の白色系樹脂
4に接近して配設され、発光素子1および受光素子2は
リードフレーム5の裏面側に、透明樹脂3を介して基板
取付面側の白色系樹脂4に面して装着される。
付面を裏面としたときホトカブラの表面側の白色系樹脂
4に接近して配設され、発光素子1および受光素子2は
リードフレーム5の裏面側に、透明樹脂3を介して基板
取付面側の白色系樹脂4に面して装着される。
従って、発光素子1に電流を流すと、透明樹脂3および
白色系樹脂4の樹脂の境面及びリードフレーム5の側面
に光があたり、この反射光を受光素子2で受けるが、外
部周辺からの入射光はリードフレーム5に阻止され受光
素子に到達できない。
白色系樹脂4の樹脂の境面及びリードフレーム5の側面
に光があたり、この反射光を受光素子2で受けるが、外
部周辺からの入射光はリードフレーム5に阻止され受光
素子に到達できない。
以上説明したように本発明は発光素子及び受光素子をリ
ードフレームの裏面に装着することにより外来光が受光
素子に影響しないので、黒色系樹脂コーテングが必要な
くなり生産性向上効果が得られる。更に本発明はリード
フレームの側面の反射による伝達効率の向上効果がある
と共に高密度実装にも最適である。
ードフレームの裏面に装着することにより外来光が受光
素子に影響しないので、黒色系樹脂コーテングが必要な
くなり生産性向上効果が得られる。更に本発明はリード
フレームの側面の反射による伝達効率の向上効果がある
と共に高密度実装にも最適である。
第1図は本発明の小型化ホトカプラの一実施例を示す縦
断面図、第2図は従来の一例を示した縦断面図である。
断面図、第2図は従来の一例を示した縦断面図である。
Claims (1)
- 取付面を裏面としこの反対側を表面とするとき、裏面側
に発光素子および受光素子のそれぞれを装着した電気回
路引出導板(リードフレーム)を有することを特徴とす
る小型化ホトカプラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61150784A JPS636883A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 小型化ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61150784A JPS636883A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 小型化ホトカプラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS636883A true JPS636883A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15504355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61150784A Pending JPS636883A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 小型化ホトカプラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS636883A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0391671A2 (en) * | 1989-04-03 | 1990-10-10 | Motorola, Inc. | Single package electro-optic transmitter-receiver |
US5340993A (en) * | 1993-04-30 | 1994-08-23 | Motorola, Inc. | Optocoupler package wth integral voltage isolation barrier |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP61150784A patent/JPS636883A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0391671A2 (en) * | 1989-04-03 | 1990-10-10 | Motorola, Inc. | Single package electro-optic transmitter-receiver |
US5340993A (en) * | 1993-04-30 | 1994-08-23 | Motorola, Inc. | Optocoupler package wth integral voltage isolation barrier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW508843B (en) | Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof | |
EP1174745A3 (de) | Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul | |
KR19990029558A (ko) | 표면실장부품의 형성방법 | |
KR940007588B1 (ko) | 반도체 광전변환장치 | |
JPS636883A (ja) | 小型化ホトカプラ | |
JP3393013B2 (ja) | 赤外線送受信モジュールの構造 | |
JP3676136B2 (ja) | 光結合素子 | |
CN110649012A (zh) | 系统级封装结构和电子设备 | |
JP3416697B2 (ja) | 光結合素子 | |
JPH02137275A (ja) | ホトカプラ | |
JPS61281559A (ja) | 光検出装置 | |
JPH04252082A (ja) | 光結合装置 | |
JP2958228B2 (ja) | 透過型光結合装置 | |
JP2588043B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0713038A (ja) | 光パッケージ | |
JPS6068678A (ja) | 光結合半導体装置 | |
JPH0582059U (ja) | 光結合装置 | |
JPH09181339A (ja) | 光電変換装置 | |
JPH0476220B2 (ja) | ||
JPH05259483A (ja) | 光電変換用半導体パッケージ | |
JPH0777269B2 (ja) | 光入力集積回路装置 | |
JPS6066879A (ja) | 光通信用半導体装置 | |
JPH0555608A (ja) | 光電気変換素子キヤリア | |
JPS6018976A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0521834A (ja) | 半導体光電変換装置 |