JPS63311772A - 電界効果半導体装置 - Google Patents
電界効果半導体装置Info
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- JPS63311772A JPS63311772A JP14621687A JP14621687A JPS63311772A JP S63311772 A JPS63311772 A JP S63311772A JP 14621687 A JP14621687 A JP 14621687A JP 14621687 A JP14621687 A JP 14621687A JP S63311772 A JPS63311772 A JP S63311772A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、電界効果半導体装置に於いて、ＩｎＰ基板上
にｉ型１ｎＧａＡｓチャネル層及び／ＩＡｓ／不純物含
有Ａｊ！ＩｎＡｓの歪入り超格子からなるキャリヤ供給
層を形成することに依り、チャネル層とキャリヤ供給層
間のバンド不連続を大にして二次元キャリヤ・ガスの濃
度ｎ、を高め、相互コンダクタンスｇ、を向上して高速
化した集積回路装置を実現させる。
にｉ型１ｎＧａＡｓチャネル層及び／ＩＡｓ／不純物含
有Ａｊ！ＩｎＡｓの歪入り超格子からなるキャリヤ供給
層を形成することに依り、チャネル層とキャリヤ供給層
間のバンド不連続を大にして二次元キャリヤ・ガスの濃
度ｎ、を高め、相互コンダクタンスｇ、を向上して高速
化した集積回路装置を実現させる。
本発明は、選択ドープ・ヘテロ構造に依って生成される
二次元キャリヤ・ガス層をチャネルとして利用すること
で高速化した電界効果半導体装置の改良に関する。
二次元キャリヤ・ガス層をチャネルとして利用すること
で高速化した電界効果半導体装置の改良に関する。
前記した種類の電界効果半導体装置に用いる材料及び選
択ドープ・ヘテロ構造として、ＧａＡｓ基板上に成長し
たＧ ａ Ａ ｓ ／ Ａ １ に ａ Ａ Ｓ 、或
いは、ＩｎＰ基板上に成長したＩ ｎ ＋１． Ｓ３Ｇ
ａ ６．４？Ａ Ｓ／Ｉｎｏ、％□Ａ１゜、４１１Ａ
３などの構成が主として用いられている。
択ドープ・ヘテロ構造として、ＧａＡｓ基板上に成長し
たＧ ａ Ａ ｓ ／ Ａ １ に ａ Ａ Ｓ 、或
いは、ＩｎＰ基板上に成長したＩ ｎ ＋１． Ｓ３Ｇ
ａ ６．４？Ａ Ｓ／Ｉｎｏ、％□Ａ１゜、４１１Ａ
３などの構成が主として用いられている。
このような材料及び選択ドープ構造を用いた場合、高い
キャリヤ移動度が得られるので、高速集積回路装置への
応用が期待され、また、実現されつつあるが、より高速
化する為には、相互コンダクタンスｇ、を更に大きくす
る必要があり、それにはチャネルに於けるキャリヤ濃度
ｎ、を高めることが重要である。
キャリヤ移動度が得られるので、高速集積回路装置への
応用が期待され、また、実現されつつあるが、より高速
化する為には、相互コンダクタンスｇ、を更に大きくす
る必要があり、それにはチャネルに於けるキャリヤ濃度
ｎ、を高めることが重要である。
ところで、そのようなキャリヤ濃度ｎ、は、ドープＭ（
例えばｎ型ＡｌＧａＡｓ或いはｎ型ＩｎＡＪＡｓ）とチ
ャネル層（例えばＧａＡｓ或いはＩｎＧａＡｓ）との間
に於ける電子親和力の差並びにドープ層へのドーピング
濃度に依存し、従って、同じドーピング濃度であれば、
電子親和力の差が大であるＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ／
Ｉ ｎ Ａ １２ Ａ ｓ系の方が有利であり、実際
に於いても、シングル・ヘテロ構造で最大でｎｓ ＝３
Ｘ １０１２（ｃｍ−”）が得られている。因みに、
Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ａ ｊ？ Ｇ ａ Ａ ｓ系の場
合には高々ｎ５＝ＩＸ１０目（ｃｍ−”３程度である。
例えばｎ型ＡｌＧａＡｓ或いはｎ型ＩｎＡＪＡｓ）とチ
ャネル層（例えばＧａＡｓ或いはＩｎＧａＡｓ）との間
に於ける電子親和力の差並びにドープ層へのドーピング
濃度に依存し、従って、同じドーピング濃度であれば、
電子親和力の差が大であるＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ／
Ｉ ｎ Ａ １２ Ａ ｓ系の方が有利であり、実際
に於いても、シングル・ヘテロ構造で最大でｎｓ ＝３
Ｘ １０１２（ｃｍ−”）が得られている。因みに、
Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ａ ｊ？ Ｇ ａ Ａ ｓ系の場
合には高々ｎ５＝ＩＸ１０目（ｃｍ−”３程度である。
第４図はＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＪＡｓ系の従来例を説明
する為の要部切断側面図を表している。
する為の要部切断側面図を表している。
図に於いて、
１１はＩｎＰからなる基板、
１２はＩ ｎ ０．５３Ｇ ａ ｏ、 ４？Ａ Ｓから
なるチャネル層、１３はｎ型１ ｎ ０．５２Ａ ！！
ｏ、 ４１１Ａ Ｓからなる電子供給層 をそれぞれ示している。
なるチャネル層、１３はｎ型１ ｎ ０．５２Ａ ！！
ｏ、 ４１１Ａ Ｓからなる電子供給層 をそれぞれ示している。
第５図は第４図に見られる従来例のエネルギ・バンド・
ダイヤグラムを表し、第４図に於いて用いた記号と同記
号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。
ダイヤグラムを表し、第４図に於いて用いた記号と同記
号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、ＥＦはフェルミ・レベル、ＥＣは伝導帯の
底、Ｅｖは価電子帯の頂、Ｅｅｌはドナーのエネルギ・
レベルをそれぞれ示している。
底、Ｅｖは価電子帯の頂、Ｅｅｌはドナーのエネルギ・
レベルをそれぞれ示している。
このような半導体層構成の電界効果半導体装置に於いて
は、チャネル層１２と電子供給層１３とのバンド不連続
を利用して二次元電子をＭ積し、それをチャネルとして
電子を高速で走行させることは良く知られている。
は、チャネル層１２と電子供給層１３とのバンド不連続
を利用して二次元電子をＭ積し、それをチャネルとして
電子を高速で走行させることは良く知られている。
前記したように、Ｉ ｎＧａＡｓ／Ｉ ｎＡ／Ａｓ系の
場合、かなり良好な性能を得ることが可能であり、例え
ば、ＩｎＰ基板に格子整合させたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡ
ｌ２Ａｓ系に於いては、Ｉｎ１１．Ｓ２Ａ Ｉ！ ０．
４１１Ａ ＳとＩ ｎ Ｏ，５３Ｇ ａ Ｏ，４？Ａ
ｓとの間のバンド不連続量が０．５５ （ｅＶ）であり
、例えばＧａＡｓ／Ａ／！ＸＧａ、−ｓｔ Ａｓ （ｘ
＝０．３）が０．３ （ｅＶ）であるのと比較すれば迩
かに大であり、高いキャリヤ濃度ｎ、を実現することが
できる。然しながら、そのＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌ１Ａ
ｓ系に於けるよりも更に高いキャリヤ濃度ｎ。
場合、かなり良好な性能を得ることが可能であり、例え
ば、ＩｎＰ基板に格子整合させたＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡ
ｌ２Ａｓ系に於いては、Ｉｎ１１．Ｓ２Ａ Ｉ！ ０．
４１１Ａ ＳとＩ ｎ Ｏ，５３Ｇ ａ Ｏ，４？Ａ
ｓとの間のバンド不連続量が０．５５ （ｅＶ）であり
、例えばＧａＡｓ／Ａ／！ＸＧａ、−ｓｔ Ａｓ （ｘ
＝０．３）が０．３ （ｅＶ）であるのと比較すれば迩
かに大であり、高いキャリヤ濃度ｎ、を実現することが
できる。然しながら、そのＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌ１Ａ
ｓ系に於けるよりも更に高いキャリヤ濃度ｎ。
を実現することができれば、より高い相互コンダクタン
スｇ１が得られ、集積回路装置を高速化する上で好まし
いことは云うまでもない。尚、これを実現できる可能性
があるような広いエネルギ・バンド・ギャップをもち、
且つ、ＩｎＰ基板に格子整合する材料としては、Ａ Ｉ
Ａ Ｓｙ Ｓ ｂ＋−ｙを挙げることができるが、こ
れは■族元素の混晶であり、成長技術に困難な点が多い
。
スｇ１が得られ、集積回路装置を高速化する上で好まし
いことは云うまでもない。尚、これを実現できる可能性
があるような広いエネルギ・バンド・ギャップをもち、
且つ、ＩｎＰ基板に格子整合する材料としては、Ａ Ｉ
Ａ Ｓｙ Ｓ ｂ＋−ｙを挙げることができるが、こ
れは■族元素の混晶であり、成長技術に困難な点が多い
。
本発明は、キャリヤ供給層に歪入り超格子を利用するこ
とで、従来よりもワイド・ギャップである材料の使用を
可能にし、二次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤ濃
度ｎｓが高く、従って、相互コンダクタンスｇ、が大き
い電界効果半導体装置を実現できるようにする。
とで、従来よりもワイド・ギャップである材料の使用を
可能にし、二次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤ濃
度ｎｓが高く、従って、相互コンダクタンスｇ、が大き
い電界効果半導体装置を実現できるようにする。
前記したような選択ドープ・ヘテロ構造を考える場合、
例えばＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系ではＩｎＰ基板に
格子整合させることを必須としてきた。然しなから、近
年、格子整合の条件を満足しなくても、層厚が充分に薄
い場合には、弾性限界内で格子が歪むことに依り、良質
のエピタキシャル成長結晶を得ることができるようにな
り、これを歪入り超格子と呼んでいる。
例えばＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系ではＩｎＰ基板に
格子整合させることを必須としてきた。然しなから、近
年、格子整合の条件を満足しなくても、層厚が充分に薄
い場合には、弾性限界内で格子が歪むことに依り、良質
のエピタキシャル成長結晶を得ることができるようにな
り、これを歪入り超格子と呼んでいる。
この歪入り超格子を選択ドープ・ヘテロ構造に於けるキ
ャリヤ供給層として利用すれば、基板との格子整合を意
に介することなく、ワイド・ギャップの材料を用いてチ
ャネル層とのバンド不連続を大きくして高いキャリヤ濃
度ｎ、を実現することが可能になる。
ャリヤ供給層として利用すれば、基板との格子整合を意
に介することなく、ワイド・ギャップの材料を用いてチ
ャネル層とのバンド不連続を大きくして高いキャリヤ濃
度ｎ、を実現することが可能になる。
そこで、本発明に依る電界効果半導体装置に於いては、
ＩｎＰからなる基板（例えばＩｎＰからなる基板１）の
上に形成されたｉ型１ｎＧａＡｓからなるチャネル層（
例えばＩ ｎ ６． Ｓ３Ｇ ａ Ｏ，４？Ａ Ｓから
なるチャネル層２）と、該チャネル層の上に形成された
Ａｊ２Ａｓ （例えばＡ６Ａｓ層３Ａ）並びに不純物含
有ＩｎＡｔ’Ａｓ（例えばｎ型■ｎｏ、ｓｚＡｊ！ｏ、
４ｓＡｓ層３Ｂ）からなる歪入り超格子のキャリヤ供給
層（例えばＡ Ｉ Ａ ｓ ／ ｎ Ｉ ｎｏ、ｓｔ
Ａ ｌ ｏ、 ４ａＡ Ｓからなる歪入り超格子（超ド
ープ構造）の電子供給層３）とを備えた構成になってい
る。
ＩｎＰからなる基板（例えばＩｎＰからなる基板１）の
上に形成されたｉ型１ｎＧａＡｓからなるチャネル層（
例えばＩ ｎ ６． Ｓ３Ｇ ａ Ｏ，４？Ａ Ｓから
なるチャネル層２）と、該チャネル層の上に形成された
Ａｊ２Ａｓ （例えばＡ６Ａｓ層３Ａ）並びに不純物含
有ＩｎＡｔ’Ａｓ（例えばｎ型■ｎｏ、ｓｚＡｊ！ｏ、
４ｓＡｓ層３Ｂ）からなる歪入り超格子のキャリヤ供給
層（例えばＡ Ｉ Ａ ｓ ／ ｎ Ｉ ｎｏ、ｓｔ
Ａ ｌ ｏ、 ４ａＡ Ｓからなる歪入り超格子（超ド
ープ構造）の電子供給層３）とを備えた構成になってい
る。
ここで用いる歪入り超格子のキャリヤ供給層としては、
Ａ７！Ａｓ並びにＩ ｎ Ｏ，Ｓ２Ａ １２ ｏ、 ａ
ａＡ Ｓを１０〜２０〔人〕程度の繰り返し積層構造と
することに依り、格子不整合に起因する転位の発生を抑
止すると共にＩ ｎ ｏ、 ｓｚＡ ｌ ｏ、 ａ８Ａ
ｓ層のみにＳｉなどの不純物をドーピングするもので
あり、このようにすると、従来、Ａ ＩｌＡ ｓ ／
ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ系で知られている超ドープ構造と
同様になる。
Ａ７！Ａｓ並びにＩ ｎ Ｏ，Ｓ２Ａ １２ ｏ、 ａ
ａＡ Ｓを１０〜２０〔人〕程度の繰り返し積層構造と
することに依り、格子不整合に起因する転位の発生を抑
止すると共にＩ ｎ ｏ、 ｓｚＡ ｌ ｏ、 ａ８Ａ
ｓ層のみにＳｉなどの不純物をドーピングするもので
あり、このようにすると、従来、Ａ ＩｌＡ ｓ ／
ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ系で知られている超ドープ構造と
同様になる。
前記手段を採ることに依り実効的なドナー・レベルはＡ
ｆｆＡｓの伝導帯の底の近傍にくる為、キャリヤ供給層
としてＩ ｎ Ａ ｊ！ Ａ ｓのみを用いた場合に比
較して実効的にワイド・ギャップとなってＩ ｎ ｏ、
ｓｓＧ ａ ０．４？Ａ Ｓからなるチャネル層との
間のバンド不連続は大となり、より高いキャリヤ濃度ｎ
、が得られ、その結果、相互コンダクタンスｇ、は高く
なり、高速の集積回路装置を構成する場合に有利である
。
ｆｆＡｓの伝導帯の底の近傍にくる為、キャリヤ供給層
としてＩ ｎ Ａ ｊ！ Ａ ｓのみを用いた場合に比
較して実効的にワイド・ギャップとなってＩ ｎ ｏ、
ｓｓＧ ａ ０．４？Ａ Ｓからなるチャネル層との
間のバンド不連続は大となり、より高いキャリヤ濃度ｎ
、が得られ、その結果、相互コンダクタンスｇ、は高く
なり、高速の集積回路装置を構成する場合に有利である
。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図を表している
。
。
図に於いて、
１はＩｎＰからなる基板、
２は［ｎ ｏ、 ＳｓＧ ａ ｏ、 ４？Ａ Ｓからな
るチャネル層、３はＡ Ｉｔ Ａ ５ ／ ｎ Ｉ
ｎ６．ＢＡ ｌｏ、ａｓＡ Ｓからなる歪入り超格子（
超ドープ構造）の電子供給層をそれぞれ示している。
るチャネル層、３はＡ Ｉｔ Ａ ５ ／ ｎ Ｉ
ｎ６．ＢＡ ｌｏ、ａｓＡ Ｓからなる歪入り超格子（
超ドープ構造）の電子供給層をそれぞれ示している。
斯かる構成を形成するには、分子線エピタキシャル成長
（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ
：ＭＢＥ）技術或いは有機金属化学気相堆積（ｍｅｔａ
ｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶ Ｄ）技術を適用
することに依り、ＩｎＰ基板１上にそれと格子整合する
厚さ例えば０．５〜１ （８ｍ３程度のＩ ｎ ６．５
３ Ｇ ａ ６．４７ Ａ Ｓチャネル層２を成長させ
、それに引き続いて、それぞれの厚さが例えば２０ 〔
人〕程度であるＡ Ｉ Ａ ｓ ／ ｎＩ ｎ ｏ、
ｓｚＡ ７ｉｏ、 ４ａＡ ｓを必要層数骨だけ繰り返
し成長させて歪入り超格子の電子供給層３を形成する。
（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ
：ＭＢＥ）技術或いは有機金属化学気相堆積（ｍｅｔａ
ｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶ Ｄ）技術を適用
することに依り、ＩｎＰ基板１上にそれと格子整合する
厚さ例えば０．５〜１ （８ｍ３程度のＩ ｎ ６．５
３ Ｇ ａ ６．４７ Ａ Ｓチャネル層２を成長させ
、それに引き続いて、それぞれの厚さが例えば２０ 〔
人〕程度であるＡ Ｉ Ａ ｓ ／ ｎＩ ｎ ｏ、
ｓｚＡ ７ｉｏ、 ４ａＡ ｓを必要層数骨だけ繰り返
し成長させて歪入り超格子の電子供給層３を形成する。
ここで、歪入り超格子の構成要素であるドープ層は、Ｉ
ｎＰに格子整合させる必要があることから、Ｉ ｎ ｏ
、 ｓｚＡ １０．４１１Ａ Ｓなる組成を選択しであ
る。
ｎＰに格子整合させる必要があることから、Ｉ ｎ ｏ
、 ｓｚＡ １０．４１１Ａ Ｓなる組成を選択しであ
る。
第２図は第１図に見られる本発明一実施例のエネルギ・
バンド・ダイヤグラムを表し、第１図及び第５図に於い
て用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味
を持つものとする。
バンド・ダイヤグラムを表し、第１図及び第５図に於い
て用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味
を持つものとする。
図に於いて、３Ａは歪入り超格子の構成要素であるＡ＃
Ａｓ層、３Ｂは同じく歪入り超格子の構成要素であるｎ
型１ ｎ ｏ、 ｓｚＡ １ ｏ、 ｎｓＡ ｓ層をそ
れぞれ示し、また、ハツチングは不純物、この場合、Ｓ
ｉがドーピングされていることを示し、更にまた、一点
鎖線は電子供給層３に於ける実効的なドナーのエネルギ
・レベルを示している。
Ａｓ層、３Ｂは同じく歪入り超格子の構成要素であるｎ
型１ ｎ ｏ、 ｓｚＡ １ ｏ、 ｎｓＡ ｓ層をそ
れぞれ示し、また、ハツチングは不純物、この場合、Ｓ
ｉがドーピングされていることを示し、更にまた、一点
鎖線は電子供給層３に於ける実効的なドナーのエネルギ
・レベルを示している。
第２図から明らかなように、実効的なドナーのエネルギ
・レベルはｎ型１ ｎｏ、ｓｚＡ １ｔｏ、ａｅＡ Ｓ
Ｈに於ける伝導帯の底ＥＣよりも海かに高くなるから、
Ｉ ｎ ６． ＋１３Ｇ ａ ｏ、 ４７Ａ ｓチャネ
ル層２との間のバンド不連続は大であり、従って、第４
図並びに第５図について説明したＩｎＧａＡｓ／ｎ−Ｉ
ｎＡｊ！Ａｓ系のものと比較すると、多量の二次元電子
を蓄積することができる。
・レベルはｎ型１ ｎｏ、ｓｚＡ １ｔｏ、ａｅＡ Ｓ
Ｈに於ける伝導帯の底ＥＣよりも海かに高くなるから、
Ｉ ｎ ６． ＋１３Ｇ ａ ｏ、 ４７Ａ ｓチャネ
ル層２との間のバンド不連続は大であり、従って、第４
図並びに第５図について説明したＩｎＧａＡｓ／ｎ−Ｉ
ｎＡｊ！Ａｓ系のものと比較すると、多量の二次元電子
を蓄積することができる。
第３図は第１図に見られる層構成を用いた電界効果半導
体装置の具体例を表す要部切断側面図であり、第１図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ
意味を持つものとする。
体装置の具体例を表す要部切断側面図であり、第１図に
於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ
意味を持つものとする。
図に於いて、４はＩ ｎ ｏ、 Ｓ３Ｇ ａ ｏ、 ４
．Ａ ｓ電極コンタクト層、５はオーミック・コンタク
トのソース電極、６は同じくオーミック・コンタクトの
ドレイン電極、７はショットキ・コンタクトのゲート電
極をそれぞれ示している。
．Ａ ｓ電極コンタクト層、５はオーミック・コンタク
トのソース電極、６は同じくオーミック・コンタクトの
ドレイン電極、７はショットキ・コンタクトのゲート電
極をそれぞれ示している。
本実施例は、その相互コンダクタンスｇ、が大で、集積
回路装置の高速化に寄与し得ることは云うまでもない。
回路装置の高速化に寄与し得ることは云うまでもない。
本発明に依る電界効果半導体装置に於いては、ＩｎＰ基
板上にｉ型１ｎＧａＡｓチャネル層及び、Ａｌ１Ａｓ／
不純物含有Ａｊ！ＩｎＡｓの歪入り超格子からなるキャ
リヤ供給層を形成しである。
板上にｉ型１ｎＧａＡｓチャネル層及び、Ａｌ１Ａｓ／
不純物含有Ａｊ！ＩｎＡｓの歪入り超格子からなるキャ
リヤ供給層を形成しである。
前記構成を採ることに依り実効的なドナー・レベルはＡ
ｆｆＡｓの伝導帯の底の近傍にくる為、キャリヤ供給層
としてＩｎＡｊ？Ａｓのみを用いた場合に比較して実効
的にワイド・ギャップとなってＩｎ０，５．Ｇａ、、り
Ａｓからなるチャネル層との間のバンド不連続は大とな
り、より高いキャリヤ濃度ｎ３が得られ、その結果、相
互コンダクタンスｇ１は高くなり、高速の集積回路装置
を構成する場合に有利である。
ｆｆＡｓの伝導帯の底の近傍にくる為、キャリヤ供給層
としてＩｎＡｊ？Ａｓのみを用いた場合に比較して実効
的にワイド・ギャップとなってＩｎ０，５．Ｇａ、、り
Ａｓからなるチャネル層との間のバンド不連続は大とな
り、より高いキャリヤ濃度ｎ３が得られ、その結果、相
互コンダクタンスｇ１は高くなり、高速の集積回路装置
を構成する場合に有利である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第２図は第
１図に見られる実施例のエネルギ・バンド・ダイヤグラ
ム、第３図は本発明に於ける具体的な一実施例の要部切
断側面図、第４図は従来例の要部切断側面図、第５図は
第４図に見られる従来例のエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラムをそれぞれ表している。 図に於いて、 １はＩｎＰからなる基板、 ２はＩ ｎ Ｏ，Ｓ３Ｇ ａ ｏ、 ４？Ａ Ｓからな
るチャネル層、３はＡＡＡｓ／ｎ Ｉｎｏ、５ｚＡｊ
２ｏ、４ｓＡＳからなる歪入り超格子（超ドープ構造）
の電子供給層をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 一 実施例の要部切Ｗｆｒ側画図 第１図 実施例のエネルギ゛・パン國・夕゛イヤグしム第２図 実施例の要部切断側面図 第３図 従来例の要部切断側面図 第４図
１図に見られる実施例のエネルギ・バンド・ダイヤグラ
ム、第３図は本発明に於ける具体的な一実施例の要部切
断側面図、第４図は従来例の要部切断側面図、第５図は
第４図に見られる従来例のエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラムをそれぞれ表している。 図に於いて、 １はＩｎＰからなる基板、 ２はＩ ｎ Ｏ，Ｓ３Ｇ ａ ｏ、 ４？Ａ Ｓからな
るチャネル層、３はＡＡＡｓ／ｎ Ｉｎｏ、５ｚＡｊ
２ｏ、４ｓＡＳからなる歪入り超格子（超ドープ構造）
の電子供給層をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 一 実施例の要部切Ｗｆｒ側画図 第１図 実施例のエネルギ゛・パン國・夕゛イヤグしム第２図 実施例の要部切断側面図 第３図 従来例の要部切断側面図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩｎＰからなる基板の上に形成されたｉ型ＩｎＧａＡｓ
からなるチャネル層と、 該チャネル層の上に形成されたＡｌＡｓ並びに不純物含
有ＡｌＩｎＡｓからなる歪入り超格子のキャリヤ供給層
と を備えてなることを特徴とする電界効果半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14621687A JPS63311772A (ja) | 1987-06-13 | 1987-06-13 | 電界効果半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14621687A JPS63311772A (ja) | 1987-06-13 | 1987-06-13 | 電界効果半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63311772A true JPS63311772A (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=15402734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14621687A Pending JPS63311772A (ja) | 1987-06-13 | 1987-06-13 | 電界効果半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63311772A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0522952A2 (fr) * | 1991-07-08 | 1993-01-13 | France Telecom | Transistor à effet de champ, à couches minces de barrière et couche mince dopée |
| EP0780906A3 (en) * | 1995-12-19 | 1997-10-01 | Nec Corp | High electronic mobility transistor with an InAs / InGaAs superlattice |
-
1987
- 1987-06-13 JP JP14621687A patent/JPS63311772A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0522952A2 (fr) * | 1991-07-08 | 1993-01-13 | France Telecom | Transistor à effet de champ, à couches minces de barrière et couche mince dopée |
| FR2679071A1 (fr) * | 1991-07-08 | 1993-01-15 | France Telecom | Transistor a effet de champ, a couches minces de bande d'energie controlee. |
| US5343057A (en) * | 1991-07-08 | 1994-08-30 | France Telecom Establissement Autonome De Droit Public | Thin film, field effect transistor with a controlled energy band |
| EP0780906A3 (en) * | 1995-12-19 | 1997-10-01 | Nec Corp | High electronic mobility transistor with an InAs / InGaAs superlattice |
| US5907164A (en) * | 1995-12-19 | 1999-05-25 | Nec Corporation | InAlAs/InGaAs heterojunction field effect type semiconductor device |
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