JPS6331143A - Socket for semiconductor device - Google Patents
Socket for semiconductor deviceInfo
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- JPS6331143A JPS6331143A JP17505586A JP17505586A JPS6331143A JP S6331143 A JPS6331143 A JP S6331143A JP 17505586 A JP17505586 A JP 17505586A JP 17505586 A JP17505586 A JP 17505586A JP S6331143 A JPS6331143 A JP S6331143A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用ソケットに関し、特に、フラット
パッケージ型半導体装置のリードと、前記フラットハラ
ケージを半導体装置用のソケットの電極との間の電気的
接触を改善する半導体装置用ソケットに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a socket for a semiconductor device, and in particular, to a socket for a semiconductor device, and in particular to a socket for a semiconductor device between a lead of a flat package type semiconductor device and the flat hall cage and an electrode of the socket for the semiconductor device. The present invention relates to a socket for semiconductor devices that improves electrical contact.
従来、この種の半導体装置用ソケット(以下、ICソケ
ットという)においては、フラットパッケージ型半導体
装置(以下、ICという)が装着される場合、ICのリ
ードとの電気的接触をとるためのICソケットの電極は
、ICのリードの底面部に位置され、ICのリードに対
しては一箇所のみが接触状態に保たれている。しかも、
安定した電気的接触を保持するために、ICのリードを
上部から押えるように作用する上蓋が設けられている。Conventionally, in this type of semiconductor device socket (hereinafter referred to as IC socket), when a flat package type semiconductor device (hereinafter referred to as IC) is mounted, an IC socket is used to make electrical contact with the IC lead. The electrode is located at the bottom of the IC lead, and is kept in contact with the IC lead at only one point. Moreover,
In order to maintain stable electrical contact, a top cover is provided that acts to hold down the IC leads from above.
上述した従来のICソケットは、ICのリードとICソ
ケットの電極との電気的接触部が一箇所のみに限られて
いるために、しばしば接触不良を起こすという欠点があ
る。例えば、リニアIC等の比較的大電流動作をし、電
気的特性の精度を要求されるICでは、前述したような
接触不良による接触抵抗の増加は無視できなくなり特性
不良となる。このようなことは生産上歩留りの低下を引
き起す。また、ICの信頼性評価試験等において、IC
のリード表面が酸化されたシ汚れが付着するなどによシ
接触不良が多発することがあシ、特性不良となったり、
また電気的特性値にバラツキが生じ、信頼性の低いデー
タに堕する恐れがある。The above-described conventional IC socket has the drawback that poor contact often occurs because the electrical contact between the IC lead and the electrode of the IC socket is limited to only one location. For example, in an IC such as a linear IC that operates at a relatively large current and requires precision in electrical characteristics, an increase in contact resistance due to the aforementioned contact failure cannot be ignored, resulting in a characteristic failure. This causes a decrease in production yield. In addition, in IC reliability evaluation tests, etc.
If the surface of the lead is oxidized or contaminated, contact failure may occur frequently, resulting in poor characteristics.
Furthermore, variations in electrical characteristic values may occur, leading to unreliable data.
すなわち、従来のICソケットは、前記接触不良に起因
する種々の欠点がある。That is, conventional IC sockets have various drawbacks due to the poor contact.
本発明のICソケットは、フラットパッケージ型半導体
装置用のソケットにおいて、前記フラットパッケージ型
半導体装置の装着時に、前記フラットパッケージ型半導
体装置の一つのリードに対応して共に電気的に接触し、
且つ共に同電位に保持されるように電気的に接続される
少くとも二つ以上の独立した電極を、前記フラットパッ
ケージ型半導体装置の各リードに対応して備えている。The IC socket of the present invention is a socket for a flat package type semiconductor device, and when the flat package type semiconductor device is mounted, the IC socket is in electrical contact with one lead of the flat package type semiconductor device, and
At least two or more independent electrodes electrically connected so as to be held at the same potential are provided corresponding to each lead of the flat package type semiconductor device.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図(a)及び(b)は、本発明の一実施例の斜視図
である。1はICを支持し、且つ電極(A)2及びIC
ソケットのリード(A)3を固定するだめのICソケッ
ト本体である。4はICを装着して固定するだめの上蓋
であル、5は電極(A)2と対をなす上蓋側の電極(B
)である。6はそれぞれ独立した電極(A)2と電極(
B)5を電気的に同電位に保つためのリード線である。FIGS. 1(a) and 1(b) are perspective views of an embodiment of the present invention. 1 supports the IC, and electrode (A) 2 and the IC
This is the IC socket body for fixing the lead (A) 3 of the socket. 4 is the upper lid for mounting and fixing the IC, and 5 is the electrode (B) on the upper lid side that is paired with electrode (A) 2.
). 6 is an independent electrode (A) 2 and an electrode (
B) This is a lead wire for keeping 5 electrically at the same potential.
これらの構造はすべての電極に対し同様に構成されてい
る。ICを装着した状態では、ICのリード(A)3の
底面は電極(A)2に接触し、リード(A)3の上面は
電極(B)5に接触することになる。These structures are configured similarly for all electrodes. When the IC is attached, the bottom surface of the lead (A) 3 of the IC comes into contact with the electrode (A) 2, and the top surface of the lead (A) 3 comes into contact with the electrode (B) 5.
これら独立した電極(A)2及び電極(B)5は、リー
ド1M6によって電気的に同電位を保たれているので、
結果的にICのリード四3は二つの接触部を持つことに
なり、電気的接触抵抗は小さくな夛、安定にして再現性
の高い電気的接触を実現することが出来る。なお、第1
図(a)および(b)においては、ICを装着した状態
及び上蓋4とICソケット本体1とを圧着して固定する
止金のたぐいについては記載を省略している。These independent electrodes (A) 2 and (B) 5 are kept at the same electrical potential by the lead 1M6, so
As a result, the IC lead 43 has two contact portions, and electrical contact resistance is small, making it possible to realize stable electrical contact with high reproducibility. In addition, the first
In Figures (a) and (b), the state in which the IC is mounted and the type of clasp for crimping and fixing the upper cover 4 and the IC socket body 1 are omitted.
次に、本発明の他の実施例について説明する。Next, other embodiments of the present invention will be described.
第2図は前記他の実施例の部分を示す斜視図である。第
2図における1〜5は、それぞれ第1図(a)及び(b
)に示される前述の実施例における、ICソケット本体
1、電極(A)2、リード(A)3、上蓋4及び電極(
B)5と同様である。7は電極(A)2が延長されて形
成される電極(qであシ、9は電極(B)5が延長され
て形成される電極ηである。8は電極(q7と同電位に
て接続され、ICソケット本体1に埋設されて、内蔵さ
れるバネによシ上下移動の可能な金属製のピンである。FIG. 2 is a perspective view showing a portion of the other embodiment. 1 to 5 in Fig. 2 are Fig. 1 (a) and (b), respectively.
), the IC socket main body 1, electrode (A) 2, lead (A) 3, upper cover 4, and electrode (
B) Same as 5. 7 is an electrode (q) formed by extending the electrode (A) 2; 9 is an electrode η formed by extending the electrode (B) 5; 8 is an electrode (at the same potential as q7); It is a metal pin that is connected and embedded in the IC socket main body 1 and can be moved up and down by a built-in spring.
このような構造は、すべての電極に対して同様に構成さ
れている。 ・次に、第3図に示されるのは、第
2図に示される実施例にICが装着されている状態を示
す部分側面図でICl0のリード(B)11の底面は電
極(A)2と接触、し、また、リード(Billの上面
は電極(B)5と接触している。また同時に、金属製の
ピン8はバネの圧力により電極−9に圧着されているの
で、結果的にリード(B) 1−1は二つの接触部を持
つことになり、電気的接触抵抗は小さくなシ、安定にし
て再現性の高い電気的接触を実現することが可能となる
。Such a structure is configured similarly for all electrodes.・Next, what is shown in FIG. 3 is a partial side view showing the state in which the IC is installed in the embodiment shown in FIG. Also, the top surface of the lead (Bill) is in contact with the electrode (B) 5. At the same time, the metal pin 8 is crimped to the electrode 9 by the pressure of the spring, so as a result The lead (B) 1-1 has two contact portions, and the electrical contact resistance is small, making it possible to realize stable electrical contact with high reproducibility.
以上説明したように、本発明は、ICの装着時に、前記
ICのリードに対して少くとも二つの独立した電極を備
え、且つ前記二つの独立した電極を同電位に保持するこ
とによシ、電気的接触部の面積を2倍以上に拡大して電
気的接触抵抗を小さくシ、安定且つ再現性の高い電気的
接触を実現することができるという効果がある。As explained above, the present invention provides at least two independent electrodes for the leads of the IC and maintains the two independent electrodes at the same potential when the IC is mounted. This has the effect that the area of the electrical contact portion can be doubled or more, the electrical contact resistance can be reduced, and electrical contact can be realized with stability and high reproducibility.
第1図(a)及び(b)は、本発明の一実施例の斜視図
、第2図は、他の実施例の部分を示す斜視図、第3図は
、前記他の実施例にICを装着した状態を示す部分側面
図である。
図において、1・・・・・・ICソケット本体、2・旧
・・電極(A)、3・・・・・・リード(5)、4・・
・・・・上蓋、5・・・・・・電極(B)、6・・・・
・・リード線、7・・・・・・電極(q、8・・・・・
・ピン、9・・・・・・電極口、10・・・・・・IC
,11・・・・・・リード(B)。
cbノ
第1図1(a) and (b) are perspective views of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing parts of another embodiment, and FIG. 3 is an IC FIG. In the figure, 1...IC socket body, 2...old electrode (A), 3...lead (5), 4...
...Top lid, 5...Electrode (B), 6...
... Lead wire, 7... Electrode (q, 8...
・Pin, 9... Electrode port, 10... IC
, 11... Lead (B). cb no.1 diagram
Claims (1)
て、前記フラットパッケージ型半導体装置の装着時に、
前記フラットパッケージ型半導体装置の一つのリードに
対応して共に電気的に接触し、且つ共に同電位に保持さ
れるように電気的に接続される少くとも二つ以上の独立
した電極を、前記フラットパッケージ型半導体装置の各
リードに対応して備えることを特徴とする半導体装置用
ソケット。In a socket for a flat package type semiconductor device, when the flat package type semiconductor device is attached,
At least two or more independent electrodes corresponding to one lead of the flat package type semiconductor device are electrically connected to each other so as to be in electrical contact with each other and are both held at the same potential. A socket for a semiconductor device characterized by being provided corresponding to each lead of a packaged semiconductor device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17505586A JPS6331143A (en) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | Socket for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17505586A JPS6331143A (en) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | Socket for semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6331143A true JPS6331143A (en) | 1988-02-09 |
Family
ID=15989443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17505586A Pending JPS6331143A (en) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | Socket for semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6331143A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009036600A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Kurosaki Harima Corp | Elastic modulus measuring method and instrument, and program |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP17505586A patent/JPS6331143A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009036600A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Kurosaki Harima Corp | Elastic modulus measuring method and instrument, and program |
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