JPS63308415A - 信号設定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発月１（７）Ｉ的 ［産業上の利用分野コ 本発明は、出力する信号の調整が可能な信号設定装置に
関する。

［従来の技術］ 近年、ディジタル信号を取り扱うマイクロコンピュータ
等のＬＳＩの大規模化・高性能化が進み、従来集積回路
の周辺に外付けされていたアナログ的な回路、例えはパ
ワーオンリセット回路や電源電圧の低下を検出する回路
、あるいは基準電圧との比較を行なうコンパレータ等を
内蔵したものが開発されている。こうした集積回路にお
いて、アナログ信号を取り扱う部分の調整、例えは電源
電圧低下を検出する基準電圧の調整等を外付回路のトリ
マ等で行なったのでは、アナログ回路をチップ内に集積
した利点を十分に引き出すことができない。従って、こ
うした集積回路では、調整をチップ内で行ない、必要な
精度を出すことが要求される。

このため、従来、集積回路を製造する際、レーザにより
厚膜抵抗器をトリミングして抵抗値を調整したり、配線
パターンを溶断して抵抗器の絹合せを変更し所定の抵抗
値となるよう調整したり、あるいはマスクパターンの使
い分けにより配線パターンを変更して所定の抵抗値に調
整するといった構成が採られている。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、こうした構成では、レーザを使用したト
リミング・溶断の装置が必要となり、あるいは複数のマ
スクパターンを要するので、製造コストの上昇を招くの
みならず、製造工程が複雑化するという問題があった。

また、経時変化等により抵抗値に基づく基準電圧等が変
化しても、再調整できないという問題があった。

こうした問題に対し、Ｄ／Ａ変換器を多数内蔵し、基準
電圧等をディジタルデータに基づいて生成する構成も考
えられるが、部品点数の増大や制御プログラムの複雑化
を招く。更に、こうした場合、８ビット程度のＤ／Ａ変
換器では、０．４パ一セント程度の精度しか得られない
ため、高精度な調整を要する場合には、Ｄ／Ａ変換器の
分解能を十分に高くせねばならず、結果的に集積回路の
構成をいたずらに複雑にするという問題を招致する。

本発明は上記問題点を解決し、集積化の容易な信号設定
装置において、信号の調整とその再調整とを簡易な構成
で行なうことを目的としてなされた。

発１ｍ成 かかる目的を達成する本発明の構成について以下説明す
る。

［問題点を解決するための手段］ 本発明の信号設定装置は、第１図に例示するように、 複数の抵抗器Ｒからなる抵抗ネットワークＲＮの所定の
点の抵抗値に基づく信号を出力とする信号設定装置であ
って、 前記抵抗ネットワークＲＮを構成する抵抗器Ｒのいくつ
かに各々接続されたスイッチング素子ＳＷと、 記憶されるデータの状態が書換え可能であり、前記スイ
ッチング素子ＳＷに接続されて該スイッチング素子ＳＷ
の状態を決定する記憶素子Ｍとを備えたことを要旨とす
る。

ここで、複数の抵抗器Ｒからなる抵抗ネットワークＲＮ
とは、所定の電圧を分圧するよう直列に接続された抵抗
器群（第１図参照）や並列に接続された抵抗器群であっ
てもよいし、梯子型に絹んだ抵抗器群、あるいは更に直
列・並列に絹み合わせて回路網としたもの等でもよい。

乙うした抵抗ネットワークＲＮの所定の接続点の抵抗値
に基づく信号は、抵抗値そのものでもよいし、抵抗器Ｒ
により分圧された電圧としてもよく、あるいは抵抗値に
よって定まる発振周波数やデユーティ比や電流等でもよ
い。

スイッチング素子ＳＷとは、記憶素子Ｍによってその状
態が定められるものであり、記憶素子Ｍの記憶する情報
によりオン・オフのいずれかに駆動される。スイッチン
グ素子としては、トランジスタ、電界効果トランジスタ
、各種サイリスタ。

アナログスイッチ等、種々のものを使用することができ
る。こうしたスイッチング素子ＳＷは、集積回路に一体
に構成することができる。

スイッチング素子ＳＷと抵抗器Ｒとの接続は、第１図に
例示したように各抵抗器Ｒの接続点をスイッチング素子
ＳＷを介してワイアードするようなものでもよいし、接
続点をスイッチング素子ＳＷを介して接地もしくはプル
アップするものでもよい。あるいは、スイッチング素子
ＳＷを抵抗器並列に接続した構成等も考えることができ
る。

記憶素子Ｍは、その出力によりスイッチング素子ＳＷの
状態を定めるものであり、その状態が書き換え可能なも
のならばどんなものでもよく、例えばＥＰＲＯＭあるい
はＥＥＰＲＯＭ等を使用することができる。

［作用コ 上記構成を有する本発明の信号設定装置は、記憶手段Ｍ
に記憶されたデータに基づいてスイッチング素子ＳＷの
状態が定まり、このスイッチング素子ＳＷの状態により
、スイッチング素子ＳＷが接続されたいくつかの抵抗器
Ｒを含んで構成された抵抗ネットワークＲＮの所定の点
の抵抗値が決定される。この結果、複数の抵抗器Ｒから
なる抵抗ネットワークＲＮの所定の点の抵抗値に基づい
て、信号設定装置の出力する信号が定まる。従って、゛
記憶素子Ｍに記憶されるデータを書き換えることにより
、本発明の信号設定装置の出力する信号は変更される。

［実施例コ 以上説明した本発明の構成・作用を一層明らかにするた
めに、以下本発明の信号設定装置の好適な実施例につい
て説明する。第２図は、本発明一実施例としての信号設
定装置の概略構成を示す回路図である。この信号設定装
置は、マイクロプロセッシングユニット（以下、ＭＰＵ
と呼ぶ）１における電源電圧Ｖｏの監視用に用いられる
回路であり、ＭＰＵＩに内蔵されて、ＭＰＵＩの電圧入
力端子Ｔｏに人力される電圧レベルを監視する回路とし
て構成されている。その出力信号ｏｕｔは、ＭＰＵに内
蔵された割込コントローラＰＩＣの高レベルの割込信号
に割り当てられ、電源電圧Ｖ。

が所定の基準電圧以乍となったとき、割込による退避処
理を実現するのに用いられる。

この信号設定装置は、第２図に示すように、プログラミ
ング電圧入力端子Ｔｐに人力される書き込み用電圧Ｖｐ
を制御する書込電圧駆動回路５と、ＭＰＵＩ内の内部バ
ス３を介して設定される３ビツトのデコーダ７と、デコ
ーダ７の３ビツトの出力に対応してＥＰＲＯＭの書き込
みを制御する３個の書込制御回８ａ、８ｂ、８ｃと、こ
れに対応して設けられた３個の電圧制御回路１０ａ、１
０ｂ、１０ｃと、電圧制御回路１０ａ、１０ｂ、１０Ｃ
の出力信号を受けて基準電圧を生成する基準電圧発生回
路１２と、基準電圧発生回路１２の出力電圧ＶＲと電圧
入力端子Ｔｏに人力される電圧Ｖｏとを比較するコンパ
レータ１４と、その他のインバータ１６および１日とか
ら構成されている。

書込電圧駆動回路５は、アナログスイッチ２０とこれを
駆動するインバータ２１とから構成されており、内部バ
ス３を介してアナログスイッチ２０がオン◆オフされる
ことによって、プログラミング電圧入力端子Ｔｐから人
力される高電圧（本実施例で２５　［Ｖ］　）を、書込
制御回路８ａ、８ｂ、８ｃへ出力するか否かの制御を行
なう。

デコーダ７は、内部バス３を介して人力されるデータに
基づいて、その３ビツトの出力Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃを排他
的にアクティブロウとする回路である。

デコーダ７のひとつの出力Ｄａは、書込制御回路８ａの
インバータ２５ａと電圧制御回路１０ａのクロックドイ
ンバータ２７ａとに接続されている。書込制御回路８ａ
は、インバータ２５ａの他に電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）２８ａを備え、一方電圧制御回路１０ａは、クロ
ックドインバータ２７ａの他に、このクロックドインバ
ータ２７ａの出力と並列に接続されたいまひとつのクロ
ックドインバータ３０ａ、クロックドインバータ３０ａ
の人力に接続されたインバータ３２ａ、この−８＝ インバータ３２ａの人力とグランド間にシリーズに接続
されたＦＥＴ３４ａとＥＰＲＯＭ３６ａ。

およびＦＥＴ３４ａのドレインをプルアップするプルア
ップ抵抗器３８ａを備える。とこで、ＥＰＲＯＭ３６ａ
は、電気的に書込可能な１ビツトの記・憶素子であり、
初回状態ではドレイン・ソース間がオン（導通）状態と
なっている。

次に、両回路８ａ、１０ａの構成とその接続関係につい
て説明する。書込制御回路８ａのＦＥＴ２８ａのソース
とＥＰＲＯＭ３６ａのドレインとは接続されており、と
のＦＥＴ２８ａのドレインは、書込電圧駆動回路５の出
力に接続されている。

また、ＦＥＴ２８ａのゲートはインバータ１日を介して
内部バス３から出力されるコントロール信号ＳＣに接続
されている。このコントロール信号ＳＣは、この他、電
圧制御回路１０ａのＦＥＴ３４ａのゲートに接続されて
おり、更にコントロール信号ＳＣとこれを反転するイン
バータ１６の出力とは、２個のクロックドインバータ２
７ａ、３０ａの各制御端子に接続されている。これら両
りロックドインバータ２７ａ、３０ａのワイアードされ
た出力は、基準電圧発生回路１２のアナログスイッチ４
１ａＬ乙、直接およびインバータ４３ａを介して接続さ
れている。

従って、以上の構成を有する書込制御回路８ａ。

電圧制御回路１０ａは、デコーダ７の出力とコントロー
ル信号ＳＣとにより次のように動作する。

（１）　コントロール信号ＳＣがロウレベルのとき： クロックドインバータ２７ａが動作状態となり、デコー
ダ７の出力Ｄａがインアクティブ（ハイレベル）の場合
には、その出力はロウレベルとなる。

従って、基準電圧発生回路１２のアナログスイッチ４１
ａはオフ状態のままに保持される。一方、デコーダ７の
出力Ｄａがアクティブ（ロウレベル）の場合には、クロ
ックドインバータ２７ａの出力はハイレベルとなる。従
って、基準電圧発生回路１２のアナログスイッチ４１ａ
はオン（導通）状態とされる。

（２）　コントロール信号ＳＣがロウレベルでかつ書込
電圧駆動回路５から書込用電圧Ｖｐが出力されたとき： 書込制御回路８ａのＦＥＴ２８ａが導通状態になり、書
込用電圧ＶｐがＥＰＲＯＭ３６ａのドレインに印加され
る。この結果、ＥＰＲＯＭ３６ａは、書込制御回路８ａ
のインバータ２５ａの出力の状態に応じて、その状態が
書き換えられる。即ち、インバータ２５ａの出力がロウ
レベル（デコーダ７の出力Ｄａはハイレベル）の場合に
は、ＥＰＲＯＭ３６ａは初期状態（導通状態）のままに
保持され、デコーダ７の出力Ｄａがアクティブロウとな
ってインバータ２５ａの出力がハイレベルとされた場合
には、ＥＰＲＯＭ３６ａはオフ（非導通）状態に書き換
えられる。

（３）　コントロール信号Ｓｃがハイレベルのとき： 電圧制御回路１０ａのクロックドインバータ３０ａおよ
びＦＥＴ３４ａが動作状態となり、ＥＰＲＯＭ３６ａの
状態が、２つのインバータ３２ａ。

３０ａを介して基準電圧発生回路１２に出力される。従
って、ＥＰＲＯＭ３６ａが上記（２）により導通状態の
ままに保持されていれは、クロックドインバータ３０ａ
の出力はロウレベルとなって基準電圧発生回路１２のア
ナログスイッチ４１ａはオフ状態のままとなり、一方、
ＥＰＲＯＭ３６ａが非導通状態に書き換えられていれば
、クロックドインバータ３０ａの出力はハイレベルとな
ってアナログスイッチ４１ａはオン状態となる。

以上、書込制御回路８ａ、電圧制御回路１０ａの構成お
よび働きについて説明したが、他の書込制御回路８ｂ、
８ｃおよび電圧制御−回路１０ｂ。

１０ｃの構成も、書込制御回路８ａおよび電圧制御回路
１０ａと同一なので、第２図にサフックスのみ異なる同
一の番号により示し、その説明は省略する。電圧制御回
路１０ｂ、１０ｃの出力は、電圧制御回路１０ａの出力
と同様に、基準電圧発生回路１２に出力されており、ア
ナログスイッチ４１ｂ、４１ｃをインバータ４３ｂ、４
３ｃを用いて駆動する構成となっている。

こうして電圧制御回路１０ａ、１０ｂ、１０ｃの出力に
よりスイッチング制御されるアナログスイッチ４１ａ、
４１ｂ、４１ｃの入力端は、安定化された電圧Ｖ　ＣＮ
５Ｔとグランドとの間にシリーズに接続された抵抗器Ｒ
ａ、Ｒｂ、Ｒｅ、Ｒｄのそれぞれの接続点に接続されて
いる。これらの抵抗器Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄの各接続
点の電圧をそれぞれＶａ、Ｖｂ、Ｖｃとする。一方、ア
ナログスイッチ４１ａ、４１ｂ、４ＩＣ（７）出力側は
、ワイアードされてコンパレータ１４のマイナス側人力
に人力されている。従って、アナログスイッチ４１ａ、
４１ｂ、４１ｃのいずれかひとつが、排他的に導通状態
にされることにより、導通状態にされたアナログスイッ
チ４１ａ、４１ｂ、４１ｃに対応した電圧Ｖａ、Ｖｂ、
Ｖｃがコンパレータ１４により比較される基準電圧ＶＲ
として出力される。尚、コンパレータ１４のプラス側人
力には、電圧入力端子Ｔｏから保護用の抵抗器Ｒ１を介
して、監視される電源電圧Ｖｏが人力される。

ここで、基準電圧発生回路１２の電圧Ｖ　ＣＮ５Ｔが５
［■］であり、分圧用の抵抗器Ｒａ、　Ｒｂ、　Ｒｃ、
Ｒｄの抵抗値が、正確に、 Ｒａ＝５．１７　　　　　［ＫΩコ Ｒｂ＝Ｒｃ＝０．１　［ＫΩ］ Ｒｄ＝１０’０　　　　　［ＫΩ］ であるすると、分圧電圧ｖｂは、４．７５［Ｖ］となり
、電圧Ｖａ、Ｖｃは、電圧ｖｂに対して約±０．１％相
違する値となる。現実には、抵抗器の抵抗値には若干（
±０．１パーセント程度）の誤差カアリ、電圧Ｖａ、Ｖ
ｂ、Ｖｃは、４．７５±０．００４７５　［Ｖ］とはな
らない場合もあるが、基準電圧発生回路１２のアナログ
スイッチ４１ａ、４１ｂ、４１ｃのいずれかひとつをオ
ン状態にすることにより、±０．１パーセント異なる電
圧のいずれかを、コンパレータ１４の基準電圧ＶＲとす
ることができる。

以上のように構成された本実施例の信号設定装置におい
て、電源電圧を監視するのに用いられる基準電圧ＶＲの
調整の方法について、次に説明する。調整時には、まず
内部バス３を介して、コントロール信号ＳＣをロウレベ
ルとすると共に、デコーグ７の出力Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃが
、ｒｌ、　　０゜１」となるよう設定する。この結果、
クロックドインバータ２７ａ、２７ｂ、２７ｃが動作状
態となり、電圧制御回路１０ａ、１０ｃの出力はロウレ
ベルに、電圧制御回路１０ｂの出力はハイレベルとなる
。従って、基準電圧発生回路１２のアナログスイッチ４
１ｂだけが導通状態となり、抵抗器ＲｂおよびＲｃの接
続点の電圧ｖｂが、基準電圧ＶＲとして出力される。こ
の状態で、電圧入力端子Ｔｏに、正確に４．７５００　
［Ｖ］に較正された電圧を印加する。コンパレータ１４
が、第３図に示すように、この電圧ｖｂを境にその出力
を反転する場合には、基準電圧ＶＲは正しく調整されて
いるとして、書込電圧駆動回路５を制御して書込電圧Ｖ
ｐを書込制御回路８ａ、８ｂ、８ｃに印加する。この結
果、デコーダ７の出力Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃの状態（ここで
はｒｌ、Ｏ，ＩＪ）に基づいて、電圧制御回路１０ｂの
ＥＰＲＯＭ３６ｂのみが非導通状態に書き換えられる。

また、アナログスイッチ４１ｂを導通状態とし、電圧ｖ
ｂを基準電圧ＶＲとしてコンパレータ１４に導いた状態
では、電源電圧Ｖｏが４．７５００［Ｖ］を０．１パー
セント程度下回った値でコンパレータ１４が反転する場
合には、基準電圧ＶＲを高くする必要があるとして、デ
コーダ７の出力Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃをｒｏ、１．ＩＪにセ
ットする。

この結果、アナログスイッチ４１ａだけが導通状態とな
り、電圧ｖｂより０．１パーセント程度高い電圧Ｖａが
基準電圧ＶＲとしてコンパレータ１４に出力される。こ
のとき、コンパレータ１４は、はぼ４．７５００　［Ｖ
］を境にその出力を反転させるから、調整は終了したと
して電圧制御回路１０ａのＥＰＲＯＭ３６ａを非導通状
態に書き換える。同様に、電圧ｖｂが設定しようとして
いる基準電圧ＶＲより高い場合には、デコーダ７の出力
Ｄａ、Ｄｂ、ＤＣをｒｌ、１．ＯＪにセットとして電圧
Ｖｃを選択することにより、基準電圧ＶＲを４．７５０
０　［Ｖ］に調整し、電圧制御回路１０ｃのＥＰＲＯＭ
３６ｃを非導通状態に書き換える。

従って、こうした調整後、コントロール信号ＳＣをハイ
レベルとすると、電圧制御回路１０ａ。

１０ｂ、１０ｃの各ＥＰＲＯＭ３６ａ、３６ｂ。

３６ｃの状態に基づいて、アナログスイッチ４１ａ、４
１ｂ、４１ｃのいずれかが導通状態となり、基準電圧と
して正確に４．７５００　［Ｖ］に調整された電圧がコ
ンパレータ１４に出力され、電源電圧の監視が行なわれ
ることになる。この結果、ＭＰＵＩにおいて、電源電圧
ＶＯの監視電圧を極めて正確に調整することができ、厚
膜ないし薄膜抵抗層のトリミングやマスクパターンの変
更等を要せず、電気的手段のみで調整を完了することが
できる。しかも、本実施例では、ＥＰＲＯＭ３６ａない
し３６ｃの書き換えに先だって、基準電圧ＶＲを実際に
変えることができるので、容易に調整できるという利点
がある。また、Ｅ　Ｐ　Ｒ０Ｍ３６ａ、３６ｂ、３６ｃ
はディジタルな素子であり、アナログ信号を調整するた
めの複雑な回路を必要とせず、さらにウェハの状態でも
、パッケージの状態でも調整を行なうことができる。

更に、ＭＰＵＩは、電源電圧Ｖｏの低下を極めて精度よ
く検出でき、電源異常時の退避処理等を確実に実現でき
るという効果も得られる。

尚、本実施例では、基準電圧調整用の抵抗器は４本で構
成したが、更に多数の抵抗器を用いて分圧電圧を生成し
、デコーダ７の出力ビツト数や書込制御回路および電圧
制御回路の数を増やして、調整精度の向上や調整範囲の
拡大を図ってもよい。

また、第４図に示すように、３個の分圧用抵抗器ＲＩＯ
，Ｒ１１，Ｒ１２を用い、抵抗器ＲＩＯないしＲ１２に
よる分圧電圧を、２個のアナログスイッチＡＳ１．ＡＳ
２を介して基準電圧ＶＲとして出力する簡易な構成とし
てもよい。

この他、ＥＰＲＯＭを電気的に書き換え可能なＥＥＰＲ
ＯＭとして構成し、経時変化等により基準電圧ＶＲが変
化したとき、再度基準電圧ＶＲを調整して、ＥＥＰＲＯ
Ｍを書き直すものとしてもよい。

次に本発明の第２の実施例について説明する。

第５図は、第２実施例としての信号設定装置の概略構成
図であり、この信号設定装置は、第１実施例と同様、基
準電圧ＶＲを出力するものである。

図示するように、この信号設定装置は、内部バス４９を
介して設定されるデコード出力ＤＩないしＤ３および書
込出力Ｐ１ないしＲ３を有するプログラム回路５０、プ
ルアップ抵抗器ＲＵＰを備えプログラム回路５０の書込
出力Ｐ１ないしＲ３の出力によって書き込みがなされる
ＥＰＲＯＭ５１ないし５３、プログラム回１５０からの
デコード出力ＤＩないしＤ３と各ＥＰＲＯＭ５１ないし
５３の出力とがワイアードされたものを人力とするドラ
イブ回路６１ないし６３、ドライブ回路６１ないし６３
の出力によってドライブされるＦＥＴ７１ないし７３、
安定化された電圧ＶＣＮＳＴを分圧する５個の抵抗器Ｒ
８０ないしＲ８４から構成されている。この抵抗器Ｒ８
１ないしＲ８４の各接続点は、ＦＥＴ７１ないし７３の
ドレインに接続されており、ＦＥＴ７１ないし７３が導
通状態になると、各接続点は接地される。

以上の構成を有する第２実施例の信号設定回路によれは
、第１実施例と同様に、ＥＰＲＯＭ５１ないし５３を書
き換えることにより、基準電圧ＶＲを３段階に変更・調
整することができる。従って、第１実施例と同様の効果
を奏するととができ、更に基準電圧の可変範囲を大きく
することができる。尚、本実施例において、ドライブ回
路６１゜６３と異なりドライブ回路６２がインバータひ
とつで構成されているのは、プログラム回路５ｏに何の
データもセットされていない状態で、電圧ＶＣＮＳＴを
抵抗器Ｒ８０ないし８２により分圧した電圧を、基準電
圧ＶＲとして出力するためである。、尚、こうした信号
設定装置は、コンパレータ等として用いられる演算増幅
器のパッケージ内に、絹み込んでもよい。

次に、本発明の第３の実施例について説明する。

第３実施例としての信号設定装置は、第６図に示すよう
に、信号の出力周波数ｆｏｕｔを設定する装置である。

この信号設定装置は、図示するように、４ビツトである
ことを除いて第１実施例と同様の構成を有するデコーダ
２０７．書込制御回路２゜８、電圧制御回路２１０を備
え、更に電圧制御回路２１０の４本の出力により駆動さ
れるアナログスイッチ２２１ないし２２４、アナログス
イッチ２２１ないし２２４が導通状態となったとき発振
器２３０の帰還抵抗として選択される抵抗器Ｒ２３１な
いしＲ２３４を備えて構成されている。尚、発振器２３
０は、ＣＭＯ５のインバータ２４１ないし２４３と抵抗
器Ｒ２５０，コンデンサＣ２６０とを用いた周知のもの
である。

以上の構成を有する本実施例の信号設定装置は、第１実
施例と同様に電圧制御回路２１０に内蔵されたＥＰＲＯ
Ｍに所定のデータを書き込むことにより、出力周波数ｆ
ｏｕｔを多段階に調整することができる。特に本実施例
では、アナログスイッチ２２１ないし２２４の駆動は排
他的である必要がなく、抵抗器Ｒ２３１ないしＲ２３４
を所定の割合で重み付けした抵抗値とすれば、１６段階
に亘って、直線性の良い周波数信号ｆｏｕｔを得ること
ができる。

以上本発明の実施例について説明したが、本発明はこう
した実施例に何等限定されるものではなく、例えは抵抗
ネットワークを構成する抵抗器をマイクロプロセッサの
配線領域の下に拡散抵抗体として形成し、第７図に示す
ように、等しい抵抗（直ｒを有する多数の基本抵抗器を
１本または数本ずつ直列ないし並列に接続して特定の抵
抗値とした構成など、本発明の要旨を逸脱しない範囲に
おいて、種々なる態様で実施し得ることは勿論である。

発瓜四Ｂ尤果 以上詳述したように、本発明の信号設定装置によれは、
記憶素子への書き込みにより、抵抗ネットワークの所定
の点の抵抗値に基づいて出力する信号の設定を可変し得
るという優れた効果を奏する。従って、信号の調整が容
易であり、従来のレーザトリミングやマスクパターンの
変更を要した装置と較べて、構成が簡略化されるのみな
らず、製造工数・コストにおいても格段に優れる。また
、記憶素子が書き換え可能であることから、出力信号が
経時変化等により誤差を生じた場合には、簡易に再調整
できるという極めて優れた効果を有する。

これらの結果、集積回路にアナログ回路を内蔵すること
が容易となり、外付部品の削減による部品点数・組立工
数の低減、信頼性の向上等を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基本的構成を例示するブロック図、第
２図は本発明第１実施例としての信号設定装置の概略構
成を示す回路図、第３図はコンパレータ１４の出力電圧
を示すグラフ、第４図は基準電圧発生回路の他の構成例
を示す回路図、第５図は本発明第２実施例としての信号
設定装置の構成を示す回路図、第６図は本発明第３実施
例の概略構成を示す回路図、第７図は抵抗ネットワーク
の構成例を示す説明図、である。 １　・・・　マイクロプロセッシングユニット（ＭＰＵ
） ５　・・・　書込電圧駆動回路 ７　・・・　デコーダ ８ａ、　　８ｂ、　　８ｃ　　　　・・・　書込制御回
路１０ａ、１０ｂ、１０ｃ　　−−−電圧制御回路１２
　・・・　基準電圧発生回路 １４　・・・　コンパレータ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　複数の抵抗器からなる抵抗ネットワークの所定の点
   の抵抗値に基づく信号を出力とする信号設定装置であっ
   て、 前記抵抗ネットワークを構成する抵抗器のいくつかに各
   々接続されたスイッチング素子と、記憶されるデータの
   状態が書換え可能であり、前記スイッチング素子に接続
   されて該スイッチング素子の状態を決定する記憶素子と を備えた信号設定装置。 ２　抵抗値に基づく信号は、抵抗器により分圧された電
   圧である特許請求の範囲第１項記載の信号設定装置。 ３　記憶素子は、ＥＰＲＯＭもしくはＥＥＰＲＯＭであ
   る特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の信号設定
   装置。