JPS63307749A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63307749A JPS63307749A JP62143707A JP14370787A JPS63307749A JP S63307749 A JPS63307749 A JP S63307749A JP 62143707 A JP62143707 A JP 62143707A JP 14370787 A JP14370787 A JP 14370787A JP S63307749 A JPS63307749 A JP S63307749A
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- semiconductor element
- semiconductor
- insulating resin
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子の接続端子と基板上に形成したパ
ターンの接合において、パターン上への突起電極の形成
方法及び接続方法に関するものである。
ターンの接合において、パターン上への突起電極の形成
方法及び接続方法に関するものである。
近年、液晶ディスプレイやＩＣカード等は一定の面積に
ＩＣやＬＳＩを高密度かつ薄型に実装しなければならな
く、その方法として７リフブチツブ方式やテープキャリ
ア方式が知られている。これらの方式では、基板上のパ
ターン又はテープのバター７上又は半導体素子の電極パ
ッド上に金属の突起電極（以下バンプ）を形成し、接合
は共晶合金法により行なわれていた。
ＩＣやＬＳＩを高密度かつ薄型に実装しなければならな
く、その方法として７リフブチツブ方式やテープキャリ
ア方式が知られている。これらの方式では、基板上のパ
ターン又はテープのバター７上又は半導体素子の電極パ
ッド上に金属の突起電極（以下バンプ）を形成し、接合
は共晶合金法により行なわれていた。
しかしながら従来技術では、バンブを形成する工程が非
常に複雑であり、工数が多いためコスト高になるという
問題点を有する。又、接合は、共晶合金法により行われ
ているため、液晶ディスプレイやＩＣカードの様に複数
の半導体素子を実装する場合、不良半導体素子があった
時良品と交換できないため基板全体が不良となりコスト
高となるという問題点も育する。
常に複雑であり、工数が多いためコスト高になるという
問題点を有する。又、接合は、共晶合金法により行われ
ているため、液晶ディスプレイやＩＣカードの様に複数
の半導体素子を実装する場合、不良半導体素子があった
時良品と交換できないため基板全体が不良となりコスト
高となるという問題点も育する。
本発明は、このような問題点を解決するものでその目的
とするところは、不良半導体素子の交換が可能でかつ安
価な半導体装置の製造方法を提供するものである。
とするところは、不良半導体素子の交換が可能でかつ安
価な半導体装置の製造方法を提供するものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、基板の配線パターン
上に導電性樹脂線を溶融し、ボール状にしたものを塗布
するときにより突起ＮＷｉを形成する工程と該突起電極
と半導体素子の接続端子との接合部を絶縁性極脂により
固定する工程とからなることを特徴とする。
上に導電性樹脂線を溶融し、ボール状にしたものを塗布
するときにより突起ＮＷｉを形成する工程と該突起電極
と半導体素子の接続端子との接合部を絶縁性極脂により
固定する工程とからなることを特徴とする。
この時の樹脂線の材質は熱可型性樹脂であればどれでも
良い。また線の太さは、２０〜１００ミクロンで２０ミ
クロンより細いと腺が切れ易く不適であり１００ミクロ
ンより太いと加熱溶融した時ポールが大きくなりすぎて
バンプとして不適となる。
良い。また線の太さは、２０〜１００ミクロンで２０ミ
クロンより細いと腺が切れ易く不適であり１００ミクロ
ンより太いと加熱溶融した時ポールが大きくなりすぎて
バンプとして不適となる。
また、絶縁性樹脂は、光又は熱又はレドブクス反応等に
より硬化するものであれば、どれでも良い。
より硬化するものであれば、どれでも良い。
本発明の上記の構成によれば、導電性樹脂線をレーザ光
や赤外線により加熱溶融して表面張力によりボール状に
しこれを配線パターン上の半導体素子の接！！ 端子と
の接合部に塗布することによりバンプを形成する。次に
バンプ形成部分又は半導体素子に絶縁性樹脂を塗布し、
バンプと半導体素子の接続端子を位置合わせして、加圧
し、両者間の絶縁性樹脂を押し出し両者を密着させ硬化
固定する。
や赤外線により加熱溶融して表面張力によりボール状に
しこれを配線パターン上の半導体素子の接！！ 端子と
の接合部に塗布することによりバンプを形成する。次に
バンプ形成部分又は半導体素子に絶縁性樹脂を塗布し、
バンプと半導体素子の接続端子を位置合わせして、加圧
し、両者間の絶縁性樹脂を押し出し両者を密着させ硬化
固定する。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
第１図は、本発明の実施例を工程順に示した図である。
まずａ図の如く導電性樹脂線（１）を光ファイバーによ
り導かれたレーザ（２）により加熱溶融し樹脂ボール（
４）を形成する。この時の導電性樹脂線の特性を第１表
に示す。又この時のレーザはヤグレーザである。
り導かれたレーザ（２）により加熱溶融し樹脂ボール（
４）を形成する。この時の導電性樹脂線の特性を第１表
に示す。又この時のレーザはヤグレーザである。
次にｂ図の如く配線パターン（７）上に樹脂ボール（４
）を塗布する。次に０図の如くキャピラリー（５）を上
方へ上げなからレーザ（２）で加熱し、樹脂線（１）を
切断する。次にｄ図の如く絶縁性樹脂（９）を塗布し、
０図の如く半導体素子θ〔の接続端子と位置合わせし、
フェースダウン方式により熱圧着する。この時の温度は
１５０°Ｃで圧力はＥ３ｋｇ／ａｍ″であった。
）を塗布する。次に０図の如くキャピラリー（５）を上
方へ上げなからレーザ（２）で加熱し、樹脂線（１）を
切断する。次にｄ図の如く絶縁性樹脂（９）を塗布し、
０図の如く半導体素子θ〔の接続端子と位置合わせし、
フェースダウン方式により熱圧着する。この時の温度は
１５０°Ｃで圧力はＥ３ｋｇ／ａｍ″であった。
次に上記方法により接合した半導体素子を４００″Ｃに
加熱し絶縁性樹脂を溶融し半導体素子を取り外した。次
にまた上記方法により接合を行なった。
加熱し絶縁性樹脂を溶融し半導体素子を取り外した。次
にまた上記方法により接合を行なった。
上述の如く本発明によれば、ｌｊ３電性樹脂線を加熱溶
融し、ボール状にしたものを配線パターン上に塗布して
バンプを形成し、これと半導体素子の接続端子とを位置
合わせして接合し、絶縁性樹脂により固定することによ
り、バンプを簡単な工程で安価に形成でき、また、不良
チップがあった場合、加熱するだけで容易に取り外しが
でき、新しいデツプと交換が可能となり、今までの様に
基板全体を廃棄する場合と比較して大幅なコストダウン
が可能となる効果を仔する。
融し、ボール状にしたものを配線パターン上に塗布して
バンプを形成し、これと半導体素子の接続端子とを位置
合わせして接合し、絶縁性樹脂により固定することによ
り、バンプを簡単な工程で安価に形成でき、また、不良
チップがあった場合、加熱するだけで容易に取り外しが
でき、新しいデツプと交換が可能となり、今までの様に
基板全体を廃棄する場合と比較して大幅なコストダウン
が可能となる効果を仔する。
また、樹脂によりバンプを形成し接合しているため、従
来の共晶合金法による接合では基板と半導体素子の熱膨
張係数の違いにより発生していた半導体素子の四ずみで
の電極破断が見られないため、信頼性を大幅に向上させ
ることが可能となった。
来の共晶合金法による接合では基板と半導体素子の熱膨
張係数の違いにより発生していた半導体素子の四ずみで
の電極破断が見られないため、信頼性を大幅に向上させ
ることが可能となった。
第１閃（ａ）〜（ｅ）は、本発明の製造工程を示した図
である。 １・・・導電性樹脂線 ２・・・レーザ光３・・・光
ファイバー ４・・・樹脂ボール５・・・キャピラリ
ー ５・・・クラン／＜−７・・・配線パターン
８・・・基板９・・・絶縁性樹脂 １０・・・半導体
素子以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第１ 図
である。 １・・・導電性樹脂線 ２・・・レーザ光３・・・光
ファイバー ４・・・樹脂ボール５・・・キャピラリ
ー ５・・・クラン／＜−７・・・配線パターン
８・・・基板９・・・絶縁性樹脂 １０・・・半導体
素子以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第１ 図
Claims (1)
- 基板の配線パターン上に導電性樹脂線を溶融しボール
状にしたものを塗布することにより突起電極を形成する
工程と該突起電極と半導体素子の接続端子との接続部を
絶縁性樹脂により固定する工程とからなることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143707A JPS63307749A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143707A JPS63307749A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307749A true JPS63307749A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15345103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62143707A Pending JPS63307749A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63307749A (ja) |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62143707A patent/JPS63307749A/ja active Pending
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