JPS63305749A - インバ−タの電流検出装置 - Google Patents

インバ−タの電流検出装置

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JPS63305749A
JPS63305749A JP62141482A JP14148287A JPS63305749A JP S63305749 A JPS63305749 A JP S63305749A JP 62141482 A JP62141482 A JP 62141482A JP 14148287 A JP14148287 A JP 14148287A JP S63305749 A JPS63305749 A JP S63305749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transformer
output
circuit
power supply
power source
Prior art date
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Pending
Application number
JP62141482A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Hanei
博幸 羽根井
Masato Takase
真人 高瀬
Sumio Kobayashi
澄男 小林
Shiyougo Kiyokawa
清川 正悟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Keiyo Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Keiyo Engineering Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS63305749A publication Critical patent/JPS63305749A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はインバータの交流出力側の電流を主回路から電
気的に絶縁して検出する装置に関するものである。
〔従来の技術〕
インバータの交流出力側の電流を、主回路から電気的に
絶縁して検出する方式として、特開昭59−21324
8号や特開昭59−165969号公報にあるようにイ
ンバータの交流出力端子の電流を変流器によって検出す
ることが多用されている。
また、シャント抵抗器で負荷電流を検出し、これの出力
を絶縁増幅器を通すことによって主回路から電気的に、
絶縁した出力を取り出すことも行われている。絶縁増幅
器を使用したものは、ホトカプラを使用した光方式と発
振器とパルストランスを使用したDC−DCコンバータ
方式の2種類に分けることができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術に於いて変流器を用いて負荷電流を検出す
る方式は、変流器そのものが比較的大きいので実装しに
くい。
また、先方式の絶縁増幅器を用いる方式は経年変化に対
しての配慮が必要である。
更に、DC−DCコンバート方式の絶縁増幅器は発振器
、発振用トランス、補助電源等が必要であり1部品点数
が多くなる欠点がある。
本発明は以上のような点に鑑み成されたものであって、
その目的とするところはDC−DCコンバート方式での
検出を簡単且つ安価にできる回路構成を提供することに
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、DC−DCコンバータ方式の構成要素のう
ち1発振器1発振用トランス補助電源等をインバータの
スイッチング制御回路が有しているものを共用すること
により達成される。
すなわち本発明では夫々出力の相数と同じ数の上アーム
と下アームとを有しており、これ等上アームと゛下アー
ムとが対になって、直流電力入力端子間に直列に接続し
てあり、夫、々の上アームと下アームとの接続点から交
流出力端子が出ており、夫々の上アームと下アームとは
主スイッチング素子を有しており、これ等主スイッチン
グ素子のうち、基準電位側となる主スイッチング素子の
少くとも一部は、直流電源と、この直流電源に接続した
第一トランスと、この第一トランスと前記直流電源との
間に接続してあり、前記直流電源の電圧をスイッチング
して第一トランスの一次巻線に印加する補助スイッチン
グ素子と、前記第一トランスの一次巻線に対して電気的
に絶縁しである二次巻線の出力の整流出力をスイッチン
グ電源とするインバータに於いて、電流検出装置を以下
のように構成する。すなわち交流出力端子に接続した負
荷電流検出用のシャント抵抗器と、このシャント抵抗器
の出力を前記基準電位側となる主スイッチング手段のス
イッチング電源回路を構成する第一トランスの二次巻線
の出力に同期して交流に変換し第ニドランスの一次巻線
に印加する交流変換手段と。
第ニドランスの一次巻線に対して電気的に絶縁しである
二次巻線の出力を前記補助スイッチング素子のオンオフ
に同期して整流する整流回路とを設け、この整流回路の
出力の大きさからインバータの負荷電流の大きさを検出
する。
〔作用〕
ベース電源用スイッチングレギュレータを構成する補助
スイッチング素子は、高周波の規則正しい交流電圧を供
給するため、電流検出用のDC−DCコンバータの構成
要素である発振器及び発振用トランスで伝送される同期
信号として共用できる。
また、ベース電源の基準電位は一般に、各パワートラン
ジスタのエミッタであり、負荷電流検出用シャント抵抗
器を上アームのトランジスタのエミッタと負荷の間に入
れれば、この上アームのトランジスタのベース電源と、
電流検出部の基準電位が共通になる。このため、ベース
電源が電流検出部の補助電源として使用できる。
以上のように、スイッチングレギュレータに依るベース
電源回路は、電流検出用DC−DCコンバータの構成要
素としての共通要素をもっている。
また、ベース電源は各アームに供給する必要があるため
、必然的に同期信号を供給していることになる。したが
って、信号用トランスと簡単な回路、を追加するだけで
電流検出回路が構成できる。
〔実施例〕
インバータの主回路21は第3図に示すように夫々出力
相数と同数の上アームと下アームとを有している。夫々
の上アームは主スイッチング素子としてNPN形パワー
トランジスタQ 10−t yQio−2,Q7σ−3
を有しており、下アームはNPN形パワートランジスタ
Qt2−1 * Ql2−2 t Qix−yを有して
いる。
パワートランジスタ、Qs−tとQlx−1t Q/ρ
−2とQl、t−2,Q、to4とQy2−3は対にな
って直流電力入力端子Tt  、 T2間に直列に接続
しである。
夫々の上アームと下アームとの接続点から交流出力端子
P/  t PJ  t P3 が出ている。これ等の
端子には負荷としての三相誘導電動機19が接続してあ
゛る。
この回路では主スイッチング素子としてNPN形パワー
トランジスタを用いているのでQix−1+Q10−コ
t Ql2づのエミッタ端子をスイッチング制御回路1
−1の基準電位A1と等しくする。
第1@には上側アームを構成している主スイッチング素
子Q10−1 t Q10−2w Qies−1がQi
xで、また下側アームを構成している主スイッチング素
子Q/2−7*Qtニー2.QlLづがQtコで代表し
て示しである。
基準電位側となる主スイッチング素子Q10のスイッチ
ング制御回路1−1は第1図に詳細に示しであるように
補助直流電源DEとこの直流電源DEに一次巻線のセン
タ一端子と両エンド端子間を接続した第一トランスTr
t と、これ等第一トランスと補助直流電源DE間に接
続した補助スイッチング素子としてのMOS−FET、
Q、、QJとを有している。
この補助スイッチング素子Qt y QJはスイッチン
グ電源コントロール回路17で交互にオン、オフ制゛御
するように構成しである。つまり回路17と補助スイッ
チング素子Qt # QJと電源DEと第一トランスT
rlとでスイッチングレギュレータを構成している。
第一トランスTri の二次巻線は一次巻線に対して電
気的に絶縁しである。二次巻線の片方の端子の電位はA
3 として示すように主スイッチング素子Q/σのエミ
ッタ端子と共通の電位になる。二次巻線の両方の端子間
には整流用のダイオードDIと平滑用コンデンサC/間
じく整流用ダイオードD2  と平滑用コンデンサCノ
 とが直列に接続しである。ダイオードDI とDJ 
とは導通方向が互いに反対方向を向いている。
全体を13で示す回路は第2図に詳細に示すように構成
しである。 Tbt  、 Tbs がベース信号入力
端子である。このベース信号はホトカブラPhtで電気
的に絶縁され、更に増幅回路AMPで増幅されてスイッ
チング制御信号となる。ダイオードDIとコンデンサC
/ との直列接続点P4 は主スイッチング素子Q10
のコレクタに接続され、ダイオードDスとコンデンサC
2との直列接続点N5は負電源となりベース電源を形成
する。
前記パワートランジスタQ/Iのエミッタと負荷との間
に、電流検出用のシャント抵抗器R/aがある。一方、
入出力ともセンタタップ付の信号トランスTr2があり
、入力側の両側端子と並列にnチャンネルF E T 
QaとPチャネルFETQ、rの直列回路がある。前記
信号トランスTr、Lの入力側センタタップと、前記2
つのFETの接続中点の間に、前記シャント抵抗器の両
端子が接続されている。
前記NチャンネルFETQ4のゲートと、負電源N3 
の間には、ゲート側をカソードとしたダイオードD4 
と抵抗R7の直列回路があり、前記PチャンネルFET
Q3のゲートと、正電源P4 の間には、ゲート側をア
ノードとしたダイオードD3と抵抗R1の直列回路があ
る。前記ダイオードD。
のカソードと前記ダイオードD4の7ノード閏に抵抗R
2と抵抗R4の直列回路があり、その中点が前記電源ト
ランスTr/のダイオードブリッジ側端子に接続されて
いる。ここに、FETQ5 。
QJ、ダイオードD3  、 D4 、揉抗Rt  g
 Rx、 eR3、R4で形成されるスイッチ群を交流
変換手段5と称す。
前記信号トランスTr2の出力側センタタップは、基準
電位A1に接続され、他の2つの端子は、それぞれアナ
ログスイッチQ、t + Qaの入力側に接続されてい
る。前記アナログスイッチQf、Ql。
の出力は互いに接続され、反転増幅器9の入力端子に接
続されている。前記反転増幅器は、演算増幅器の反転入
力と出力の間にコンデンサが接続されている。前記2つ
のアナログスイッチQりtQiの第2−オフ信号は、前
記MO8−FETQ/ 。
Q2のゲート信号で制御され、同期がとられている。こ
こに、アナログスイッチQr、Qbと前記反転増幅器9
で構成される回路を整流回路11と称す。
なお、パワートランジスタQ10は、パワートランジス
タQ/jとトーテムポール出力を形成し、インバータの
1つのアームとなる。さらに、前記パワートランジスタ
Q/スのベースは、下アームベース制御回路15により
制御される。これは任意のベース制御回路で良い。
本発明の詳細な説明する。
第一トランスTrz の出力は一次側に対して絶縁され
た第4図(d)に示すように規則的な交流電圧(基準電
位A1に対し、正電圧、休止、負電圧、休止のサイクル
をとる)を出力する。ダイオードDr 、[]aは、ト
ランスTr1の出力を半波整流し、正電源P3 と負電
源N3を形成し、パワートランジスタQ/σのベース制
御回路13及び、交流変換手段5に供給される。
パワートランジスタQ/ジと負荷の間に接続されたシャ
ント抵抗R/σには、第4図(c)に示す負荷電流に比
例した電圧が発生し、この電圧が交流変換手段5で交流
変調され、信号トランスTr2の入力になる。
交流変換手段5は、nチャンネル及びPチャンネルFE
Tで形成され、第一トランスTr/ の出力でon−o
ff制御される。
第一トランスTr7の出力が正電位の時、nチャンネル
F E T Q4がオンでPチャンネルF E T Q
yがオフとなり、出力が負電位の時、nチャンネルF 
E T Q4がオフでPチャンネルFETQjがオン、
出力が休止の時1両FETがオフ状態になるよう、各F
ETのゲート電圧がバイアスされている。ダイオードD
5 s D4は、FETのゲートが順電位になるのを防
ぐ役を果している。
交流変換手段5で変調されたシャント抵抗器R10間の
電圧は、第ニドランスTrユで二次側に伝送され、アナ
ログスイッチQr t Qtに入力された第4図(e)
(f)に示す入力はここで復調される。アナログスイッ
チは、MOS−FETの第2−オフ信号と同一の信号で
オン−オフされるため。
MOS−FETQi 、Q−2〜)−ランスTrl〜F
ET  Qi 、 Q4〜信号トランスTrλ〜アナロ
グスイッチQr v Qtという信号の流れで、第4図
(g)に示す出力が得られ同期整流が可能になる。
94図(a)はQ/ρのオンオフ状態を示す図。
(b)は時間軸を伸ばして示す図、(c)はシャント抵
抗R10の出力である。第4図(a)の各tI。
t2 、 t4期間は端子Tbz、Tbλ間にベース信
号が入っている。
なお、第3図に於いて、高力端子P3にはシャント抵抗
が接続してないが、この端子に流れる負荷電流の大きさ
は、出力端子P/ に流れる電流の大きさを示す整流回
路11−1とP2に流れる電流の大きさを示す整流回路
11−2との差から演算によって求めることができる。
第1図では、MOS−FETQi がオンのとき、アナ
ログスイッチQrがオン、MOS−FETQ2がオンの
とき、アナログスイッチQt−がオンになるようにして
いるが、これをQtがオンのときQiもオン、Q2がオ
ンのときQrもオンになるようにすれば、信号の反転が
可能になる。
なお、本発明では、アナログスイッチQr r Qiの
出力を反転増幅器に入力しているが1反転増幅器の代わ
りに、サンプルホールド回路やコンデンサと抵抗とのロ
ーパスフィルタ等を使用してもよい、さらに、MOS−
FETQt 、Qλはトランジスタでもよく、パワート
ランジスタQ/pt Qtは、パワーMO5−FET、
SIT、サイリスタ等のスイッチング素子でもよく、F
ETQヌr 04はアナログスイッチ等の電子回路及び
論理回路を使用した構成でもよいことは、当然のことで
ある。
第5図は本発明の異なる実施例である。この実施例では
第一トランスTr/の一次巻線はセンタタップを有して
ない、従ってMOS−FETQ/は省略され、Q2のみ
がある。
この場合には第一トランスTr1 の二次巻線に流れる
逆起電力により第一トランスTr1 の−次巻線の残留
磁束の方向は反転する。
なお、以上の実施例では主スイッチング素子としてNP
N形パワートランジスタを用いたので基準電位が上アー
ムを構成するパワートランジスタのエミッタとなったt
< P N P形トランジスタやJチャンネルパワーM
OS−FETを用いれば下アームの主スイッチング素子
のベース信号を作るスイッチングレギュレータの出力に
同期させて交流変換手段及び整流回路を働かせることが
できる。第6図は2つのインバータ21−1と21−2
を有する場合の例である。第一トランスTr/の前段は
共同できる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、スイッチングレギュレータを使用した
ベース電源回路と、シャント抵抗を使用したDC−DC
コンバータ方式の電流検出回路の大部分の構成要素(発
振器、発振用トランス、補助電源)が共用化できるので
、装置が簡単で小型になり、安価になるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の実施例を示す回路図。 第2図は第1図に示した回路の一部の詳細例を示す回路
図、第3図は第1図に示した回路のより広い部分の詳細
を示す回路図、第4図は第1図に示した回路の動作を示
すのに用いるタイムチャート、第5図は本発明の異なる
実施例を示す回路図、第6図は本発明の更に異なる実施
例を示す回路図である。 1・・・プッシュプル形スイッチング電源、3・・・ベ
ース電源、5・・・交流変換手段、11・・・整流回路
、13・・・上アームベース制御回路、15・・・下ア
ームベース制御回路。 lfy2I21

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、夫々出力の相数と同じ数の上アームと下アームとを
    有しており、これ等上アームと下アームとが対になって
    、直流電力入力端子間に直列に接続してあり、夫々の上
    アームと下アームとの接続点から交流出力端子が出てお
    り、前記夫々の上アームと下アームとは主スイッチング
    素子を有しており、これ等主スイッチング素子のうち、
    基準電位側となる主スイッチング素子の少くとも一部は
    、直流電源と、該直流電源に接続した第一トランスと、
    該第一トランスと前記直流電源との間に接続してあり、
    前記直流電源の電圧をスイッチングして前記第一トラン
    スの一次巻線に印加する補助スイッチング素子と、前記
    第一トランスの一次巻線に対して電気的に絶縁してある
    二次巻線の出力の整流出力をスイッチング電源とするも
    のに於いて、前記交流出力端子に接続した負荷電流検出
    用のシャント抵抗器と、該シャント抵抗器の出力を前記
    基準電位側となる前記主スイッチング手段のスイッチン
    グ電源回路を構成する前記第一トランスの二次巻線の出
    力に同期して交流に変換し、第二トランスの一次巻線に
    印加する交流変換手段と、前記第二トランスの前記一次
    巻線に対して電気的に絶縁してある二次巻線の出力を前
    記補助スイッチング素子のオンオフに同期して整流する
    整流回路とを有することを特徴とするインバータの電流
    検出装置。
JP62141482A 1987-06-08 1987-06-08 インバ−タの電流検出装置 Pending JPS63305749A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004080778A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Semikron Elektron Gmbh パワー半導体トランジスタを駆動するための回路装置
JP2010115103A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Glacialtech Inc ゲート制御整流器と整流回路への応用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004080778A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Semikron Elektron Gmbh パワー半導体トランジスタを駆動するための回路装置
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