JPS63303895A - タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶の製造方法Info
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- JPS63303895A JPS63303895A JP14033787A JP14033787A JPS63303895A JP S63303895 A JPS63303895 A JP S63303895A JP 14033787 A JP14033787 A JP 14033787A JP 14033787 A JP14033787 A JP 14033787A JP S63303895 A JPS63303895 A JP S63303895A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、タンタル酸リチウム単結晶（以下単結晶とい
う）を製造する方法に係り、特に育成した単結晶の不純
物をコントロールすることにより単結晶のクランクを防
止する単結晶の製造方法に関する。
う）を製造する方法に係り、特に育成した単結晶の不純
物をコントロールすることにより単結晶のクランクを防
止する単結晶の製造方法に関する。
単結晶の製造はるつぼ内の多結晶原料を所定の温度（例
えば１６７０℃）まで昇温しで溶融し、融液を所定温度
（例えば１６５０℃）まで降温しでシード付けを行なっ
た後、シードを回転させつつ引き上げてネット部、コー
ン部、ボディ部を有する単結晶を育成する。次回の単結
晶の育成では前回残った原料に前回育成した結晶の重量
骨を追加し再度単結晶の育成を行なっている。
えば１６７０℃）まで昇温しで溶融し、融液を所定温度
（例えば１６５０℃）まで降温しでシード付けを行なっ
た後、シードを回転させつつ引き上げてネット部、コー
ン部、ボディ部を有する単結晶を育成する。次回の単結
晶の育成では前回残った原料に前回育成した結晶の重量
骨を追加し再度単結晶の育成を行なっている。
上記方法で追加チャージをしながら育成する方法では、
追加チャージを繰り返すと回を重ねる毎に単結晶のクラ
ンクの発生率が高（なるという問題点があり、その為原
料の追加チャージ数を少なくする必要があった。
追加チャージを繰り返すと回を重ねる毎に単結晶のクラ
ンクの発生率が高（なるという問題点があり、その為原
料の追加チャージ数を少なくする必要があった。
本発明は上記の点に鑑み、育成後の単結晶のクラックの
発生を大幅に減少させ、クランクを生じせしめる事なく
原料の追加チャージ回数を増やすための単結晶育成法を
提供することを目的とするものである。
発生を大幅に減少させ、クランクを生じせしめる事なく
原料の追加チャージ回数を増やすための単結晶育成法を
提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の単結晶の製造方法は、上記目的達成のため、る
つぼ内に装入した原料を加熱溶融後種子結晶を降下し融
液に接触させ回転させながら引き上げ単結晶を育成させ
る方法において、上記原料のＬｉ／Ｔａモル比が０，９
１から０．９７よりなる原料で、Ｚｒが２００ｐｐｍ、
Ａ １２が８０ｐｐｍ 、 Ｃａが２０ｐｐｍ以下
であることを特徴とする単結晶の製造方法である。
つぼ内に装入した原料を加熱溶融後種子結晶を降下し融
液に接触させ回転させながら引き上げ単結晶を育成させ
る方法において、上記原料のＬｉ／Ｔａモル比が０，９
１から０．９７よりなる原料で、Ｚｒが２００ｐｐｍ、
Ａ １２が８０ｐｐｍ 、 Ｃａが２０ｐｐｍ以下
であることを特徴とする単結晶の製造方法である。
本発明において、発明者らはまず原料の追加チャージ数
と不純物の関係及び単結晶クラックとの関係を詳細に調
査した結果、表１のようにＺｒが２００ｐｐｍ、 Ａ
ｌが８０ｐｐｍ ％ Ｃａが２０ｐｐｍ以上になると
、結晶のＺ軸方向にクラックが入ることが分かった。
と不純物の関係及び単結晶クラックとの関係を詳細に調
査した結果、表１のようにＺｒが２００ｐｐｍ、 Ａ
ｌが８０ｐｐｍ ％ Ｃａが２０ｐｐｍ以上になると
、結晶のＺ軸方向にクラックが入ることが分かった。
クラックの原因としては、結晶の育成時に結晶の成長速
度の速いＺ軸方向に、Ｚｒ、 Ａｆ、Ｃａが取り込ま
れ転位や亜粒界などの結晶欠陥が発生するためと考えら
れる。また原料の追加チャージ数が多（なる程、Ｚｒ、
Ａ６、Ｃａが多くなる傾向があったが、ＺｒとＡ２
は耐火物として使用しているＺｒＯ２やＡｌ２Ｏ２が混
入するためと考えられ、Ｃａは追加チャージにより不純
物が濃縮されるためと推定される。
度の速いＺ軸方向に、Ｚｒ、 Ａｆ、Ｃａが取り込ま
れ転位や亜粒界などの結晶欠陥が発生するためと考えら
れる。また原料の追加チャージ数が多（なる程、Ｚｒ、
Ａ６、Ｃａが多くなる傾向があったが、ＺｒとＡ２
は耐火物として使用しているＺｒＯ２やＡｌ２Ｏ２が混
入するためと考えられ、Ｃａは追加チャージにより不純
物が濃縮されるためと推定される。
表１．不純物分析値
〔実施例１〕
以下、実施例によって本発明を詳説する。
るつぼ内にＬｉ／Ｔａモル比が０．９４６になるように
秤量、混合した原料を１０ｋｇ充填し、１６７０℃に加
熱溶融後、１６５０℃まで温度を下げた後、引き上げ方
向がＸ軸となるように切り出した種子結晶を降下し融液
に接触させ回転させながら引き上げ直径９０鶴長さ１０
０１ｍ重量５ ｋｇの単結晶を育成した。１木目を育成
後、２木目以降前回残った原料に５ ｋｇの原料を追加
チャージし再度育成を行なうという方法で連続して２０
本育成を行なった結果１９木目と２０木目にＺ軸方向の
クラックが発生した。育成した２０本の結晶の上部を分
析した結果第１図のようになり、追加チャージ数が多く
なるほどＺｒ、 Ａｆ、Ｃａが増加することが分かった
。またＺｒが２００ｐｐｍ、八２が８０ｐｐｍ、 Ｃａ
が２０ｐｐｍ以上になると結晶にクランクが発生するこ
とが分かった。
秤量、混合した原料を１０ｋｇ充填し、１６７０℃に加
熱溶融後、１６５０℃まで温度を下げた後、引き上げ方
向がＸ軸となるように切り出した種子結晶を降下し融液
に接触させ回転させながら引き上げ直径９０鶴長さ１０
０１ｍ重量５ ｋｇの単結晶を育成した。１木目を育成
後、２木目以降前回残った原料に５ ｋｇの原料を追加
チャージし再度育成を行なうという方法で連続して２０
本育成を行なった結果１９木目と２０木目にＺ軸方向の
クラックが発生した。育成した２０本の結晶の上部を分
析した結果第１図のようになり、追加チャージ数が多く
なるほどＺｒ、 Ａｆ、Ｃａが増加することが分かった
。またＺｒが２００ｐｐｍ、八２が８０ｐｐｍ、 Ｃａ
が２０ｐｐｍ以上になると結晶にクランクが発生するこ
とが分かった。
〔実施例２〕
Ｚｒやへ２等の耐火物からの混入が少なくなるように注
意しながら前記と同じ方法で秤量、混合を行ない、連続
して育成を行なった。育成後、Ｚｒ。
意しながら前記と同じ方法で秤量、混合を行ない、連続
して育成を行なった。育成後、Ｚｒ。
ｐ、ｅ、Ｃａを分析しＺｒが２００ｐｐｍ以上、Ａｆｆ
が８０ｐｐｍ以上、Ｃａが２０ｐｐｍ以上になる前に追
加チャージを２３木でやめた結果結晶にクラックは発生
しなかった。
が８０ｐｐｍ以上、Ｃａが２０ｐｐｍ以上になる前に追
加チャージを２３木でやめた結果結晶にクラックは発生
しなかった。
上記のように本発明によれば、育成後の単結晶のクラッ
クの発生を大幅に減少させ、さらに単結晶にクラックの
発生する直前まで原料の追加チャージをすることができ
、単結晶育成保留の大幅な向上および原価低減が達成で
きる。
クの発生を大幅に減少させ、さらに単結晶にクラックの
発生する直前まで原料の追加チャージをすることができ
、単結晶育成保留の大幅な向上および原価低減が達成で
きる。
第１図は本発明に係り実験的に得られた原料追加チャー
ジ回数と、Ｚｒ、 Ａ、ｊ２．Ｃａの不純物４度の相関
図である。 第１図 追加チャージ回数亘 手続補正書 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１４０３３７号 ２、発明の名称 タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 性 所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称
（５０８）日立金属株式会社 代表者松野浩二 −）、 別紙の通り 補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の通り
訂正する。 記 １、明細書第２頁第４行目の「ネット部」を「ネック部
」に訂正する。 ２、同書第３頁第５行目のｒ ２００ｐｐｍ、Ａ １が
８０ｐｐｍ、」とｒ ２００ｐｐ履以下、Ａ１が８０Ｐ
Ｐ烏以下、」に訂正する。 ３、同書同頁第１１行目のｒ ２００ｐｐｍ、 Ａ ｌ
が８０ｐｐ■、」をｒ ２００ｐｐｍ以上、Ａ１が５ｏ
ｐｐ−以上、」に訂正する。 ４、同書第６頁第３行目の「単結晶育成保留」を「単結
晶育成歩留」に訂正する。 以上
ジ回数と、Ｚｒ、 Ａ、ｊ２．Ｃａの不純物４度の相関
図である。 第１図 追加チャージ回数亘 手続補正書 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１４０３３７号 ２、発明の名称 タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 性 所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称
（５０８）日立金属株式会社 代表者松野浩二 −）、 別紙の通り 補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の通り
訂正する。 記 １、明細書第２頁第４行目の「ネット部」を「ネック部
」に訂正する。 ２、同書第３頁第５行目のｒ ２００ｐｐｍ、Ａ １が
８０ｐｐｍ、」とｒ ２００ｐｐ履以下、Ａ１が８０Ｐ
Ｐ烏以下、」に訂正する。 ３、同書同頁第１１行目のｒ ２００ｐｐｍ、 Ａ ｌ
が８０ｐｐ■、」をｒ ２００ｐｐｍ以上、Ａ１が５ｏ
ｐｐ−以上、」に訂正する。 ４、同書第６頁第３行目の「単結晶育成保留」を「単結
晶育成歩留」に訂正する。 以上
Claims (1)
- るつぼ内に原料を充填し、加熱溶融後種子結晶を降下し
融液に接触させ回転させながら引き上げタンタル酸リチ
ウム単結晶を育成させる方法において、Ｌｉ／Ｔａモル
比が０．９１から０．９７よりなるタンタル酸リチウム
単結晶用原料で、Ｚｒを２００ｐｐｍ以下、Ａｌを８０
ｐｐｍ以下、Ｃａを２０ｐｐｍ以下にすることを特徴と
するタンタル酸リチウム単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033787A JPS63303895A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033787A JPS63303895A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303895A true JPS63303895A (ja) | 1988-12-12 |
| JPH0458438B2 JPH0458438B2 (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=15266481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14033787A Granted JPS63303895A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303895A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008201640A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022125580A (ja) | 2021-02-17 | 2022-08-29 | トヨタ自動車株式会社 | 衝突回避支援装置 |
-
1987
- 1987-06-04 JP JP14033787A patent/JPS63303895A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008201640A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458438B2 (ja) | 1992-09-17 |
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