JPS63303811A - 超伝導性セラミックス - Google Patents

超伝導性セラミックス

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Publication number
JPS63303811A
JPS63303811A JP62139048A JP13904887A JPS63303811A JP S63303811 A JPS63303811 A JP S63303811A JP 62139048 A JP62139048 A JP 62139048A JP 13904887 A JP13904887 A JP 13904887A JP S63303811 A JPS63303811 A JP S63303811A
Authority
JP
Japan
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compsn
pref
composite oxide
superconducting
value
Prior art date
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Pending
Application number
JP62139048A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Imai
秀秋 今井
Hiroshi Kurokawa
洋 黒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP62139048A priority Critical patent/JPS63303811A/ja
Publication of JPS63303811A publication Critical patent/JPS63303811A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/80Constructional details
    • H10N60/85Superconducting active materials
    • H10N60/855Ceramic materials
    • H10N60/857Ceramic materials comprising copper oxide

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は希土類−銅系組成からなる超伝導材料に関する
ものである。
[従来の伎術] 従来超伝導性を示す物質は数多く知られており、合金系
においてはNb3GeやNbNのようなNb系合金が高
い超伝導臨界温度(以下Tcと記述する)を示し、Nb
:sGeが23.6にというTCを有することが10年
程前に報告されていたが[八pplied Physi
csLettars、23480(1973)]最近ま
でそれ以上のTCを有する物質は知られていなかった。
一方複合酸化物系においてはl−!T!Q4が13.7
にというTcを有することが報告されているが[)la
terials Re5earch Bulletin
、8 。
777 (1973)] 、Tcが低く超伝導材料とし
ての実用性は低い。
超伝導材料の応用範囲は広く、中でも開発の主体となっ
ているのは、磁石用途で必り、超伝導磁石は電気抵抗が
ゼロであるため冷却に要するわずかな電力だけで強い磁
場を発生することが可能となる。従って、@融合、磁気
浮上列車、MHD発電、加速器、モーター等強い磁場空
間を必要とする分野での応用が期待できる。電力分野に
おいては、発電機、電力貯蔵や送電線への応用があり、
エレクトロニクス分野に対しては、ロジックとかメモリ
ーといったコンピューター素子(ジョセフソン素子)、
微弱な磁場を検出するセンサー(量子干渉デバイス)や
ミリ波帯のミキサーや発信器に用いることができるマイ
クロ波索子への応用がおる。
このような用途に用いられる超伝導材料は、高いTcを
持つことか必要とされてあり、現在も材料の探索が続け
られている。高いTCを有する材料が開発されれば、冷
媒として高価で資源的に問題の多い液体ヘリウム(沸点
4.2 K )ではなく、安価で資源的に豊富な液体窒
素(沸点77.3 K)を用いることかできるようにな
り、その用途はさらに飛躍的に広がるものと思われる。
最近、8a−La−CLJ−0系の希土類複合酸化物が
30 Kという高いTcを有することが報告され[Ze
itschrift fur Physik、 B 6
4゜189 (1986)] 、ざらに液液体前の沸点
以上のTCe有するY−Ba−Cu−0未化合物が報告
された( Phys、 Rev、 Lett、 5&、
 911 (t987)。
しかし、Y−Ba−Cu−0未化合物の空気中における
安定性については若干の問題がおり、Tcの経時的低下
が見られる場合があるし、初期Tcも94に程度であり
液体窒素の沸点て使用するためにはさらに高いTcを有
することが望まれている。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、安定性が
良く、高いTcを有する超伝導性セラミックスを提供す
るものでおる。
[問題を解決するための手段] 本発明者らは前記問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた
結果、イツトリウム−バリウム−銅系複合酸化物におい
て硫黄を導入することにより安定性が良く、かつ高いT
cが発現することを見出し本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の超伝導性セラミックスは、組成(Y
l−pBa、)xCuO3−yS7において、0.1≦
p≦0.9.0.5≦x≦2.0.0.6≦y≦1.5
.0.01≦2≦0.60の超伝導性セラミックスでお
る。
以下、本発明の超伝導性セラミックスについて詳細に説
明する。
本発明の超伝導性セラミックスは、 (Yl−pB ao ) x CL−1o3−、 s7
の組成を有する複合酸化物系材料である。YとBa合計
の組成としては0.5≦x≦2.0でおることが必要で
おり、好ましくは0.6≦x≦1.8である。Xの値が
0.5未満、おるいは2.0を越える場合は超伝導性を
有しない結晶相が多量に生成するため材料全体として超
伝導性を示さない場合がおり好ましくない。また、Yと
Baの組成比は0.1≦p≦0.9であることが必要で
おり、好ましくは0.2≦p≦0.8でおる。pの値が
0.1未満、あるいは09を越えると絶縁性化合物が生
成するため超伝導性を示さなくなる。
該超伝導性セラミックスにあける酸素イオンの組成にお
いては、yの値は0.6≦y≦1.5であることが必要
であり、好ましくは0.7≦y≦1.2である。yの値
が1.5を越える場合には、複合酸化物の結晶構造が形
成されず超伝導性を示さないし、0.6未満の場合には
硫黄の含有量か小さくなるのでTcの向上は見られない
。硫黄の組成については2の値は0.01≦2≦0.6
0でおることが必要でおり、好ましくは0.02≦2≦
0.35でおる。Zの値がo、 oi未満の場合は硫黄
の存在する効果か見られず、0.60を越える場合には
超伝導性を有しない結晶相が多量に生成するため好まし
くない。
また、本発明においては複合酸化物中に通常の試薬中に
含まれる不純物が存在していても性能にはほとんど影響
せず、例えばY以外にSc、Ce、La、Pr、NdX
Sm、Eu’、G’d、Tb、[)y、Ho、Fr、T
m、Ybヤl、uのような希土類元素やTi、V、Cr
、Mn、Fe、Go、N i 、Zn、 Zr、Nb、
Mo、Ta、W、Si、Bi、A1、Ge、Mg、Ca
や5r(7)ような金属元素、おるいはCIやFのよう
な陰イオンか微ω存在してもよい。
次に本発明の超伝導性セラミックスの製造方法について
説明するが、特にこれに限定されるものではない。
本発明の超伝導性セラミックスの製造方法は、例えば三
二硫化イツトリウム、イツトリウムのオキシ硫化物やオ
キシ硫酸イツトリウム等のイツトリウム硫化物、硫化バ
リウム、酸化バリウム、炭酸バリウムや硝酸バリウムの
ようなバリウム塩、および酸化第二銅、炭酸第二銅や硝
酸第二銅のような銅化合物を所定N混合後、所定の温度
で加熱することにより固相反応させる方法、おるいは酸
化イツトリウムや炭酸イツトリウムのようなイツトリウ
ム化合物、上記のようなバリウム塩、および上記のよう
な銅化合物を所定量混合後、所定の温度で加熱すること
により固相反応中にあるいは同相反応後に酸化硫黄と接
触せしめることにより合成する方法がある。ざらに、イ
ツトリウム、バリウムや銅の塩化物や硝酸塩のような可
溶性水溶液の混合物にシュウ酸を添加して共沈せしめた
俊、該共沈化合物を加熱して反応中に、あるいは反応後
に酸か硫黄と接触せしめるという方法がある。加熱反応
する条件は組成によって異なるか、700’Cから90
0’Cにおいて0.5時間から48時間所定の雰囲気中
において行うことが好ましい。
上記のようにして得られる複合酸化物は、必要がめれば
ホールミルやジェットミル等の粉砕手段を用いて、例え
ば10μm以下に粉砕した後に所定の形に成形し焼結す
る。焼結温度は組成によって異なるが800〜1100
’Cが好ましく、0.5から5時間所定の雰囲気中で行
う。
次いで所定の雰囲気中において0.5から −10時間
600〜1000°Cの温度でアニールした後に徐冷す
る。
本発明において複合酸化物中の酸素含有量の制御も重要
な因子であり、それはアニール時の雰囲気を変えること
によって行うことができ、具体的には雰囲気中の酸素分
圧を変えることによって行う。
また、該複合酸化物を用いてスパッタリング法、分子線
エピタキシャル法やCVD法により基板上に目的とする
複合酸化物の薄膜を形成することも可能である。
[実施例] 以下実施例によりざらに詳細に説明する。
実施例1 三二硫化イツトリウム4.56g、炭酸バリウム13.
2g、および酸化第二銅7.96gを乳鉢中で混合した
後、900℃の温度において空気中で16時間焼成した
。該複合酸化物の組成はY O,338ao、 68C
uO1,95S 0.22’″Cありたり得られた複合
酸化物は1 ton/cm2の圧力でプレス成形した俊
、910℃の温度において空気中で12時間焼結、アニ
ールを行い円盤状の成形体を得た。
該成形体は直方体状に切り出して電極を取り付け、タラ
イオスタット(オックスフt−ド社製)にセットした後
、四端子法によって10mAの電流を流しながら電気抵
抗を測定した。また、該複合酸化物の磁化率の温度依存
性については振動試料型磁力計(東英工業製VSM−3
型)を用いて測定した。
第1図に電気抵抗の温度依存性を示すが、超伝導現象が
現れ始める温度は135にであり、完全に抵抗がぜ口に
なる温度は(超伝導転移温度>  105にであること
がわがった。
第2図に磁化率の温度依存性を示すが、磁化率は103
kから減少し始め、反磁性を示す。
これらのことから該複合酸化物が高い温度において超伝
導性を有することがわかる。
実施例2〜4 実施例1の方法と同様にして三二硫化イツトリウム、炭
酸バリウムと酸化第二銅の組成比を変えて複合酸化物を
得た。得られた複合酸化物は実施例1と同様に焼結、ア
ニールし、電気抵抗を測定した。結果は第1表に示す。
第1表 実施例5 実施例1において三二硫化イツトリウムのかわりにオキ
シ硫酸イツトリウムを用いる以外は同様の方法を用い Yo、33B ao、66Cu02.01S0.12の
組成を有する複合酸化物を得た。実施例1と同様の方法
を用いて電気抵抗を測定したところ、超伝導開始温度は
132k、超伝導転移温度は110にでおった。また、
磁化率の反磁性転移温度は108にでおった。
実施例6 実施例1において三二硫化イツトリウムのかわりにオキ
シ硫化物(Y2’02S)を用いる以外は同様の方法を
用い、 ・Yo、33B ao、66CuOl、99So、os
”Ifl成を有する複合酸化物を得た。
実施例1と同様の方法を用いて電気抵抗を測定したとこ
ろ、超伝導開始温度は110k。
超伝導転移温度は95にでめった。また、磁化率の反磁
性転移温度は93にであった。
[発明の効果] 以上説明したように本発明の複合酸化物は空気中におい
て安定であり高いTcを有するため、種々の用途に応用
できる工業材料として極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のY O,33B ao、 6BCuO
1,95S0.22の組成を有する複合酸化物の電気抵
抗の温度依存性を示すグラフ、第2図は該複合酸化物の
磁化率の温度依存性を示したグラフである。 愚扶イし牟 亀気倦仇

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 組成(Y_1_−_pBa_p)_xCuO_3_−_
    yS_zにおいて、0.1≦p≦0.9、0.5≦x≦
    2.0、0.6≦y≦1.5、0.01≦z≦0.60
    であることを特徴とする超伝導性セラミックス。
JP62139048A 1987-06-04 1987-06-04 超伝導性セラミックス Pending JPS63303811A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6418917A (en) * 1987-07-10 1989-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPH01239004A (ja) * 1988-03-17 1989-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸化物高温超電導体及び薄膜超電導体及びスパッタリング用ターゲット

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6418917A (en) * 1987-07-10 1989-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
JPH01239004A (ja) * 1988-03-17 1989-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸化物高温超電導体及び薄膜超電導体及びスパッタリング用ターゲット

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